JPH0341758A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JPH0341758A
JPH0341758A JP1177441A JP17744189A JPH0341758A JP H0341758 A JPH0341758 A JP H0341758A JP 1177441 A JP1177441 A JP 1177441A JP 17744189 A JP17744189 A JP 17744189A JP H0341758 A JPH0341758 A JP H0341758A
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Hiroshi Ishioka
石岡 浩
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は半導体集積回路装置に関し、特に、大規模回路
を2つのブロックに分けて2つのペレット内に集積化し
、これを従来使用されてきた組み立てケース内に納める
ように構成した半導体集積回路装置に関する。
[従来の技術] 従来、半導体集積回路装置は、同一ペレット上に必要な
機能素子をすべて一生表面上に配置し、これらの素子を
内部配線により接続して目的とする動作をする装置を実
現させてきた。以下、半導体記憶装置を例にとると、第
3図に示すように、半導体ペレット30上に、メモリセ
ル、行デコーダ、列デコーダおよびセンスアンプ等を含
むセルアレイ回路33並びに入出力信号処理回路37、
コントロール回路32.36、ポンディングパッド31
が配置されて目的とする半導体記憶装置が構成されてい
る。
[発明が解決しようとする課題] 上述した従来の半導体装置では、第3図に示すようにセ
ルアレイ回路33がペレットの中央部にあってその面積
の大部分を占め、そして、コントロール回路32.36
および入出力信号処理回路37が長方形のペレットの短
辺側に分離されて配置されることが多い、このような配
置をとるのは規格化された組み立てケース内に封入でき
るようにするための制約によるものである。そして、コ
ントロール回路32.36および入出力信号処理回路3
7を相互に接続する信号線やペレット全体に電力を供給
する電源線は、主にペレットの長辺側部に設けられたパ
スライン34と35内を通っている。そのため、これら
の配線は細く長くかつ間隔の狭いものとならざるを得す
、これらの配線は大きい寄生容量と抵抗を持つものとな
る。したがって、従来の半導体集積回路装置においては
、信号線同士あるいは信号線、電源線間の干渉のため、
ノイズレベルが増大し、また、信号遅れが大きくなった
また、従来例装置ではメモリセルアレイと周辺回路が同
一基板上に形成されているので、周辺のコントロール回
路の動作で生じる基板電流が、メモリセルに到達するこ
とがあり、そのため記憶されているデータが破壊される
ことがあった。
[課題を解決するための手段] 本発明による半導体集積回路装置は、一定の機能を果た
す回路を2つのブロックに分け、それぞれの回路を別々
の半導体ペレットに集積化し、それら2つの半導体ペレ
ットを同一のリードフレーム上に、回路が形成された面
が互いに向き合うようにボンディングしたものである。
そして、各ペレット上のパッドは、外部リードと接続さ
れるものと、対向する他のペレットのパッドのみと接続
されるものとが含まれる。
[実施例] 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
第1図(a)は、一体となって一つの機能を果たすこと
ができるように回路が作り込まれた2つの半導体ペレッ
トの平面図である。
第1の半導体ペレット10には、行デコーダ、列デコー
ダ、センスアンプを含むセルアレイ回路12が、また、
第2の半導体ペレット11には、コントロール回路13
や入出力信号処理回路14が作り込まれている。各半導
体ペレットの周囲には、相手側の半導体ペレットのパッ
ドとのみ接続れる内部接続用パッド15と、リードフレ
ームの外部入出力ピンと接続される外部入出力用パッド
16が形成されている。これらのパッド15.16は、
第1、第2のペレットを第1図(a)のように並べて置
いた場合に線対称となるように配置されている。また、
第1のペレット10の外部入出力用パッド16のうち、
データ入出カビ°ン、コントロール信号入力ピン等が接
続されるパッド16は、内部回路〈セルアレイ回路12
)とは接続されておらず、このパッドはペレット固定の
役目を果たすだけである。
第1図(b)は、本発明の一実施例を示す断面図であり
、第1図(c)はその封止樹脂の図示を省略した平面図
である。
第1の半導体ペレット10は、パッド15.16上に形
成されたバンプ17によってその主表面10aを下向き
にしてリードフレーム18上にボンディングされ、第2
の半導体ペレット11は。
その主表面11aを上向きにして第1の半導体ペレット
10と同じ手段で同一リードフレーム18にボンディン
グされる。ボンディング終了後、封止樹脂19によって
封止され、さらにリードが切断、底形されて集積回路装
置として完成する。
リードフレーム18には、外部入出力ピン18aと内部
接続用ステッチ18bとが形成されており、それぞれ、
外部入出力パッド16、内部接続用バッド15と接続さ
れる。このボンディングにより、ペレット10.11間
の電気的接続が遠戚される。すなわち、内部接続用ステ
ッチ18bを介して、第1の半導体ペレット10からの
データ信号の第2の半導体ペレットへの伝達が、また、
第2のペレット11のコントロール信号の第1のペレッ
トへの伝達が可能となる。内部接続用ステッチ18bは
樹脂封止後、第1図(c)の破線で示す封止樹脂外形線
のところで切断されるが、この切断を容易にするため、
リードフレームはこの部分で細く加工されている。
このように2つのペレットを配置することにより、従来
例のようにペレットの長辺に沿って長いパスラインを設
ける必要はなくなり、電源線、GND線を!311[の
位置に配置することができる。また、信号線も短くする
ことができるのでノイズを拾いにくくなり、信号の伝達
遅れも少なくなる。
さらに、基板電流の発生しやすい回路を第2のペレット
側に配置することにより、メモリセルへの悪影響を防止
できる。
なお、上記実施例では、半導体ペレット10.11をバ
ンブを用いてリードフレーム18にボンディングしてい
たが、本発明はこれに限定されるものではなく、通常の
フェイスダウンボンディングに用いられる他の適当なボ
ンディング法に替えることができる。また、2つのペレ
ットのボンディングは別々に行ってもよいが、リードフ
レームへの力のかかり方を均等化するために、かつ作業
効率上の観点から同時に行うことが望ましい。
第2図(a)は、本発明の他の実施例を示す断面図であ
り、第2図(b)は、その封止樹脂の図示を省略した平
面図、第2図(c)は、そのXYY線断面図ある。この
実施例では、第1の半導体ペレット10と第2の半導体
ペレット11との間に絶縁板21をはさみ、接着材22
で両ペレットを接着・固定している。絶縁板21の厚み
はリードフレーム18の厚さとパン12個の高さとの和
程度とする。絶縁板21には、各ペレットに外部入出力
用ビンや内部接続用ステッチを接続するための逃げが形
成されている。また、絶縁板21の外側にはペレットの
外形に合わせて耳部21aが形成されており、これに合
わせてペレットの位置決めを行うことができる。絶縁板
21と各ペレット10.11との接着と、リードフレー
ムへの各ペレットのボンディングは同時に行うのが望ま
しい。
この実施例によれば、ペレット、リードフレーム間の位
置決めおよびペレットのボンディング作業が容易化され
る。
I[発明の効果] 以上説明したように、本発明は、一つの集積回路装置に
集積化さるべき機能を2つに分け、それぞれの機能を別
々のペレット内に作り込み、両ペレットを同一リードフ
レーム上に回路面を向き合わせてボンディングしたもの
であるので、本発明によれば、従来のパッケージ構造を
変更することなく、信号線や電源線を短く互いに分離し
て最適の位置に配置することができる。従って、本発明
によれば、配線の寄生容量、抵抗を低くすることができ
、動作の遅れ、電源電圧の内部変動による誤動作や動作
マージンの劣化を防止することができる。また、本発明
によれば、回路の動作によって生じる基板電流が他の回
路に及ぼす影響を減らし、動作を安定化させることがで
きる。さらに、第1のペレット、第2のペレットを製造
するのにそれぞれに最適なプロセスを選ぶことができる
という副次的効果ももたらされる。
4 図面のf!lI蛍をj曽日月 第1図(a)は、本発明の実施例に用いられる半導体ペ
レットの平面図、第1図(b)は、本発明の一実施例を
示す断面図、第1図(C)は、その封止樹脂を省略した
平面図、第2図(a>は、本発明の他の実施例を示す断
面図、第2図(b>は、その封止樹脂の図示を省略した
平面図、第2図(c)は、第2図(b)のX−Y線断面
図、第3図は、従来例に用いられる半導体ペレットの平
面図である。
10・・・第1の半導体ペレット、   10a・・・
第1の半導体ペレットの主表面、   11・・・第2
の半導体ペレット、   lla・・・第2の半導体ペ
レットの主表面、   12・・・セルアレイ回路、1
3・・・コントロール回路、  14・・・入出力信号
処理回路、 15・・内部接続用パッド、   16・
・・外部入出力用パッド、   17・・・バンブ、1
8・・・リードフレーム、  18a・・・外部入出力
用ビン、  18b・・・内部接続用ステッチ、19・
・・封止樹脂、  19a・・・封止樹脂外形線、91
1.・Mb泌坪   ’) I P−耳部   9フ、
1.培着付、  30・・・半導体チップ、  31・
・・ポンデイ、グパッド、   32.36・・・コン
トロール回路、  33・・・セルアレイ回路、   
34.35・・・パスライン、  37・・・入出力回
路。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 一定の機能を果たすべき回路の第1の部分が形成され、
    その主表面上には外部リード接続用パッドおよび内部接
    続用パッドが形成されている第1の半導体ペレットと、
    前記一定の機能を果たすべき回路の残りの部分が形成さ
    れ、その主表面上には外部リード接続用パッドおよび前
    記第1の半導体ペレットの内部接続用パッドと接続され
    る内部接続用パッドが形成されている第2の半導体ペレ
    ットとが同一リードフレーム上に回路が形成された面が
    互いに向き合うようにボンディングされて前記一定の機
    能を果たすべき回路が構成されていることを特徴する半
    導体集積回路装置。
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