JPH0848520A - 酸化物超電導体及び製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体及び製造方法Info
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｃｕ-１２１２構造物質からなる酸化物超電
導体を提供する。また、Ｔ１，Ｐｂ，Ｙ等の元素を含ん
でいないＣｕ-１２（ｎ−１）ｎ構造物質を熱プラズマ
蒸着法によって合成する酸化物超電導体製造方法を提供
する。 【構成】 Ｃａ，Ｂａ，Ｃｕのみによって合成され、化
学組成式がＢａ2ＣａnＣｕn+1Ｏ6+δ（０≦δ，δ≦
１）で表される酸化物超電導体である。その合成法は、
熱プラズマ蒸着法を用い、酸素プラズマ中に、Ｂａ:Ｃ
ａ:Ｃｕ＝ｘ:ｙ:ｚ(０.８≦ｘ＋ｙ／ｚ，ｘ＋ｙ／ｚ≦
１.２，０.５≦ｘ／ｙ，ｘ／ｙ≦１)になるように混合
した原料粉を９００〜１０００℃で仮焼した後再び粉末
化して供給し、原料をプラズマ化した後、基板上に蒸着
する合成法である。合成条件として酸素ガス流量、酸素
プラズマパワー、基板温度を調整することにより、化学
組成式がＢａ2ＣａnＣｕ2n+1Ｏ3n+3+δ（０≦δ，δ≦
１，ｎ≧１）で表される酸化物が合成可能である。
導体を提供する。また、Ｔ１，Ｐｂ，Ｙ等の元素を含ん
でいないＣｕ-１２（ｎ−１）ｎ構造物質を熱プラズマ
蒸着法によって合成する酸化物超電導体製造方法を提供
する。 【構成】 Ｃａ，Ｂａ，Ｃｕのみによって合成され、化
学組成式がＢａ2ＣａnＣｕn+1Ｏ6+δ（０≦δ，δ≦
１）で表される酸化物超電導体である。その合成法は、
熱プラズマ蒸着法を用い、酸素プラズマ中に、Ｂａ:Ｃ
ａ:Ｃｕ＝ｘ:ｙ:ｚ(０.８≦ｘ＋ｙ／ｚ，ｘ＋ｙ／ｚ≦
１.２，０.５≦ｘ／ｙ，ｘ／ｙ≦１)になるように混合
した原料粉を９００〜１０００℃で仮焼した後再び粉末
化して供給し、原料をプラズマ化した後、基板上に蒸着
する合成法である。合成条件として酸素ガス流量、酸素
プラズマパワー、基板温度を調整することにより、化学
組成式がＢａ2ＣａnＣｕ2n+1Ｏ3n+3+δ（０≦δ，δ≦
１，ｎ≧１）で表される酸化物が合成可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｃａ，Ｂａ，Ｃｕ及び
酸素で構成される酸化物超電導体及びその製造方法に関
し、特に、異方性の小さい酸化物超電導薄膜が合成可能
であるためテープ用材料として期待できる酸化物超電導
体及びその製造方法に関するものである。
酸素で構成される酸化物超電導体及びその製造方法に関
し、特に、異方性の小さい酸化物超電導薄膜が合成可能
であるためテープ用材料として期待できる酸化物超電導
体及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、Ｃａ，Ｂａ，Ｃｕより構成される
酸化物超電導体としては、Ｃｕ-１２（ｎ−１）ｎ（ｎ
≧３）構造とよばれる物質が知られている（Ｃ.Ｑ.Ｊｉ
ｎ他、ＰｈｙｓｉｃａＣ２２３（１９９４））。また、
１２１２構造と呼ばれる酸化物超電導体はＹＢａ2Ｃｕ3
Ｏ7が知られており、また、類似の構造を持つ物質とし
て、ＴｌＢａ2ＣａＣｕ2Ｏ5，（Ｐｂ，Ｃｕ）Ｓｒ
2（Ｙ，Ｃａ）Ｃｕ2Ｏyなどが知られている。
酸化物超電導体としては、Ｃｕ-１２（ｎ−１）ｎ（ｎ
≧３）構造とよばれる物質が知られている（Ｃ.Ｑ.Ｊｉ
ｎ他、ＰｈｙｓｉｃａＣ２２３（１９９４））。また、
１２１２構造と呼ばれる酸化物超電導体はＹＢａ2Ｃｕ3
Ｏ7が知られており、また、類似の構造を持つ物質とし
て、ＴｌＢａ2ＣａＣｕ2Ｏ5，（Ｐｂ，Ｃｕ）Ｓｒ
2（Ｙ，Ｃａ）Ｃｕ2Ｏyなどが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする問題点】従来のＴｌＢａ2Ｃ
ａＣｕ2Ｏ5，（Ｐｂ，Ｃｕ）Ｓｒ2（Ｙ，Ｃａ）Ｃｕ2Ｏ
y等は、銅及びＢａやＣａなどのアルカリ土類金属以外
に毒性の強いＴｌまたは重金属のＰｂを含んでおり、応
用面では異方性が大きいため線材等には不向きであっ
た。また、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7は異方性が小さいが、希土
類金属Ｙを含んでいる。
ａＣｕ2Ｏ5，（Ｐｂ，Ｃｕ）Ｓｒ2（Ｙ，Ｃａ）Ｃｕ2Ｏ
y等は、銅及びＢａやＣａなどのアルカリ土類金属以外
に毒性の強いＴｌまたは重金属のＰｂを含んでおり、応
用面では異方性が大きいため線材等には不向きであっ
た。また、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7は異方性が小さいが、希土
類金属Ｙを含んでいる。
【０００４】一方、今まで見つかっていたＣｕ-１２
（ｎ−１）ｎ（ｎ≧３）構造物質は、Ｔ１，Ｐｂ，Ｙ等
の元素を含んでいない半面高圧合成法でしか合成されて
おらず、製造が難しかった。
（ｎ−１）ｎ（ｎ≧３）構造物質は、Ｔ１，Ｐｂ，Ｙ等
の元素を含んでいない半面高圧合成法でしか合成されて
おらず、製造が難しかった。
【０００５】また、Ｃｕ-１２（ｎ−１）ｎ構造はｎ≧
３のものしか合成されておらず、ｎ＝２のものは合成さ
れていない。
３のものしか合成されておらず、ｎ＝２のものは合成さ
れていない。
【０００６】本発明の目的は、Ｃｕ-１２１２構造物質
からなる酸化物超電導体を提供することにある。
からなる酸化物超電導体を提供することにある。
【０００７】本発明の他の目的は、Ｔ１，Ｐｂ，Ｙ等の
元素を含んでいないＣｕ-１２（ｎ−１）ｎ構造物質を
熱プラズマ蒸着法と呼ばれる気相合成法によって合成す
る酸化物超電導体製造方法を提供することにある。
元素を含んでいないＣｕ-１２（ｎ−１）ｎ構造物質を
熱プラズマ蒸着法と呼ばれる気相合成法によって合成す
る酸化物超電導体製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願によって開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。
【０００９】本発明の酸化物超電導体は、Ｃａ，Ｂａ，
Ｃｕ及び酸素のみによって合成され、化学組成式がＢａ
2ＣａＣｕ3Ｏ6+δ（０≦δ,δ≦１）で表されるもので
ある。
Ｃｕ及び酸素のみによって合成され、化学組成式がＢａ
2ＣａＣｕ3Ｏ6+δ（０≦δ,δ≦１）で表されるもので
ある。
【００１０】合成法として高圧合成法を用いず、熱プラ
ズマ蒸着法と呼ばれる気相合成法を用いている。これは
酸素プラズマ中に、Ｂａ：Ｃａ：Ｃｕ＝ｘ：ｙ：ｚ
（０.８≦ｘ＋ｙ／ｚ，ｘ＋ｙ／ｚ≦１.２，０.５≦ｘ
／ｙ，ｘ／ｙ≦１）になるように混合した原料粉を９０
０〜１０００℃で仮焼した後再び粉末化して供給し、原
料をプラズマ化した後、基板上に蒸着する合成法であ
る。
ズマ蒸着法と呼ばれる気相合成法を用いている。これは
酸素プラズマ中に、Ｂａ：Ｃａ：Ｃｕ＝ｘ：ｙ：ｚ
（０.８≦ｘ＋ｙ／ｚ，ｘ＋ｙ／ｚ≦１.２，０.５≦ｘ
／ｙ，ｘ／ｙ≦１）になるように混合した原料粉を９０
０〜１０００℃で仮焼した後再び粉末化して供給し、原
料をプラズマ化した後、基板上に蒸着する合成法であ
る。
【００１１】合成条件として酸素ガス流量、酸素プラズ
マパワー、基板温度を調整することにより、化学組成式
がＢａ2ＣａnＣｕ2n+1Ｏ3n+3+δ（０≦δ，δ≦１，ｎ
≧１）で表される酸化物が合成可能である。
マパワー、基板温度を調整することにより、化学組成式
がＢａ2ＣａnＣｕ2n+1Ｏ3n+3+δ（０≦δ，δ≦１，ｎ
≧１）で表される酸化物が合成可能である。
【００１２】特に、酸素プラズマパワーが４０〜４６キ
ロワット（ｋＷ）、酸素ガス量流が４０〜５０リットル
／分（ｌ／ｍｉｎ）、基板温度が５００〜６００℃の範
囲にある時に特性の優れた超電導材料が合成できる。な
お、前記条件式において、「＝」は上限及び下限の数値
自身も含むことを示している。
ロワット（ｋＷ）、酸素ガス量流が４０〜５０リットル
／分（ｌ／ｍｉｎ）、基板温度が５００〜６００℃の範
囲にある時に特性の優れた超電導材料が合成できる。な
お、前記条件式において、「＝」は上限及び下限の数値
自身も含むことを示している。
【００１３】
【作用】本発明の酸化物超電導体は、Ｃａ，Ｂａのアル
カリ土類とＣｕのみによって構成されるものであり、Ｃ
ｕ-１２（ｎ−１）ｎ構造物質のｎ＝２に相当するも
の、すなわち、Ｃｕ-１２１２構造超電導体である。さ
らに、その合成方法は熱プラズマ蒸着法と呼ばれる気相
合成法を用いており、この方法を用いてＣｕ-１２（ｎ
−１）ｎ構造物質のｎ≧３構造も合成可能である。
カリ土類とＣｕのみによって構成されるものであり、Ｃ
ｕ-１２（ｎ−１）ｎ構造物質のｎ＝２に相当するも
の、すなわち、Ｃｕ-１２１２構造超電導体である。さ
らに、その合成方法は熱プラズマ蒸着法と呼ばれる気相
合成法を用いており、この方法を用いてＣｕ-１２（ｎ
−１）ｎ構造物質のｎ≧３構造も合成可能である。
【００１４】そして、熱プラズマ蒸着法により合成され
たＣｕ-１２１２構造薄膜は、異方性が小さいと考えら
れ、テープ等の応用が期待される。
たＣｕ-１２１２構造薄膜は、異方性が小さいと考えら
れ、テープ等の応用が期待される。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の一実施例を詳細に説明する。
【００１６】（実施例１）出発原料としては、ＢａＣＯ
3，ＣａＣＯ3，ＣｕＯ粉末を用い第１表（表中の１〜１
２は試料番号である）に示した混合粉を作成した。
3，ＣａＣＯ3，ＣｕＯ粉末を用い第１表（表中の１〜１
２は試料番号である）に示した混合粉を作成した。
【００１７】
【表１】
【００１８】表１において、“超電導性有り”の試料
は、その原料粉組成比で後述する合成条件において薄膜
合成を行った時に超電導性を示すＣｕ-１２（ｎ−１）
ｎ薄膜が合成されたことを示す。
は、その原料粉組成比で後述する合成条件において薄膜
合成を行った時に超電導性を示すＣｕ-１２（ｎ−１）
ｎ薄膜が合成されたことを示す。
【００１９】図１は前記各試料の製造装置の概略構成を
示す模式図であり、１は真空容器、２は基板ホルダー、
３はＳｒＴｉＯ3基板、４はプラズマ発生用高周波ワー
クコイル（プラズマ発生用ｒｆワークコイル）、５は熱
電対、６は冷却水、７は原料粉＋キヤリアＡｒガス、８
は酸素ガス、９は排気である。
示す模式図であり、１は真空容器、２は基板ホルダー、
３はＳｒＴｉＯ3基板、４はプラズマ発生用高周波ワー
クコイル（プラズマ発生用ｒｆワークコイル）、５は熱
電対、６は冷却水、７は原料粉＋キヤリアＡｒガス、８
は酸素ガス、９は排気である。
【００２０】各試料の製造方法についての説明は、試料
５の製造方法を例にして説明する。試料５の製造方法
は、図１に示す製造装置を用いて以下のようにして行わ
れる。混合粉末は、空気中１０００℃で１時間焼成した
後再び粉末化し、Ａｒキャリアガスを用いて２００Ｔｏ
ｒｒ酸素プラズマ中に供給する。酸素プラズマは高周波
ワークコイル４を用いて、５０ｌ／ｍｉｎ酸素ガス流を
プラズマ化させることによって発生させている。
５の製造方法を例にして説明する。試料５の製造方法
は、図１に示す製造装置を用いて以下のようにして行わ
れる。混合粉末は、空気中１０００℃で１時間焼成した
後再び粉末化し、Ａｒキャリアガスを用いて２００Ｔｏ
ｒｒ酸素プラズマ中に供給する。酸素プラズマは高周波
ワークコイル４を用いて、５０ｌ／ｍｉｎ酸素ガス流を
プラズマ化させることによって発生させている。
【００２１】そして、供給された原料粉は、酸素プラズ
マ中でプラズマ化されＳｒＴｉＯ3（１００）基板３上
にエピタキシャルに蒸着される。基板３は酸素プラズマ
によって予め５５０℃に加熱されている。薄膜蒸着後、
酸素ガスによって常圧に戻す。蒸着された薄膜は、更
に、３００℃酸素雰囲気中で２４時間アニール処理を行
なった。
マ中でプラズマ化されＳｒＴｉＯ3（１００）基板３上
にエピタキシャルに蒸着される。基板３は酸素プラズマ
によって予め５５０℃に加熱されている。薄膜蒸着後、
酸素ガスによって常圧に戻す。蒸着された薄膜は、更
に、３００℃酸素雰囲気中で２４時間アニール処理を行
なった。
【００２２】図２に前記試料５の４端子法により測定し
た直流抵抗率を示す。図２からわかるように、無処理の
薄膜は、完全なゼロ抵抗を示さないが、アニール処理を
行なった薄膜は、９０Ｋ付近で超電導性を示し始め、３
５Ｋでゼロ抵抗となっている。このことにより、この試
料５の酸化物超電導体は、酸素処理に敏感であり、過剰
酸素の供給によってホールを導入するｐ-型の超電導体
であると考えられる。
た直流抵抗率を示す。図２からわかるように、無処理の
薄膜は、完全なゼロ抵抗を示さないが、アニール処理を
行なった薄膜は、９０Ｋ付近で超電導性を示し始め、３
５Ｋでゼロ抵抗となっている。このことにより、この試
料５の酸化物超電導体は、酸素処理に敏感であり、過剰
酸素の供給によってホールを導入するｐ-型の超電導体
であると考えられる。
【００２３】図３に前記試料５の酸化物超電導体薄膜の
透過型電子顕微鏡像を示す。右側矢印で示されている薄
い部分がＣｕＯ2-δ層と考えられ、ＣｕＯ2-δ層を挟む
濃い部分がＢａＯ層である。ＢａＯ／ＣｕＯ2-δ／Ｂａ
Ｏブロックの間に、無限層構造１層分のＣｕＯ2／Ｃａ
／ＣｕＯ2が存在しており、この構造はＣｕ-１２（ｎ−
１）ｎ構造のｎ＝２に相当する。すなわち、Ｃｕ-１２
１２構造である。また、部分的にｎ＝３に相当するＣｕ
-１２２３構造も存在しており、熱プラズマ蒸着法によ
り、Ｃｕ-１２２３構造物質を合成することも可能であ
る。
透過型電子顕微鏡像を示す。右側矢印で示されている薄
い部分がＣｕＯ2-δ層と考えられ、ＣｕＯ2-δ層を挟む
濃い部分がＢａＯ層である。ＢａＯ／ＣｕＯ2-δ／Ｂａ
Ｏブロックの間に、無限層構造１層分のＣｕＯ2／Ｃａ
／ＣｕＯ2が存在しており、この構造はＣｕ-１２（ｎ−
１）ｎ構造のｎ＝２に相当する。すなわち、Ｃｕ-１２
１２構造である。また、部分的にｎ＝３に相当するＣｕ
-１２２３構造も存在しており、熱プラズマ蒸着法によ
り、Ｃｕ-１２２３構造物質を合成することも可能であ
る。
【００２４】図４は本発明による実施例１のＣｕ-１２
１２構造を説明するための模式構成図であり、１０はＣ
ｕ、２０はＢａ、３０はＣａである。本実施例１のＣｕ
-１２１２構造は、Ｃｕ１０、Ｂａ２０、Ｃａ３０の配
置が図４に示すようになっている。
１２構造を説明するための模式構成図であり、１０はＣ
ｕ、２０はＢａ、３０はＣａである。本実施例１のＣｕ
-１２１２構造は、Ｃｕ１０、Ｂａ２０、Ｃａ３０の配
置が図４に示すようになっている。
【００２５】Ｃｕ-１２１２の基本構造は、ＹＢＣＯと
ほぼ同じである。ＹＢＣＯと異なる点は、図４に示すよ
うに、ＹＢＣＯのＹサイトが完全にＣａ原子で置換され
ている点である。すなわち、Ｃａ原子の上下をＣｕＯ5
ピラミットが挟んでおり、ピラミットの各頂点の中心に
Ｂａ元素が位置している。ＹＢＣＯにおいて、ＣｕＯチ
ェーンと呼ばれるところは酸素原子が欠落してＣｕ元素
のみが残った状態になっている。
ほぼ同じである。ＹＢＣＯと異なる点は、図４に示すよ
うに、ＹＢＣＯのＹサイトが完全にＣａ原子で置換され
ている点である。すなわち、Ｃａ原子の上下をＣｕＯ5
ピラミットが挟んでおり、ピラミットの各頂点の中心に
Ｂａ元素が位置している。ＹＢＣＯにおいて、ＣｕＯチ
ェーンと呼ばれるところは酸素原子が欠落してＣｕ元素
のみが残った状態になっている。
【００２６】（実施例２）前記実施例１の試料５と同じ
組成の試料を、プラズマパワー、酸素ガス流量、基板温
度のそれぞれ異なった合成条件で合成を行なった。この
結果を第２表に示す。この結果はＣｕ-１２（ｎ−１）
ｎ超電導体の適当な合成条件を示すものである。
組成の試料を、プラズマパワー、酸素ガス流量、基板温
度のそれぞれ異なった合成条件で合成を行なった。この
結果を第２表に示す。この結果はＣｕ-１２（ｎ−１）
ｎ超電導体の適当な合成条件を示すものである。
【００２７】
【表２】
【００２８】表２において、“超電導”の記載は、表１
の試料のうち“超電導性有り”の試料の原料粉組成比
で、表２に示す合成条件のうちこの“超電導”の記載の
ある条件で薄膜合成を行った時に超電導性を示すＣｕ-
１２（ｎ−１）ｎ薄膜が合成されたことを示す。
の試料のうち“超電導性有り”の試料の原料粉組成比
で、表２に示す合成条件のうちこの“超電導”の記載の
ある条件で薄膜合成を行った時に超電導性を示すＣｕ-
１２（ｎ−１）ｎ薄膜が合成されたことを示す。
【００２９】すなわち、本発明の超電導体が合成可能な
合成条件は、基板温度が５００〜６００℃、プラズマパ
ワーが４０〜４６キロワット（ｋＷ）、酸素ガス流量が
４０〜５０リットル／分（ｌ／ｍｉｎ）であり、前記条
件を満たす場合に本発明の超電導体が合成可能であるこ
とが確認できた。
合成条件は、基板温度が５００〜６００℃、プラズマパ
ワーが４０〜４６キロワット（ｋＷ）、酸素ガス流量が
４０〜５０リットル／分（ｌ／ｍｉｎ）であり、前記条
件を満たす場合に本発明の超電導体が合成可能であるこ
とが確認できた。
【００３０】また、前記実施例の試料５以外に表１に示
す試料４〜９の組成の試料に対しては、前記合成条件を
満たせば超電導性を示すことが確認できた。
す試料４〜９の組成の試料に対しては、前記合成条件を
満たせば超電導性を示すことが確認できた。
【００３１】以上、本発明を実施例に基づき具体的に説
明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更し得
ることはいうまでもない。
明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更し得
ることはいうまでもない。
【００３２】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。
【００３３】（１）Ｃａ，Ｂａ，Ｃｕ，及び酸素より構
成され、化学組成式がＢａ2ＣａＣｕ3Ｏ6+δ（０≦δ，
δ≦１）で表される酸化物超電導体Ｃｕ-１２１２構造
物質からなる超電導材料は、他の１２１２構造物質と異
なり、Ｔ１等の有害物質やＰｂ等の重金属、Ｙ等の希土
類金属を含んでおらず、アルカリ土類と銅より構成され
る単純な構造を持ち、９０Ｋの超電導性を示す物質であ
る。
成され、化学組成式がＢａ2ＣａＣｕ3Ｏ6+δ（０≦δ，
δ≦１）で表される酸化物超電導体Ｃｕ-１２１２構造
物質からなる超電導材料は、他の１２１２構造物質と異
なり、Ｔ１等の有害物質やＰｂ等の重金属、Ｙ等の希土
類金属を含んでおらず、アルカリ土類と銅より構成され
る単純な構造を持ち、９０Ｋの超電導性を示す物質であ
る。
【００３４】（２）本発明の超電導材料は、高圧合成法
等の複雑な合成手段を必要とせず、熱プラズマ蒸着法に
より容易にＳｒＴｉＯ3基板上に合成することができ
る。
等の複雑な合成手段を必要とせず、熱プラズマ蒸着法に
より容易にＳｒＴｉＯ3基板上に合成することができ
る。
【００３５】（３）熱プラズマ蒸着法はＣｕ-１２１２
同様Ｃｕ-１２（ｎ−１）ｎ構造物質の（ｎ≧３）に相
当する酸化物超電導体も合成可能なものである。
同様Ｃｕ-１２（ｎ−１）ｎ構造物質の（ｎ≧３）に相
当する酸化物超電導体も合成可能なものである。
【００３６】（４）Ｃｕ-１２１２構造物質は異方性が
小さいと考えられ、応用面として超電導テープ等が期待
される。
小さいと考えられ、応用面として超電導テープ等が期待
される。
【図１】本発明の実施例１及び２に係る各試料の製造装
置の概略構成を示す模式図である。
置の概略構成を示す模式図である。
【図２】本実施例１の試料５の酸化物超電導体の電気抵
抗率の温度依存性を示す図である。
抗率の温度依存性を示す図である。
【図３】本実施例１の試料５の酸化物超電導体の結晶構
造を表す透過型電子顕微鏡像を示す写真である。
造を表す透過型電子顕微鏡像を示す写真である。
【図４】本実施例１の酸化物超電導体の構造を説明する
ための模式構成図である。
ための模式構成図である。
１…真空容器、２…基板ホルダー、３…ＳｒＴｉＯ3基
板、４…プラズマ発生用高周波ワークコイル（プラズマ
発生用ｒｆワークコイル）、５…熱電対、６…冷却水、
７…原料粉＋キヤリアＡｒガス、８…酸素ガス、９…排
気。
板、４…プラズマ発生用高周波ワークコイル（プラズマ
発生用ｒｆワークコイル）、５…熱電対、６…冷却水、
７…原料粉＋キヤリアＡｒガス、８…酸素ガス、９…排
気。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｂ 13/00 ５６５ Ｄ Ｈ０１Ｌ 39/24 ＺＡＡ Ｂ (72)発明者 矢加部 久孝 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法人 国際超電導産業技術研究センター 超電 導工学研究所内 (72)発明者 腰塚 直己 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法人 国際超電導産業技術研究センター 超電 導工学研究所内 (72)発明者 久米 篤 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法人 国際超電導産業技術研究センター 超電 導工学研究所内 (72)発明者 塩原 融 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法人 国際超電導産業技術研究センター 超電 導工学研究所内 (72)発明者 田中 昭二 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法人 国際超電導産業技術研究センター 超電 導工学研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｃａ，Ｂａ，Ｃｕ及び酸素で構成され、
化学組成式がＢａ2ＣａＣｕ3Ｏ6+δ（０≦δ,δ≦１）
で表される酸化物超電導体。 - 【請求項２】 Ｂａ，Ｃａ，Ｃｕの比がＢａ：Ｃａ：Ｃ
ｕ＝ｘ：ｙ：ｚ（０．８≦ｘ＋ｙ／ｚ,ｘ＋ｙ／ｚ≦１.
２，０.５≦ｘ／ｙ,ｘ／ｙ≦１）になるように混合した
原料粉を９００〜１０００℃で仮焼した後再び粉末化
し、酸素プラズマ中に供給して気化させ、基板上に蒸着
させる気相合成法であって、酸素プラズマパワー、酸素
ガス流量、基板温度を調整することによって化学組成式
がＢａ2ＣａnＣｕ2n+1Ｏ3n+3+δ（０≦δ,δ≦１，ｎ≧
１）で表される酸化物超電導体を合成することを特徴と
する酸化物超電導材料の製造方法。 - 【請求項３】 前記請求項２に記載の酸化物超電導材料
の製造方法において、前記酸素プラズマパワーが４０〜
４６キロワット（ｋＷ）であることを特徴とする酸化物
超電導材料の製造方法。 - 【請求項４】 前記請求項３に記載の酸化物超電導材料
の製造方法において、酸素ガス流量が４０〜５０リット
ル／分（ｌ／ｍｉｎ）であることを特徴とする酸化物超
電導材料の製造方法。 - 【請求項５】 前記請求項４に記載の酸化物超電導材料
の製造方法において、基板温度が５００〜６００℃であ
ることを特徴とする酸化物超電導材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6187248A JPH0848520A (ja) | 1994-08-09 | 1994-08-09 | 酸化物超電導体及び製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6187248A JPH0848520A (ja) | 1994-08-09 | 1994-08-09 | 酸化物超電導体及び製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0848520A true JPH0848520A (ja) | 1996-02-20 |
Family
ID=16202648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6187248A Pending JPH0848520A (ja) | 1994-08-09 | 1994-08-09 | 酸化物超電導体及び製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0848520A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006307254A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Micro Denshi Kk | マイクロ波酸素プラズマを利用した薄膜形成装置 |
| JP2010215467A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Institute Of National Colleges Of Technology Japan | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 |
-
1994
- 1994-08-09 JP JP6187248A patent/JPH0848520A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006307254A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Micro Denshi Kk | マイクロ波酸素プラズマを利用した薄膜形成装置 |
| JP2010215467A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Institute Of National Colleges Of Technology Japan | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 |
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