JPH0330356A - 絶縁層分離基板の製造方法 - Google Patents
絶縁層分離基板の製造方法Info
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- JPH0330356A JPH0330356A JP16479189A JP16479189A JPH0330356A JP H0330356 A JPH0330356 A JP H0330356A JP 16479189 A JP16479189 A JP 16479189A JP 16479189 A JP16479189 A JP 16479189A JP H0330356 A JPH0330356 A JP H0330356A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、絶縁層分離基板（誘電体分離基板）の製造
方法に関する。
方法に関する。
半導体装置の製造に用いられる半導体基板として、第２
図（ｅ）にみるように、ポリシリコン層（支持体層）５
５の上に絶縁層５４で互いの間が電気的に分離された状
態にある半導体単結晶分離島５６が複数設けられている
絶縁層分離基板（以下、適宜ｒＤＩ基板」と言う）６０
がある。
図（ｅ）にみるように、ポリシリコン層（支持体層）５
５の上に絶縁層５４で互いの間が電気的に分離された状
態にある半導体単結晶分離島５６が複数設けられている
絶縁層分離基板（以下、適宜ｒＤＩ基板」と言う）６０
がある。
このＤＩ基板６０は、従来、以下のようにして製造され
るものである。
るものである。
第２図（ａ）にみるように、シリコン基板（Ｎ型シリコ
ン単結晶板）５０の表面に酸化膜（例えば、熱酸化膜）
形成し、この酸化膜に選択的エツチング処理を施し、窓
５２の明いた酸化膜マスク５１を形成する。マスク５１
を形成した後、異方性エツチングを施し、第２図（ｂ）
にみるように、シリコン基板５０表面に分離用の■溝５
３を形成する。
ン単結晶板）５０の表面に酸化膜（例えば、熱酸化膜）
形成し、この酸化膜に選択的エツチング処理を施し、窓
５２の明いた酸化膜マスク５１を形成する。マスク５１
を形成した後、異方性エツチングを施し、第２図（ｂ）
にみるように、シリコン基板５０表面に分離用の■溝５
３を形成する。
ついで、第２図（Ｃ）にみるように、シリコン基板５０
のＶｉＪｉ５３形成面を絶縁酸化膜（絶縁層）５４で覆
う。続いて、第２図（ｄｌにみるように、絶縁酸化膜５
４の上に支持体層用ポリシリコン層５５を積層形成した
後、シリコン基板５０の裏面側からＶ溝５３の底が露出
するまで研磨すれば、第２図（ｆｌ）に示すＤＩ基板６
０が完成する。
のＶｉＪｉ５３形成面を絶縁酸化膜（絶縁層）５４で覆
う。続いて、第２図（ｄｌにみるように、絶縁酸化膜５
４の上に支持体層用ポリシリコン層５５を積層形成した
後、シリコン基板５０の裏面側からＶ溝５３の底が露出
するまで研磨すれば、第２図（ｆｌ）に示すＤＩ基板６
０が完成する。
しかしながら、従来の絶縁層分離基板は、表面平滑性が
十分でない。第２図（ｅ）にみるように、半導体単結晶
分離島５６．５６の間のポリ９９３２１５５部分で凹み
がついているかたちとなっている。この凹みは研磨の際
に生じたものである。ポリシリコン（多結晶シリコン）
がシリコン単結晶や絶縁層たるＳｉ帆層よりも軟らかく
研摩されやすいことに起因するものと推察される。この
ような、表面平滑性が十分でない絶縁層分離基板には、
半導体装置製造の際、製造工程中でのレジスト塗布がう
まくできなかったり、基板表面に形成されるＡｌ配線に
所縁が発生しやすかったりという問題がある。
十分でない。第２図（ｅ）にみるように、半導体単結晶
分離島５６．５６の間のポリ９９３２１５５部分で凹み
がついているかたちとなっている。この凹みは研磨の際
に生じたものである。ポリシリコン（多結晶シリコン）
がシリコン単結晶や絶縁層たるＳｉ帆層よりも軟らかく
研摩されやすいことに起因するものと推察される。この
ような、表面平滑性が十分でない絶縁層分離基板には、
半導体装置製造の際、製造工程中でのレジスト塗布がう
まくできなかったり、基板表面に形成されるＡｌ配線に
所縁が発生しやすかったりという問題がある。
この発明は、上記事情に浅み、平滑性が十分で分離島間
の電気的絶縁性もより十分な絶縁層分離基板を得ること
のできる方法を提供することを課題とする。
の電気的絶縁性もより十分な絶縁層分離基板を得ること
のできる方法を提供することを課題とする。
前記課題を解決するため、この発明にかかる絶縁層分離
基板の製造方法は、支持体層と半導体単結晶層とが絶縁
層を介して積層されてなる積層体の前記半導体単結晶層
を研磨することにより作られており、第１図（ｅ）にみ
るように、支持体層６上に絶縁層５で分離された半導体
単結晶領域７が複数設けられている基板１０を準備して
、第１図（ｆ）にみるように、同基板１０における半導
体単結晶領域７．７のある側に酸化層１１を一旦形成し
た後、第１図（ｇ）にみるように、同酸化層１１を半導
体単結晶表面が露出するまで′ｇｆ研磨するようにする
半導体としてはシリコン半導体が、絶縁層や酸化層とし
ては５ｉＯａ層が、さらに、支持体層としてはポリシリ
コン層が例示されるが、これに限らない。また、研磨に
は、化学Ｖｒ麿、機械研磨、・化学機械研磨など、様々
な研摩方法を用いることができる。
基板の製造方法は、支持体層と半導体単結晶層とが絶縁
層を介して積層されてなる積層体の前記半導体単結晶層
を研磨することにより作られており、第１図（ｅ）にみ
るように、支持体層６上に絶縁層５で分離された半導体
単結晶領域７が複数設けられている基板１０を準備して
、第１図（ｆ）にみるように、同基板１０における半導
体単結晶領域７．７のある側に酸化層１１を一旦形成し
た後、第１図（ｇ）にみるように、同酸化層１１を半導
体単結晶表面が露出するまで′ｇｆ研磨するようにする
半導体としてはシリコン半導体が、絶縁層や酸化層とし
ては５ｉＯａ層が、さらに、支持体層としてはポリシリ
コン層が例示されるが、これに限らない。また、研磨に
は、化学Ｖｒ麿、機械研磨、・化学機械研磨など、様々
な研摩方法を用いることができる。
この発明の製造方法により得られた絶縁層分離基板では
、第１図（ｆ）にみるように、研磨面全面が、従来のよ
うな単結晶層とポリシリコン層等の異なる材料が混在す
る面でなく、酸化層（例えば、５ｉ（ｈ繞）の単一材料
の面であるため、第１図（勢にみるように、半導体単結
晶分離島１２．１２間に凹みのない平滑性に優れた絶縁
層分離基板となる。しかも、半導体単結晶分離島１２．
１２間の表面部分は酸化層１１′であり、例えば、支持
体層である多結晶層より絶縁性が高く、分離島１２．１
２間の絶縁性も向上するようになる。
、第１図（ｆ）にみるように、研磨面全面が、従来のよ
うな単結晶層とポリシリコン層等の異なる材料が混在す
る面でなく、酸化層（例えば、５ｉ（ｈ繞）の単一材料
の面であるため、第１図（勢にみるように、半導体単結
晶分離島１２．１２間に凹みのない平滑性に優れた絶縁
層分離基板となる。しかも、半導体単結晶分離島１２．
１２間の表面部分は酸化層１１′であり、例えば、支持
体層である多結晶層より絶縁性が高く、分離島１２．１
２間の絶縁性も向上するようになる。
続いて、この発明にかかる絶縁層分離基板の製造方法の
一実施例を、図面を参照しながら詳しく説明する。
一実施例を、図面を参照しながら詳しく説明する。
第１図（ａｌ〜（ｇ）は、この発明にかかる製造方法の
一例により絶縁層分離基板を製造するときの様子を工程
順にあられす。
一例により絶縁層分離基板を製造するときの様子を工程
順にあられす。
まず、第１図（ａ）にみるように、シリコン基板（Ｎ型
シリコン単結晶板）１の表面に酸化膜（例えば、熱酸化
膜）形成し、この酸化膜に選択的エツチング処理を施し
、窓３の明いた酸化膜マスク２を形成する。
シリコン単結晶板）１の表面に酸化膜（例えば、熱酸化
膜）形成し、この酸化膜に選択的エツチング処理を施し
、窓３の明いた酸化膜マスク２を形成する。
マスク２を形成した後、異方性エツチングを施し、第１
図山）にみるように、シリコン基板１表面に分離用のＶ
溝４を形成する。
図山）にみるように、シリコン基板１表面に分離用のＶ
溝４を形成する。
続いて、第１図（Ｃ）にみるように、シリコン基板１の
■溝４形成面にＳｉＯ□映などの絶縁酸化膜（絶縁層）
５を形成する。ついで、第１図（ｄ）にみるように、絶
縁酸化膜５の上に支持体層用ポリシリコン層６を積層形
成した後、化学研磨、機械研磨、あるいは、化学機械研
磨等の方法によりシリコン基板ｌの裏面側からＶ溝４の
底が露出するまで研磨する。そうすると、第１図（ｅ）
にみるように、この発明の製造方法で用いる基板１０が
完成する。
■溝４形成面にＳｉＯ□映などの絶縁酸化膜（絶縁層）
５を形成する。ついで、第１図（ｄ）にみるように、絶
縁酸化膜５の上に支持体層用ポリシリコン層６を積層形
成した後、化学研磨、機械研磨、あるいは、化学機械研
磨等の方法によりシリコン基板ｌの裏面側からＶ溝４の
底が露出するまで研磨する。そうすると、第１図（ｅ）
にみるように、この発明の製造方法で用いる基板１０が
完成する。
この基板１０は、支持体層と半導体単結晶層とが絶縁層
を介して積層されてなる積層体の前記半導体単結晶層を
１磨することにより作られ１、第１図（ｅ）にみるよう
に、支持体層（ポリシリコン層）６上に絶縁Ｉ′ｉｉ５
で分離された半導体単結晶領域７．７が複数設けられて
いる。
を介して積層されてなる積層体の前記半導体単結晶層を
１磨することにより作られ１、第１図（ｅ）にみるよう
に、支持体層（ポリシリコン層）６上に絶縁Ｉ′ｉｉ５
で分離された半導体単結晶領域７．７が複数設けられて
いる。
そして、第１図（ｆｌにみるように、この基板１０にお
ける半導体単結晶領域７のある側に５ｉｆｔ層などの酸
化層１１を一旦形成する。酸化層１１は、例えば、Ｓｉ
Ｏ□層を堆積させたり、基板１０表面を熱酸化させる等
の方法により形成することができる。
ける半導体単結晶領域７のある側に５ｉｆｔ層などの酸
化層１１を一旦形成する。酸化層１１は、例えば、Ｓｉ
Ｏ□層を堆積させたり、基板１０表面を熱酸化させる等
の方法により形成することができる。
つぎに、−旦形成した酸化層１１をを単結晶表面が露出
するまで研磨する。研磨は、化学研磨、機械研磨、ある
いは、化学機械研磨等の方法により行う。そうすると、
第１図（幻にみるように、絶縁層分離基板が完成する。
するまで研磨する。研磨は、化学研磨、機械研磨、ある
いは、化学機械研磨等の方法により行う。そうすると、
第１図（幻にみるように、絶縁層分離基板が完成する。
この絶縁層分離基板は、半導体単結晶分離島１２．１２
の間に凹みがなくて平滑性に優れるだけでなく、分離島
１２．１２間の電気絶縁性にも優れる基板であることは
前述の通りである。
の間に凹みがなくて平滑性に優れるだけでなく、分離島
１２．１２間の電気絶縁性にも優れる基板であることは
前述の通りである。
以上に述べたように、この発明の製造方法は、表面平滑
性に優れ、分離島間の絶縁性も優れる絶縁層分離基板を
得ることができるため、実用性が高い。
性に優れ、分離島間の絶縁性も優れる絶縁層分離基板を
得ることができるため、実用性が高い。
第１図（ａ）〜（ｇ）は、この発明にかかる製造方法の
一例により絶縁層分離基板が出来上がる様子を工程順に
あられす概略断面図、第２図（ａ）〜ｔｅｌは、従来の
製造方法により絶縁層分離基板が出来上がる様子を工程
順にあられす概略断面図である。 ５・・・絶縁層 ６・・・支持体層（ポリシリコン層）
７・・・半導体単結晶領域 １１・・・酸化層ｌＯ・
・・基板
一例により絶縁層分離基板が出来上がる様子を工程順に
あられす概略断面図、第２図（ａ）〜ｔｅｌは、従来の
製造方法により絶縁層分離基板が出来上がる様子を工程
順にあられす概略断面図である。 ５・・・絶縁層 ６・・・支持体層（ポリシリコン層）
７・・・半導体単結晶領域 １１・・・酸化層ｌＯ・
・・基板
Claims (1)
- １支持体層と半導体単結晶層とが絶縁層を介して積層さ
れてなる積層体の前記半導体単結晶層を研磨することに
より作られ、支持体層上に絶縁層で分離された半導体単
結晶領域が複数設けられてなる基板を準備して、同基板
における半導体単結晶領域のある側に酸化層を一旦形成
した後、同酸化層を単結晶表面が露出するまで研磨する
ようにすることを特徴とする絶縁層分離基板の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16479189A JPH0330356A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 絶縁層分離基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16479189A JPH0330356A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 絶縁層分離基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0330356A true JPH0330356A (ja) | 1991-02-08 |
Family
ID=15800010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16479189A Pending JPH0330356A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 絶縁層分離基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0330356A (ja) |
-
1989
- 1989-06-27 JP JP16479189A patent/JPH0330356A/ja active Pending
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