JPS6124271A - イメ−ジセンサ - Google Patents
イメ−ジセンサInfo
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- JPS6124271A JPS6124271A JP14542684A JP14542684A JPS6124271A JP S6124271 A JPS6124271 A JP S6124271A JP 14542684 A JP14542684 A JP 14542684A JP 14542684 A JP14542684 A JP 14542684A JP S6124271 A JPS6124271 A JP S6124271A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は非晶質シリコンを用いた高解像度やカラーのイ
メージセンサに関する。
メージセンサに関する。
（従来の技術）
最近、ファクシミリ等の原稿読み装置と小型化するた゛
めに密着型イメージセンサの開発が活発に進められてい
る。これは原稿と１対１に対応する幅を有する大型のイ
メージセンサを内蔵する光電変換デバイスである。
めに密着型イメージセンサの開発が活発に進められてい
る。これは原稿と１対１に対応する幅を有する大型のイ
メージセンサを内蔵する光電変換デバイスである。
従来のＣＯＤやＭＯＳ型のＩＣイメージセンサを有する
光電変換系では原稿をイメージセンサ上に投影する縮小
レンズ系が必要である。この縮小レンズ系の光路長確保
のために、装置内に大きな空間を設ける必要があり、装
置の小型化が難かしいとされてきた。ところが、上述の
密着型イメージセンサでは、この縮小レンズ系が不要な
ため、イメージセンサと原稿がほぼ密着し、そのため装
置の大幅な小型化が達成される。
光電変換系では原稿をイメージセンサ上に投影する縮小
レンズ系が必要である。この縮小レンズ系の光路長確保
のために、装置内に大きな空間を設ける必要があり、装
置の小型化が難かしいとされてきた。ところが、上述の
密着型イメージセンサでは、この縮小レンズ系が不要な
ため、イメージセンサと原稿がほぼ密着し、そのため装
置の大幅な小型化が達成される。
この密着型イメージセンサには、すでに、光電変換材料
として砒素−セレン−テルル系非晶質半導体、硫化カド
ミウム、水素化非晶質／リコン（以下ａ−８ｉと記す）
を用いたものが報告されている。これらの材料はすべて
大型のイメージセンサを形成する上で必要な大面積に一
様な薄膜を形成でき、可視光に対する感度が高い薄膜材
料である。
として砒素−セレン−テルル系非晶質半導体、硫化カド
ミウム、水素化非晶質／リコン（以下ａ−８ｉと記す）
を用いたものが報告されている。これらの材料はすべて
大型のイメージセンサを形成する上で必要な大面積に一
様な薄膜を形成でき、可視光に対する感度が高い薄膜材
料である。
このうちａ−８ｉはその構成物が８ｉ と水素である、
ことから無公害材料であシ、材料の安定性が良く、可視
光全域に亘って高い光感度を有し、光応答速度が速く、
高抵抗率であるため高速、高解像度のカラーイメージセ
ンサに適した材料である。このａ−８ｉを密着型イメー
ジセンサに応用する場合、ａ−８ｉ光センサを８３−Ｍ
ＯＳＦＥＴ スイッｆで駆動する方式が一般的に使われ
る。
ことから無公害材料であシ、材料の安定性が良く、可視
光全域に亘って高い光感度を有し、光応答速度が速く、
高抵抗率であるため高速、高解像度のカラーイメージセ
ンサに適した材料である。このａ−８ｉを密着型イメー
ジセンサに応用する場合、ａ−８ｉ光センサを８３−Ｍ
ＯＳＦＥＴ スイッｆで駆動する方式が一般的に使われ
る。
第１図は従来のａ−８ｉイメージセンサの等節回路であ
る。
る。
第１図において、１１はａ−８ｉ光センサ、１２は８ｉ
−ＩＣチップ、１３は８１−Ｍ０８ＦＥＴスイッチアレ
イ％ １４は走査回路１４である。こノ８１−Ｍ０ＦＥ
Ｔスイッチ１３と個別電極１５はボンディング等の手段
によって接続される。ａ−８ｉセンサは光応答速度が高
いフォトダイオード型であり、高速のイメージセンサが
実現可能となる。ａ−８ｉ７オトダイオードで光信号に
よって発生した光電流はダイオード内の電荷を消去し、
一定の走査時間（蓄積時間）後ＭＯ８ＦＥＴがスイッチ
されることによって外部端子から流れ込む充電電流を検
出することによシ光信号を検出する。
−ＩＣチップ、１３は８１−Ｍ０８ＦＥＴスイッチアレ
イ％ １４は走査回路１４である。こノ８１−Ｍ０ＦＥ
Ｔスイッチ１３と個別電極１５はボンディング等の手段
によって接続される。ａ−８ｉセンサは光応答速度が高
いフォトダイオード型であり、高速のイメージセンサが
実現可能となる。ａ−８ｉ７オトダイオードで光信号に
よって発生した光電流はダイオード内の電荷を消去し、
一定の走査時間（蓄積時間）後ＭＯ８ＦＥＴがスイッチ
されることによって外部端子から流れ込む充電電流を検
出することによシ光信号を検出する。
この信号検出方法においては、信号量は走査時間と受光
面積に比例し、かつイメージセンサの雑音はＭＯＳＦＥ
Ｔのスイッチングノイズでほぼ決定され、フォトダイオ
ードの暗電流にはほとんど無関係である。従って、イメ
ージセンサを高速で高解像度に動作させるｔｌど８／Ｎ
は低下してしまう。
面積に比例し、かつイメージセンサの雑音はＭＯＳＦＥ
Ｔのスイッチングノイズでほぼ決定され、フォトダイオ
ードの暗電流にはほとんど無関係である。従って、イメ
ージセンサを高速で高解像度に動作させるｔｌど８／Ｎ
は低下してしまう。
また、この長尺のイメージセンサをカラー化するにはフ
ォトセンサアレイにおいて赤（５）、緑０．青同等のそ
れぞれの光に感するフォトセンサを順次並べることによ
シ達成される。一般的には、第２図（ａｌ 、 （ｂｌ
に示す様に、個別電極２２上にａ−８ｉ２３を堆積し、
その表面に透明導電膜２４を設けてフォトダイオードと
し、７オトセンサの光入射面にカラーフィルタ２６を付
着することによりカラー化が計られる。ここで、２５は
遮光膜で分解能を良くするために設けられているが、不
可欠のものではない。これは後述するセンサにおいても
同じことが言える。
ォトセンサアレイにおいて赤（５）、緑０．青同等のそ
れぞれの光に感するフォトセンサを順次並べることによ
シ達成される。一般的には、第２図（ａｌ 、 （ｂｌ
に示す様に、個別電極２２上にａ−８ｉ２３を堆積し、
その表面に透明導電膜２４を設けてフォトダイオードと
し、７オトセンサの光入射面にカラーフィルタ２６を付
着することによりカラー化が計られる。ここで、２５は
遮光膜で分解能を良くするために設けられているが、不
可欠のものではない。これは後述するセンサにおいても
同じことが言える。
しかし、上述の場合、高解像度のカラーイメージセンサ
を実現するためには、単色のイメージセンサに比べて識
別できる色の分だけ光センサが必要であ）、フルカラー
のイメージセンサにおいては赤、緑、青の光に感するフ
ォトダイオードアレイの場合には３倍の７オトセンサが
必要となシ、−素子あたシの受光面積が減少する。その
結果、信号量が減少し、Ｓ／Ｎの低下をもたらすほか高
速動作も雛かしくなる。
を実現するためには、単色のイメージセンサに比べて識
別できる色の分だけ光センサが必要であ）、フルカラー
のイメージセンサにおいては赤、緑、青の光に感するフ
ォトダイオードアレイの場合には３倍の７オトセンサが
必要となシ、−素子あたシの受光面積が減少する。その
結果、信号量が減少し、Ｓ／Ｎの低下をもたらすほか高
速動作も雛かしくなる。
また、前述した様に、フォトセンサとＭＯ８ＦＥＴスイ
）チはボンディング等の手段によ多接続されているが、
力２−化によシ２−３倍以上の７オトセンサが必要なこ
とはそれだけボンディング等の接続個所が増え、ＩＣチ
ップも増加する。これは密着型イメージセンサの信頼性
の低下、コスト高につながる。上述のことはカラーイメ
ージセンサだけではなく、高解像度のイメージセンサに
ついても言える。
）チはボンディング等の手段によ多接続されているが、
力２−化によシ２−３倍以上の７オトセンサが必要なこ
とはそれだけボンディング等の接続個所が増え、ＩＣチ
ップも増加する。これは密着型イメージセンサの信頼性
の低下、コスト高につながる。上述のことはカラーイメ
ージセンサだけではなく、高解像度のイメージセンサに
ついても言える。
（発明の目的）
本発明の目的は、上記欠点を除去し、高８７Ｎで信頼性
が高いイメージセンサを提供することにある。
が高いイメージセンサを提供することにある。
（発明の構成）
本発明の第１の発明のイメージセンサは、絶縁性基板上
に主走査方向に複数個に分割された島状の第１の電極を
設け、該第１の電極の上に非晶質シリコンを基体とした
光電変換層を設け、該光電変換層の上に前記主走査方向
と直交する方向に透明電極を含む第２の電極を複数個設
けて構成されるイメージセンサにおいて、前記光電変換
層を受光面側からｎ”−ｎ−ｐ＋−ｎ−ｎ＋ 非晶質シ
リコンを基体とした半導体層または受光面側からｐ＋−
ｎ−−ｎ −ｎ−ｐ 非晶質シリコンを基体とした半導
体層で構成したことを特徴として構成される。
に主走査方向に複数個に分割された島状の第１の電極を
設け、該第１の電極の上に非晶質シリコンを基体とした
光電変換層を設け、該光電変換層の上に前記主走査方向
と直交する方向に透明電極を含む第２の電極を複数個設
けて構成されるイメージセンサにおいて、前記光電変換
層を受光面側からｎ”−ｎ−ｐ＋−ｎ−ｎ＋ 非晶質シ
リコンを基体とした半導体層または受光面側からｐ＋−
ｎ−−ｎ −ｎ−ｐ 非晶質シリコンを基体とした半導
体層で構成したことを特徴として構成される。
本発明の第２の発明のイメージセンサは、絶縁性基板上
に主走査方向に複数個に分割された島状の第１の電極を
設け、該第１の電極の上に非晶質シリコンを基体とした
光電変換層を設け、該光電変換層の上に前記主走査方向
と直交する方向に透明電極を含む第２の電極を複数個設
けて構成されるイメージセンサにおいて、前記光電変換
層を受光面側からｎ＋−ｎ−、＋、ｎ−ｎ＋非晶質シリ
コンを基体とした半導体層または受光面側からｐ＋−ｎ
−−ｎ−ｎ−ｐ 非晶質シリコンを基体とした半導体
層で構成し、該半導体層の表面にカラーフィルタを設け
たことを特徴として構成される。
に主走査方向に複数個に分割された島状の第１の電極を
設け、該第１の電極の上に非晶質シリコンを基体とした
光電変換層を設け、該光電変換層の上に前記主走査方向
と直交する方向に透明電極を含む第２の電極を複数個設
けて構成されるイメージセンサにおいて、前記光電変換
層を受光面側からｎ＋−ｎ−、＋、ｎ−ｎ＋非晶質シリ
コンを基体とした半導体層または受光面側からｐ＋−ｎ
−−ｎ−ｎ−ｐ 非晶質シリコンを基体とした半導体
層で構成し、該半導体層の表面にカラーフィルタを設け
たことを特徴として構成される。
（実施例）
次に、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第３図（ａ） 、 ｆｂ）は本発明の第１の実施例の平
面図及び断面図である。
面図及び断面図である。
ガラス基板等の絶縁性基板２１上に個別電極２２として
クロミウム′１ｋ７００Ａの厚さに蒸着し、必要な線密
度、例えば８素子／朋のイメージセンサの場合には約１
００μｍの幅にエツチングする。続いてドーピングガス
としてホスフィン？４０００ｐｐｍドープした７ランガ
スのグロー放電分解によりｎ＋非晶質／リコン層３１を
形成し続いて７ランガスのグロー放電分解によｐｎ−非
晶質シリコン層３２、ドーピングガスとしてディボラン
ｅ２０００ｐｐｍドープしたｐ 非晶質シリコン層３３
、シランのブロー放電分解によＪｎ−非晶質シリコン層
３４、ホスフィンを５０００ｐｐｍ ドープしたシラ
ンのグロー放電分解によシｎ＋非晶質シリコン層３５を
連続的に形成しｎ＋−ｎ−ｐ＋−ｎ−ｎ＋ 非晶質シリ
コン層を形成する。さらにドライエツチングプロセスに
よシ、非晶質シリコン層を島状にエツチングする。この
島の面積は、例えば８素子／朋のイメージセンサでは１
００μｍＸ１４０μｍにする。その後、保護層３６とし
て８ｉ０．を１の厚さに形成しコンタクトホールをエツ
チング加工によ多形成し透明電極２４として酸化インヂ
ウム錫を７０ＯＡの厚さに、遮光層２５としてクロミウ
ムｔ１５００Ａの厚さに蒸着しエツチングにより島状に
加工し３列の第２の電極とする。最後にポリマーをノビ
／コートした後、赤、緑、青の染料を次々にポリマー中
に熱拡散させ、３列の島状のカラーフィルタ２６を形成
する。
クロミウム′１ｋ７００Ａの厚さに蒸着し、必要な線密
度、例えば８素子／朋のイメージセンサの場合には約１
００μｍの幅にエツチングする。続いてドーピングガス
としてホスフィン？４０００ｐｐｍドープした７ランガ
スのグロー放電分解によりｎ＋非晶質／リコン層３１を
形成し続いて７ランガスのグロー放電分解によｐｎ−非
晶質シリコン層３２、ドーピングガスとしてディボラン
ｅ２０００ｐｐｍドープしたｐ 非晶質シリコン層３３
、シランのブロー放電分解によＪｎ−非晶質シリコン層
３４、ホスフィンを５０００ｐｐｍ ドープしたシラ
ンのグロー放電分解によシｎ＋非晶質シリコン層３５を
連続的に形成しｎ＋−ｎ−ｐ＋−ｎ−ｎ＋ 非晶質シリ
コン層を形成する。さらにドライエツチングプロセスに
よシ、非晶質シリコン層を島状にエツチングする。この
島の面積は、例えば８素子／朋のイメージセンサでは１
００μｍＸ１４０μｍにする。その後、保護層３６とし
て８ｉ０．を１の厚さに形成しコンタクトホールをエツ
チング加工によ多形成し透明電極２４として酸化インヂ
ウム錫を７０ＯＡの厚さに、遮光層２５としてクロミウ
ムｔ１５００Ａの厚さに蒸着しエツチングにより島状に
加工し３列の第２の電極とする。最後にポリマーをノビ
／コートした後、赤、緑、青の染料を次々にポリマー中
に熱拡散させ、３列の島状のカラーフィルタ２６を形成
する。
この実施例においては、シランのグロー放電によフ非晶
質シリコンを形成しているが、他のガス、例えばジシツ
ンのグロー放電や反応性スパッタ法によシ非晶質シリコ
ンを形成しても良い。また、シランとメタンガス、７ラ
ンとエタンガス等のグロー放電分解によって形成した非
晶質シリコン炭素を用いたとしても本発明の有効性に伺
ら支障はない。特に、シんをドープしたｎ＋非晶質シリ
コン炭素は受光面側のｎ 非晶質炭素の代りに用いるこ
とによル光感度が増加し、有効である。
質シリコンを形成しているが、他のガス、例えばジシツ
ンのグロー放電や反応性スパッタ法によシ非晶質シリコ
ンを形成しても良い。また、シランとメタンガス、７ラ
ンとエタンガス等のグロー放電分解によって形成した非
晶質シリコン炭素を用いたとしても本発明の有効性に伺
ら支障はない。特に、シんをドープしたｎ＋非晶質シリ
コン炭素は受光面側のｎ 非晶質炭素の代りに用いるこ
とによル光感度が増加し、有効である。
その稜１個別Ｍ、柩２２及び共通電極はスイッチング素
子に接続され、走査パルスによシ駆動される。その後、
それぞれの色に感する光電変換素子プレイの情報は時間
的に調整して合成されるため光感度が高いカラーイメー
ジセンサが得られる。
子に接続され、走査パルスによシ駆動される。その後、
それぞれの色に感する光電変換素子プレイの情報は時間
的に調整して合成されるため光感度が高いカラーイメー
ジセンサが得られる。
第４図（ａｌ 、 （ｂｌは本発明の第２の実施例の平
面図及び断面図である。
面図及び断面図である。
非晶質シリコン層がｐ型非晶質シリコン層４１、ｎ−非
晶質シリコン層４２．ｎ 非晶質シリコン層り３．ｎ−
非晶質シリコン層４４、ｐ＋非晶質クりコ／層となシ受
光面からｐ＋−ｎ−ｎ＋−ｎ７−ｐ＋非晶質シリコン層
の積層構造となっている。また、力、Ｆ −７イルタが
Ｗ！ｅ−Ｙ＠−Ｃｙ （ｙ−ｙン）（７）補色系フィル
タを用い、光感度を高めでいる。
晶質シリコン層４２．ｎ 非晶質シリコン層り３．ｎ−
非晶質シリコン層４４、ｐ＋非晶質クりコ／層となシ受
光面からｐ＋−ｎ−ｎ＋−ｎ７−ｐ＋非晶質シリコン層
の積層構造となっている。また、力、Ｆ −７イルタが
Ｗ！ｅ−Ｙ＠−Ｃｙ （ｙ−ｙン）（７）補色系フィル
タを用い、光感度を高めでいる。
第５図（ａ） 、 （ｂｌは本発明の第３の実施例の平
面図及び断面図である。
面図及び断面図である。
この実施例では副走査方向の第２の光電変換素子アレイ
５２は第１の光電変換素子アレイ５１と主走査方向に％
ピッチずらして設置されておシ、２つの光電変換素子ア
レイの情報を合成することにより高解像度のイメージセ
ンサが得られる。このときの個別電極の配線数は、前述
のカラーイメージセ／すと同様に、光電変換素子の％で
良く、信頼性の高いイメージセンサの供給が可能になる
。
５２は第１の光電変換素子アレイ５１と主走査方向に％
ピッチずらして設置されておシ、２つの光電変換素子ア
レイの情報を合成することにより高解像度のイメージセ
ンサが得られる。このときの個別電極の配線数は、前述
のカラーイメージセ／すと同様に、光電変換素子の％で
良く、信頼性の高いイメージセンサの供給が可能になる
。
本実施例においては光電変換素子アレイを３列以上に配
置することによシさらに解像度の高いイメージセンサが
得られる。
置することによシさらに解像度の高いイメージセンサが
得られる。
第６図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の第４の実施例の平
面図及び断面図である。
面図及び断面図である。
この実施例においてはｎ＋−ｎ−ｐ＋−ｎ−ｎ＋ 非晶
質シリコンまたはｐ＋−ｎ”’−ｎ”−ｎ−ｐ＋ 非晶
質シリコン光電変換素子アレイを２次元状に配列し力２
−イメージセンサを構成する。この場合カラーフィルタ
を用いない２次元イメージセンサも可能である。
質シリコンまたはｐ＋−ｎ”’−ｎ”−ｎ−ｐ＋ 非晶
質シリコン光電変換素子アレイを２次元状に配列し力２
−イメージセンサを構成する。この場合カラーフィルタ
を用いない２次元イメージセンサも可能である。
第７図は本発明のカラーフィルタが表面一ついたイメー
ジセンサの等価回路である。
ジセンサの等価回路である。
第７図において、７１はｎ”−ｎ−ｐ＋−ｎ−ｎ”非晶
質シリコン光電変換素子を赤し、ｎ −ｎ −ｐ＋フォ
トダイオードとブロッキングダイオードの組合せとして
等価回路で示され、光電流の生成とクロストーク防止の
役目をそれぞれ示している。
質シリコン光電変換素子を赤し、ｎ −ｎ −ｐ＋フォ
トダイオードとブロッキングダイオードの組合せとして
等価回路で示され、光電流の生成とクロストーク防止の
役目をそれぞれ示している。
光電変換素子７１は走査回路１４で走査されたＭＯＳ、
Ｆ’ＥＴスイッチによって順次駆動され、外部出力され
る。第７図と従来例の第１図と比較すると、同じ光電変
換素子数の場合と比較して走査スイッチ数が％に低減し
ており、これは光電変換素子とＭＯ８ＦＥＴスイッチの
接続がボンディング等の手段によることを考えると信頼
性向上につながる。また、几、Ｇ、Ｈに対応する光電変
換素子アレイが副走査方向にずれているため、それぞれ
の信号を時間的に調整して合成しなければならないが、
第２図と比較して第３図の方が３倍以上の開口部を有す
ることができ、光信号が３倍以上確保できる。これは他
の実施例についても同じことが言える。
Ｆ’ＥＴスイッチによって順次駆動され、外部出力され
る。第７図と従来例の第１図と比較すると、同じ光電変
換素子数の場合と比較して走査スイッチ数が％に低減し
ており、これは光電変換素子とＭＯ８ＦＥＴスイッチの
接続がボンディング等の手段によることを考えると信頼
性向上につながる。また、几、Ｇ、Ｈに対応する光電変
換素子アレイが副走査方向にずれているため、それぞれ
の信号を時間的に調整して合成しなければならないが、
第２図と比較して第３図の方が３倍以上の開口部を有す
ることができ、光信号が３倍以上確保できる。これは他
の実施例についても同じことが言える。
以上の効果を明確にするため８素子／Ｈカラーイメージ
センサの特性を従来構造と比較して示す。
センサの特性を従来構造と比較して示す。
解像度 Ｓ／Ｎ 歩留夛
従来構造 ８本７ｍ １９ｄＢ ３２％本発明によ
る構造 ８本／ｍ ２５ｄＢ ７０％（発明の効果
） 以上詳細に説明したように、本発明によれば、高８７Ｎ
で信頼性が高いイメージセンサが得られる。
る構造 ８本／ｍ ２５ｄＢ ７０％（発明の効果
） 以上詳細に説明したように、本発明によれば、高８７Ｎ
で信頼性が高いイメージセンサが得られる。
第１図は従来の非晶質シリコン・イメージセンサの等価
回路図、第２図（ａ） 、 （ｂＪは従来のカラーイメ
ージセンサの一例の平面図及び断面図、第３図（ａ）
、 （ｂ）は本発明の第１の実施例の平面図及び断面図
、第４図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の第２の実施例の
平面図及び断面図、第５図（ａ） ＊ （ｂ）は本発明
の第３の実施例の平面図及び断面図、第６図（ａ） 、
（ｂ）は本発明の第４の実施例の平面図及び断面図、
第７図紘本発明のカラーフィルタが表面についたイメー
ジセンサの等価回路図である。 １１・・・・・・非晶質シリコンフォトダイオード、１
２−＝−８ｉ −ＩＣチップ、１３・・・・・・８１−
Ｍ０８ＦＥＴスイッチアレイ、１４・・・用走査回路、
１５・・・・・・個別電極、２１・・・・・・絶縁性基
板、２２・・・・・・ｉ別電極、２３・・・・・・非晶
質シリコン層（ａ−８ｉ）、２４・・・・・・透明電極
、２５・・・・・・遮光膜、２６・・団・カラーフィル
タ、３１ ・・・ｎ 非晶質シリョン層、３２・・・・
・・ｎ−非晶質シリコン層、３３・・・・・・ｐ＋非晶
質シリコン層、３４・・・・・・ｎ−非晶質シリコン層
、３５・旧・・ｎ＋非晶質シリコン層、３６・・・・・
・絶縁膜、４１・・・・・・ｐ＋非晶質シリコン層、４
２・・・・・・ｎ−非晶質シリコン層、４３・・・・・
・ｎ＋非晶質シリコン層、４４・・・・・・ｐ＋非晶質
シリコン層、４５・・・・・・ｐ＋非晶質シリコン層、
６１・・・・・・個別電極、７１・・・・・・光電変換
素子、７２・・・・・・光。 代理人 弁理士 内 原 晋 （必） ｈｖ （Ｉ）） 第３図 （ｂ） 第４図
回路図、第２図（ａ） 、 （ｂＪは従来のカラーイメ
ージセンサの一例の平面図及び断面図、第３図（ａ）
、 （ｂ）は本発明の第１の実施例の平面図及び断面図
、第４図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の第２の実施例の
平面図及び断面図、第５図（ａ） ＊ （ｂ）は本発明
の第３の実施例の平面図及び断面図、第６図（ａ） 、
（ｂ）は本発明の第４の実施例の平面図及び断面図、
第７図紘本発明のカラーフィルタが表面についたイメー
ジセンサの等価回路図である。 １１・・・・・・非晶質シリコンフォトダイオード、１
２−＝−８ｉ −ＩＣチップ、１３・・・・・・８１−
Ｍ０８ＦＥＴスイッチアレイ、１４・・・用走査回路、
１５・・・・・・個別電極、２１・・・・・・絶縁性基
板、２２・・・・・・ｉ別電極、２３・・・・・・非晶
質シリコン層（ａ−８ｉ）、２４・・・・・・透明電極
、２５・・・・・・遮光膜、２６・・団・カラーフィル
タ、３１ ・・・ｎ 非晶質シリョン層、３２・・・・
・・ｎ−非晶質シリコン層、３３・・・・・・ｐ＋非晶
質シリコン層、３４・・・・・・ｎ−非晶質シリコン層
、３５・旧・・ｎ＋非晶質シリコン層、３６・・・・・
・絶縁膜、４１・・・・・・ｐ＋非晶質シリコン層、４
２・・・・・・ｎ−非晶質シリコン層、４３・・・・・
・ｎ＋非晶質シリコン層、４４・・・・・・ｐ＋非晶質
シリコン層、４５・・・・・・ｐ＋非晶質シリコン層、
６１・・・・・・個別電極、７１・・・・・・光電変換
素子、７２・・・・・・光。 代理人 弁理士 内 原 晋 （必） ｈｖ （Ｉ）） 第３図 （ｂ） 第４図
Claims (2)
- （１）絶縁性基板上に主走査方向に複数個に分割された
島状の第１の電極を設け、該第１の電極の上に非晶質シ
リコンを基体とした光電変換層を設け、該光電変換層の
上に前記主走査方向と直交する方向に透明電極を含む第
２の電極を複数個設けて構成されるイメージセンサにお
いて、前記光電変換層を受光面側からｎ＾＋−ｎ＾−−
ｐ＾＋−ｎ＾−−ｎ＾＋非晶質シリコンを基体とした半
導体層または受光面側からｐ＾＋−ｎ＾−−ｎ＾＋−ｎ
＾−＿−＿ｐ＿＾＿＋非晶質シリコンを基体とした半導
体層で構成したことを特徴とするイメージセンサ。 - （２）絶縁性基板上に主走査方向に複数個に分割された
島状の第１の電極を設け、該第１の電極の上に非晶質シ
リコンを基体とした光電変換層を設け、該光電変換層の
上に前記主走査方向と直交する方向に透明電極を含む第
２の電極を複数個設けて構成されるイメージセンサにお
いて、前記光電変換層を受光面側からｎ＾＋−ｎ＾−−
ｐ＾＋−ｎ＾−−ｎ＾＋非晶質シリコンを基体とした半
導体層または受光面側からｐ＾＋−ｎ＾−−ｎ＾＋−ｎ
＾−−ｐ＾＋非晶質シリコンを基体とした半導体層で構
成し、該半導体層の表面にカラーフィルタを設けたこと
を特徴とするイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14542684A JPS6124271A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14542684A JPS6124271A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6124271A true JPS6124271A (ja) | 1986-02-01 |
Family
ID=15384971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14542684A Pending JPS6124271A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6124271A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005043918A1 (de) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Detektoranordnung und Verfahren zur Bestimmung spektraler Anteile in einer auf eine Detektoranordnung einfallenden Strahlung |
-
1984
- 1984-07-13 JP JP14542684A patent/JPS6124271A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005043918A1 (de) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Detektoranordnung und Verfahren zur Bestimmung spektraler Anteile in einer auf eine Detektoranordnung einfallenden Strahlung |
| DE102005043918B4 (de) * | 2005-05-30 | 2014-12-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Detektoranordnung und Verfahren zur Bestimmung spektraler Anteile in einer auf eine Detektoranordnung einfallenden Strahlung |
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