JPH0335440A - 情報記録媒体 - Google Patents
情報記録媒体Info
- Publication number
- JPH0335440A JPH0335440A JP1169636A JP16963689A JPH0335440A JP H0335440 A JPH0335440 A JP H0335440A JP 1169636 A JP1169636 A JP 1169636A JP 16963689 A JP16963689 A JP 16963689A JP H0335440 A JPH0335440 A JP H0335440A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- recording
- layer
- information
- information recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 20
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 20
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 14
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003069 TeO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001938 differential scanning calorimetry curve Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N tellurium dioxide Chemical compound O=[Te]=O LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、情報記録媒体に関し、特に、ピット形成型情
報記録媒体において記録層の下層に下引き層を設けた情
報記録媒体に関する。
報記録媒体において記録層の下層に下引き層を設けた情
報記録媒体に関する。
(従来の技術)
従来、ピット形成型の情報記録媒体として、基板上にB
L薄膜を形成したものが、Maydanにより報告され
ている[ D、Maydan、Be1l 5yst。
L薄膜を形成したものが、Maydanにより報告され
ている[ D、Maydan、Be1l 5yst。
Tech、J、、50.l781(1971);米国特
許第3,720.784号公報]。また、1977年に
は現在実用化されているTe系の記録膜を有する情報記
録媒体が、フィリップス(Phillps )社により
報告されている[R,McFarlane et al
、、Proeeedlngs orSPIE、123,
104(1977)] 、 T eは、単独では、高温
度雰囲気で容易に酸化する。TeO2の発生は、TeO
2が近赤外領域の光を全く吸収しないために、情報記録
媒体の記録感度を減少させる。さらに、ピット形成時に
ピット形成領域の周辺部分が酸化して、この部分にTe
O2が生じると、ピット形成領域の周辺部分の光の反射
率が低下し、ピット形成領域が不明確になり記録情報の
再生時において不都合になる。このように、ピット形成
型の記録媒体の記録層の材料は、記録感度を損わない範
囲で耐酸化性を有することが望まれている。
許第3,720.784号公報]。また、1977年に
は現在実用化されているTe系の記録膜を有する情報記
録媒体が、フィリップス(Phillps )社により
報告されている[R,McFarlane et al
、、Proeeedlngs orSPIE、123,
104(1977)] 、 T eは、単独では、高温
度雰囲気で容易に酸化する。TeO2の発生は、TeO
2が近赤外領域の光を全く吸収しないために、情報記録
媒体の記録感度を減少させる。さらに、ピット形成時に
ピット形成領域の周辺部分が酸化して、この部分にTe
O2が生じると、ピット形成領域の周辺部分の光の反射
率が低下し、ピット形成領域が不明確になり記録情報の
再生時において不都合になる。このように、ピット形成
型の記録媒体の記録層の材料は、記録感度を損わない範
囲で耐酸化性を有することが望まれている。
そこで、TeとSeの合金薄膜を記録層に使用して記録
層の耐酸化性を向上させることが、寺尾等によって報告
されている[M、Terao etal、、J、^pp
1.Phys、、50.6881(1979) ] 、
しかし、Te−8e合金薄膜は、クラックが発生し
易いため、実際にはpbを加えて、Pb−Te−Se合
金薄膜にして使用している。このように、記録層の材料
にTe系の合金が使用されている。
層の耐酸化性を向上させることが、寺尾等によって報告
されている[M、Terao etal、、J、^pp
1.Phys、、50.6881(1979) ] 、
しかし、Te−8e合金薄膜は、クラックが発生し
易いため、実際にはpbを加えて、Pb−Te−Se合
金薄膜にして使用している。このように、記録層の材料
にTe系の合金が使用されている。
一方、金属TeをCH,ガスを含む雰囲気中でスパッタ
リングすることにより、Te−Cとよばれる耐酸化性に
優れる記録層を形成することができることが、真下等に
よって報告されている [M、Mashita a
nd N、Yasuda、Proceedings
orSPIE、329,190(1982) ;米国
特許第4.43L340号公報]。また、C82ガスを
用いてプラズマ重合を行いながらTeを蒸着することに
より優れた耐酸化性のC82−Te薄膜が得られること
が開示されている[Y、Asano et al、、;
米国特許第4.373,004号公報;J、J、A、P
、、22,480(1983) 、特公昭第58−17
038号公報]。
リングすることにより、Te−Cとよばれる耐酸化性に
優れる記録層を形成することができることが、真下等に
よって報告されている [M、Mashita a
nd N、Yasuda、Proceedings
orSPIE、329,190(1982) ;米国
特許第4.43L340号公報]。また、C82ガスを
用いてプラズマ重合を行いながらTeを蒸着することに
より優れた耐酸化性のC82−Te薄膜が得られること
が開示されている[Y、Asano et al、、;
米国特許第4.373,004号公報;J、J、A、P
、、22,480(1983) 、特公昭第58−17
038号公報]。
一方、特開昭59−90248号公報では、記録層の下
にフルオロカーボンからなる下引き層を設けて記録感度
を向上させた情報記録媒体が開示されている。さらに、
特開昭62−154343号公報では、下引き層中のフ
ッ素と炭素の比率を特定することによって、よりいっそ
う記録感度が向上することを開示している。
にフルオロカーボンからなる下引き層を設けて記録感度
を向上させた情報記録媒体が開示されている。さらに、
特開昭62−154343号公報では、下引き層中のフ
ッ素と炭素の比率を特定することによって、よりいっそ
う記録感度が向上することを開示している。
(発明が解決しようとする課題)
しかし、これらの情報記録媒体の記録感度は、情報転送
速度の増大及び情報記録容量の増大に伴う、ディスクの
高速回転での情報記録において充分でない。したがって
、より高い記録感度を有する情報記録媒体への開発が望
まれている。
速度の増大及び情報記録容量の増大に伴う、ディスクの
高速回転での情報記録において充分でない。したがって
、より高い記録感度を有する情報記録媒体への開発が望
まれている。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、優れ
た記録感度を有し、かつ、ノイズに影響されないで安定
して情報の読取りができる情報記録媒体を提供すること
を目的とする。
た記録感度を有し、かつ、ノイズに影響されないで安定
して情報の読取りができる情報記録媒体を提供すること
を目的とする。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
本発明は、基板と、ピットが形成されることにより情報
が記録される記録層と、基板と記録層との間に設けられ
、原料ガスをフルオロカーボンとするプラズマ重合によ
って形成された下引き層とを具備する情報記録媒体であ
って、前記記録層はA g s T e % Cs及び
Hを含有し、Ag及びTeの含有量は、これらの比をA
gxTe+oo−1なる式で表した場合に、原子%で表
示されたXが2≦x≦55の範囲内であり、前記下引き
層の厚みが600ないし1600人であることを特徴と
する。
が記録される記録層と、基板と記録層との間に設けられ
、原料ガスをフルオロカーボンとするプラズマ重合によ
って形成された下引き層とを具備する情報記録媒体であ
って、前記記録層はA g s T e % Cs及び
Hを含有し、Ag及びTeの含有量は、これらの比をA
gxTe+oo−1なる式で表した場合に、原子%で表
示されたXが2≦x≦55の範囲内であり、前記下引き
層の厚みが600ないし1600人であることを特徴と
する。
(作 用)
本発明の情報記録媒体によれば、得られた記録層がAg
、Te、C,及びHを含有し、該AgとTeの含有量の
比が、A g I T e too−xなる式でXが2
≦x≦55原子%の範囲のものである。
、Te、C,及びHを含有し、該AgとTeの含有量の
比が、A g I T e too−xなる式でXが2
≦x≦55原子%の範囲のものである。
この範囲のAgとTeの含有量比を有する合金は、Ag
とTeの合金系において融点が低い。このため、光ビー
ムによる記録感度が向上する。これによって、情報記録
ピット形成に要する光ビームのエネルギーの閾値パワー
を減少させても充分に情報記録をすることができる。
とTeの合金系において融点が低い。このため、光ビー
ムによる記録感度が向上する。これによって、情報記録
ピット形成に要する光ビームのエネルギーの閾値パワー
を減少させても充分に情報記録をすることができる。
また、本発明の情報記録媒体は、下引き層の厚さを60
0ないし1600Åとしている。このため、情報の読取
りのために情報記録媒体に照射された光が、この厚み範
囲の下引き層内で光の多重反射効果を示すことにより、
情報記録媒体の反射率が増加する。これによって、情報
記録媒体は、情報読取り時にノイズの影響が少ない光で
再生でき、安定して情報の読取りができる。
0ないし1600Åとしている。このため、情報の読取
りのために情報記録媒体に照射された光が、この厚み範
囲の下引き層内で光の多重反射効果を示すことにより、
情報記録媒体の反射率が増加する。これによって、情報
記録媒体は、情報読取り時にノイズの影響が少ない光で
再生でき、安定して情報の読取りができる。
(実施例)
以下、図面を参照して本発明の実施例について具体的に
説明する。
説明する。
第1図は、本発明にかかる情報記録媒体の断面図である
。この情報記録媒体は、基板1と、基板1上にプラズマ
重合により形成された下引き層2と、下引き層2上に反
応性スパッタリングにより形成された記録層3とからな
っている。
。この情報記録媒体は、基板1と、基板1上にプラズマ
重合により形成された下引き層2と、下引き層2上に反
応性スパッタリングにより形成された記録層3とからな
っている。
この基板1は、経時変化が比較的少ないポリカーボネー
ト樹脂、ガラス等の材料からなるものである。また、情
報記録媒体のいずれの側から光ビームを照射しても情報
の記録が行われるように基板1は透明体であることが好
ましい。
ト樹脂、ガラス等の材料からなるものである。また、情
報記録媒体のいずれの側から光ビームを照射しても情報
の記録が行われるように基板1は透明体であることが好
ましい。
下引き層2は、原料ガスをフルオロカーボンとしたプラ
ズマ重合により得られたものである。フルオロカーボン
としてはC,層8等が好ましい。
ズマ重合により得られたものである。フルオロカーボン
としてはC,層8等が好ましい。
なお、プラズマ重合は一般に使用されている方法で行う
。この下引き層の厚みは、600ないし1600λの範
囲内であることが好ましい。第2図は、下引き層厚と情
報記録媒体の反射率の関係を示したものである。図中1
0は、各々の層の厚みを考慮して、屈折率及び消衰係数
等を使用して反射率を算出した時の特性曲線である。ま
た、図中12は、従来の下引き層を有しない情報記録媒
体の反射率を前述と同様にして算出した特性曲線である
。下引き層の厚みを600ないし1600Åとしたのは
、第2図に示すように下引き層の厚みがこの範匣内にあ
る場合、情報記録媒体に照射された光が多重干渉効果を
示して、情報記録媒体の反射率を増加させるからである
。反射率の増加により、情報を読取る際に、ノイズに影
響されない再生光を効率良く発することができる。
。この下引き層の厚みは、600ないし1600λの範
囲内であることが好ましい。第2図は、下引き層厚と情
報記録媒体の反射率の関係を示したものである。図中1
0は、各々の層の厚みを考慮して、屈折率及び消衰係数
等を使用して反射率を算出した時の特性曲線である。ま
た、図中12は、従来の下引き層を有しない情報記録媒
体の反射率を前述と同様にして算出した特性曲線である
。下引き層の厚みを600ないし1600Åとしたのは
、第2図に示すように下引き層の厚みがこの範匣内にあ
る場合、情報記録媒体に照射された光が多重干渉効果を
示して、情報記録媒体の反射率を増加させるからである
。反射率の増加により、情報を読取る際に、ノイズに影
響されない再生光を効率良く発することができる。
下引き層2上に設けである記録層3を構成する金属とし
ては、比較的低温で容易に溶融又は蒸発してピットが形
成させるものを選ぶ。このようなものとして、T e
s S e %B ilS b s I n sAg
、Sn、Pb、又はこれらの2種以上の合金等が挙げら
れる。ここで、記録層3は、A「ガスと炭化水素ガスの
混合ガスの存在下でAgとTeの合金を反応性スパッタ
リングにより被着したものである。なお、反応性スパッ
タリングは、通常使用されている方法により行う。Ag
とTeの合金の組成比は、Ag、Te、。。−1なる式
でXが2≦x≦55原子%の範囲のものであることが好
ましい。これは、Agの組成比が2原子%未満であると
、反応性スパッタリングによって得られた記録層が高温
で酸化しやすくなり、55原子%を超えると合金の融点
が高くなり記録感度が悪くなるためである。第3図は、
本発明の範囲の組成比を有するAgとTeの合金の示差
熱走査カロリーメーター(D S C)による特性曲線
である。第3図に示すように、この合金は、350℃近
傍で吸熱のピークがあり、この温度付近から融解を開始
する。また、第4図は、AgとTeの状態図である。第
4図から、A g 、、T e 6.の組成近傍に共晶
点を持ち、合金の融点として極小値(約350℃)を持
つことが分る。したがって、A g w T e I
Go−、なる式でXが2≦x≦55原子%の範囲(即ち
、45≦Te原子%≦98、図中a−b間)の組成比の
合金が記録感度の良いものとして適している。記録層3
として使用する場合、これらの合金は非晶質であること
が望ましい。
ては、比較的低温で容易に溶融又は蒸発してピットが形
成させるものを選ぶ。このようなものとして、T e
s S e %B ilS b s I n sAg
、Sn、Pb、又はこれらの2種以上の合金等が挙げら
れる。ここで、記録層3は、A「ガスと炭化水素ガスの
混合ガスの存在下でAgとTeの合金を反応性スパッタ
リングにより被着したものである。なお、反応性スパッ
タリングは、通常使用されている方法により行う。Ag
とTeの合金の組成比は、Ag、Te、。。−1なる式
でXが2≦x≦55原子%の範囲のものであることが好
ましい。これは、Agの組成比が2原子%未満であると
、反応性スパッタリングによって得られた記録層が高温
で酸化しやすくなり、55原子%を超えると合金の融点
が高くなり記録感度が悪くなるためである。第3図は、
本発明の範囲の組成比を有するAgとTeの合金の示差
熱走査カロリーメーター(D S C)による特性曲線
である。第3図に示すように、この合金は、350℃近
傍で吸熱のピークがあり、この温度付近から融解を開始
する。また、第4図は、AgとTeの状態図である。第
4図から、A g 、、T e 6.の組成近傍に共晶
点を持ち、合金の融点として極小値(約350℃)を持
つことが分る。したがって、A g w T e I
Go−、なる式でXが2≦x≦55原子%の範囲(即ち
、45≦Te原子%≦98、図中a−b間)の組成比の
合金が記録感度の良いものとして適している。記録層3
として使用する場合、これらの合金は非晶質であること
が望ましい。
このような情報記録媒体に情報を記録するためには、記
録層3に光ビームを照射する。このとき記録層3の光照
射部分にエネルギーが照射され、その部分が発熱して溶
融又は蒸発する。これにより、光ビーム照射部分にピッ
トが形成され、情報が記録されたことになる。また、記
録した情報の再生は、記録層3に記録時よりも出力が小
さい光ビームを照射し、ピット部とピットが形成されて
いない部分との間の光学的特性の差、例えば、反射率の
差を検出することによってなされる。
録層3に光ビームを照射する。このとき記録層3の光照
射部分にエネルギーが照射され、その部分が発熱して溶
融又は蒸発する。これにより、光ビーム照射部分にピッ
トが形成され、情報が記録されたことになる。また、記
録した情報の再生は、記録層3に記録時よりも出力が小
さい光ビームを照射し、ピット部とピットが形成されて
いない部分との間の光学的特性の差、例えば、反射率の
差を検出することによってなされる。
試験例
次に、この実施例にかかる情報記録媒体を実際に製造し
て特性を押傷した試験例について説明する。
て特性を押傷した試験例について説明する。
直径130−■、厚さ1.2市、トラックピッチ1.6
μmであるプリグループ付ポリカーボネート基板をプラ
ズマ重合装置の重合容器内に設置した。原料ガスとして
C4F、ガスを使用してプラズマ重合によって基板上に
下引き層を厚さ1000入で設けた。次に、下引き層を
設けた基板を反応性スパッタリング装置の反応容器内に
設置した。ターゲットにA g 31Te67の組成の
合金を用いて、反応性スパッタリングによって下引き層
を設けた基板に厚さ300Åで記録層を設けて情報記録
媒体を得た。
μmであるプリグループ付ポリカーボネート基板をプラ
ズマ重合装置の重合容器内に設置した。原料ガスとして
C4F、ガスを使用してプラズマ重合によって基板上に
下引き層を厚さ1000入で設けた。次に、下引き層を
設けた基板を反応性スパッタリング装置の反応容器内に
設置した。ターゲットにA g 31Te67の組成の
合金を用いて、反応性スパッタリングによって下引き層
を設けた基板に厚さ300Åで記録層を設けて情報記録
媒体を得た。
得られた情報記録媒体に情報を記録するために情報記録
媒体を1800rp−で回転させた。レーザ波長が0.
83μmである半導体レーザから発生したレーザ光を開
口数が0.55であるレンズで集光して、その集光した
レーザ光を情報記録媒体に記録層と反対側から照射して
情報記録を行った。情報記録された記録媒体を情報再生
して、その時の記録再生信号のキャリアー・ノイズ比を
測定した。また、得られた情報記録媒体の反射率をレー
ザ波長が0.83μmである半導体レーザを光源とする
透過・反射率測定装置によって測定した。
媒体を1800rp−で回転させた。レーザ波長が0.
83μmである半導体レーザから発生したレーザ光を開
口数が0.55であるレンズで集光して、その集光した
レーザ光を情報記録媒体に記録層と反対側から照射して
情報記録を行った。情報記録された記録媒体を情報再生
して、その時の記録再生信号のキャリアー・ノイズ比を
測定した。また、得られた情報記録媒体の反射率をレー
ザ波長が0.83μmである半導体レーザを光源とする
透過・反射率測定装置によって測定した。
第5図は、記録再生信号のキャリアー・ノイズ比と記録
エネルギー閾値ビームパワーの関係を示したものである
。図中、特性曲線Aは本発明にかかる情報記録媒体のも
ので、特性曲線Bは従来の情報記録媒体のものである。
エネルギー閾値ビームパワーの関係を示したものである
。図中、特性曲線Aは本発明にかかる情報記録媒体のも
ので、特性曲線Bは従来の情報記録媒体のものである。
一般に、記録再生信号のキャリアー・ノイズ比が40d
Bあればピット形成として充分であることが確認されて
いるので、記録再生信号のキャリアー・ノイズ比が40
dBに達する時の記録エネルギー閾値ビームパワーを評
価した。第5図から分るように、本発明にかかる情報記
録媒体は、記録再生信号のキャリアー・ノイズ比が40
dBに達する時の記録エネルギー閾値ビームパワーが従
来のものよりも工ないし1.5mW程小さく記録感度が
優れていた。また、本発明の情報記録媒体の反射率は、
従来のものより約5%大きかった。
Bあればピット形成として充分であることが確認されて
いるので、記録再生信号のキャリアー・ノイズ比が40
dBに達する時の記録エネルギー閾値ビームパワーを評
価した。第5図から分るように、本発明にかかる情報記
録媒体は、記録再生信号のキャリアー・ノイズ比が40
dBに達する時の記録エネルギー閾値ビームパワーが従
来のものよりも工ないし1.5mW程小さく記録感度が
優れていた。また、本発明の情報記録媒体の反射率は、
従来のものより約5%大きかった。
[発明の効果]
以上説明した如く、本発明の情報記録媒体は、優れた記
録感度を有し、かつ、ノイズに影響されない情報読取り
のための再生光を発することができ、安定して情報の読
取りができるものである。
録感度を有し、かつ、ノイズに影響されない情報読取り
のための再生光を発することができ、安定して情報の読
取りができるものである。
第1図は本発明にかかる情報記録媒体の断面図、第2図
は下引き層厚と情報記録媒体の反射率との関係を示すグ
ラフ図、第3図は本発明にかかる情報記録媒体の記録層
に用いられるAgとTeの合金のDSC曲線を示すグラ
フ図、第4図はAgとTeの合金の状態図、第5図はキ
ャリアー・ノイズ比と記録用光ビームパワーの関係を示
すグラフ図である。 ・・・基板、 2・・・下引き層、 3・・・記録層。
は下引き層厚と情報記録媒体の反射率との関係を示すグ
ラフ図、第3図は本発明にかかる情報記録媒体の記録層
に用いられるAgとTeの合金のDSC曲線を示すグラ
フ図、第4図はAgとTeの合金の状態図、第5図はキ
ャリアー・ノイズ比と記録用光ビームパワーの関係を示
すグラフ図である。 ・・・基板、 2・・・下引き層、 3・・・記録層。
Claims (1)
- 基板と、ピットが形成されることにより情報が記録され
る記録層と、基板と記録層との間に設けられ、原料ガス
をフルオロカーボンとするプラズマ重合によって形成さ
れた下引き層とを具備する情報記録媒体であって、前記
記録層はAg、Te、C、及びHを含有し、Ag及びT
eの含有量は、これらの比をAg_xTe_1_0_0
_−_xなる式で表した場合に、原子%で表示されたx
が2≦x≦55の範囲内であり、前記下引き層の厚みが
600ないし1600Åであることを特徴とする情報記
録媒体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1169636A JPH0335440A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 情報記録媒体 |
EP19900112134 EP0405450A3 (en) | 1989-06-30 | 1990-06-26 | Data recording medium and method of manufacturing the same |
US07/544,971 US5102708A (en) | 1989-06-30 | 1990-06-28 | Data recording medium and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1169636A JPH0335440A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0335440A true JPH0335440A (ja) | 1991-02-15 |
Family
ID=15890170
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1169636A Pending JPH0335440A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0335440A (ja) |
-
1989
- 1989-06-30 JP JP1169636A patent/JPH0335440A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5458941A (en) | Optical recording medium exhibiting eutectic phase equilbria | |
JP2007059052A (ja) | 光蓄積媒体の反射層または半反射層のための合金 | |
US6605330B2 (en) | Phase-change recording element for write once applications | |
EP1283522B1 (en) | Phase-change recording element for write once applications | |
JP3163302B2 (ja) | 光情報記録媒体および情報の記録再生方法 | |
JPH0335440A (ja) | 情報記録媒体 | |
JPH0335444A (ja) | 情報記録媒体 | |
JPH042436B2 (ja) | ||
JPH0335445A (ja) | 情報記録媒体 | |
JPH04228126A (ja) | 光学的情報記録用媒体 | |
JP2560711B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JP2508056B2 (ja) | 光記録媒体製造方法 | |
JPS62125552A (ja) | 光記録媒体 | |
JPS62256691A (ja) | 光情報記録媒体およびその製造方法 | |
JPH0375940B2 (ja) | ||
JPH0335442A (ja) | 情報記録媒体及びその製造方法 | |
JPS6313786A (ja) | 光記録媒体 | |
JP2508055B2 (ja) | 光記録媒体製造方法 | |
JPH042437B2 (ja) | ||
JPH0335441A (ja) | 情報記録媒体及びその製造方法 | |
JPS62278094A (ja) | 光記録媒体 | |
JPS62278095A (ja) | 光記録媒体 | |
JPH0335443A (ja) | 情報記録媒体及びその製造方法 | |
JPS62256692A (ja) | 光記録媒体 | |
JPS62144998A (ja) | 光記録材料 |