JPH03290981A - フォトインタラプタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は物体の位置や物体の有無を検知するフォトイン
タラプタに関するものである。

〈従来の技術〉 フォトインタラフリは、発光素子から出てくる光を受光
素子で感知することによって、発光素子と受光素子の間
に位置する物体の有無を検知し、またこれを利用して物
体の位置を検知するものである。第３図に、従来の７オ
トインタラブタの模式構成図を示す。このフォトインタ
ラプタは受光素子１と発光素子２が向かいあった構造と
なっている。第４図に上記従来の７オトインタラブタの
使用方法の例を示す。受光素子ｌの封入された受光部４
１と発光素子２の封入された発光部４２の間に櫛型金属
板４３が配置され、該櫛型金属板４３の移動に伴って発
光素子２から受光素子】への光の入射が断続される。こ
の時受光素子１で発生する信号を検出して、櫛型金属板
４３の位置を検知するものである。

〈発明が解決しようとする課題〉 従来の７オトインタラブタは、用いられている受光素子
１に受光面が１つしかなく、受光素子１と発光素子２が
】つずつ向かいあっているので、受光素子１と発光素子
２の間の１ケ所でしか物体の検知ができなかった。この
ために、検知する場所が複数ある場合には検知する場所
の数だけフォトインタラプタを用意する必要があり、上
記場所の数と同数の受光素子と発光素子が必要であった
。

そこで本発明は複数の場所で物体の検知をする場合に、
フォトインタラプタを構成する受光素子の数を従来より
少なくすることができるフォトインタラプタを提供する
ことを目的とする。

〈課題を解決するための手段〉 上記目的を達成するために、本発明は、光電変換層が第
１と第２の電極に挾まれ、上記第１と第２の電極両方の
側が入射側となって、両面から受光できる構造となって
いる受光素子を用い、該受光素子の両側に発光素子を配
置してフォトインタラプタを構成する。

〈作　用〉 本発明のフォトインタラプタは、受光素子の両側に配置
された別々の発光素子からの光を上記１つの受光素子の
両面で受けることで、上記受光素子両側の２ケ所で物体
の検知を行う。

〈実施例〉 第１図は本発明の一実施例のフォトインタラプタの模式
構成図である。本実施例のフォトインタラプタは、受光
素子１の両側に発光素子２が配置されて、１個の受光素
子と２個の発光素子から構成されている。発光素子２は
ＧａＡｔＡｓ５ＧａＰ　等からなる従来の発光ダイオー
ドである。受光素子ｌは従来のものと異なり両面からの
受光が可能であり、これによって本発明の構成を有する
フォトインタラプタの作製が可能となっている。

第２図は本実施例の受光素子ｌの略断面構造図である。

該受光素子ｌは以下のようにして作製される。まずガラ
ス基板２Ｉ上にスパッタ法により透明電極２２をＩＴＯ
で形成する。次に、グロー放電分解法により下記衣１に
示す条件でｐ型、型、ｎ型の順に非晶質シリコン層２３
．２４．２５を形成する。このとき、透明電極２２の一
部は上記シリコン層に覆われないようにして露出部を残
しておく。

さらにスパッタ法により透明電極２６をＩＴＯで形成す
る。最後に電子ビーム法により上記透明電極２２の露出
部に引出し電極２７を、透明電極２６の一部分に引出し
電極２８をそれぞれＡｔで形成する。

以上のようにして作製される本実施例の受光素子１は、
第１の電極が透明電極２２で第２の電極が透明電極２６
で形成されて、両面から光が入射できるようＫなってい
る。本実施例の受光素子ｌは光電変換層を非晶質シリコ
ンで形成しているので作製が容易であり、また低温形成
が可能であり、基板として透明で安価なガラスを用いる
ことが可能となっている。また、本実施例の受光素子は
、ｐ型の非晶質シリコン層２３及びｎ型の非晶質シリコ
ン層２５の膜厚制御により光の入射側によって発生電流
をかえることが可能である。たとえば、ｐ型の非晶質シ
リコン層２３の方をｎ型の非晶質シリコン層２５よりも
厚くしておけば、ｐ型の非晶質シリコン層による光の吸
収損失の方が多くなるために、ｐ型層側から入射した場
合の方がｎｍ層から入射するよりも発生電流が小さくな
る。

本実施例のフォトインタラプタは、例えば第４図に示し
た櫛型金属板４３を検知場所３，４に配置して、２つの
場所にある櫛型金属板４３を１個の受光素子ｌで検知す
るように働く。この場合、例えば検知場所３，４共に光
が遮断された時は受光素子ｌからの信号はＯ１検知場所
３，４共に光が通った時は信号は２、検知場所３，４ど
ちらか方で光が遮断された時は信号はｌとして検出され
る。尚、検知場所３，４を区別する場合には例えば受光
素子１の光電変換層のｐ層とｎ層の厚さを変えれば良く
、捷た発光素子２の光強度を両側の素子で変えても良い
。

以上子した実施例では、第１及び第２の電極共に透明電
極を用いたが、透明でない電極を格子状、くし状等に形
成して光が入射できる領域を残したものとしても良い。

この場合には、透明電極を用いた場合に比べて受光面積
が減少するので、出力低下につながるが、各面の受光面
積を変えることで、光の入射した側を識別することが可
能となる。

〈発明の効果〉 本発明によればフォトインタラプタの受光部に両面受光
が可能な受光素子を用いることで、１つの受光素子で同
時に２ケ所での物体の検知が可能となり複数の場所で物
体を検知する場合に必要となる受光素子の数を減らすこ
とが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例のフォトインタラプタの模式構
成図、第２図は実施例の受光素子の略断面構造図、第３
図は従来のフォトインタラプタの模式構成図、第４図は
従来のフォトインタラプタの使用方法の例を示す図であ
る。 １：受光素子　２：発光素子　３，４：検知場所　２１
ニガラス基板　２２　、２６　：透明電極２３：ｐ型の
非晶質シリコン層　２４：ｉ型の非晶質シリコン層　２
５：ｎ型の非晶質シリコン層２７．２８：引出し電極

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、１つの受光素子の両側に発光素子が配置されたフォ
   トインタラプタであって、上記受光素子が、光電変換層
   が第１と第２の電極に挾まれ、上記第１と第２の電極両
   方の側が入射側となって、両面から受光できる構造とな
   っていることを特徴とするフォトインタラプタ。