JPH01184102A - 酸化物超電導材料の製造方法 - Google Patents

酸化物超電導材料の製造方法

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JPH01184102A
JPH01184102A JP63008458A JP845888A JPH01184102A JP H01184102 A JPH01184102 A JP H01184102A JP 63008458 A JP63008458 A JP 63008458A JP 845888 A JP845888 A JP 845888A JP H01184102 A JPH01184102 A JP H01184102A
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JP
Japan
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fine particles
liq
dissolved
oxide
base sheet
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Application number
JP63008458A
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English (en)
Inventor
Makoto Koike
允 小池
Yasuhide Ono
大野 泰秀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Corp
Original Assignee
Nippon Steel Corp
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Publication date
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Publication of JPH01184102A publication Critical patent/JPH01184102A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は酸化物超電導材料、特に酸化物セラミックス
よりなる超電導材料の製造方法に関する。
酸化物超電導材料は、発電機、変圧器その他の電気機器
やジョセフソン素子などの電子デバイスなどに使用され
る。
[従来の技術] 超電導材料として、金属間化合物、有機材料、セラミッ
クスなどが知られている。最近は、酸化物系超電導材料
の開発が活発におこなわれている。
これらの酸化物系超電導材料の製造ではLa、Yなどの
希土類元素の酸化物、Sr、 Baなどのアルカリ土類
金属の炭酸塩およびCuOなどの原料粉末を加圧成形し
たのち、焼結する。成形体を観察すると、微小な結晶粒
が集った多結晶体となっている。この結晶体は酸素イオ
ンの充填状態が重要な要素てあり、その構造はペロブス
カイト型であることがわかっている。
[発明が解決しようとする課題] 上記製造方法での大きな問題は、焼結で目的とする構造
の結晶体を得ようとするため、極めて長い焼結時間を要
するが、それでも十分に各成分が拡散して均一な結晶体
が得られているとは言い難いことである。そのため、粉
体の粒度を細かくする、または十分混合する等の対策が
取られている。しかし、それでも不十分であり、臨界温
度Tc、臨界電流密度Jcあるいは臨界磁場Hcの向上
の一つの障害となっている。
そこで、この発明はこのような障害をとり除くことを1
指したもので、均一な組成構造をもつ酸化物超電導材料
の製造方法を提供しようとするものである。
[課題を解決するための手段] この発明の酸化物超電導材料の製造方法は、希土類元素
の酸化物、アルカリ土類金属の炭酸塩およびCuOの粉
末を原料とし、これらを酸素雰囲気中で溶解する。そし
て、その溶融液を基盤に向けて微粒子状にして飛散させ
、基盤上に堆積させ、ついで微粒子が堆積した基盤を徐
冷する。
原料は、製造する酸化物超電導材料の種類に応じて希土
類元素およびアルカリ土類金属から所要の金属が選ばれ
る。希土類から選ばれるものは、たとえばLa、 Eu
、 Dy、 No、 Er、 Tm、 YbまたはYで
ある。また、アルカリ土類金属から選ばれるものは、C
a、 Sr、 RaまたはBaである。原料粉末の粒径
は109m以下が望ましい。あまり大きな粉体だと相分
離を起し、希土類元素と他の成分とが分離してしまう。
原料の溶解は、たとえばるつぼ内で行う。
溶融液を微粒子状に飛散させるには、たとえばガスアト
マイズ法、遠心力法などが用いられる。
ガスアトマイズ法では、噴射ガスとして酸素を含むガス
が望ましい。また、遠心力法では回転円盤上に溶融液を
落下させる。ガスアトマイズ法、遠心力法などにより飛
散して生じた微粒子の粒径は、100μm以下であるこ
とが望ましい。微粒子にしないでそのまま固めると、相
分離をおこし目的とする均一な材料ができない。したか
フて、粒単位で半凝固状態で堆積させる必要がある。
基盤材料は、反応性が小さいことからAfL203゜5
rTi03. MgOなどが望ましいが、それ以外の基
盤材料でもよい。基盤の形状は板状、丸棒状あるいはそ
の他の形状であってもよい。また、長尺の基盤をこれの
長手方向に送りながら、溶融液の微粒子を堆積させると
、長尺の超電導材料を得ることができる。
上記溶融液の飛散および基盤状への堆積も酸素雰囲気中
で行う。材料の溶融、飛散および堆積を酸素雰囲気中で
行うのは、この過程で材料中の酸素の一部が失われるの
で、これを防ぐためである。酸素雰囲気は酸素ガスのみ
、あるいはアルゴン、窒素などと酸素との混合気であっ
てもよい。
また、半凝固状態で堆積してポロシティのない材料を得
るように溶融温度、飛散時の温度、基盤との距離、基盤
温度を管理する。
このようにして作成した結晶体は、そのままかあるいは
焼鈍して使用する。
[作用] 原料粉末をるつぼ内などで加熱して得られた溶融液をガ
スアトマイズ法、遠心力法などにより飛散させると溶融
液は微小な粒子となる。したかりて、この溶融液の微小
粒子が基盤上で半凝固状態で堆積した材料はポロシティ
が少なく、成分が均一な結晶体が得られる。また、原料
粉末の溶解、溶融液の飛散および堆積を酸素雰囲気中で
行うのて、酸素濃度が適切な超電導材料が得られる。
[実施例] 第1図はこの発明により超電導テープを製造する方法の
一例を示している。
まず、酸化イツトリウム、炭酸バリウムおよび酸化銅の
粉末を混合し、るつぼ1に入れて酸素濃度の高い雰囲気
中で溶解する。溶解後、ストッパー2を外し、ノズル3
を通して溶融液4を落下させながら、ノズル3の出口で
酸素ガス5でアトマイズする。溶融液4はスプレー状と
なり、ノズル3の下方を移動するテープ状基盤6の上に
堆積する。基盤6はAgL203であり、下方よりヒー
ター7で加熱する。溶融液4の微粒子が堆積した基盤6
は室温まで徐冷する。
上記作業において、溶融液の温度は1300℃、ノズル
3と基盤6の距離は200mm、基盤温度は300℃で
あった。また、溶融液の微粒子の粒径は、平均で30μ
mであり、超電導材の膜厚は 1000μmであった。
これにより、ポロシティ−98%の均一なYB2Cu3
0.、のテープが得られた。このテープの液体窒素温度
での臨界電流密度は100 A/cm2であった。
また、上記のように作成したテープを酸素雰囲気中で9
50℃X8hrの焼鈍を行った。その結果、1200 
八/cm2(液体窒素温度)の臨界電流密度Jcが得ら
れた。
第2図はこの発明の他の実施例であり、超電導線材を製
造する方法を示している。なお、第1図に示す部材と同
じ部材には同一の参照符号を付け、その説明は省略する
原料、溶解、アトマイズなどの条件は上記実施例のもの
と同じである。基盤8は鉄の丸棒の表面にA9.203
を溶射して作成した。基盤の直径は50mm、長さは5
00mm、 AMzO:+の膜厚は 100umであっ
た。そして、この棒状基盤8を回転、かつ軸方向に送り
ながら、基盤表面に溶融液4をスプレーした。回転速度
は lOrpm、送り速度は50mm/minであった
。このようにして得られた超電導線材の臨界電流密度J
cは、700A/cm2(液体窒素温度)てあフた。
上記実施例とは異なる材料組成、たとえばDy5rCu
Oについても同様に製造することができる。
[発明の効果] この発明によれば、原料粉末をるつぼで溶解し、溶融液
を飛散させて基盤上に堆積させるので、気孔が少なく、
かつ均一な組成構造をもった酸化物超電導材料を得るこ
とができる。この結果、この発明により製造された超電
導材料は高い臨界電流密度Jcを示す。また、従来の焼
結方法に比べて極めて短時間で焼結体を得ることができ
る。さらにまた、酸化物超電導体を実用的な形状のテー
プあるいは線材などに作成可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は、それぞれこの発明による酸化物
超電導材料の製造法の一例を示す模式的説明図である。 1・・・るつぼ、2・・・ストッパー、3・・・ノズル
、4・・・溶融液、5・・・酸素ガス、6・・・基盤、
7・・・ヒーター、8・・・基盤。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  希土類元素の酸化物、アルカリ土類金属の炭酸塩およ
    びCuOの粉末を原料とし、これら粉末を酸素雰囲気中
    で溶解し、その溶融液を基盤に向けて微粒子状にして飛
    散させ、基盤上に堆積させ、ついで微粒子が堆積した基
    盤を徐冷することを特徴とする酸化物超電導材料の製造
    方法。
JP63008458A 1988-01-20 1988-01-20 酸化物超電導材料の製造方法 Pending JPH01184102A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1477466A1 (en) 1999-11-19 2004-11-17 Central Glass Company, Limited Article with antifogging film and process for producing same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63289722A (ja) * 1987-05-20 1988-11-28 Sumitomo Electric Ind Ltd 超電導体の製造方法
JPS63314722A (ja) * 1987-06-17 1988-12-22 Mitsubishi Cable Ind Ltd セラミックス系超電導材料の加工方法

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