JPS63222472A - 積層型光起電力素子 - Google Patents
積層型光起電力素子Info
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- JPS63222472A JPS63222472A JP62055845A JP5584587A JPS63222472A JP S63222472 A JPS63222472 A JP S63222472A JP 62055845 A JP62055845 A JP 62055845A JP 5584587 A JP5584587 A JP 5584587A JP S63222472 A JPS63222472 A JP S63222472A
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- amorphous silicon
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
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Classifications
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えば太陽電池に用いる光発電素子、特に
その光変換効率の向上に関するものである。
その光変換効率の向上に関するものである。
第３図は例えば特開昭５５−１２５６８０号公報に示さ
れた従来の積層型の光起電力素子示す断面図であり、図
において１は導電基板、２は最下層ｐｉｎ素子、３は表
面層ｐｉｎ素子、４はアモルファスシリコン系合金を用
いたｎ層、５はアモルファスシリコン系合金を用いた９
層、６はアモルファスシリコン系合金を用いた１層、７
は透明電極、８は収集電極である。
れた従来の積層型の光起電力素子示す断面図であり、図
において１は導電基板、２は最下層ｐｉｎ素子、３は表
面層ｐｉｎ素子、４はアモルファスシリコン系合金を用
いたｎ層、５はアモルファスシリコン系合金を用いた９
層、６はアモルファスシリコン系合金を用いた１層、７
は透明電極、８は収集電極である。
次に動作について説明する。
従来の積層型の光起電力素子は上記のように構成され、
太陽光は透明電極７から入射し、該透明電極７を透過し
た太陽光は表面層ｐｉｎ素子３に入射しここで電力に変
換される０表面層ｐｉｎ素子３で吸収されなかった光は
次に最下層ｐｉｎ素子２に到達しここで電力に変換され
る。そして表面層ｐｉｎ素子３と最下層ｐｉｎ素子２と
は電気的に直列に接続されており１つの光起電力素子と
機能している。
太陽光は透明電極７から入射し、該透明電極７を透過し
た太陽光は表面層ｐｉｎ素子３に入射しここで電力に変
換される０表面層ｐｉｎ素子３で吸収されなかった光は
次に最下層ｐｉｎ素子２に到達しここで電力に変換され
る。そして表面層ｐｉｎ素子３と最下層ｐｉｎ素子２と
は電気的に直列に接続されており１つの光起電力素子と
機能している。
従来の積層型の光起電力素子は、以上のように構成され
ており、最下層ｐｉｎ素子の光の入射側全面に、表面層
ｐｉｎ素子が存在しているため、最下層ｐｉｎ素子に入
射する光は表面層ｐｉｎ素子の厚さにより制限され、十
分な光量が得られない最下層ｐｉｎ素子が積層型の光起
電力素子の光電変換効率を制限するという問題点があっ
た。
ており、最下層ｐｉｎ素子の光の入射側全面に、表面層
ｐｉｎ素子が存在しているため、最下層ｐｉｎ素子に入
射する光は表面層ｐｉｎ素子の厚さにより制限され、十
分な光量が得られない最下層ｐｉｎ素子が積層型の光起
電力素子の光電変換効率を制限するという問題点があっ
た。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、表面層ｐｉｎ素子、最下層ｐｉｎ素子の両方
共に、十分な光量を与え、積層型光起電力素子として、
高い光電変換効率を得ることを目的とする。
たもので、表面層ｐｉｎ素子、最下層ｐｉｎ素子の両方
共に、十分な光量を与え、積層型光起電力素子として、
高い光電変換効率を得ることを目的とする。
この発明に係る積層型光起電力素子は、導電性基板上に
形成した、アモルファスシリコン系合金を主成分とした
最下層ｐｉｎ素子と、該最下層ｐｉｎ素子上に形成され
、上記最下層ｐｉｎ素子への光入射用の窓を有するアモ
ルファスシリコン系合金を主成分とした表面層ｐｉｎ素
子と、上記最下層ｐｉｎ素子と表面層ｐｉｎ素子との間
にあるいは上記窓部の最下層ｐｉｎ素子素子上酸形成た
電力収集用透明導電膜とを備えたものである。
形成した、アモルファスシリコン系合金を主成分とした
最下層ｐｉｎ素子と、該最下層ｐｉｎ素子上に形成され
、上記最下層ｐｉｎ素子への光入射用の窓を有するアモ
ルファスシリコン系合金を主成分とした表面層ｐｉｎ素
子と、上記最下層ｐｉｎ素子と表面層ｐｉｎ素子との間
にあるいは上記窓部の最下層ｐｉｎ素子素子上酸形成た
電力収集用透明導電膜とを備えたものである。
この発明においては、導電性基板上に形成した、アモル
ファスシリコン系合金を主成分とした最下層ｐｉｎ素子
と、該最下層ｐｉｎ素子上に形成され、上記最下層ｐｉ
ｎ素子への光入射用の窓ををするアモルファスシリコン
系合金を主成分とした表面層ｐｉｎ素子と、上記最下層
ｐｉｎ素子と表面層ｐｌｎ素子との間にあるいは上記窓
部の最下層ｐｉｎ素子上に形成された電力収集用透明導
電膜とを備えた構成としたから表面層ｐｉｎ素子に設け
た窓を通して、最下層ｐｉｎ素子に入射する光量が増加
し、最下層ｐｉｎ素子が積層型光起電力素子の光電変換
効率を制限している要因が緩和され光電変換効率が向上
する。
ファスシリコン系合金を主成分とした最下層ｐｉｎ素子
と、該最下層ｐｉｎ素子上に形成され、上記最下層ｐｉ
ｎ素子への光入射用の窓ををするアモルファスシリコン
系合金を主成分とした表面層ｐｉｎ素子と、上記最下層
ｐｉｎ素子と表面層ｐｌｎ素子との間にあるいは上記窓
部の最下層ｐｉｎ素子上に形成された電力収集用透明導
電膜とを備えた構成としたから表面層ｐｉｎ素子に設け
た窓を通して、最下層ｐｉｎ素子に入射する光量が増加
し、最下層ｐｉｎ素子が積層型光起電力素子の光電変換
効率を制限している要因が緩和され光電変換効率が向上
する。
以下この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による積層型光起電力素子を
示す断面図であり、図において第３図と同一符号は上記
従来素子と全く同一のものである。
示す断面図であり、図において第３図と同一符号は上記
従来素子と全く同一のものである。
最下層ｐｉｎ素子２と表面層ｐｉｎ素子３との間に、最
下層ｐｉｎ素子素子２金 を形成し、各層重層ｐｉｎ素子構造の場合を示している
。
下層ｐｉｎ素子素子２金 を形成し、各層重層ｐｉｎ素子構造の場合を示している
。
次に動作について説明する０本実施例の基本的な動作は
従来の積層型の光起電力素子と同様であるが、窓を表面
層ｐｉｎ素子３に設けたことにより、素子に入射する光
の一部は直接最下層ｐｉｎ素子２に到達するため最下層
ｐｉｎ素子２に十分な光量を与えることができる．従っ
て、表面層ｐｉれ素子３，最下層ｐｉｎ素子２共、十分
に高い光電変換効率を得ることができ、１つの光起電力
素子としてより高い光電変換効率が得られる。
従来の積層型の光起電力素子と同様であるが、窓を表面
層ｐｉｎ素子３に設けたことにより、素子に入射する光
の一部は直接最下層ｐｉｎ素子２に到達するため最下層
ｐｉｎ素子２に十分な光量を与えることができる．従っ
て、表面層ｐｉれ素子３，最下層ｐｉｎ素子２共、十分
に高い光電変換効率を得ることができ、１つの光起電力
素子としてより高い光電変換効率が得られる。
ここで、最下層ｐｉｎ素子２の全面に設けられた透明導
電膜７は最下層ｐｉｎ素子２で発生した電力、特に窓部
分において発生した電力を収集して有効に用いるための
ものである。
電膜７は最下層ｐｉｎ素子２で発生した電力、特に窓部
分において発生した電力を収集して有効に用いるための
ものである。
なお、上記実施例では、中間の透明導電膜７を、最下層
ｐｉｎ素子２の全面に設けているものを示したが、これ
は第２図に示す本発明の他の実施例のように透明導電膜
７を窓部分の最下層ｐｉｎ素子２表面のみに設けたもの
でもよ（上記実施例と間板の効果を奏する。
ｐｉｎ素子２の全面に設けているものを示したが、これ
は第２図に示す本発明の他の実施例のように透明導電膜
７を窓部分の最下層ｐｉｎ素子２表面のみに設けたもの
でもよ（上記実施例と間板の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、導電性基板上に形成
した、アモルファスシリコン系合金を主成分とした最下
層ｐｉｎ素子と、該最下層ｐｉｎ素子上に形成され、上
記最下１１ｐｉｎ素子への光入射用の窓を有するアモル
ファスシリコン系合金を主成分とした表面層ｐｉｎ素子
と、上記最下層ｐｉｎ素子と表面層ｐｌｎ素子との間に
あるいは上記窓部の最下層ｐｉｎ素子上に形成された電
力収集用透明導電膜とを備え、素子に入射した光の一部
が直接最下層ｐｉｎ素子へ到達するように構成したから
、積層型光起電力素子の光電変換効率膜を設けた事によ
り、最下層ｐｉｎ素子で発生した光電流の収集効率が向
上するという効果がある。
した、アモルファスシリコン系合金を主成分とした最下
層ｐｉｎ素子と、該最下層ｐｉｎ素子上に形成され、上
記最下１１ｐｉｎ素子への光入射用の窓を有するアモル
ファスシリコン系合金を主成分とした表面層ｐｉｎ素子
と、上記最下層ｐｉｎ素子と表面層ｐｌｎ素子との間に
あるいは上記窓部の最下層ｐｉｎ素子上に形成された電
力収集用透明導電膜とを備え、素子に入射した光の一部
が直接最下層ｐｉｎ素子へ到達するように構成したから
、積層型光起電力素子の光電変換効率膜を設けた事によ
り、最下層ｐｉｎ素子で発生した光電流の収集効率が向
上するという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図、第２図はこ
の発明の他の実施例を示す断面図、第３図は従来の積層
型の光起電力素子を示す断面図である。 図において、１は導電基板、２は最下ＦＪｐｉｎ素子、
３は表面層ｐｉｎ素子、４はｎ型アモルファスシリコン
系合金、５はｐ型アモルファスシリコン系合金、６はｌ
型アモルファスシリコン系合金、７は透明導電膜、８は
収集電極。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
の発明の他の実施例を示す断面図、第３図は従来の積層
型の光起電力素子を示す断面図である。 図において、１は導電基板、２は最下ＦＪｐｉｎ素子、
３は表面層ｐｉｎ素子、４はｎ型アモルファスシリコン
系合金、５はｐ型アモルファスシリコン系合金、６はｌ
型アモルファスシリコン系合金、７は透明導電膜、８は
収集電極。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）導電性基板上に形成した、アモルファスシリコン
系合金を主成分とした最下層ｐｉｎ素子と、該最下層ｐ
ｉｎ素子上に形成され、上記最下層ｐｉｎ素子への光入
射用の窓を有するアモルファスシリコン系合金を主成分
とした表面層ｐｉｎ素子と、 上記最下層ｐｉｎ素子と表面層ｐｉｎ素子との間にある
いは上記窓部の最下層ｐｉｎ素子上に形成された電力収
集用透明導電膜とを備えたことを特徴とする積層型光起
電力素子。（２）上記最下層ｐｉｎ素子、表面層ｐｉｎ
素子のいずれか一方を２層積層ｐｉｎ素子とした事を特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の積層型光起電力素
子。 （３）最下層ｐｉｎ素子の一部にゲルマニウムを含んだ
アモルファスシリコン系合金を用いたことを特徴とする
特許請求の範囲第１項および第２項記載の積層型光起電
力素子。 （４）表面層ｐｉｎ層の一部にカーボンを含んだアモル
ファスシリコン系合金を用いたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項および第２項記載の積層型光起電力素子
。 （５）導電性の基板として、ステンレスもしくはアルミ
ニウムを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
および第２項記載の積層型光起電力素子。 （６）透明導電膜として、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ
）もしくは、酸化スズ（ＳｎＯ＿２）を用いたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項および第２項記載の積層
型光起電力素子。 （７）上記表面層ｐｉｎ素子が有する窓は、１個であり
、かつ、その大きさは素子総面積の５０％を越えないも
のであることを特徴とする特許請求の範囲第１項および
第２項記載の積層型光起電力素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62055845A JPS63222472A (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | 積層型光起電力素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62055845A JPS63222472A (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | 積層型光起電力素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63222472A true JPS63222472A (ja) | 1988-09-16 |
Family
ID=13010357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62055845A Pending JPS63222472A (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | 積層型光起電力素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63222472A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013051266A (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 太陽電池および太陽電池モジュール |
| JP2017534184A (ja) * | 2014-10-28 | 2017-11-16 | ソル ヴォルタイクス アーベー | ２層光発電デバイス |
-
1987
- 1987-03-11 JP JP62055845A patent/JPS63222472A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013051266A (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 太陽電池および太陽電池モジュール |
| JP2017534184A (ja) * | 2014-10-28 | 2017-11-16 | ソル ヴォルタイクス アーベー | ２層光発電デバイス |
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