JPH03280567A - 赤外線センサ - Google Patents
赤外線センサInfo
- Publication number
- JPH03280567A JPH03280567A JP2081709A JP8170990A JPH03280567A JP H03280567 A JPH03280567 A JP H03280567A JP 2081709 A JP2081709 A JP 2081709A JP 8170990 A JP8170990 A JP 8170990A JP H03280567 A JPH03280567 A JP H03280567A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal processing
- processing circuit
- layer
- sensor
- circuit section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は赤外線センサに関し、特に例えばテレビジョン
受像機やテープレコーダ(VTR)等で使用される赤外
線リモートセンサ等に用いて好適なものである。
受像機やテープレコーダ(VTR)等で使用される赤外
線リモートセンサ等に用いて好適なものである。
本発明は、赤外線センサにおいて、同一基板上にセンサ
部と信号処理回路部を有し、少なくとも上記信号処理回
路部上に該信号処理回路部を被覆する導電体膜を形成し
て構成することにより、信号処理回路部への赤外線の侵
入を阻止して、赤外線の侵入によって発生するノイズを
低減化させるようにしたものである。
部と信号処理回路部を有し、少なくとも上記信号処理回
路部上に該信号処理回路部を被覆する導電体膜を形成し
て構成することにより、信号処理回路部への赤外線の侵
入を阻止して、赤外線の侵入によって発生するノイズを
低減化させるようにしたものである。
−1に、テレビジョン受像機やVTR等では、遠隔制御
するために、リモートコマンダに対して受光手段として
の赤外線リモートセンサが取付けられている。この赤外
線リモートセンサとしては、従来からPINダイオード
を用いたフォトディテクタが使用されている。そして、
このPINダイオードを用いたフォトディテクタからな
るセンサ部と、信号を増幅する回路及び周波数の帯域を
制御する回路等からなる信号処理回路部を金属製の箱に
収容して構成されている。しかしながらこの赤外線リモ
ートセンサにおいては、部品点数が10点前後にもなり
、しかも組立てが必要であることから、赤外線リモート
センサの高生産性並びに低コスト化を実現することは困
難である。
するために、リモートコマンダに対して受光手段として
の赤外線リモートセンサが取付けられている。この赤外
線リモートセンサとしては、従来からPINダイオード
を用いたフォトディテクタが使用されている。そして、
このPINダイオードを用いたフォトディテクタからな
るセンサ部と、信号を増幅する回路及び周波数の帯域を
制御する回路等からなる信号処理回路部を金属製の箱に
収容して構成されている。しかしながらこの赤外線リモ
ートセンサにおいては、部品点数が10点前後にもなり
、しかも組立てが必要であることから、赤外線リモート
センサの高生産性並びに低コスト化を実現することは困
難である。
そこで、従来では第4図に示すように、例えばフォトデ
ィテクタ(21)を例えばP型シリコン基板(22)上
のN型のエピタキシャル層上にP型の拡散領域を形成す
ることによって、PN接合面を複数個形成してモノリシ
ック化させ、更に信号処理回路部(23)と共に1チツ
プ化させた赤外線リモートセンサ(B)が捉案されてい
る。このセンサ(B)によれば、赤外線リモートセンサ
(B)の高生産性及び低コスト化を図ることができる。
ィテクタ(21)を例えばP型シリコン基板(22)上
のN型のエピタキシャル層上にP型の拡散領域を形成す
ることによって、PN接合面を複数個形成してモノリシ
ック化させ、更に信号処理回路部(23)と共に1チツ
プ化させた赤外線リモートセンサ(B)が捉案されてい
る。このセンサ(B)によれば、赤外線リモートセンサ
(B)の高生産性及び低コスト化を図ることができる。
尚、(24)はポンディングパッドである。
しかしながら、上記捉案例に係るモノリシックタイプの
赤外線リモートセンサ(B)においては、フォトディテ
クタ(21)と信号処理回路部(23)が同一基板(2
2)に形成されるため、フォトディテクタ(21)のみ
に入射されるべき赤外線が信号処理回路部(23)にも
入射(侵入)し、この赤外線の侵入によって信号処理回
路部(23)内において光電流が発生し、ノイズを発生
させるという不都合があった。
赤外線リモートセンサ(B)においては、フォトディテ
クタ(21)と信号処理回路部(23)が同一基板(2
2)に形成されるため、フォトディテクタ(21)のみ
に入射されるべき赤外線が信号処理回路部(23)にも
入射(侵入)し、この赤外線の侵入によって信号処理回
路部(23)内において光電流が発生し、ノイズを発生
させるという不都合があった。
本発明は、このような点に鑑み成されたもので、その目
的とするところは、信号処理回路部への赤外線の侵入を
阻止することができ、赤外線の侵入によって生じるノイ
ズを低減化させることができる赤外線センサを提供する
ことにある。
的とするところは、信号処理回路部への赤外線の侵入を
阻止することができ、赤外線の侵入によって生じるノイ
ズを低減化させることができる赤外線センサを提供する
ことにある。
本発明の赤外線センサ(A)は、同一基板(1)上にセ
ンサ部(2)と信号処理回路部(3)を有し、少なくと
も信号処理回路部(3)上に該信号処理回路部(3)を
被覆する導電体膜(5)を形成して構成する。
ンサ部(2)と信号処理回路部(3)を有し、少なくと
も信号処理回路部(3)上に該信号処理回路部(3)を
被覆する導電体膜(5)を形成して構成する。
上述の本発明の構成によれば、同一基板(1)上に形成
したセンサ部(2)と信号処理回路部(3)のうち、少
なくとも信号処理回路部(3)上に導電体膜(5)を形
成するようにしたので、この導電体膜(5)が一種の遮
光膜の機能を果たすことになり、赤外線の信号処理回路
部(3)への侵入は阻止される。従って、赤外線の侵入
により生じていたノイズを低減させることができる。
したセンサ部(2)と信号処理回路部(3)のうち、少
なくとも信号処理回路部(3)上に導電体膜(5)を形
成するようにしたので、この導電体膜(5)が一種の遮
光膜の機能を果たすことになり、赤外線の信号処理回路
部(3)への侵入は阻止される。従って、赤外線の侵入
により生じていたノイズを低減させることができる。
以下、第1図〜第3図を参照しながら本発明の詳細な説
明する。
明する。
第1図は、本実施例に係る赤外線センサ(A)の構成を
示す平面図である。
示す平面図である。
この赤外線センサ(A)は、1つのシリコン基板(1)
上にフォトダイオードで構成されるセンサ部、即ちフォ
トディテクタ部(2)を形成すると共に、このフォトデ
ィテクタ部(2)からの微小信号を増幅する回路及び周
波数帯域を制御する回路等で構成される信号処理回路部
(3)を形成し、更に、信号処理回路部(3)上にポン
ディングパッド(4)を除く全面4.:導電体膜(5)
を形成してなる。特に、本例では、へ1層を2層構造と
し、1層目の八!で信号処理回路部(3)内の配線を形
成し、2屡目のAIで上記導電体膜(5)を形成して赤
外線の信号処理回路部(3)内への侵入を阻止すると共
に、信号処理回路部(3)の接地用の電極としても兼用
させる。
上にフォトダイオードで構成されるセンサ部、即ちフォ
トディテクタ部(2)を形成すると共に、このフォトデ
ィテクタ部(2)からの微小信号を増幅する回路及び周
波数帯域を制御する回路等で構成される信号処理回路部
(3)を形成し、更に、信号処理回路部(3)上にポン
ディングパッド(4)を除く全面4.:導電体膜(5)
を形成してなる。特に、本例では、へ1層を2層構造と
し、1層目の八!で信号処理回路部(3)内の配線を形
成し、2屡目のAIで上記導電体膜(5)を形成して赤
外線の信号処理回路部(3)内への侵入を阻止すると共
に、信号処理回路部(3)の接地用の電極としても兼用
させる。
ところで、1層目のAIだけでは、レイアウトの際に配
線が交差する箇所ができる。この場合、第2図りに示す
ように、2層目のAI (5)の一部を配線に用いる。
線が交差する箇所ができる。この場合、第2図りに示す
ように、2層目のAI (5)の一部を配線に用いる。
即ち、第2図Aに示すように、1層目の^!による第1
の配線パターン(6a)と第2の配線パターン(6b)
間に、同じく1層目のAIによる第3の配線パターン(
6c)が形成されている場合において、第1の配線パタ
ーン(6a)と第2の配線パターン(6b)を電気的に
接続する際、まず、第2図Bに示すように、これら配線
パターン(6a) 、 (6b)及び(6c)を含む全
面に絶縁層(7)を形成すると共に、この絶縁N(7)
における第1の配線パターン(6a)の端子部(8a)
と第2の配線パターン(6b)の端子部(8b)に対応
する箇所にコンタクトホール(9a)及び(9b)を夫
々形成し、更に、第2図Cに示すように、絶縁層(7)
上全面に2層目の八1(5)を形成したのち、バターニ
ングにより、上記2つのコンタクトホール(9a)及び
(9b)間を接続する領域(5a)を形成して、第2図
Aで示す第1の配線パターン(6a)と第2の配線パタ
ーン(6b)をこの領域(5a)で電気的に接続する。
の配線パターン(6a)と第2の配線パターン(6b)
間に、同じく1層目のAIによる第3の配線パターン(
6c)が形成されている場合において、第1の配線パタ
ーン(6a)と第2の配線パターン(6b)を電気的に
接続する際、まず、第2図Bに示すように、これら配線
パターン(6a) 、 (6b)及び(6c)を含む全
面に絶縁層(7)を形成すると共に、この絶縁N(7)
における第1の配線パターン(6a)の端子部(8a)
と第2の配線パターン(6b)の端子部(8b)に対応
する箇所にコンタクトホール(9a)及び(9b)を夫
々形成し、更に、第2図Cに示すように、絶縁層(7)
上全面に2層目の八1(5)を形成したのち、バターニ
ングにより、上記2つのコンタクトホール(9a)及び
(9b)間を接続する領域(5a)を形成して、第2図
Aで示す第1の配線パターン(6a)と第2の配線パタ
ーン(6b)をこの領域(5a)で電気的に接続する。
このとき、第2図りに示すように、隙間aが形成され、
この隙間aを通して赤外線が侵入するが、隙間aは非常
に小さく、誤動作を招くほどのノイズは発生しない。特
に、この2層目のAZ (5)で1層目のAlによる配
線間を接続する際、フォトディテクタ部(2)からの微
弱信号が流れる初段部分においては、この2層目の^1
(5)で確実に覆い、増幅後の信号が流れる後段部分に
おいて上記のような隙間aを形成するようにすれば、赤
外線の隙間aからの侵入による影響はほとんど無くなる
。
この隙間aを通して赤外線が侵入するが、隙間aは非常
に小さく、誤動作を招くほどのノイズは発生しない。特
に、この2層目のAZ (5)で1層目のAlによる配
線間を接続する際、フォトディテクタ部(2)からの微
弱信号が流れる初段部分においては、この2層目の^1
(5)で確実に覆い、増幅後の信号が流れる後段部分に
おいて上記のような隙間aを形成するようにすれば、赤
外線の隙間aからの侵入による影響はほとんど無くなる
。
また、第3図に示すように、赤外線センサ(A)の2層
目のAI (5)を1つのポンディングパッド(4)ま
で延長して形成することにより、2層目のAI (5)
と上記ポンディングパッド(4)を導通させ、更に、ポ
ンディングパッド(4)とリードフレーム(lO)を導
線(11)を介して電気的に接続すれば、2層目の八!
(5)とリードフレーム(10)とが同電位になって、
電磁シールドの機能を持たせることが可能になる。また
、2層目のAl(5)とリードフレーム(lO)によっ
て赤外線センサ(A)が挟まれたかたちになるため、外
部の電界によって生じる電気力線はこの赤外線センサ(
A)をほとんど通らなくなり、外部の電界からの影響を
軽減させることができる。
目のAI (5)を1つのポンディングパッド(4)ま
で延長して形成することにより、2層目のAI (5)
と上記ポンディングパッド(4)を導通させ、更に、ポ
ンディングパッド(4)とリードフレーム(lO)を導
線(11)を介して電気的に接続すれば、2層目の八!
(5)とリードフレーム(10)とが同電位になって、
電磁シールドの機能を持たせることが可能になる。また
、2層目のAl(5)とリードフレーム(lO)によっ
て赤外線センサ(A)が挟まれたかたちになるため、外
部の電界によって生じる電気力線はこの赤外線センサ(
A)をほとんど通らなくなり、外部の電界からの影響を
軽減させることができる。
上述の如く、本例によれば、同一基板(1)上にフォト
ディテクタ部(2)と信号処理回路部(3)とを形成す
るようにしたので、部品点数が最小となり、赤外線セン
サ(A)の高生産性並びに低コスト化を図ることができ
る。
ディテクタ部(2)と信号処理回路部(3)とを形成す
るようにしたので、部品点数が最小となり、赤外線セン
サ(A)の高生産性並びに低コスト化を図ることができ
る。
また、信号処理回路部(3)上全面に導電体膜、即ち2
層目のAI (5)を形成したので、赤外線の信号処理
回路部(3)内への侵入が阻止され、赤外線の侵入によ
って発生するノイズを低減化させることができる。
層目のAI (5)を形成したので、赤外線の信号処理
回路部(3)内への侵入が阻止され、赤外線の侵入によ
って発生するノイズを低減化させることができる。
また、2層目の八!(5)を接地用電極として兼用し、
更にその一部を1層目のAIのジャンパー線としても利
用するようにしたので、1層目のAIによる配線パター
ンの形成の際、新たに接地ラインを形成することなく、
配線パターンをレイアウトでき、しかも、チップ全面を
有効利用できるため、配線パターンのレイアウトが容易
になると共に、レイアウトの自由度が増大化する。
更にその一部を1層目のAIのジャンパー線としても利
用するようにしたので、1層目のAIによる配線パター
ンの形成の際、新たに接地ラインを形成することなく、
配線パターンをレイアウトでき、しかも、チップ全面を
有効利用できるため、配線パターンのレイアウトが容易
になると共に、レイアウトの自由度が増大化する。
また、2層目のAI (5)とリードフレーム(10)
を同電位にし、また構造上も2層目のAt (5)とリ
ードフレーム(lO)とで赤外線センサ(A)を挟むか
たちになるため、電磁シールド及び電界シールドの機能
を持たせることができる。従って、例えばテレビジョン
受像機やVTR等からの外部磁界及び外部電界による影
響(ノイズ発生)を軽減させることができる。
を同電位にし、また構造上も2層目のAt (5)とリ
ードフレーム(lO)とで赤外線センサ(A)を挟むか
たちになるため、電磁シールド及び電界シールドの機能
を持たせることができる。従って、例えばテレビジョン
受像機やVTR等からの外部磁界及び外部電界による影
響(ノイズ発生)を軽減させることができる。
上記実施例は、2層目のAI (5)を信号処理回路部
(3)上に形成するようにしたが、その他、第3図に示
すように、2層目のAI (5)をフォトディテクタ部
(2)及び信号処理回路部(3)上のポンディングパッ
ド(4)を除く全面に形成すると共にフォトディテクタ
部(2)上の2層目のAI (5)を図示する如く、格
子状にバターニングして複数の開口(12)を設けるよ
うにしてもよい。この場合、フォトディテクタ部(2)
への光透過率を劣化させることなく、2層目のAI (
5)による電磁シールドが可能となり、テレビジョン受
像機やVTR等から発生する外部磁界の影響を効率よく
低減化させることができる。
(3)上に形成するようにしたが、その他、第3図に示
すように、2層目のAI (5)をフォトディテクタ部
(2)及び信号処理回路部(3)上のポンディングパッ
ド(4)を除く全面に形成すると共にフォトディテクタ
部(2)上の2層目のAI (5)を図示する如く、格
子状にバターニングして複数の開口(12)を設けるよ
うにしてもよい。この場合、フォトディテクタ部(2)
への光透過率を劣化させることなく、2層目のAI (
5)による電磁シールドが可能となり、テレビジョン受
像機やVTR等から発生する外部磁界の影響を効率よく
低減化させることができる。
本発明に係る赤外線センサによれば、信号処理回路部内
への赤外線の侵入を阻止することができ、赤外線の侵入
によって発生するノイズを低減化させることができる。
への赤外線の侵入を阻止することができ、赤外線の侵入
によって発生するノイズを低減化させることができる。
第1図は本実施例に係る赤外線センサの構成を示す平面
図、第2図は2層目のAtによる配線パターンの接続例
を示す工程図、第3図は赤外線センサのリードフレーム
へのマウント状態を示す斜視図、第4図は従来例を示す
平面図である。 (A)は赤外線センサ、(1)はシリコン基板、(2)
はフォトディテクタ部、(3)は信号処理回路部、(4
)はポンディングパッド、(5)は導電体膜(2層目の
AZ) 、(10)はリードフレームである。
図、第2図は2層目のAtによる配線パターンの接続例
を示す工程図、第3図は赤外線センサのリードフレーム
へのマウント状態を示す斜視図、第4図は従来例を示す
平面図である。 (A)は赤外線センサ、(1)はシリコン基板、(2)
はフォトディテクタ部、(3)は信号処理回路部、(4
)はポンディングパッド、(5)は導電体膜(2層目の
AZ) 、(10)はリードフレームである。
Claims (1)
- 同一基板上にセンサ部と信号処理回路部を有し、少な
くとも上記信号処理回路部上に該信号処理回路部を被覆
する導電体膜を形成してなる赤外線センサ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2081709A JP3038772B2 (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 赤外線センサ |
DE69123276T DE69123276T2 (de) | 1990-03-29 | 1991-03-27 | Infrarotsensor |
EP91104917A EP0450496B1 (en) | 1990-03-29 | 1991-03-27 | Infrared sensor |
US07/676,545 US5243192A (en) | 1990-03-29 | 1991-03-28 | Infrared sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2081709A JP3038772B2 (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 赤外線センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03280567A true JPH03280567A (ja) | 1991-12-11 |
JP3038772B2 JP3038772B2 (ja) | 2000-05-08 |
Family
ID=13753918
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2081709A Expired - Fee Related JP3038772B2 (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 赤外線センサ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5243192A (ja) |
EP (1) | EP0450496B1 (ja) |
JP (1) | JP3038772B2 (ja) |
DE (1) | DE69123276T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997023909A1 (fr) * | 1995-12-22 | 1997-07-03 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Circuit integre incorporant une photodiode |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE470116B (sv) * | 1992-04-03 | 1993-11-08 | Asea Brown Boveri | Detektorkrets med en som detektor arbetande halvledardiod och en med dioden integrerad förstärkarkrets |
JPH06163868A (ja) * | 1992-09-28 | 1994-06-10 | Sanyo Electric Co Ltd | ホトダイオード内蔵半導体装置 |
JP2925943B2 (ja) * | 1994-08-31 | 1999-07-28 | 三洋電機株式会社 | ホトダイオード内蔵半導体装置 |
US7224910B2 (en) * | 2002-10-25 | 2007-05-29 | Gennum Corporation | Direct attach optical receiver module and method of testing |
CN100377360C (zh) * | 2004-04-14 | 2008-03-26 | 亚泰影像科技股份有限公司 | 影像感测器 |
DE102007051752B4 (de) | 2007-10-30 | 2010-01-28 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Licht blockierende Schichtenfolge und Verfahren zu deren Herstellung |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2097581A (en) * | 1981-04-24 | 1982-11-03 | Hitachi Ltd | Shielding semiconductor integrated circuit devices from light |
JPH0828496B2 (ja) * | 1987-03-31 | 1996-03-21 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
EP0364163A3 (en) * | 1988-10-14 | 1991-11-21 | AT&T Corp. | Electro-optic device including opaque protective regions |
-
1990
- 1990-03-29 JP JP2081709A patent/JP3038772B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-03-27 DE DE69123276T patent/DE69123276T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-03-27 EP EP91104917A patent/EP0450496B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-03-28 US US07/676,545 patent/US5243192A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997023909A1 (fr) * | 1995-12-22 | 1997-07-03 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Circuit integre incorporant une photodiode |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69123276T2 (de) | 1997-06-12 |
EP0450496A1 (en) | 1991-10-09 |
US5243192A (en) | 1993-09-07 |
JP3038772B2 (ja) | 2000-05-08 |
EP0450496B1 (en) | 1996-11-27 |
DE69123276D1 (de) | 1997-01-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6184521B1 (en) | Photodiode detector with integrated noise shielding | |
JP3038772B2 (ja) | 赤外線センサ | |
US6566728B1 (en) | Semiconductor device | |
JP2926818B2 (ja) | 光センサ | |
JP2998646B2 (ja) | 受光演算素子 | |
US6417560B1 (en) | Semiconductor device | |
JP3342291B2 (ja) | ホトダイオード内蔵集積回路 | |
JP5044319B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP3024188B2 (ja) | 受光装置 | |
JPH10270742A (ja) | フォトダイオード | |
JPH0369173A (ja) | ホトカプラ | |
JPH1168029A (ja) | 半導体装置 | |
JPH1187607A (ja) | 光モジュール | |
JP2000200892A (ja) | ホトダイオード内蔵半導体装置 | |
JP3696177B2 (ja) | 光リモコン用受光モジュール | |
JP3986267B2 (ja) | 受光素子および受光装置 | |
JP3177287B2 (ja) | 受光モジュ−ル | |
JP3696094B2 (ja) | 受光モジュ−ル | |
JPH09181290A (ja) | 受光素子内蔵半導体装置 | |
JP3516342B2 (ja) | 光リモコン用受光モジュ−ル | |
JPH03229467A (ja) | 光半導体装置 | |
JP3696178B2 (ja) | 光リモコン用受光モジュール | |
JPH07169990A (ja) | 光受信装置 | |
JP3384690B2 (ja) | 光半導体集積回路 | |
JPH05283721A (ja) | 半導体受光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080303 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090303 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100303 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |