JPH0329039B2 - - Google Patents

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請求の範囲 １ (a) 62〜90モル％のIn₂Te₃と38〜10モル％
のCdTeからなる混合物を調整し； (b) 前記混合物を単結晶を成長させるための下方
に円錐形の先端を有する汚れのない排気したア
ンプルに密封し； (c) 前記密封したアンプルを前記混合物の融点以
上に加熱することによつて前記混合物を溶融
し；および (d) 前記溶融混合物を前記アンプル内で
CdIn₂Te₄の単結晶の成長が開始し、かつ完結
するまで前記混合物の融点以下に冷却すること
からなるCdIn₂Te₄の大型で高品質の単結晶を
製造する方法。 ２ 前記混合物におけるIn₂Te₃のモル％が62な
いし72モル％である請求の範囲第１項記載の方
法。 ３ 前記混合物内におけるIn₂Te₃のモル％が64
モル％である請求の範囲第２項記載の方法。 ４ 前記混合物の前記融点が、785〜702℃である
請求の範囲第１項記載の方法。 ５ 前記アンプルが、前記混合物を溶融するため
に785〜900℃の温度に加熱される請求の範囲第１
項記載の方法。 ６ 前記アンプルが、垂直耐熱炉内で加熱される
請求の範囲第１項記添の方法。 ７ 前記耐熱炉が、直径76mmの管状である請求の
範囲第６項記載の方法。 ８ 前記溶融混合物が、前記耐熱炉内で1.1〜3.5
℃／mmの範囲の温度勾配上の融点に沿つて冷却さ
れる請求の範囲第７項記載の方法。 ９ 前記溶融混合物を収納するアンプルを、前記
垂直耐熱炉の温度勾配に沿つて0.05〜0.6mm／時
の速度で下降させる請求の範囲第８項記載の方
法。 １０ 前記結晶を成長させるアンプルの下向きの
円錐の頂点が切り取られ、種結晶は該アンプルの
切り取られた箇所に載置される請求の範囲第１項
記載の方法。 １１ 前記下向きの円錐の先端を形成する前の前
記アンプルの直径が19〜55mmである請求の範囲第
１項記載の方法。 １２ 請求の範囲第１項記載の方法によつて形成
されるCdIn₂Te₃の大型で高品質の単結晶。 １３ CdIn₂Te₄の大型で高品質の単結晶を形成
する方法において、(a)高純度のCd、InおよびTe
から、これらの相対的な割合が混合物全体に対し
てそれぞれIn₂Te₃が62〜90モル％、CdTeが38〜
10モル％となるように調製した混合物を準備し、
(b)前記混合物を汚れのない排気した下向きに円錐
形の先端を有するアンプル内に密封し、(c)前記密
封したアンプルを前記混合物の融点以上に加熱し
て前記混合物を溶融し、そして(d)前記溶融混合物
を前記密封したアンプル内で、CdIn₂Te₄単結晶
の成長を開始させ、完結するまで維持するため、
前記混合物の融点以下にまで徐冷する方法。 １４ 前記高純度の混合物におけるCd、Inおよ
びTeの割合が、In₂Te₃およびCdTeからなる混合
物において、それぞれIn₂Te₃が62〜75モル％、
CdTeが38〜25モル％となるような量に対応する
請求の範囲第１３項記載の方法。 １５ 前記高純度の混合物におけるCd、Inおよ
びTeの割合が、In₂Te₃およびCdTeからなる混合
物において、In₂Te₃が64モル％となるような量
に対応する請求の範囲第１４項記載の方法。 １６ 前記融点が702〜785℃である請求の範囲第
１３項記載の方法。 １７ 前記アンプルを、前記混合物を溶融するた
めに785〜900℃に加熱する請求の範囲第１３項記
載の方法。 １８ 前記アンプルが垂直耐熱炉内で加熱される
請求の範囲第１３項記載の方法。 １９ 前記垂直耐熱炉が直径約76mmの管状である
請求の範囲第１８項記載の方法。 ２０ 前記溶融混合物が、前記耐熱炉内で1.1〜
3.5℃／mmの範囲の温度勾配上の融点に沿つて冷
却される請求の範囲第１９項記載の方法。 ２１ 前記溶融混合物を含有するアンプルを、前
記垂直耐熱炉の温度勾配に沿つて0.05〜0.6mm／
時の速度で下降させる請求の範囲第２０項記載の
方法。 ２２ 前記結晶を成長させるアンプルの下向きの
円錐形の頂点が切り取られ、種結晶は該アンプル
の切り取られた箇所に載置される請求の範囲第１
３項記載の方法。 ２３ 前記下向きの円錐の先端を形成する前の前
記アンプルの直径が19〜55mmである請求の範囲第
１３項記載の方法。 ２４ 請求の範囲第１３項記載の方法によつて形
成されるCdIn₂Te₃の大型で高品質の単結晶。 ２５ CdIn₂Te₄の大型で高品質の単結晶を形成
する方法において、(a)62〜90モル％のIn₂Te₃と
38〜10モル％のCdTeから混合物を調製し、(b)前
記混合物を、汚れのない排気した下向きに円錐形
の先端を有する直径19〜50mmの融解シリカアンプ
ルに密封し、(c)前記密封したアンプルを垂直耐熱
炉内で785〜900℃に加熱して前記混合物を溶融
し、そして(d)前記密封したアンプルを前記耐熱炉
内で0.05〜0.6mm／時の速度で1.1〜3.5℃／mmの範
囲の温度勾配上の融点に沿つて下降させ、
CdIn₂Te₄単結晶の成長を開始させ、かつ完結す
るまで維持するため、前記混合物の702〜785℃の
融点以下にまで徐冷し、そして(e)さらに前記単結
晶を室温まで冷却する方法。 ２６ 前記結晶を成長させるアンプルの下向きの
円錐の頂点が切り取られ、種結晶は該アンプルの
切り取られた箇所に載置される請求の範囲第２５
項記載の方法。 ２７ 請求の範囲第２５項記載の方法によつて形
成されるCdIn₂Te₃の大型で高品質の単結晶。 合衆国政府の権利 合衆国政府は空軍契約番号F19628−81−Ｃ−
0081の本発明において権利を有する。 発明の技術的背景 本発明は三元カルコゲン単結晶の製造方法に関
する。より詳しくは本発明は、CdTe−In₂Te₃系
の相平衡関係に基づく非化学量論的溶融液を用い
て、テルル化カドミウムインジウム（CdIn₂Te₄）
の大型で高品質の単結晶を製造する方法に関す
る。本発明の方法によれば、従来の技術では得ら
れなかつたCdIn₂Te₄の大型で高品質の単結晶を
製造することができる。こうしてつくられた結晶
は大きな電気光学係数を有するため、電気光学装
置の部品に用いるのに適している。 従来の技術はテルル化カドミウムインジウムの
結晶をつくるのに成功したとされてきたが、その
技術では電気光学装置用の十分な大きさと純度を
有する結晶をつくることはできなかつた。実際従
来の技術でつくつた結晶は、研究者にとつてその
電気光学的特製の存在と程度を測定するのに十分
な大きさと品質を有するものではなかつた。従来
の結晶の製造方法はチヨクラルスキー法によつて
いた。この方法は結晶を、その結晶と同じ組成の
溶融液から引き上げるものである。しかし溶融液
の組成は均質でないため、チヨクラルスキー法に
よつて沈殿物のない高純度の結晶を得るのは、不
可能ではないにしても困難であつた。 さらにチヨクラルスキー法は、揮発性で過圧を
招く成分を溶融液に用いることができない。その
結晶最終的な結晶の化学量論的組成が変化するた
め、結晶の電気的光学的特製もそれに伴つて変化
する。 そこで本発明の主要な目的は、最適な電気的光
学的性質を確保できる純度の高いCdIn₂Te₄の大
型で高品質の単結晶を製造する方法を提供するこ
とである。さらに本発明は、研究目的および電気
光学装置における使用のために、従来は得られな
かつた大きさを有する高品質の単結晶を成長させ
る方法を提供する。 発明の概要 一般的にいうと、本発明は、テルル化カドミウ
ム（CdTe）−テルル化インジウム（In₂Te₃）系
における相平衡関係に基づくテルル化カドミウム
インジウムの三元カルコゲン単結晶を成長させる
ことによつて、上記の目的を達成する。単結晶
は、固体CdIn₂Te₄が溶融液と平衡状態で存在す
るCdTe−In₂Te₃系の相から選ばれる溶融組成物
から成長する。 本発明の単結晶の製造方法は、Cd−In₂Te₃系
の相平衡関係（これについてはベーガーおよびプ
ロクカン“三元ダイヤモンド類似半導体”（1969
年）第83頁、コンサルタント・ビユーロー、ニユ
ーヨーク、に記載がある。）に基づき、その開示
された情報をより精緻にし、変更を加えて利用す
るものである。 本発明の方法は、化学量論的な大型の単結晶を
成長させるため、非化学量論的な溶液を用いる。
結晶を成長させるに当たつては、自信を種とする
か又は種結晶を用いる。要約すれば、本発明の方
法は次の工程からなる。 (a) 約62〜90モル％のIn₂Te₃および約38〜10モ
ル％のCdTeに対応する高純度のカドミウム、
インジウムおよびテルルの混合物を調製する。 (b) この混合物は、自身を種として結晶を成長さ
せる場合には、下向きに円錐形の先端を有する
汚れのない排気したアンプルに、また種結晶を
用いる場合には種結晶を載置できるように先端
が平頭になつているアンプルに入れて密封す
る。 (c) 密封したアンプルを混合物の融点以上に加熱
して、混合物を溶融する。 (d) こうして得られた“溶融物”を、混合物の融
点まで速度を制御しながら除冷し、アンプルの
円錐形の先端又はアンプル内の種結晶において
結晶の成長を開始させる。そしてCdIn₂Te₄の
単結晶が完成するまで、密封されたアンプル内
でこの成長を続ける。 この混合物は元素の単体からだけではなく、前
記の文献に開示されているモル％のIn₂Te₃およ
びCdTeを利用して直接調製することもできるだ
ろう。カドミウム、インジウムおよびテルルは、
カドミウムとテルルについては、昇華の過程（こ
れは精製の工程としても働く。）で反応させてテ
ルル化カドミウムを、そしてインジウムとテルル
については溶融物の中で反応させてテルル化イン
ジウムを形成し、その後初期の混合物として望ま
しい割合に混合することができる。 本発明においては、In₂Te₃が約62モル％で
CdTeが約38モル％のものから、In₂Te₃が約90モ
ル％でCdTeが約10モル％のものまで様々な組成
の溶融液が用いられる。好ましい混合物の組成
（よい収率を与えるもの）は、In₂Te₃が約62〜75
モル％のものである。さらに最適な混合物は、
In₂Te₃が約62モル％のものである。 こうして得られた混合物の融点は、その組成に
よつて異なるが、高い場合で約785℃（In₂Te₃が
62モル％のとき）、低い場合で約702℃（In₂Te₃
が90モル％のとき）である。これらの融点から求
められるCdTe−In₂Te₃系の温度−組成平衡図に
おいては、CdIn₂Te₄は溶融液と平衡に共存し、
かつ溶融液から最初に成長する固相であることが
わかつた。約702℃以下では、混合物は多結晶質
の塊として急速に固化する。しかしこの急速な結
晶化は、それに先立つて成長しているCdIn₂Te₄
の単結晶に何の影響も及ぼさない。 CdIn₂Te₄の単結晶を徐々に成長させる代わり
に、これらの溶融液を過度に冷却して、多結晶質
の物質を急速に結晶化させることも可能である。
従つて溶融液は制御された比較的遅い速度で、冷
却するのが望ましい。以下で詳しく論ずるよう
に、本発明においてはブリツジマン法を変形した
方法を用いる実施態様が可能である。即ち加熱し
たアンプルを冷却する速度は、所定の温度勾配を
有する垂直炉内においてアンプルを下降させる速
度によつて定まる。 当業者は以下の詳しい説明と図面から、本発明
について、他の目的、特徴及び利点を発見するこ
ともできるだろう。

【図面の簡単な説明】

本図面は、我々の研究から得られたテルル化カ
ドミウム（CdTe）−テルル化インジウム
（In₂Te₃）系における温度−組成の相平衡図であ
り、本発明の原理を示している。

【発明の詳細な説明】

温度−組成の相平衡図について、さらに詳しく
説明する。本発明においては、In₂Te₃が約62モ
ル％から90モル％（CdTeが約38〜10モル％）存
在する溶融混合物を調製して、CdIn₂Te₄を純度
が高く大型で高品質の単結晶を形成する。相平衡
図のCdTe−In₂Te₃系に示されているように、約
785−702℃の高温の温度範囲（図のａ−a′の部
分）においては、CdIn₂Te₄の結晶はこの組成範
囲の溶融液と平衡に存在する。このテルル化イン
ジウムとテルル化カドミウムの組成領域において
は、温度はａ−a′の線に沿つて低下するため、溶
融液から最初に晶出する物質は、化学量論的な
CdIn₂Te₄である。 この時点でベーガーおよびプロクカンによつて
明らかにされたCdTe−In₂Te₃の平衡な相は、
In₂Te₃に富んでいることがわかつた。そしてこ
れは本発明にとつて好ましい領域である。この
In₂Te₃に富んでいるという事実は、この領域に
ある溶融液からは、化学量論的なCdIn₂Te₄を晶
出させることが不可能であることを示している。
図面に示すように、我々が改めた相平衡図は我々
の研究結果を反映している。即ちCdIn₂Te₄に対
応する化学量論的混合物は、垂線βで表され、先
に述べたようなIn₂Te₃の増加は、我々の系にお
いては実際には生じないことを示している。従つ
て本発明によれば非化学量論的な溶融物から化学
量論的な結晶が得られるという驚くべき事実が発
見された。 本発明によれば、In₂Te₃が約62〜90モル％の
組成の溶融混合物を用いても、所望のCdIn₂Te₄
の単結晶が得られるが、テルル化カドミウムイン
ジウムの結晶の収率を最大にするには、混合物の
組成は化学量論的組成のCdIn₂Te₄にできるだけ
近いものを選ぶのが望ましい。したがつて単結晶
について所望の最大の収率を得るのに好ましい組
成の混合物は、In₂Te₃が約62〜75モル％のもの
である。しかし化学量論的な溶融物（図の垂線β
に沿う組成の混合物）を用いると、温度−組成の
相平衡図における異つた領域の溶融物も混在する
ようになり、異つた化合物（実質上インジウムが
ドープされたテルル化カドミウム）をも、冷却時
に最初の固相として晶出させてしまう。またその
ような化学量論的組成の混合物の融点は、上記の
望ましい組成範囲の混合物のそれとかなり異つて
おり、この意味でも化学量論的な混合物は、本発
明の方法にとつて適当でない。 In₂Te₃が約64モル％の混合物は、CdIn₂Te₄の
結晶の収率を最大にするが、同時にこの混合物
は、化学量論的な溶融物に対応する望ましくない
領域に、徐徐に近づいていくことがわかつた。 本発明の方法を実施例する場合には、適当な組
成の混合物を、In₂Te₃が約62〜90モル％の範囲
のものから選択する。出発物質はCdIn₂Te₄結晶
の各構成元素、即ち高純度（最低でも約99.999％
の純度）のカドミウム、インジウムおよびテルル
化である。ここまでの段階において所望の混合物
を調製する方法は、２つある。第１の方法は構成
元素の重量を計量して、所望の構成の溶融物に混
合する方法である。第２の方法は、カドミウムと
テルルを昇華させてテルル化カドミウムを形成
し、次いでインジウムとテルルを溶融反応させて
テルル化インジウムを形成する。最後にCdTeと
In₂Te₃を適当な割合で混合して、所望の組成の
混合物を得るものである。 どちらの方法によつても、混合物を汚れのない
排気されたアンプルに密封する。好ましくは、ア
ンプルは融解シリカ製で、できるだけ汚れのない
ものがいい。アンプルに汚れのないことはきわめ
て重要な要件である。でないと好ましくない酸化
物が生じて、望ましい結晶特性の多くを悪化させ
るか又は破壊するだけでなく、成長した結晶がア
ンプルの内壁に付着する事態を引き起こす。従つ
てそのような付着を防止するためアンプルの内壁
を熱分解炭素で塗装することもできる。しかしこ
の炭素による塗装は、本発明の方法にとつて重要
なことではない。 アンプルの先端の形状は、自身を種として結晶
を成長させる場合は下向きの円錐形、種結晶を用
いる場合は平頭形にする。アンプルの先端が円錐
形の場合は、冷却されて結晶に成長する加熱され
た塊の量が、先端において少くなるため、溶融液
を過冷するおそれがなくなる。過冷（液体を凝固
物を生じることなく凝固点以下に冷却すること）
は、溶融液の融点以下の比較的狭い温度範囲でお
こる。これは多結晶の物質の急速な固化を引き起
こすため、望ましくない。加熱された塊の量を減
らせば、冷却温度を制御することが容易になり、
この事態を回避できるようになる。 アンプルは、混合物を密封する前に、混合物を
入れた状態で排気する。そして水素やヒドラゼン
のような還元ガスを用いて約600℃の高温で処理
し、上述の理由で物質の表面に存在する可能性が
ある酸素を除去する。酸素を除去できるならば、
他の方法も本発明の範囲に含まれる。 カドミウム−インジウム−テルルの混合物が酸
素や他の汚染雰囲気にさらされるのを防ぎ、かつ
排気されたアンプル中に混合物を密封するため、
CdIn₂Te₄結晶の化学量論的組成は保証される。
前述のチヨクラルスキー法とは異なり、本発明の
方法は混合物が過剰のIn₂Te₃とともに排気され
たアンプルに密封されるため、揮発性の構成成分
が成長する結晶から損失するのを防ぐ。 本発明の次の工程はアンプル内に密封された混
合物を、混合物の融点以上にアンプルを加熱する
ことによつて溶融することである。もう一度述べ
るが、混合物の融点はその組成に依存して約785
℃（In₂Te₃の最初の組成が62モル％）〜約702℃
（In₂Te₃の最初の組成が90モル％）の範囲にあ
る。完全な溶融と目的の領域の相における適当な
平衡を達成するため、好ましくはアンプルを混合
物の融点以上に加熱する。この目的のための温度
は約785〜約900℃又はそれ以上がよい。しかしア
ンプルを900℃を超えて加熱することは、本発明
の方法の実施には必ずしも必要なことではない。
一旦混合物が溶融したら、密封したアンプルは混
合物の温度以下に冷却する。この融点は前述のよ
うに図のａ−a′で示される曲線上にあり、溶融組
成物に対応する。溶融液の過冷を避けるため、温
度は平頭型のアンプルの先端でCdIn₂Te₄の結晶
の核が生成し成長するまで徐冷する。温度を低下
させる際の好ましい方法は、アンプルの先端の温
度を低下する温度の勾配に沿つて低下させること
である。単結晶がアンプルの中で成長する際、溶
融混合物の組成は変化し、In₂Te₃に富むように
なる。この結果、図に示すように、混合物の融点
がａ−a′に沿つて低下する。この線上において
は、CdIn₂Te₄の固体結晶が、溶融液と平衡状態
で存在する。従つて溶融液の徐冷を続けると、化
学量論的なCdIn₂Te₄の単結晶の成長は、残存す
る溶融液の組成がそれに対応してCdTeで満たさ
れていく間、維持される。残存する溶融液の温度
が約702℃に達すると、該結晶はIn₂Te₃に富む多
結晶塊として急速に固化する。しかしこの急速な
固化は、これに先立つて成長しているCdIn₂Te₄
の単結晶に何の影響も及ぼさない。固化した結晶
の冷却は、結晶をアンプルから取り出せる室温に
到達するまで続ける。 本発明の方法を実施するためには、密封したア
ンプルを加熱して混合物を溶融する方法が用いら
れるが、アンプルを加熱するのに最も便利な方法
は、垂直耐熱炉でアンプルを加熱する垂直ブリツ
ジマン法を変形した方法である。アンプルは円錐
の頂点を下にして、耐熱炉内に設置する。炉は
900〜785℃の温度範囲では相対的に平坦な温度プ
ロフアイルを示し、785〜600℃の温度範囲では相
対的に急勾配の温度プロフアイルを示すように目
盛る。このような温度勾配は、785〜702℃で成長
するCdIn₂Te₄の結晶の熱を除去するのに都合が
よい。結晶の成長に要求される処理の条件は、結
晶を成長させる溶融物の組成およびアンプルの大
きさ（直径）に依存する。実施例では、直径76mm
の管状の炉（結晶の成長相（785−702℃）の範囲
内で約1.1〜約3.5℃／mmの温度勾配を有する）を
用い、アンプルはその直径に応じて、好ましくは
0.05〜0.6mm／時の一定の速度で炉内を下降させ
る。溶融物が固化したら、結晶をより急速に、好
ましくは約0.5〜5.0℃／時の速度で室温まで冷却
する。垂直耐熱炉を用いると、結晶を生成する混
合物に好ましい速度で溶融し、次いで冷却するの
が容易になる。しかし繰り返して強調するが密封
したアンプル内で、混合物を他の方法で加熱冷却
することも本発明の範囲に含まれる。結晶は、こ
れを収納したアンプルが支障なく取扱えるような
温度に冷却されれば、様々な方法でアンプルから
取り出せるようになる。融解シリカ製アンプル
は、塩酸に溶解するか又は溝をつけて破壊するか
して、中に収容されている結晶を取り出す。 以下は、本発明によつてCdIn₂Te₄の大型で高
品質の単結晶を成長させる場合の詳細な実施例で
ある。 実施例 １ 最初にIn₂Te₄が63モル％そしてCdTeが37モル
％の溶融混合物を、次の方法に従つて調製した。
高純度のIn₂Te₃132.8ｇをCdTe30.6ｇと混合し
た。両化合物は前述のようにして調製し、精製し
ておいた。こうして調製した混合物は、直径約19
mmで汚れのない排気した融解シリカ製アンプルに
密封した。密封したアンプルは、直径76mmの管状
の垂直耐熱炉内を下降させた。この炉は、予め混
合物の加熱溶融領域において、883℃の相対的に
平坦な温度プロフアイルを与えるように較正して
おいた。混合物が密封したアンプル内で溶融した
後、アンプルの温度を炉の温度勾配に従つて低下
させた。結晶を成長させる際の炉の温度勾配
（785〜702℃）は、炉の行程につき785℃において
は1.2℃／mm、702℃においては2.9℃／mmであつ
た。アンプルは、結晶の成長が完結するまで、温
度勾配にそつて約0.504mm／時の速度で下降させ
た。結晶の成長が完結すると、残存の溶融液は多
結晶塊として急速に固化した。アンプルは約0.5
〜５℃／時の速度で室温まで徐冷し、この温度で
結晶をアンプルから取り出した。CdIn₂Te₄の直
径約16mmの大型で高品質の単結晶が得られた。 実施例 ２ 最初にIn₂Te₃が70モル％そしてCdTeが30モル
％の溶融混合物を、次の方法に従つて調製した。
高純度のIn₂Te₃95.2ｇをCdTe16.0ｇと混合した。
両化合物は前述のようにして調製し、精製してお
いた。こうして調製した混合物は、直径約19mmで
汚れのない排気した融解シリカ製アンプルに密封
した。密封したアンプルは直径76mmの管状垂直耐
熱炉内を下降させた。混合物が密封したアンプル
内で溶融した後、アンプルの温度を炉の温度勾配
に従つて低下させた。炉の温度勾配は実施例１と
同じである。アンプルは炉内を0.60mm／時の速度
で下降させた。これはアンプルを、図のａ−a′で
示される組成の混合物の融点にそつて下降させる
ためである。自身を種とする単結晶の成長は、密
封したアンプルの円錐形の頂点で開始した。成長
の速度はその完結に到るまで0.60mm／時で維持さ
れた。結晶の成長が完結すると、残存溶融液は多
結晶塊として急速に固化した。アンプルは約0.5
〜５℃／時の速度て室温まで徐冷し、この温度で
結晶をアンプルから取り出した。CdIn₂Te₄の直
径約16mmの大型で高品質の単結晶が得られた。 実施例 ３ 最初にIn₂Te₃が63モル％そしてCdTeが37モル
％の溶融混合物を、次の方法に従つて調製した。
高純度のIn₂Te₃485.0ｇをCdTe111.9ｇと混合し
た。両化合物は前述のようにして調製し、精製し
ておいた。こうして調製した混合物は、直径約50
mmで汚れのない排気した溶解シリカ製アンプルに
密封した。密封したアンプルは、垂直耐熱炉内で
下降させた。この炉は予め、混合物の加熱溶融領
域において、900℃の相対的に平坦な温度プロフ
アイルを与えるように較正しておいた。混合物が
密封したアンプル内で溶融した後、アンプルの温
度を炉の温度勾配に従つて低下させた。炉の温度
勾配は実施例１と同じである。アンプルは炉内を
0.101mm／時の速度で下降させた。これはアンプ
ルをａ−a′で示される組成の混合物の融点にそつ
て下降させるためである。自身を種とする単結晶
の成長は、密封したアンプルの円錐形の頂点で開
始した。成長の速度はその完結に到るまで0.101
mm／時で維持した。結晶の成長が完結すると、残
存溶融液は多結晶塊として急速に固化した。アン
プルは約0.5〜５℃／時の速度で室温まで徐冷し、
この温度で結晶をアンプルから取り出した。
CdInTe₄の直径約47mmの大型で高品質の単結晶が
得られた。