JPH0334335A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH0334335A JPH0334335A JP16949889A JP16949889A JPH0334335A JP H0334335 A JPH0334335 A JP H0334335A JP 16949889 A JP16949889 A JP 16949889A JP 16949889 A JP16949889 A JP 16949889A JP H0334335 A JPH0334335 A JP H0334335A
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- JP
- Japan
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- semiconductor element
- fixed
- inner leads
- support
- semiconductor device
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 11
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 5
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置に関する。
第２図（ａ）、（ｂ）は樹脂封止型半導体装置の一例の
平面図及びＢ−Ｂ’線断面図である。
平面図及びＢ−Ｂ’線断面図である。
図において、ｌは仮想線で示す封止樹脂層、２は半導体
素子、３は樹脂層１内部から外部へ延在する内部リード
、６は半導体素子２がＡｇペースト等の接着剤７を介し
て固着される半導体素子２置部、５は半導体素子２の電
極部と内部リードボンディング部４とを電気的に接続す
る金属細線である。
素子、３は樹脂層１内部から外部へ延在する内部リード
、６は半導体素子２がＡｇペースト等の接着剤７を介し
て固着される半導体素子２置部、５は半導体素子２の電
極部と内部リードボンディング部４とを電気的に接続す
る金属細線である。
−Ｅ述した従来の樹脂封止型半導体装置は、封止樹脂層
１から内部リード３を配置した残りの余白部分に半導体
素子２を配置しており、内部リード３と半導体素子２置
部６とは重ならない様な構造となっている。従って、半
導体素子２が大型化した場合、所定の外形の半導体装置
に収納できなくなるという欠点がある。
１から内部リード３を配置した残りの余白部分に半導体
素子２を配置しており、内部リード３と半導体素子２置
部６とは重ならない様な構造となっている。従って、半
導体素子２が大型化した場合、所定の外形の半導体装置
に収納できなくなるという欠点がある。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、封止樹脂層内部から
外部へ延在する外部電極取出し用の複数の内部リードな
らびに外部電極と導通のないサポートリードならびにサ
ポートリードにより保持されたアイランド部より成るリ
ードフレームが半導体素子の回路形成面上に配置され、
かつ電気絶縁性接着剤により半導体素子の回路形成面上
に固着され、さらに内部リードと半導体素子とが金属細
線により電気的に接続されていることを特徴とする。
外部へ延在する外部電極取出し用の複数の内部リードな
らびに外部電極と導通のないサポートリードならびにサ
ポートリードにより保持されたアイランド部より成るリ
ードフレームが半導体素子の回路形成面上に配置され、
かつ電気絶縁性接着剤により半導体素子の回路形成面上
に固着され、さらに内部リードと半導体素子とが金属細
線により電気的に接続されていることを特徴とする。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例の平面図及び
Ａ−Ａ’線断面図である。
Ａ−Ａ’線断面図である。
図において、３は封止樹脂層１の内部より半導体素子２
の回路形成面上を通り封止樹脂層１の外部に延在する外
部電極取出し用の内部リード、４は内部リードボンディ
ング部、８は外部電極と導通のないサポートリード、９
はサポートリード８により保持されているアイランド部
、５は内部リードボンディング部４と半導体素子２の電
極パッド部とを電気的に接続する金属細線である。ここ
において、内部リード３とサポートリード８とアイラン
ド部９は半導体素子２の回路形成面上に固着されており
、固着方法としては、両面絶縁性接着剤１１を有するポ
リイミドフィルム等の絶縁フィルム１０を介して行なわ
れる。
の回路形成面上を通り封止樹脂層１の外部に延在する外
部電極取出し用の内部リード、４は内部リードボンディ
ング部、８は外部電極と導通のないサポートリード、９
はサポートリード８により保持されているアイランド部
、５は内部リードボンディング部４と半導体素子２の電
極パッド部とを電気的に接続する金属細線である。ここ
において、内部リード３とサポートリード８とアイラン
ド部９は半導体素子２の回路形成面上に固着されており
、固着方法としては、両面絶縁性接着剤１１を有するポ
リイミドフィルム等の絶縁フィルム１０を介して行なわ
れる。
この様な構造であれば、内部リード３が半導体素子２の
上部に配置されており、第２図（ａ）（ｂ）に示した従
来構造の様に、内部リード３の配置された部分が半導体
素子２の収納部分に対して余分な部分とならない。サポ
ートリード８に保持されたアイランド部９が半導体素子
２に固着されているため、固着面積が多く固着強度が大
きいため、半運体素子２が大型化した隙にも所定の封止
樹脂層１に、良好な組立性を維持しつつ収納することが
可能である。
上部に配置されており、第２図（ａ）（ｂ）に示した従
来構造の様に、内部リード３の配置された部分が半導体
素子２の収納部分に対して余分な部分とならない。サポ
ートリード８に保持されたアイランド部９が半導体素子
２に固着されているため、固着面積が多く固着強度が大
きいため、半運体素子２が大型化した隙にも所定の封止
樹脂層１に、良好な組立性を維持しつつ収納することが
可能である。
さらに、アイランド部９が半導体素子２の回路形成面上
に固着されているため、従来構造に比べ、熱放散性に優
れているという利点を有する。
に固着されているため、従来構造に比べ、熱放散性に優
れているという利点を有する。
以上説明したように、本発明は、内部リードならびにサ
ポートリードならびにアイランド部より成るリードフレ
ームが半導体素子の回路形成面上に固着されており、半
導体素子が大型化した場合でも良好な組立性を維持しつ
つ所定の外形の半導体装置に収納が可能であるという効
果があり、さらにまた、良好な熱放散性を有するという
効果がある。
ポートリードならびにアイランド部より成るリードフレ
ームが半導体素子の回路形成面上に固着されており、半
導体素子が大型化した場合でも良好な組立性を維持しつ
つ所定の外形の半導体装置に収納が可能であるという効
果があり、さらにまた、良好な熱放散性を有するという
効果がある。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例を示す平面図
及びＡ−Ａ’線断面図、第２図（ａ〉。 （ｂ）は従来の樹脂封止型半導体装置を示す平面図及び
Ｂ−Ｂ’線断面図である。 １・・・封止樹脂層、２・・・半導体素子、３・・・内
部リード、４・・・ボンディング部、５・・・金属細線
、６・・・半導体素子２置部、７・・・Ａｇペースト、
８・・・サポートリード、９・・・アイランド部、１０
・・・絶縁性フィルム、１１・・・絶縁性接着剤。
及びＡ−Ａ’線断面図、第２図（ａ〉。 （ｂ）は従来の樹脂封止型半導体装置を示す平面図及び
Ｂ−Ｂ’線断面図である。 １・・・封止樹脂層、２・・・半導体素子、３・・・内
部リード、４・・・ボンディング部、５・・・金属細線
、６・・・半導体素子２置部、７・・・Ａｇペースト、
８・・・サポートリード、９・・・アイランド部、１０
・・・絶縁性フィルム、１１・・・絶縁性接着剤。
Claims (1)
- 封止樹脂層内部から外部へ延在する外部電極取出し用の
複数の内部リードならびに外部電極と導通のないサポー
トリードならびにサポートリードにより保持されたアイ
ランド部より成るリードフレームが半導体素子の回路形
成面上に配置され、かつ電気絶縁性接着剤により半導体
素子の回路形成面上に固着され、さらに内部リードと半
導体素子とが金属細線により電気的に接続されているこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16949889A JPH0334335A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16949889A JPH0334335A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0334335A true JPH0334335A (ja) | 1991-02-14 |
Family
ID=15887638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16949889A Pending JPH0334335A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0334335A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63266842A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-06-29 JP JP16949889A patent/JPH0334335A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63266842A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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