JPH07206598A - Ｃｄ１−ｘ−ｙＭｎｘＨｇｙＴｅ系単結晶の製造装置 - Google Patents
Ｃｄ１−ｘ−ｙＭｎｘＨｇｙＴｅ系単結晶の製造装置Info
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- JPH07206598A JPH07206598A JP2381794A JP2381794A JPH07206598A JP H07206598 A JPH07206598 A JP H07206598A JP 2381794 A JP2381794 A JP 2381794A JP 2381794 A JP2381794 A JP 2381794A JP H07206598 A JPH07206598 A JP H07206598A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 双晶のない高品質の半磁性半導体Ｃｄ1-x-y
ＭｎxＨｇyＴｅ系単結晶を効率よく育成する製造装置を
供する。 【構成】 金属Ｃｄ、金属Ｍｎ、金属Ｔｅ、金属Ｈｇも
しくはＨｇＴｅ化合物を出発原料とし、この原料から目
標組成の焼結棒６を作り、中間結晶原料とし、炉内の温
度分布と石英るつぼ３の移動により、Ｔｅを目標組成よ
り多めに仕込んだ融液４を作製し、この融液から単結晶
５を晶出させる。晶出した分に相当する量を先の焼結棒
６から連続的に融液４に供給し、融液の組成を一定に保
つ育成方法で、蒸気圧の高いＨｇが低温部に析出するの
を防ぐために、るつぼ３上部を加熱するヒーター７を備
えた単結晶の製造装置である。
ＭｎxＨｇyＴｅ系単結晶を効率よく育成する製造装置を
供する。 【構成】 金属Ｃｄ、金属Ｍｎ、金属Ｔｅ、金属Ｈｇも
しくはＨｇＴｅ化合物を出発原料とし、この原料から目
標組成の焼結棒６を作り、中間結晶原料とし、炉内の温
度分布と石英るつぼ３の移動により、Ｔｅを目標組成よ
り多めに仕込んだ融液４を作製し、この融液から単結晶
５を晶出させる。晶出した分に相当する量を先の焼結棒
６から連続的に融液４に供給し、融液の組成を一定に保
つ育成方法で、蒸気圧の高いＨｇが低温部に析出するの
を防ぐために、るつぼ３上部を加熱するヒーター７を備
えた単結晶の製造装置である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光増幅器用励起光源
（０．９８〜１．０２μｍ）およびＬＤ励起ＳＨＧ光源
（０．８３〜０．８６μｍ）用の光アイソレータとして
用いられる磁気光学素子材料であるＣｄ1-x-yＭｎxＨｇ
yＴｅ、Ｃｄ1-x-y-zＭｎxＨｇyＺｎzＴｅ、Ｃｄ1-x-yＭ
ｎxＨｇyＳｅzＴｅ1-zなどの半磁性半導体Ｃｄ1-x-yＭ
ｎxＨｇyＴｅ系単結晶の製造装置に関する。
（０．９８〜１．０２μｍ）およびＬＤ励起ＳＨＧ光源
（０．８３〜０．８６μｍ）用の光アイソレータとして
用いられる磁気光学素子材料であるＣｄ1-x-yＭｎxＨｇ
yＴｅ、Ｃｄ1-x-y-zＭｎxＨｇyＺｎzＴｅ、Ｃｄ1-x-yＭ
ｎxＨｇyＳｅzＴｅ1-zなどの半磁性半導体Ｃｄ1-x-yＭ
ｎxＨｇyＴｅ系単結晶の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、Ｃｄ1-x-yＭｎxＨｇyＴｅ系単結
晶の製造装置はＣｄ、Ｍｎ、Ｔｅ、Ｓｅ等の金属固体結
晶原料を組成比に応じて透明石英管のアンプル状のるつ
ぼに真空封入する。そのるつぼと、そのるつぼ内の固体
結晶原料を融液にするための加熱装置とを用い、該加熱
装置及び前記るつぼの相対的位置関係を連続的に所定の
速度で変えることによって、該るつぼ内の前記結晶原料
の融液を下方から凝固させて単結晶を作製する装置（以
下従来の製造装置Ａと記す）や、例えばクェンチ法（高
圧溶融急冷法）により作製した目標組成に対応した組成
を持つ多結晶原料のロッドをアンプル状のるつぼに真空
封入し、そのるつぼを加熱装置により融点より低い温度
にて保持することで固相成長させることにより、単結晶
を作製する装置（以下従来の製造装置Ｂと記す）があ
る。
晶の製造装置はＣｄ、Ｍｎ、Ｔｅ、Ｓｅ等の金属固体結
晶原料を組成比に応じて透明石英管のアンプル状のるつ
ぼに真空封入する。そのるつぼと、そのるつぼ内の固体
結晶原料を融液にするための加熱装置とを用い、該加熱
装置及び前記るつぼの相対的位置関係を連続的に所定の
速度で変えることによって、該るつぼ内の前記結晶原料
の融液を下方から凝固させて単結晶を作製する装置（以
下従来の製造装置Ａと記す）や、例えばクェンチ法（高
圧溶融急冷法）により作製した目標組成に対応した組成
を持つ多結晶原料のロッドをアンプル状のるつぼに真空
封入し、そのるつぼを加熱装置により融点より低い温度
にて保持することで固相成長させることにより、単結晶
を作製する装置（以下従来の製造装置Ｂと記す）があ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の製造装置Ａを用
いて上記単結晶を製造する場合には、高温高圧（温度：
１１００℃、圧力：２０ａｔｍ）条件が設定できる高価
な製造設備が必要になる。また、相変態点以上の融点で
溶融するために、結晶化過程で必ず相変態点を通過する
ので双晶が発生しやすい問題があった。双晶が存在する
場合には、光アイソレータの実用特性を達成するために
は、特定の面を使用する必要があるので、歩留まり等を
考えると効率的でない。さらに、この製法を用いると組
成偏析が大きくなるために必要とする組成のものがわず
かしか採れない問題があった。また、従来の製造装置Ｂ
を用いて上記単結晶を製造した場合には、単結晶化率が
きわめて低く、大口径化が困難であった。いずれの装置
とも工業的生産に適した装置とはいえなかった。本発明
の課題は、上記単結晶を高品質で安定に量産できる製造
装置を提供することにある。
いて上記単結晶を製造する場合には、高温高圧（温度：
１１００℃、圧力：２０ａｔｍ）条件が設定できる高価
な製造設備が必要になる。また、相変態点以上の融点で
溶融するために、結晶化過程で必ず相変態点を通過する
ので双晶が発生しやすい問題があった。双晶が存在する
場合には、光アイソレータの実用特性を達成するために
は、特定の面を使用する必要があるので、歩留まり等を
考えると効率的でない。さらに、この製法を用いると組
成偏析が大きくなるために必要とする組成のものがわず
かしか採れない問題があった。また、従来の製造装置Ｂ
を用いて上記単結晶を製造した場合には、単結晶化率が
きわめて低く、大口径化が困難であった。いずれの装置
とも工業的生産に適した装置とはいえなかった。本発明
の課題は、上記単結晶を高品質で安定に量産できる製造
装置を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の欠点を
解消し、高品質の単結晶を量産する装置を提供するた
め、基本的には連続式ＴＨＭ法による単結晶の製造方法
であって、金属Ｃｄ、金属Ｍｎ、金属Ｔｅ、金属Ｚｎ、
金属Ｓｅ、金属ＨｇＴｅ等を出発原料とし、該出発原料
で目標組成の焼結体を作って中間結晶原料とし、Ｔｅも
しくはＳｅを目標組成比より多めに仕込んだ融液に徐々
に溶かしながら上記単結晶を晶出させ、その晶出分に相
当する原料を融液に供給することで融液内濃度を絶えず
一定にし、育成中に低温部に蒸気圧の高いＨｇが析出し
て、るつぼの破裂、組成の偏析がおこる確率を最小限に
して結晶を作製できる装置である。
解消し、高品質の単結晶を量産する装置を提供するた
め、基本的には連続式ＴＨＭ法による単結晶の製造方法
であって、金属Ｃｄ、金属Ｍｎ、金属Ｔｅ、金属Ｚｎ、
金属Ｓｅ、金属ＨｇＴｅ等を出発原料とし、該出発原料
で目標組成の焼結体を作って中間結晶原料とし、Ｔｅも
しくはＳｅを目標組成比より多めに仕込んだ融液に徐々
に溶かしながら上記単結晶を晶出させ、その晶出分に相
当する原料を融液に供給することで融液内濃度を絶えず
一定にし、育成中に低温部に蒸気圧の高いＨｇが析出し
て、るつぼの破裂、組成の偏析がおこる確率を最小限に
して結晶を作製できる装置である。
【０００５】即ち、本発明は連続式ＴＨＭ法を用いてＣ
ｄ1-x-yＭｎxＨｇyＴｅ、Ｃｄ1-x-y -zＭｎxＨｇyＺｎz
Ｔｅ、Ｃｄ1-x-yＭｎxＨｇyＳｅzＴｅ1-zなどのＣｄ
1-x-yＭｎxＨｇyＴｅ系単結晶を作製する製造方法に基
づいて、目標組成に対応した割合に準備された金属Ｃ
ｄ、金属Ｍｎ、金属Ｔｅ、金属ＨｇＴｅ、金属Ｓｅ、金
属Ｚｎなどの出発原料を予め溶解、反応、凝固させ、多
結晶体の中間原料を作製し、前記るつぼ内の上部に固定
された該中間結晶原料とるつぼ内の下部で単結晶を晶出
して育成する融液の中間に、Ｔｅが溶剤として満たされ
ており、炉内の温度分布とるつぼの移動により、前記多
結晶体を溶解し、目標組成よりＴｅが多い組成の融液を
つくり、該融液から単結晶を晶出して育成し、一方、単
結晶として晶出する分に相当する量を先の融液に連続的
に追加補充し、融液の濃度を所定の範囲に保ちながら単
結晶を作製する。この単結晶の育成中に低温部に蒸気圧
の高いＨｇの析出を防ぐために、るつぼ上部を加熱する
ヒーターを備えたことを特徴とする単結晶の製造装置で
ある。
ｄ1-x-yＭｎxＨｇyＴｅ、Ｃｄ1-x-y -zＭｎxＨｇyＺｎz
Ｔｅ、Ｃｄ1-x-yＭｎxＨｇyＳｅzＴｅ1-zなどのＣｄ
1-x-yＭｎxＨｇyＴｅ系単結晶を作製する製造方法に基
づいて、目標組成に対応した割合に準備された金属Ｃ
ｄ、金属Ｍｎ、金属Ｔｅ、金属ＨｇＴｅ、金属Ｓｅ、金
属Ｚｎなどの出発原料を予め溶解、反応、凝固させ、多
結晶体の中間原料を作製し、前記るつぼ内の上部に固定
された該中間結晶原料とるつぼ内の下部で単結晶を晶出
して育成する融液の中間に、Ｔｅが溶剤として満たされ
ており、炉内の温度分布とるつぼの移動により、前記多
結晶体を溶解し、目標組成よりＴｅが多い組成の融液を
つくり、該融液から単結晶を晶出して育成し、一方、単
結晶として晶出する分に相当する量を先の融液に連続的
に追加補充し、融液の濃度を所定の範囲に保ちながら単
結晶を作製する。この単結晶の育成中に低温部に蒸気圧
の高いＨｇの析出を防ぐために、るつぼ上部を加熱する
ヒーターを備えたことを特徴とする単結晶の製造装置で
ある。
【０００６】
【作用】上記単結晶を従来のブリッジマン法を用いて作
製する従来の製造装置Ａを用いた場合には、融点が相変
態点以上にあるので凝固する際に必ずウルツ鉱型構造か
らせん亜鉛鉱型構造に変化する相変態点を通過する。そ
の際に残存する歪みが双晶の発生する要因であると考え
られている。即ち、相変態点より高い温度で凝固させる
ので双晶を回避するのは困難であった。そのために、光
アイソレータの実用特性を達成するためには、特定の面
を使用する必要があるので、歩留まり等を考えると効率
的でない。さらに、この装置を用いると組成偏析が大き
くなるために必要とする組成のものがわずかしかとれな
い問題があった。又、従来の製造装置Ｂを用いて製造し
た場合には、単結晶化率がきわめて低く、大口径化が困
難であった。いずれの製法とも工業的生産には最適な装
置とはいえなかった。
製する従来の製造装置Ａを用いた場合には、融点が相変
態点以上にあるので凝固する際に必ずウルツ鉱型構造か
らせん亜鉛鉱型構造に変化する相変態点を通過する。そ
の際に残存する歪みが双晶の発生する要因であると考え
られている。即ち、相変態点より高い温度で凝固させる
ので双晶を回避するのは困難であった。そのために、光
アイソレータの実用特性を達成するためには、特定の面
を使用する必要があるので、歩留まり等を考えると効率
的でない。さらに、この装置を用いると組成偏析が大き
くなるために必要とする組成のものがわずかしかとれな
い問題があった。又、従来の製造装置Ｂを用いて製造し
た場合には、単結晶化率がきわめて低く、大口径化が困
難であった。いずれの製法とも工業的生産には最適な装
置とはいえなかった。
【０００７】本発明は、相変態点以下の温度での結晶成
長を可能とする工夫を施すことにより結晶性の問題を解
決し、原料の追加供給を連続的に行うことによって組成
偏析がなく、蒸気圧の高いＨｇが低温部に析出するのを
防ぐために、るつぼ上部を加熱するヒーターを備えた単
結晶の製造装置である。
長を可能とする工夫を施すことにより結晶性の問題を解
決し、原料の追加供給を連続的に行うことによって組成
偏析がなく、蒸気圧の高いＨｇが低温部に析出するのを
防ぐために、るつぼ上部を加熱するヒーターを備えた単
結晶の製造装置である。
【０００８】
【実施例】以下本発明を実施例により説明する。
【０００９】図２は従来の製造装置Ａの概略の断面を示
す説明図である。石英るつぼ３中にあらかじめ装顛して
ある結晶原料を電気炉の温度分布を利用して溶解し融液
４とし、その後、石英るつぼ３を３ないし７ｍｍ／ｈｒ
の速度で降下させて、石英るつぼ３の下端より順次結晶
成長を行なわせ、その後、徐冷することで単結晶を得
る。図２の中でＨは結晶を溶融できる温度領域（溶融ゾ
ーン）を示している。
す説明図である。石英るつぼ３中にあらかじめ装顛して
ある結晶原料を電気炉の温度分布を利用して溶解し融液
４とし、その後、石英るつぼ３を３ないし７ｍｍ／ｈｒ
の速度で降下させて、石英るつぼ３の下端より順次結晶
成長を行なわせ、その後、徐冷することで単結晶を得
る。図２の中でＨは結晶を溶融できる温度領域（溶融ゾ
ーン）を示している。
【００１０】半磁性半導体Ｃｄ0.72Ｍｎ0.15Ｈｇ0.13Ｔ
ｅの単結晶の育成のプロセスを例にとって説明する。金
属Ｃｄ、金属Ｍｎ、金属ＨｇＴｅおよび金属Ｔｅを目標
組成となる割合で真空封止した石英るつぼ３を高圧ブリ
ッジマン炉の電気炉１にて溶融（融点：約１０５０℃
圧力：約２０ａｔｍ）した後に、石英るつぼ３を３ない
し７ｍｍ／ｈｒの速さで降下させて、石英るつぼ３の下
端より順次結晶成長を行わせ単結晶５を得る。結晶は、
融点（約１０５０℃）から相変態点（約９５０℃）まで
はウルツ鉱型構造となり、相変態点（約９５０℃）以下
の温度ではせん亜鉛鉱型構造となり、この製造方法を採
用すると必ず双晶が発生し、得られた単結晶５は光学デ
バイス用材料として特定面しか使えず、結晶歩留まりが
悪くなる問題があった。
ｅの単結晶の育成のプロセスを例にとって説明する。金
属Ｃｄ、金属Ｍｎ、金属ＨｇＴｅおよび金属Ｔｅを目標
組成となる割合で真空封止した石英るつぼ３を高圧ブリ
ッジマン炉の電気炉１にて溶融（融点：約１０５０℃
圧力：約２０ａｔｍ）した後に、石英るつぼ３を３ない
し７ｍｍ／ｈｒの速さで降下させて、石英るつぼ３の下
端より順次結晶成長を行わせ単結晶５を得る。結晶は、
融点（約１０５０℃）から相変態点（約９５０℃）まで
はウルツ鉱型構造となり、相変態点（約９５０℃）以下
の温度ではせん亜鉛鉱型構造となり、この製造方法を採
用すると必ず双晶が発生し、得られた単結晶５は光学デ
バイス用材料として特定面しか使えず、結晶歩留まりが
悪くなる問題があった。
【００１１】次に、従来の製造装置ＢをもちいてＣｄ
0.72Ｍｎ0.15Ｈｇ0.13Ｔｅ単結晶を育成した場合につい
て図３を用いて説明する。図３において真空封止した石
英るつぼ３をいったん高圧ブリッジマン炉の電気炉１に
て溶融（融点：約１０５０℃、圧力：約２０ａｔｍ）
後、急冷して多結晶の焼結棒６を作製する。その後電気
炉１にて融点より約１２０℃低い温度にて固相反応をお
こなうことで結晶成長をおこなう。結晶の固相反応温度
は、相変態点（約９５０℃）以下なのでせん亜鉛鉱型構
造となる。従ってこの場合は結晶成長過程で相変態点を
通過することがないので双晶が発生することが殆どなか
った。しかしながら固相反応という手段を使うため結晶
全体を単結晶化するのは困難であった。また、結晶の大
口径化が難しい問題があった。
0.72Ｍｎ0.15Ｈｇ0.13Ｔｅ単結晶を育成した場合につい
て図３を用いて説明する。図３において真空封止した石
英るつぼ３をいったん高圧ブリッジマン炉の電気炉１に
て溶融（融点：約１０５０℃、圧力：約２０ａｔｍ）
後、急冷して多結晶の焼結棒６を作製する。その後電気
炉１にて融点より約１２０℃低い温度にて固相反応をお
こなうことで結晶成長をおこなう。結晶の固相反応温度
は、相変態点（約９５０℃）以下なのでせん亜鉛鉱型構
造となる。従ってこの場合は結晶成長過程で相変態点を
通過することがないので双晶が発生することが殆どなか
った。しかしながら固相反応という手段を使うため結晶
全体を単結晶化するのは困難であった。また、結晶の大
口径化が難しい問題があった。
【００１２】次に本発明の実施例を図１に示す構造の製
造装置を用いて半磁性半導体Ｃｄ0. 72Ｍｎ0.15Ｈｇ0.13
Ｔｅの単結晶を育成する場合を例にとって説明する。高
純度Ｃｄ、Ｍｎ、ＨｇＴｅおよびＴｅを目標組成に秤量
し、石英るつぼに装顛した後に高圧ブリッジマン炉の電
気炉１にて溶融（融点：約１０５０℃ 圧力：約２０ａ
ｔｍ）後、急冷して多結晶の焼結棒６を作製する。その
多結晶の焼結棒６と初期充填原料５および溶剤としての
Ｔｅを石英るつぼ３に装顛して真空封止した後に、石英
るつぼを、電気炉１内に設置し、石英るつぼ３を１〜５
ｍｍ／日の速さで降下させて、石英るつぼの下端より順
次結晶成長を行わせる。結晶は、融点（約８００℃）で
は相変態点（約９５０℃）以下なのでせん亜鉛鉱型構造
となり、結晶成長過程で相変態点を通過することがない
ので双晶は発生しなかった。
造装置を用いて半磁性半導体Ｃｄ0. 72Ｍｎ0.15Ｈｇ0.13
Ｔｅの単結晶を育成する場合を例にとって説明する。高
純度Ｃｄ、Ｍｎ、ＨｇＴｅおよびＴｅを目標組成に秤量
し、石英るつぼに装顛した後に高圧ブリッジマン炉の電
気炉１にて溶融（融点：約１０５０℃ 圧力：約２０ａ
ｔｍ）後、急冷して多結晶の焼結棒６を作製する。その
多結晶の焼結棒６と初期充填原料５および溶剤としての
Ｔｅを石英るつぼ３に装顛して真空封止した後に、石英
るつぼを、電気炉１内に設置し、石英るつぼ３を１〜５
ｍｍ／日の速さで降下させて、石英るつぼの下端より順
次結晶成長を行わせる。結晶は、融点（約８００℃）で
は相変態点（約９５０℃）以下なのでせん亜鉛鉱型構造
となり、結晶成長過程で相変態点を通過することがない
ので双晶は発生しなかった。
【００１３】又、融液４の下方から凝固してＣｄ0.72Ｍ
ｎ0.15Ｈｇ0.13Ｔｅ単結晶を晶出する分に相当する原料
を連続的に焼結棒６より追加供給することにより融液内
濃度を絶えず一定にしながら単結晶を育成し、その間、
低温部に蒸気圧の高いＨｇが析出するのを防ぐために、
るつぼ上部を加熱するヒーターを備えた。これによっ
て、るつぼの破裂および組成偏析のおこる確率を格段に
減少させることができた。
ｎ0.15Ｈｇ0.13Ｔｅ単結晶を晶出する分に相当する原料
を連続的に焼結棒６より追加供給することにより融液内
濃度を絶えず一定にしながら単結晶を育成し、その間、
低温部に蒸気圧の高いＨｇが析出するのを防ぐために、
るつぼ上部を加熱するヒーターを備えた。これによっ
て、るつぼの破裂および組成偏析のおこる確率を格段に
減少させることができた。
【００１４】上述の工夫をして単結晶を育成した。その
結果として、本実施例の装置により作製した単結晶はす
べて双晶が発生せず、９０％以上の歩留まりで単結晶化
した育成体が得られた。
結果として、本実施例の装置により作製した単結晶はす
べて双晶が発生せず、９０％以上の歩留まりで単結晶化
した育成体が得られた。
【００１５】従来装置と本発明の装置による育成条件と
育成結果を纏めて表１および図４に示す。
育成結果を纏めて表１および図４に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は光増幅器
用励起光源（０．９８〜１．０２μｍ）およびＬＤ励起
ＳＨＧ光源（０．８３〜０．８６μｍ）用の光アイソレ
ータとして用いられる磁気光学素子材料であるＣｄ
1-x-yＭｎxＨｇyＴｅ、Ｃｄ1-x-y-zＭｎxＨｇyＺｎzＴ
ｅ、Ｃｄ1-x-yＭｎxＨｇyＳｅzＴｅ1-zなどの半磁性半
導体の双晶のない、高い光学品質を持つ単結晶を効率よ
く安定に育成できる単結晶の製造装置を提供できる。
用励起光源（０．９８〜１．０２μｍ）およびＬＤ励起
ＳＨＧ光源（０．８３〜０．８６μｍ）用の光アイソレ
ータとして用いられる磁気光学素子材料であるＣｄ
1-x-yＭｎxＨｇyＴｅ、Ｃｄ1-x-y-zＭｎxＨｇyＺｎzＴ
ｅ、Ｃｄ1-x-yＭｎxＨｇyＳｅzＴｅ1-zなどの半磁性半
導体の双晶のない、高い光学品質を持つ単結晶を効率よ
く安定に育成できる単結晶の製造装置を提供できる。
【図１】本発明で用いた結晶製造装置の概略構造を示し
た断面説明図。
た断面説明図。
【図２】従来結晶製造装置Ａの概略構造を示した断面説
明図。
明図。
【図３】従来結晶製造装置Ｂの概略構造を示した断面説
明図。
明図。
【図４】育成された結晶の状態を示す断面図であり、
（ａ）は従来の製造装置Ａによって得られた結晶の状態
を示し、（ｂ）は従来の製造装置Ｂによって得られた結
晶の状態を示し、（ｃ）は本発明の製造装置によって得
られた結晶の状態を示す図。
（ａ）は従来の製造装置Ａによって得られた結晶の状態
を示し、（ｂ）は従来の製造装置Ｂによって得られた結
晶の状態を示し、（ｃ）は本発明の製造装置によって得
られた結晶の状態を示す図。
１ 電気炉 ２ るつぼ昇降機構 ３ 石英るつぼ ４ 融液 ５ 単結晶 ６ 焼結棒 ７ 加熱ヒーター ８ るつぼ左右反転機構 ９ 双晶面 １０ 結晶粒 Ｈ 溶融ゾーン
Claims (1)
- 【請求項１】 るつぼ内の固体結晶原料を融液とするた
めの加熱装置と、該るつぼを所定の速度で加熱装置内を
上下方向へ移動させる機構とを備えた高圧ブリッジマン
炉において、前記るつぼの上部を加熱するヒーターを備
えたことを特徴とするＣｄ1-x-yＭｎxＨｇyＴｅ系単結
晶の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2381794A JPH07206598A (ja) | 1994-01-25 | 1994-01-25 | Ｃｄ１−ｘ−ｙＭｎｘＨｇｙＴｅ系単結晶の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2381794A JPH07206598A (ja) | 1994-01-25 | 1994-01-25 | Ｃｄ１−ｘ−ｙＭｎｘＨｇｙＴｅ系単結晶の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07206598A true JPH07206598A (ja) | 1995-08-08 |
Family
ID=12120911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2381794A Pending JPH07206598A (ja) | 1994-01-25 | 1994-01-25 | Ｃｄ１−ｘ−ｙＭｎｘＨｇｙＴｅ系単結晶の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07206598A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6241820B1 (en) | 1998-03-31 | 2001-06-05 | Ngk Insulators, Ltd. | Single crystal-manufacturing equipment and a method for manufacturing the same |
-
1994
- 1994-01-25 JP JP2381794A patent/JPH07206598A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6241820B1 (en) | 1998-03-31 | 2001-06-05 | Ngk Insulators, Ltd. | Single crystal-manufacturing equipment and a method for manufacturing the same |
| EP0947610A3 (en) * | 1998-03-31 | 2002-01-23 | Ngk Insulators, Ltd. | A single crystal-manufacturing equipment and a method for manufacturing the same |
| US6368407B2 (en) | 1998-03-31 | 2002-04-09 | Ngk Insulators, Ltd. | Single crystal-manufacturing equipment and a method for manufacturing the same |
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