JPH03280567A - 赤外線センサ - Google Patents

赤外線センサ

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は赤外線センサに関し、特に例えばテレビジョン
受像機やテープレコーダ（ＶＴＲ）等で使用される赤外
線リモートセンサ等に用いて好適なものである。
〔発明の概要〕
本発明は、赤外線センサにおいて、同一基板上にセンサ
部と信号処理回路部を有し、少なくとも上記信号処理回
路部上に該信号処理回路部を被覆する導電体膜を形成し
て構成することにより、信号処理回路部への赤外線の侵
入を阻止して、赤外線の侵入によって発生するノイズを
低減化させるようにしたものである。
〔従来の技術〕
−１に、テレビジョン受像機やＶＴＲ等では、遠隔制御
するために、リモートコマンダに対して受光手段として
の赤外線リモートセンサが取付けられている。この赤外
線リモートセンサとしては、従来からＰＩＮダイオード
を用いたフォトディテクタが使用されている。そして、
このＰＩＮダイオードを用いたフォトディテクタからな
るセンサ部と、信号を増幅する回路及び周波数の帯域を
制御する回路等からなる信号処理回路部を金属製の箱に
収容して構成されている。しかしながらこの赤外線リモ
ートセンサにおいては、部品点数が１０点前後にもなり
、しかも組立てが必要であることから、赤外線リモート
センサの高生産性並びに低コスト化を実現することは困
難である。
そこで、従来では第４図に示すように、例えばフォトデ
ィテクタ（２１）を例えばＰ型シリコン基板（２２）上
のＮ型のエピタキシャル層上にＰ型の拡散領域を形成す
ることによって、ＰＮ接合面を複数個形成してモノリシ
ック化させ、更に信号処理回路部（２３）と共に１チツ
プ化させた赤外線リモートセンサ（Ｂ）が捉案されてい
る。このセンサ（Ｂ）によれば、赤外線リモートセンサ
（Ｂ）の高生産性及び低コスト化を図ることができる。
尚、（２４）はポンディングパッドである。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、上記捉案例に係るモノリシックタイプの
赤外線リモートセンサ（Ｂ）においては、フォトディテ
クタ（２１）と信号処理回路部（２３）が同一基板（２
２）に形成されるため、フォトディテクタ（２１）のみ
に入射されるべき赤外線が信号処理回路部（２３）にも
入射（侵入）し、この赤外線の侵入によって信号処理回
路部（２３）内において光電流が発生し、ノイズを発生
させるという不都合があった。
本発明は、このような点に鑑み成されたもので、その目
的とするところは、信号処理回路部への赤外線の侵入を
阻止することができ、赤外線の侵入によって生じるノイ
ズを低減化させることができる赤外線センサを提供する
ことにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の赤外線センサ（Ａ）は、同一基板（１）上にセ
ンサ部（２）と信号処理回路部（３）を有し、少なくと
も信号処理回路部（３）上に該信号処理回路部（３）を
被覆する導電体膜（５）を形成して構成する。
〔作用〕
上述の本発明の構成によれば、同一基板（１）上に形成
したセンサ部（２）と信号処理回路部（３）のうち、少
なくとも信号処理回路部（３）上に導電体膜（５）を形
成するようにしたので、この導電体膜（５）が一種の遮
光膜の機能を果たすことになり、赤外線の信号処理回路
部（３）への侵入は阻止される。従って、赤外線の侵入
により生じていたノイズを低減させることができる。
〔実施例〕
以下、第１図〜第３図を参照しながら本発明の詳細な説
明する。
第１図は、本実施例に係る赤外線センサ（Ａ）の構成を
示す平面図である。
この赤外線センサ（Ａ）は、１つのシリコン基板（１）
上にフォトダイオードで構成されるセンサ部、即ちフォ
トディテクタ部（２）を形成すると共に、このフォトデ
ィテクタ部（２）からの微小信号を増幅する回路及び周
波数帯域を制御する回路等で構成される信号処理回路部
（３）を形成し、更に、信号処理回路部（３）上にポン
ディングパッド（４）を除く全面４．：導電体膜（５）
を形成してなる。特に、本例では、へ１層を２層構造と
し、１層目の八！で信号処理回路部（３）内の配線を形
成し、２屡目のＡＩで上記導電体膜（５）を形成して赤
外線の信号処理回路部（３）内への侵入を阻止すると共
に、信号処理回路部（３）の接地用の電極としても兼用
させる。
ところで、１層目のＡＩだけでは、レイアウトの際に配
線が交差する箇所ができる。この場合、第２図りに示す
ように、２層目のＡＩ　（５）の一部を配線に用いる。
即ち、第２図Ａに示すように、１層目の＾！による第１
の配線パターン（６ａ）と第２の配線パターン（６ｂ）
間に、同じく１層目のＡＩによる第３の配線パターン（
６ｃ）が形成されている場合において、第１の配線パタ
ーン（６ａ）と第２の配線パターン（６ｂ）を電気的に
接続する際、まず、第２図Ｂに示すように、これら配線
パターン（６ａ）　、　（６ｂ）及び（６ｃ）を含む全
面に絶縁層（７）を形成すると共に、この絶縁Ｎ（７）
における第１の配線パターン（６ａ）の端子部（８ａ）
と第２の配線パターン（６ｂ）の端子部（８ｂ）に対応
する箇所にコンタクトホール（９ａ）及び（９ｂ）を夫
々形成し、更に、第２図Ｃに示すように、絶縁層（７）
上全面に２層目の八１（５）を形成したのち、バターニ
ングにより、上記２つのコンタクトホール（９ａ）及び
（９ｂ）間を接続する領域（５ａ）を形成して、第２図
Ａで示す第１の配線パターン（６ａ）と第２の配線パタ
ーン（６ｂ）をこの領域（５ａ）で電気的に接続する。
このとき、第２図りに示すように、隙間ａが形成され、
この隙間ａを通して赤外線が侵入するが、隙間ａは非常
に小さく、誤動作を招くほどのノイズは発生しない。特
に、この２層目のＡＺ　（５）で１層目のＡｌによる配
線間を接続する際、フォトディテクタ部（２）からの微
弱信号が流れる初段部分においては、この２層目の＾１
（５）で確実に覆い、増幅後の信号が流れる後段部分に
おいて上記のような隙間ａを形成するようにすれば、赤
外線の隙間ａからの侵入による影響はほとんど無くなる
。
また、第３図に示すように、赤外線センサ（Ａ）の２層
目のＡＩ　（５）を１つのポンディングパッド（４）ま
で延長して形成することにより、２層目のＡＩ　（５）
と上記ポンディングパッド（４）を導通させ、更に、ポ
ンディングパッド（４）とリードフレーム（ｌＯ）を導
線（１１）を介して電気的に接続すれば、２層目の八！
（５）とリードフレーム（１０）とが同電位になって、
電磁シールドの機能を持たせることが可能になる。また
、２層目のＡｌ（５）とリードフレーム（ｌＯ）によっ
て赤外線センサ（Ａ）が挟まれたかたちになるため、外
部の電界によって生じる電気力線はこの赤外線センサ（
Ａ）をほとんど通らなくなり、外部の電界からの影響を
軽減させることができる。
上述の如く、本例によれば、同一基板（１）上にフォト
ディテクタ部（２）と信号処理回路部（３）とを形成す
るようにしたので、部品点数が最小となり、赤外線セン
サ（Ａ）の高生産性並びに低コスト化を図ることができ
る。
また、信号処理回路部（３）上全面に導電体膜、即ち２
層目のＡＩ　（５）を形成したので、赤外線の信号処理
回路部（３）内への侵入が阻止され、赤外線の侵入によ
って発生するノイズを低減化させることができる。
また、２層目の八！（５）を接地用電極として兼用し、
更にその一部を１層目のＡＩのジャンパー線としても利
用するようにしたので、１層目のＡＩによる配線パター
ンの形成の際、新たに接地ラインを形成することなく、
配線パターンをレイアウトでき、しかも、チップ全面を
有効利用できるため、配線パターンのレイアウトが容易
になると共に、レイアウトの自由度が増大化する。
また、２層目のＡＩ　（５）とリードフレーム（１０）
を同電位にし、また構造上も２層目のＡｔ　（５）とリ
ードフレーム（ｌＯ）とで赤外線センサ（Ａ）を挟むか
たちになるため、電磁シールド及び電界シールドの機能
を持たせることができる。従って、例えばテレビジョン
受像機やＶＴＲ等からの外部磁界及び外部電界による影
響（ノイズ発生）を軽減させることができる。
上記実施例は、２層目のＡＩ　（５）を信号処理回路部
（３）上に形成するようにしたが、その他、第３図に示
すように、２層目のＡＩ　（５）をフォトディテクタ部
（２）及び信号処理回路部（３）上のポンディングパッ
ド（４）を除く全面に形成すると共にフォトディテクタ
部（２）上の２層目のＡＩ　（５）を図示する如く、格
子状にバターニングして複数の開口（１２）を設けるよ
うにしてもよい。この場合、フォトディテクタ部（２）
への光透過率を劣化させることなく、２層目のＡＩ　（
５）による電磁シールドが可能となり、テレビジョン受
像機やＶＴＲ等から発生する外部磁界の影響を効率よく
低減化させることができる。
〔発明の効果〕
本発明に係る赤外線センサによれば、信号処理回路部内
への赤外線の侵入を阻止することができ、赤外線の侵入
によって発生するノイズを低減化させることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本実施例に係る赤外線センサの構成を示す平面
図、第２図は２層目のＡｔによる配線パターンの接続例
を示す工程図、第３図は赤外線センサのリードフレーム
へのマウント状態を示す斜視図、第４図は従来例を示す
平面図である。 （Ａ）は赤外線センサ、（１）はシリコン基板、（２）
はフォトディテクタ部、（３）は信号処理回路部、（４
）はポンディングパッド、（５）は導電体膜（２層目の
ＡＺ）　、（１０）はリードフレームである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　同一基板上にセンサ部と信号処理回路部を有し、少な
    くとも上記信号処理回路部上に該信号処理回路部を被覆
    する導電体膜を形成してなる赤外線センサ。
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