JPH03292715A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
- Publication number
- JPH03292715A JPH03292715A JP9429890A JP9429890A JPH03292715A JP H03292715 A JPH03292715 A JP H03292715A JP 9429890 A JP9429890 A JP 9429890A JP 9429890 A JP9429890 A JP 9429890A JP H03292715 A JPH03292715 A JP H03292715A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor element
- resin
- solid electrolytic
- particulates
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 43
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 29
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims abstract description 5
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 6
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 abstract description 5
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 4
- -1 Polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 3
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 abstract 3
- 238000013329 compounding Methods 0.000 abstract 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 5
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001780 ECTFE Polymers 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 2
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical group [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は弁作用金属の焼結体からなるコンデンサ素子を
具備した固体電解コンデンサに関するものである。
具備した固体電解コンデンサに関するものである。
タンタルやニオブなどの弁作用金属の焼結体からなるコ
ンデンサ素子を具備した固体電解コンデンサとしては、
第1図に示したチップ形固体電解コンデンサ1と第2図
に示したデイツプ形固体電解コンデンサ10とがよく知
られている。
ンデンサ素子を具備した固体電解コンデンサとしては、
第1図に示したチップ形固体電解コンデンサ1と第2図
に示したデイツプ形固体電解コンデンサ10とがよく知
られている。
チップ形固体電解コンデンサ1は、タンタルのような弁
作用金属からなる陽極導出線2を備え。
作用金属からなる陽極導出線2を備え。
かつ表面に誘電体性酸化皮膜を形成したタンタルのよう
な弁作用金属の焼結体からなる陽極体上に二酸化マンガ
ンのような半導体性金属酸化物層。
な弁作用金属の焼結体からなる陽極体上に二酸化マンガ
ンのような半導体性金属酸化物層。
カーボン、銀ペーストからなる陰極層を順次積層形成し
てコンデンサ素子3とし、このコンデンサ素子3に半日
または導電性接着剤などの導電材料4を介して板状の陰
極端子5を取着し、また陽極導出線2には同導出、Ii
2のコンデンサ素子3がらの引出部分を絶縁性の樹脂6
で補強したうぇで板状の陽極端子7を溶着し、コンデン
サ素子3を絶縁性の樹脂8によってモールド外装し、両
端子5゜7を外装樹脂8に沿って配置した構造となって
し)る。
てコンデンサ素子3とし、このコンデンサ素子3に半日
または導電性接着剤などの導電材料4を介して板状の陰
極端子5を取着し、また陽極導出線2には同導出、Ii
2のコンデンサ素子3がらの引出部分を絶縁性の樹脂6
で補強したうぇで板状の陽極端子7を溶着し、コンデン
サ素子3を絶縁性の樹脂8によってモールド外装し、両
端子5゜7を外装樹脂8に沿って配置した構造となって
し)る。
デイツプ形固体電解コンデンサlOは、チップ形固体電
解コンデンサ1の板状の陽極端子7および陰極端子5に
代えて丸棒状の陽極端子71および陰極端子51を使用
したものでコンデンサ素子3を絶縁性の樹脂81によっ
てデイツプ外装した構造となっている。
解コンデンサ1の板状の陽極端子7および陰極端子5に
代えて丸棒状の陽極端子71および陰極端子51を使用
したものでコンデンサ素子3を絶縁性の樹脂81によっ
てデイツプ外装した構造となっている。
いずれの固体電解コンデンサ1およびIOにおいいても
陽極導出線2の根元部分を補強するための樹脂6として
は、エポキシ系またはシリコン系の熱硬化性絶縁樹脂を
使用するのが一般的である。
陽極導出線2の根元部分を補強するための樹脂6として
は、エポキシ系またはシリコン系の熱硬化性絶縁樹脂を
使用するのが一般的である。
上述した補強用樹脂6は、陽極導出線2の陽極端子7へ
の溶接による固着に先立って、例えばコンデンサ素子3
を構成する陽極体上へのカーボンの形成後に同樹脂6を
陽極導出線2の根元に塗布し、加熱硬化することによっ
て形成する。また、外装樹脂8および81についてもエ
ポキシ系またはシリコン系の熱硬化性絶縁樹脂が使用さ
れる。特に、補強用樹脂6は陽極導出!2を陽極端子7
八溶着する際のコンデンサ素子3への機械的なストレス
を緩和もしくは防止するために形成するものであるが、
固体電解コンデンサ1や10が例えば半田付は時などに
おける熱ストレスを受けたときに外装樹脂8や81の膨
張収縮のほか、陽極引出線2の根元部分の補強用樹脂6
の膨張収縮もコンデンサ素子3に伝わり、コンデンサと
しての電気的性、例えば漏れ電流特性が劣化してしまう
という問題点があった。
の溶接による固着に先立って、例えばコンデンサ素子3
を構成する陽極体上へのカーボンの形成後に同樹脂6を
陽極導出線2の根元に塗布し、加熱硬化することによっ
て形成する。また、外装樹脂8および81についてもエ
ポキシ系またはシリコン系の熱硬化性絶縁樹脂が使用さ
れる。特に、補強用樹脂6は陽極導出!2を陽極端子7
八溶着する際のコンデンサ素子3への機械的なストレス
を緩和もしくは防止するために形成するものであるが、
固体電解コンデンサ1や10が例えば半田付は時などに
おける熱ストレスを受けたときに外装樹脂8や81の膨
張収縮のほか、陽極引出線2の根元部分の補強用樹脂6
の膨張収縮もコンデンサ素子3に伝わり、コンデンサと
しての電気的性、例えば漏れ電流特性が劣化してしまう
という問題点があった。
しかるに、本発明は上述したような欠点を解決するため
に少なくとも陽極導出線のコンデンサ素子からの導出部
分、好ましくはコンデンサ素子の外周全体を同コンデン
サ素子に皮覆材の膨張収縮による悪影響を与えにくい材
料にて皮覆するようにしたものである。
に少なくとも陽極導出線のコンデンサ素子からの導出部
分、好ましくはコンデンサ素子の外周全体を同コンデン
サ素子に皮覆材の膨張収縮による悪影響を与えにくい材
料にて皮覆するようにしたものである。
本発明に係る皮覆材は、フッ素樹脂材の微粒子を含有す
る樹脂材からなる。
る樹脂材からなる。
フッ素樹脂材の微粒子としてはフレーク状または球状の
ものが好ましい。その平均粒子径は30μ−以下で、か
つコンデンサ素子の弁作用金属粉末の粒径以上の大きさ
であることが好ましい。
ものが好ましい。その平均粒子径は30μ−以下で、か
つコンデンサ素子の弁作用金属粉末の粒径以上の大きさ
であることが好ましい。
本発明において、フッ素樹脂としてはポリテトラフルオ
ロエチレン(PTFE)、テトラフルオロエチレン−パ
ーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体(PFA)
、テトラフルオロエチレン−へキサフルオロプロピレン
共重合体(FEP)、テトラフルオロエチレン−エチレ
ン共重合体(ETFE)、ポリビニリ°デンフルオライ
ド(PVDF)、クロロトリフルオロエチレン−エチレ
ン共重合体(ECTFE)、ポリクロロトリフルオロエ
チレン(PCTFE)、ポリビニルフルオライド(PV
F)などを挙げることができ、これらは適宜一種類ある
いは二種類以上を併用して差し支えない。
ロエチレン(PTFE)、テトラフルオロエチレン−パ
ーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体(PFA)
、テトラフルオロエチレン−へキサフルオロプロピレン
共重合体(FEP)、テトラフルオロエチレン−エチレ
ン共重合体(ETFE)、ポリビニリ°デンフルオライ
ド(PVDF)、クロロトリフルオロエチレン−エチレ
ン共重合体(ECTFE)、ポリクロロトリフルオロエ
チレン(PCTFE)、ポリビニルフルオライド(PV
F)などを挙げることができ、これらは適宜一種類ある
いは二種類以上を併用して差し支えない。
次に、フッ素樹脂材の微粒子を含有するための樹脂とし
てはエポキシ系樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂、
アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂
、フェノール系樹脂、ビニル系樹脂などを挙げることが
できる。これら樹脂は熱硬化性あるいは紫外線硬化性樹
脂または熱可塑性樹脂でもよい。
てはエポキシ系樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂、
アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂
、フェノール系樹脂、ビニル系樹脂などを挙げることが
できる。これら樹脂は熱硬化性あるいは紫外線硬化性樹
脂または熱可塑性樹脂でもよい。
微粒子と樹脂の配合比は適宜選択できるが1w1粒子の
量が少ないと効果が期待できないために微粒子の量は1
0〜99%が好ましく、より好ましくは50〜99%で
ある。
量が少ないと効果が期待できないために微粒子の量は1
0〜99%が好ましく、より好ましくは50〜99%で
ある。
このような本発明に係る皮覆材はコンデンサ素子からの
陽極導出線の引出部分のみ、あるいはコンデンサ素子の
外周全体にわたって付着形成され、加熱もしくは紫外線
により硬化される。皮覆材を陽極導出線の引呂部分のみ
に形成する場合には外部端子となる陽極端子を陽極導出
線に固着するに先立って形成するのがよく、またコンデ
ンサ素子の外周全体にわたって形成する場合にはコンデ
ンサ素子に対する外部端子となる陽極端子および陰極端
子の取着後であって、外装樹脂の形成前であることが好
ましい。
陽極導出線の引出部分のみ、あるいはコンデンサ素子の
外周全体にわたって付着形成され、加熱もしくは紫外線
により硬化される。皮覆材を陽極導出線の引呂部分のみ
に形成する場合には外部端子となる陽極端子を陽極導出
線に固着するに先立って形成するのがよく、またコンデ
ンサ素子の外周全体にわたって形成する場合にはコンデ
ンサ素子に対する外部端子となる陽極端子および陰極端
子の取着後であって、外装樹脂の形成前であることが好
ましい。
また、本発明に係る皮覆材は半導体性金属酸化物層の形
成前にコンデンサ素子からの陽極導出線の引出部分に形
成し、硝酸マンガンの熱分解による二酸化マンガンの生
成(形成)時の這い上がり防止剤として使用しても良い
。
成前にコンデンサ素子からの陽極導出線の引出部分に形
成し、硝酸マンガンの熱分解による二酸化マンガンの生
成(形成)時の這い上がり防止剤として使用しても良い
。
以下に1本発明に係る固体電解コンデンサの実施例を比
較例とともに詳述する。
較例とともに詳述する。
〈実施例1〉
粒子径7〜lOμ■のPTFEが50重量%と、シリコ
ンワニス(信越シリコーン・ポロンA)が50重量%と
からなる皮覆材を調合し、この皮覆材をタンタルコンデ
ンサ素子の陽極導出線の根元に付着させ。
ンワニス(信越シリコーン・ポロンA)が50重量%と
からなる皮覆材を調合し、この皮覆材をタンタルコンデ
ンサ素子の陽極導出線の根元に付着させ。
加熱硬化し、エポキシ樹脂による外装を施して従来と同
様な手法により定格4V−10μFの第1図に示すよう
なチップ形の固体電解コンデンサを100個製作した。
様な手法により定格4V−10μFの第1図に示すよう
なチップ形の固体電解コンデンサを100個製作した。
く比較例1〉
実施例1の皮覆材に代えて同シリコンワニスが100重
量%からなる皮覆材を使用し、実施例1と同定格のチッ
プ形の固体電解コンデンサを実施例1と同様な手法によ
り100個製作した。
量%からなる皮覆材を使用し、実施例1と同定格のチッ
プ形の固体電解コンデンサを実施例1と同様な手法によ
り100個製作した。
〈実施例2〉
粒子径3〜10μ−のPFAが67重量%と、シリコン
ワニス(信越シリコーン・8253)が33重量%とか
らなる皮覆材を調合し、この皮覆材をタンタルコンデン
サ素子の陽極導出線の根元に付着させ、加熱硬化し、エ
ポキシ樹脂による外装を施して従来と同様な手法により
定格35V・10μFの第2図に示すようなデイツプ形
の固体電解コンデンサを100個製作した。
ワニス(信越シリコーン・8253)が33重量%とか
らなる皮覆材を調合し、この皮覆材をタンタルコンデン
サ素子の陽極導出線の根元に付着させ、加熱硬化し、エ
ポキシ樹脂による外装を施して従来と同様な手法により
定格35V・10μFの第2図に示すようなデイツプ形
の固体電解コンデンサを100個製作した。
〈比較例2〉
実施例2の皮覆材に代えて同シリコンワニスが100重
量%からなる皮覆材を使用し、実施例2と同定格のデイ
ツプ形の固体電解コンデンサを実施例2と同様な手法に
より100個製作した。
量%からなる皮覆材を使用し、実施例2と同定格のデイ
ツプ形の固体電解コンデンサを実施例2と同様な手法に
より100個製作した。
〈実施例3〉
粒子径5〜10μ■のPFAが80重量%と、フッ素系
樹脂(M硝子■製サーフロン)が20重量%からなる皮
覆材を調合し、この皮覆材をタンタルコンデンサ素子の
陽極導出線の根元に付着させ、加熱硬化し、エポキシ樹
脂による外装を施して従来と同様な手法により定格10
V・22μFの第1図に示すようなチップ形の固体電解
コンデサンを100個製作した。
樹脂(M硝子■製サーフロン)が20重量%からなる皮
覆材を調合し、この皮覆材をタンタルコンデンサ素子の
陽極導出線の根元に付着させ、加熱硬化し、エポキシ樹
脂による外装を施して従来と同様な手法により定格10
V・22μFの第1図に示すようなチップ形の固体電解
コンデサンを100個製作した。
〈比較例3〉
実施例3の皮覆材に代えて同フッ素系樹脂が100重量
%からなる皮覆材を使用し、実施例3と同定格のチップ
形の固体電解コンデンサを実施例3と同様な手法により
100個製作した。
%からなる皮覆材を使用し、実施例3と同定格のチップ
形の固体電解コンデンサを実施例3と同様な手法により
100個製作した。
〈実施例4〉
粒子径5〜15μ園のPTFEが75重量%と、シリコ
ンワニス(信越シリコーン・KC8g)が25重量%と
からなる皮覆材を調合し、この皮覆材をタンタルコンデ
ンサ素子の陽極導出線の根元に付着させ、加熱硬化し、
エポキシ樹脂による外装を施して従来と同様な手法によ
り定格35V・1μFの第1図に示すようなチップ形の
固体電解コンデンサを100個製作した。
ンワニス(信越シリコーン・KC8g)が25重量%と
からなる皮覆材を調合し、この皮覆材をタンタルコンデ
ンサ素子の陽極導出線の根元に付着させ、加熱硬化し、
エポキシ樹脂による外装を施して従来と同様な手法によ
り定格35V・1μFの第1図に示すようなチップ形の
固体電解コンデンサを100個製作した。
く比較例4〉
実施例4の皮覆材に代えて同シリコンワニスが100重
量%からなる皮覆材を使用し、実施例4と同定格のチッ
プ形固体電解コンデンサを実施例4と同様な手法により
lOO個製作した。
量%からなる皮覆材を使用し、実施例4と同定格のチッ
プ形固体電解コンデンサを実施例4と同様な手法により
lOO個製作した。
次に、本発明に係る実施例1〜4および比較例1〜4の
固体電解コンデンサの各100個を300℃の溶融半田
中に10秒間浸漬し、その後に漏れ電流を測定した。そ
の測定結果にもとづく不良個数を第1表に示す。第1表
において、実施例1,3.4および比較例1,3.4は
漏れ電流が0.3μA以上となったものの不良数を示し
、実施例2および比較例2は漏れ電流が2.1μ八以上
となったものの不良数を示す。
固体電解コンデンサの各100個を300℃の溶融半田
中に10秒間浸漬し、その後に漏れ電流を測定した。そ
の測定結果にもとづく不良個数を第1表に示す。第1表
において、実施例1,3.4および比較例1,3.4は
漏れ電流が0.3μA以上となったものの不良数を示し
、実施例2および比較例2は漏れ電流が2.1μ八以上
となったものの不良数を示す。
第1表
漏れ電流特性(不良数)
体電解コンデンサの断面図、第2図は本発明および従来
例を示すデイツプ形固体電解コンデンサの断面図である
。
例を示すデイツプ形固体電解コンデンサの断面図である
。
図中、1はチップ形固体電解コンデンサ、2は陽極導出
線、3はコンデンサ素子、4は導電材料、5.51は陰
極端子、6は補強樹脂、7,71は陽極端子、8,81
は外装樹脂、10はデイツプ形固体電解コンデンサであ
る。
線、3はコンデンサ素子、4は導電材料、5.51は陰
極端子、6は補強樹脂、7,71は陽極端子、8,81
は外装樹脂、10はデイツプ形固体電解コンデンサであ
る。
第1表の漏れ電流特性から判るように、比較例1〜4の
固体電解コンデンサにおいては半田浸漬後の不良が多く
、これに対して実施例1〜4においては不良品が出ない
。
固体電解コンデンサにおいては半田浸漬後の不良が多く
、これに対して実施例1〜4においては不良品が出ない
。
よって、本発明に係る固体電解コンデンサは耐熱性に優
れたものを提供することができる。
れたものを提供することができる。
Claims (3)
- (1)タンタルやニオブなどの弁作用金属の焼結体から
なるコンデンサ素子の少なくとも陽極導出線の導出部分
に、フッ素樹脂材の微粒子を含有する樹脂材からなる皮
覆材を固着形成したことを特徴とする固体電解コンデン
サ。 - (2)タンタルやニオブなどの弁作用金属の焼結体から
なるコンデンサ素子の周囲に、フッ素樹脂材の微粒子を
含有する樹脂材からなる皮覆材を固着形成したことを特
徴とする固体電解コンデンサ。 - (3)フッ素樹脂材の微粒子を含有する樹脂材からなる
皮覆材にてタンタルやニオブなどの弁作用金属の焼結体
からなるコンデンサ素子の一部分を皮覆することを特徴
とした固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9429890A JPH03292715A (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9429890A JPH03292715A (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | 固体電解コンデンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03292715A true JPH03292715A (ja) | 1991-12-24 |
Family
ID=14106366
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9429890A Pending JPH03292715A (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03292715A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5469326A (en) * | 1992-10-15 | 1995-11-21 | Rohm Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor |
JP2006261660A (ja) * | 2005-02-17 | 2006-09-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP2009182157A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
JP2011071556A (ja) * | 2005-02-17 | 2011-04-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-04-10 JP JP9429890A patent/JPH03292715A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5469326A (en) * | 1992-10-15 | 1995-11-21 | Rohm Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor |
JP2006261660A (ja) * | 2005-02-17 | 2006-09-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP2011071556A (ja) * | 2005-02-17 | 2011-04-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP2009182157A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5894114B2 (ja) | 面実装インダクタの製造方法 | |
TW508603B (en) | Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing same | |
JP2009182157A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP2000208367A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JPH03292715A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP7465547B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよび固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP4870327B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP2711564B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH0997747A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JPS6139727B2 (ja) | ||
JP2850823B2 (ja) | チップ型固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH04119623A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JP3080851B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH02306609A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JPH03241812A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JPH0428214A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
US2974761A (en) | Electrical component with improved metal-to-glass end sealing mechanism | |
JP2001068381A (ja) | 固体電解コンデンサ素子 | |
JP3161332B2 (ja) | チップ型固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JPS6222249B2 (ja) | ||
JP2004281714A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JPH0469805B2 (ja) | ||
JPH03215924A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH02272717A (ja) | タンタル固体電解コンデンサ | |
JPH0614466Y2 (ja) | チップ形固体電解コンデンサ |