JP2516251B2 - 酸化物超伝導膜の製造方法 - Google Patents
酸化物超伝導膜の製造方法Info
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- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は超伝導膜の製造方法及びそれを用いる装置に
係り特に高い臨界温度を有する酸化物超伝導膜の好適な
製造方法を提供するものである。
係り特に高い臨界温度を有する酸化物超伝導膜の好適な
製造方法を提供するものである。
臨界温度が液体窒素を越える酸化物超伝導体が近年次
々と発見され同物質の超伝導機器応用を目的とした研究
開発が活発に進められている。
々と発見され同物質の超伝導機器応用を目的とした研究
開発が活発に進められている。
特にTl−Ba−Ca−Cu−Ｏ系物質はタリウムが猛毒であ
るにもかかわらず、そのTcが120K級と非常に高いため研
究が活発である。タリウム系物質は一般的にバリウム，
カリシウムの酸化物あるいは炭酸塩とタリウム、銅の酸
化物を混合粉砕し、大気中あるいは酸素中で850〜920℃
の温度で５分〜10時間焼成して得られる。得られらタリ
ウム系物質を基板上に塗布あるいは付着させる方法とし
て、燃焼炎あるいは電気エネルギを用いて材料を溶融さ
せこれを吹き飛ばして基板表面に付着，積層させ皮膜を
形成させる溶射法などがある。
るにもかかわらず、そのTcが120K級と非常に高いため研
究が活発である。タリウム系物質は一般的にバリウム，
カリシウムの酸化物あるいは炭酸塩とタリウム、銅の酸
化物を混合粉砕し、大気中あるいは酸素中で850〜920℃
の温度で５分〜10時間焼成して得られる。得られらタリ
ウム系物質を基板上に塗布あるいは付着させる方法とし
て、燃焼炎あるいは電気エネルギを用いて材料を溶融さ
せこれを吹き飛ばして基板表面に付着，積層させ皮膜を
形成させる溶射法などがある。
しかし、上記した製造方法によればタリウム酸化物は
蒸気圧が高いため組成の調整が難しく超伝導相の単一合
成が困難であると共に、焼結前には緻密であつた成形体
がタリウムが飛散することによつて多孔質となり緻密な
焼結体が得られない。従つて超伝導結晶粒の接触面積が
小さく単位面積当たりの電流密度も低かつた。超伝導膜
におけるタリウム成分の損失は高エネルギーを用いて粉
末溶融させる溶射法などにおいて著しい。さらに、猛毒
タリウムが成膜装置内に付着し汚染する危険性があつ
た。本発明は上記した超伝導体合成における問題点を解
決し、均質で高純度で、臨界電流密度、臨界磁界の高い
酸化物超伝導体の製造と、かつ猛毒タリウムによる成膜
装置の汚染を防止することを目的としたものである。
蒸気圧が高いため組成の調整が難しく超伝導相の単一合
成が困難であると共に、焼結前には緻密であつた成形体
がタリウムが飛散することによつて多孔質となり緻密な
焼結体が得られない。従つて超伝導結晶粒の接触面積が
小さく単位面積当たりの電流密度も低かつた。超伝導膜
におけるタリウム成分の損失は高エネルギーを用いて粉
末溶融させる溶射法などにおいて著しい。さらに、猛毒
タリウムが成膜装置内に付着し汚染する危険性があつ
た。本発明は上記した超伝導体合成における問題点を解
決し、均質で高純度で、臨界電流密度、臨界磁界の高い
酸化物超伝導体の製造と、かつ猛毒タリウムによる成膜
装置の汚染を防止することを目的としたものである。
前記目的を達成するため、本発明では酸化物超伝導膜
の前駆体を基板上に形成し、該前駆体をタリウム含有物
と共存させて焼成する酸化物超伝導膜の製造方法におい
て、前記前駆体は原子比が（バリウム、ストロンチウ
ム）：カルシウム：銅＝2:2:3および／もしくは2:1:2
で、またタリウム含有物の反応後の超伝導膜はタリウ
ム：（バリウム、ストロンチウム）：カルシウム：銅＝
2:2:2:3および／もしくは2:2:1:2で構成した。
の前駆体を基板上に形成し、該前駆体をタリウム含有物
と共存させて焼成する酸化物超伝導膜の製造方法におい
て、前記前駆体は原子比が（バリウム、ストロンチウ
ム）：カルシウム：銅＝2:2:3および／もしくは2:1:2
で、またタリウム含有物の反応後の超伝導膜はタリウ
ム：（バリウム、ストロンチウム）：カルシウム：銅＝
2:2:2:3および／もしくは2:2:1:2で構成した。
以下にその詳細を説明する。タリウム系超伝導物質は
タリウムの蒸気圧が高いためにTl:（Ba,Sr）:Ca:Cu＝2:
2:2:3で調合、焼成したとしてもタリウムが飛散し単一
目的組成の物質を得ることが非常に困難である。反面、
タリウム含有物及び気相タリウムを密閉容器内に充満さ
せると一般に用いられる成形ペレツトと比較して膜の場
合には反応領域が薄いため均一なタリウム系超伝導物質
を生成させることができる。また、前駆体で緻密な膜を
形成したとしても膜内部からタリウムが飛散するのでは
なく、外部からタリウムが固相及び／あるいは気相拡散
で反応するので緻密な状態が維持できる。
タリウムの蒸気圧が高いためにTl:（Ba,Sr）:Ca:Cu＝2:
2:2:3で調合、焼成したとしてもタリウムが飛散し単一
目的組成の物質を得ることが非常に困難である。反面、
タリウム含有物及び気相タリウムを密閉容器内に充満さ
せると一般に用いられる成形ペレツトと比較して膜の場
合には反応領域が薄いため均一なタリウム系超伝導物質
を生成させることができる。また、前駆体で緻密な膜を
形成したとしても膜内部からタリウムが飛散するのでは
なく、外部からタリウムが固相及び／あるいは気相拡散
で反応するので緻密な状態が維持できる。
タリウム系超伝導体はTl−（Ba,Sr）−Ca−Cu−Ｏ系
の組成から成る複数の超伝導結晶構造が存在し、これら
の結晶相は組成と温度と酸素分圧とによつて平衡相が決
められるので特定の結晶構造を生成させるためにはそれ
ら諸条件の中から特定の範囲を選ぶ必要がある。例えば
液体窒素温度（77K）以上の臨界温度を得るためには組
成をTl−（Ba,Sr）−Ca−Cu＝2:2:2:3として空気中で焼
成する場合には840〜880℃が好ましい。しかし、この条
件は限定的ではなくリチウム，ルビジウム，鉛などから
選ばれた一種以上の化合物を置換，添加することによつ
て合成温度を低下することができる。また酸素分圧を高
くすることによつて合成温度を高くすることもできる。
の組成から成る複数の超伝導結晶構造が存在し、これら
の結晶相は組成と温度と酸素分圧とによつて平衡相が決
められるので特定の結晶構造を生成させるためにはそれ
ら諸条件の中から特定の範囲を選ぶ必要がある。例えば
液体窒素温度（77K）以上の臨界温度を得るためには組
成をTl−（Ba,Sr）−Ca−Cu＝2:2:2:3として空気中で焼
成する場合には840〜880℃が好ましい。しかし、この条
件は限定的ではなくリチウム，ルビジウム，鉛などから
選ばれた一種以上の化合物を置換，添加することによつ
て合成温度を低下することができる。また酸素分圧を高
くすることによつて合成温度を高くすることもできる。
また、本発明において酸化物超伝導体の前駆体を基板
に塗付あるいは付着させる方法は成膜時に該前駆体の組
成に大きな変化をもたらさないものであれば特に限定は
ない。たとえばスパツタ法,CVD法，蒸着法，溶射法や前
記前駆体を溶融させてこれを基板に塗付させる溶湯急冷
法，テープキヤスト法などのいずれかの方法もとること
ができる。たとえばプラズマ溶射法について以下説明す
る。予め900℃程度で焼成された（Ba,Sr）−Ca−Cu−Ｏ
前駆体をライカン機がボールミルで平均粒径が数ミクロ
ンから数十ミクロン程度に粉砕する。得られた粉末をプ
ラズマ溶射法によつて基板上に塗付し前駆体膜を形成す
る。この時の溶射雰囲気は大気中あるいは減圧アルゴン
中でもよいが、溶射中あるいは溶射直後に基板を200〜9
00℃に加熱することによつて溶射後変質しない良好な膜
を得ることが出来る。
に塗付あるいは付着させる方法は成膜時に該前駆体の組
成に大きな変化をもたらさないものであれば特に限定は
ない。たとえばスパツタ法,CVD法，蒸着法，溶射法や前
記前駆体を溶融させてこれを基板に塗付させる溶湯急冷
法，テープキヤスト法などのいずれかの方法もとること
ができる。たとえばプラズマ溶射法について以下説明す
る。予め900℃程度で焼成された（Ba,Sr）−Ca−Cu−Ｏ
前駆体をライカン機がボールミルで平均粒径が数ミクロ
ンから数十ミクロン程度に粉砕する。得られた粉末をプ
ラズマ溶射法によつて基板上に塗付し前駆体膜を形成す
る。この時の溶射雰囲気は大気中あるいは減圧アルゴン
中でもよいが、溶射中あるいは溶射直後に基板を200〜9
00℃に加熱することによつて溶射後変質しない良好な膜
を得ることが出来る。
得られた溶射膜をタリウム含有物と共に容器に密閉し
870℃、10時間の焼成を施すことによつてタリウム：
（バリウム，ストロンチウム）：カルシウム：銅＝2:2:
2:3あるいは／もしくは2:2:1:2の超伝導膜が形成され
た。なお、タリウム含有物はタリウムの酸化物，硝酸
塩，炭酸塩，ハロゲン化物，有機酸塩，有機金属体など
を用いることができ、また多孔質体に金属タリウム，酸
化タリウム等を含浸させた物質をも適用できる。
870℃、10時間の焼成を施すことによつてタリウム：
（バリウム，ストロンチウム）：カルシウム：銅＝2:2:
2:3あるいは／もしくは2:2:1:2の超伝導膜が形成され
た。なお、タリウム含有物はタリウムの酸化物，硝酸
塩，炭酸塩，ハロゲン化物，有機酸塩，有機金属体など
を用いることができ、また多孔質体に金属タリウム，酸
化タリウム等を含浸させた物質をも適用できる。
実施例1. BaCo3;38.7g,SrCO3;7g,CaCO3;24.01g,CuO;28.63gをメ
ノウ製乳鉢を用いたライカイ機で約30分混合粉砕する。
得られた粉末を磁性アルミナるつぼにとり、これを空気
中で900℃、10hで焼成する。焼成体を再びメノウ製乳鉢
を用いたライカイ機で約30分粉砕し、得られた粉末を＃
325メツシユのふるいにかけ、ふるいを通らなかつた粉
末を再びライカイ機で粉砕するという工程を繰返し細粒
を得る。この粉末をプラズマ溶射装置を用いて大きさ10
×20×3mのNi−Cr系鉄合金の基板上に大気中溶射した。
Ni−Cr系鉄合金の化学成分は重量％でC;0.08,Cr;22.0,C
o;2.00,Fe;18.0,Mo;9.00,W;0.5,B;0.05,残量Niから成
り、大気中溶射の条件は出力34kW、プラズマ電流;800
A、溶射時間;200秒、溶射膜厚は約100μｍであつた。こ
こで、溶射部分はその中央部の幅が1mmとなるようなマ
スク板を基板表面にあてて溶射した。また、基板は溶射
直後に200℃に加熱し２時間保持した。得られた溶射後
の基板を酸化タリウムと共にアルミナ板の上に置き上部
をアルミナるつぼでおおつて銀ペーストで密閉し、870
℃で10h空気中で焼成する。焼成試料状態の詳細を第１
図に示す。得られた基板の溶射部分はタリウム：バリウ
ム：ストロンチウム：カルシウム：銅＝2:1.6:0.4:2:3:
あるいは／もしくは2:1.6:0.4:1:2の原子化の酸化物結
晶で構成されていた。この基板の溶射部にインジウム半
田で端子を接合し、四端子抵抗法で液体窒素を冷媒とし
て電気抵抗の温度依存性を測定した。その結果オンセツ
トの臨界温度は117Kであつた。本超伝導膜の電気抵抗の
温度依存性を第２図に示す。また直流法で電圧−電流特
性を測定端子間電圧を１μV/cmとした時の液体窒素温度
における臨界電流密度は2500A/cm2であつた。
ノウ製乳鉢を用いたライカイ機で約30分混合粉砕する。
得られた粉末を磁性アルミナるつぼにとり、これを空気
中で900℃、10hで焼成する。焼成体を再びメノウ製乳鉢
を用いたライカイ機で約30分粉砕し、得られた粉末を＃
325メツシユのふるいにかけ、ふるいを通らなかつた粉
末を再びライカイ機で粉砕するという工程を繰返し細粒
を得る。この粉末をプラズマ溶射装置を用いて大きさ10
×20×3mのNi−Cr系鉄合金の基板上に大気中溶射した。
Ni−Cr系鉄合金の化学成分は重量％でC;0.08,Cr;22.0,C
o;2.00,Fe;18.0,Mo;9.00,W;0.5,B;0.05,残量Niから成
り、大気中溶射の条件は出力34kW、プラズマ電流;800
A、溶射時間;200秒、溶射膜厚は約100μｍであつた。こ
こで、溶射部分はその中央部の幅が1mmとなるようなマ
スク板を基板表面にあてて溶射した。また、基板は溶射
直後に200℃に加熱し２時間保持した。得られた溶射後
の基板を酸化タリウムと共にアルミナ板の上に置き上部
をアルミナるつぼでおおつて銀ペーストで密閉し、870
℃で10h空気中で焼成する。焼成試料状態の詳細を第１
図に示す。得られた基板の溶射部分はタリウム：バリウ
ム：ストロンチウム：カルシウム：銅＝2:1.6:0.4:2:3:
あるいは／もしくは2:1.6:0.4:1:2の原子化の酸化物結
晶で構成されていた。この基板の溶射部にインジウム半
田で端子を接合し、四端子抵抗法で液体窒素を冷媒とし
て電気抵抗の温度依存性を測定した。その結果オンセツ
トの臨界温度は117Kであつた。本超伝導膜の電気抵抗の
温度依存性を第２図に示す。また直流法で電圧−電流特
性を測定端子間電圧を１μV/cmとした時の液体窒素温度
における臨界電流密度は2500A/cm2であつた。
実施例2. BaCo3;38.7g,SrCO3;7g,CaCO3;24.01g,CuO;28.63gをメ
ノウ製乳鉢を用いたライカイ機で約30分混合粉砕する。
得られた粉末を磁性アルミナるつぼにとり、これを空気
中で900℃、10hで焼成する。焼成体を再びメノウ製乳鉢
を用いたライカン機で約30分粉砕し、得られた粉末を10
gとり、直径30mmのペレツトにプレス成形する。得られ
たペレツトを空気中で、870℃、10時間焼成する。この
ペレツトをターゲツトとして、20mm×10mmのMgO単結晶
基板にスパツタ法で前駆体膜を形成する。この時基板は
MgO単結晶の（001）面を用いた。加速電圧2kV、アルゴ
ン希釈した40％酸素雰囲気で１×102Torrの条件下で作
成して得られた膜圧は５μｍであつた。なお、基板は溶
射中に600℃に加熱した。この前駆体膜をアルミナ板の
酸化タリウムの上に置き、板上部をアルミナるつぼでお
おい870℃、２時間、空気中で焼成する。得られた生成
膜はほぼTl:（Ba,Sr）:Ca:Cuが2:2:2:3の原子比で構成
される酸化物であつた。そして膜中央部の幅が0.1mmと
なるようにパターンエツチングしてその両端に銀ペース
トを用いて端子を接続して四端子抵抗法で液体窒素を冷
媒として電気抵抗の温度依存性を測定した。その結果オ
ンセツトを臨界温度は97Kであつた。本超伝導膜の電気
抵抗の温度依存性を第３図に示す。また直流法で電圧−
電流特性を測定端子間電圧を１μV/cmとした時の液体窒
素温度における臨界電流密度は12000A/cm2であつた。
ノウ製乳鉢を用いたライカイ機で約30分混合粉砕する。
得られた粉末を磁性アルミナるつぼにとり、これを空気
中で900℃、10hで焼成する。焼成体を再びメノウ製乳鉢
を用いたライカン機で約30分粉砕し、得られた粉末を10
gとり、直径30mmのペレツトにプレス成形する。得られ
たペレツトを空気中で、870℃、10時間焼成する。この
ペレツトをターゲツトとして、20mm×10mmのMgO単結晶
基板にスパツタ法で前駆体膜を形成する。この時基板は
MgO単結晶の（001）面を用いた。加速電圧2kV、アルゴ
ン希釈した40％酸素雰囲気で１×102Torrの条件下で作
成して得られた膜圧は５μｍであつた。なお、基板は溶
射中に600℃に加熱した。この前駆体膜をアルミナ板の
酸化タリウムの上に置き、板上部をアルミナるつぼでお
おい870℃、２時間、空気中で焼成する。得られた生成
膜はほぼTl:（Ba,Sr）:Ca:Cuが2:2:2:3の原子比で構成
される酸化物であつた。そして膜中央部の幅が0.1mmと
なるようにパターンエツチングしてその両端に銀ペース
トを用いて端子を接続して四端子抵抗法で液体窒素を冷
媒として電気抵抗の温度依存性を測定した。その結果オ
ンセツトを臨界温度は97Kであつた。本超伝導膜の電気
抵抗の温度依存性を第３図に示す。また直流法で電圧−
電流特性を測定端子間電圧を１μV/cmとした時の液体窒
素温度における臨界電流密度は12000A/cm2であつた。
実施例3. 実施例１と同様の方法で得られた（Ba,Sr）−Ca−Cu
−Ｏ系用射溶粉末を用いて大きさ10mm×5000mm×0.1mm
のテープ状Ni−Cr鉄合金の上に同粉末を減圧アルゴン雰
囲気中でプラズマ溶射した。減圧雰囲気中溶射の条件は
出力34kW,プラズマ電流800A,雰囲気圧力400Torr,溶射時
間240秒，溶射膜厚150μｍであつた。長尺テープは回転
ドラムに巻きつけられており、溶射ノズムの下を一定速
度で通過しながら他方の配転ドラムに巻取られてゆく。
テープの送り速度は1cm/minである。なお、基板は溶射
中に200℃に加熱した。この溶射膜をアルミナ板の酸化
タリウムの上に置き、板上部をアルミナるつぼでおおい
銀ペーストで密閉して870℃、10時間、空気中で焼成す
る。得られた生成膜はほぼTl:（Ba,Sr）:Ca:Cuが2:2:2:
3の原子比で構成される酸化物であつた。この溶射テー
プを1000mmの長さに切断して両端に銀ペーストを用いて
端子を接続して四端子抵抗法で液体窒素を冷媒として電
気抵抗の温度依存性を測定した。その結晶オンセツトの
臨界温度は97Kであつた。また直流法で電圧−電流特性
を測定端子間電圧を１μV/cmとした時の液体窒素温度に
おける臨界電流密度は1500A/cm2であつた。
−Ｏ系用射溶粉末を用いて大きさ10mm×5000mm×0.1mm
のテープ状Ni−Cr鉄合金の上に同粉末を減圧アルゴン雰
囲気中でプラズマ溶射した。減圧雰囲気中溶射の条件は
出力34kW,プラズマ電流800A,雰囲気圧力400Torr,溶射時
間240秒，溶射膜厚150μｍであつた。長尺テープは回転
ドラムに巻きつけられており、溶射ノズムの下を一定速
度で通過しながら他方の配転ドラムに巻取られてゆく。
テープの送り速度は1cm/minである。なお、基板は溶射
中に200℃に加熱した。この溶射膜をアルミナ板の酸化
タリウムの上に置き、板上部をアルミナるつぼでおおい
銀ペーストで密閉して870℃、10時間、空気中で焼成す
る。得られた生成膜はほぼTl:（Ba,Sr）:Ca:Cuが2:2:2:
3の原子比で構成される酸化物であつた。この溶射テー
プを1000mmの長さに切断して両端に銀ペーストを用いて
端子を接続して四端子抵抗法で液体窒素を冷媒として電
気抵抗の温度依存性を測定した。その結晶オンセツトの
臨界温度は97Kであつた。また直流法で電圧−電流特性
を測定端子間電圧を１μV/cmとした時の液体窒素温度に
おける臨界電流密度は1500A/cm2であつた。
以上の発明によつて均質で緻密なタリウム系超伝導膜
を作成するこができ高い電流密度を得た。しかも成膜装
置が毒性タリウムで汚染される心配もなく従来の成膜装
置がタリウム系超 伝導膜の作成に適用できるようにな
つた。
を作成するこができ高い電流密度を得た。しかも成膜装
置が毒性タリウムで汚染される心配もなく従来の成膜装
置がタリウム系超 伝導膜の作成に適用できるようにな
つた。
第１図は本発明にもとづく実施例１により説明される溶
射基板の反応処理の方法を示す断面図、第２図は本発明
にもとづく実施例１により得られた酸化物超伝導膜の電
気抵抗の温度変化を示す線図、第３図は本発明にもとづ
く実施例２により得られた酸化物超伝導膜の電気抵抗の
温度変化を示す線図である。 １……溶射基板、２……タリウム含有物質、３……アル
ミナるつぼ、４……アルミナ板、５……銀ペースト。
射基板の反応処理の方法を示す断面図、第２図は本発明
にもとづく実施例１により得られた酸化物超伝導膜の電
気抵抗の温度変化を示す線図、第３図は本発明にもとづ
く実施例２により得られた酸化物超伝導膜の電気抵抗の
温度変化を示す線図である。 １……溶射基板、２……タリウム含有物質、３……アル
ミナるつぼ、４……アルミナ板、５……銀ペースト。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 39/24 ＺＡＡ Ｃ０４Ｂ 35/00 ＺＡＡＫ (72)発明者 加茂 友一 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所日立研究所内 (72)発明者 松田 臣平 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所日立研究所内 (56)参考文献 特開 平２−107520（ＪＰ，Ａ) Ｐｈｙｓｉｃａ．Ｃ156（1988）Ｐ. 775−780 Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ38（10) （1988）Ｐ．7074−76
Claims (4)
- 【請求項１】酸化物超伝導体の前駆体を基板上に形成
し、該前駆体をタリウム含有物と共存させて焼成する酸
化物超伝導膜の製造方法において、 前記前駆体は原子比が（バリウム、ストロンチウム）：
カルシウム：銅＝2:2:3および／もしくは2:1:2で、また
タリウム含有物と反応後の超伝導膜はタリウム：（バリ
ウム、ストロンチウム）：カルシウム：銅＝2:2:2:3お
よび／もしくは2:2:1:2で構成されることを特徴とする
酸化物超伝導膜の製造方法。 - 【請求項２】請求項１において前記前駆体および／もし
くはタリウム含有物をリチウム、セシウム、ルビジウ
ム、鉛の少なくとも１種以上の元素を置換して焼成させ
ることを特徴とする酸化物超伝導膜の製造方法。 - 【請求項３】請求項１又は請求項２において前駆体を基
板上に形成する方法としてプラズマ溶射法を用い溶射中
あるいは溶射後、前記基板を200〜900℃に加熱すること
を特徴とする超伝導膜の製造方法。 - 【請求項４】請求項３において前記基板の形状を線ある
いは板状としたことを特徴とする超伝導膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63310003A JP2516251B2 (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | 酸化物超伝導膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63310003A JP2516251B2 (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | 酸化物超伝導膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02291611A JPH02291611A (ja) | 1990-12-03 |
| JP2516251B2 true JP2516251B2 (ja) | 1996-07-24 |
Family
ID=17999977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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-
1988
- 1988-12-09 JP JP63310003A patent/JP2516251B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (2)
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|---|
| Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ３８（１０）（１９８８）Ｐ．７０７４−７６ |
| Ｐｈｙｓｉｃａ．Ｃ１５６（１９８８）Ｐ．７７５−７８０ |
Also Published As
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