JPH03279350A

JPH03279350A - ナフタレン骨格を有するジアミン誘導体

Info

Publication number: JPH03279350A
Application number: JP7663390A
Authority: JP
Inventors: Yasuji Yamada; 保治山田; Mutsumi Yoshida; 睦吉田
Original assignee: Nippon Steel Chemical Co Ltd
Current assignee: Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd
Priority date: 1990-03-28
Filing date: 1990-03-28
Publication date: 1991-12-10

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、耐熱性高分子化合物の原料として有用なナフ
タレン骨格を有する新規なジアミン誘導体に関する。

〔従来の技術〕

芳香族ジアミン化合物は、ポリアミドやポリイミド等の
耐熱性樹脂の原料として広く利用されている。

従来より、フェニレン、ビフェニレン骨格等の芳香族基
を有する非常に多くのジアミン化合物が紹介され市販さ
れているが、ナフタレン骨格を有するジアミン化合物は
ほとんど知られていなかった。

近年、エンジニアリングプラスチックが注目され始め、
特に高耐熱性樹脂としてポリアミド、ポリイミド樹脂が
注目されている。そして、より耐熱性に優れた樹脂が要
求されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

そこで、本発明者らは、より耐熱性に優れた樹脂の原料
として有用な新規なジアミン化合物を得るべく鋭意研究
を行った結果、構造中にナフタレン骨格を導入すること
により耐熱性樹脂原料として有用なジアミン誘導体が得
られることを見出し、本発明を完成した。

従って、本発明の目的は、新規な構造を有するジアミン
誘導体を提供することであり、また、耐熱性に優れたポ
リアミド、ポリイミド樹脂の原料等として有用な新規な
ジアミン誘導体を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

すなわち、本発明は、下記一般式（１）（但し、式中Ｘ
は一〇−又は−ＮＨ−を示し、Ａｒは２価の芳香族基を
示す）で表されるナフタレン骨格を有するジアミン誘導
体である。

この一般式（１）で表されるジアミン誘導体は、例えば
以下の様な方法で合成することができる。

すなわち、先ず、下記一般式（３）（但し、式中Ｙは塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を
示す）で表されるナフタレンジカルボン酸ハロゲン化物
と下記一般式（４）％式％（４）（但し、式中Ｚは水酸基又はアミノ基を示し、Ａｒは２
価の芳香族基を示す）で表されるニトロ化合物とを塩基
の存在下に反応せしめることにより、下記一般式（５）（但し、式中Ｘは一〇−又は−ＮＨ−を示し、Ａｒは２
価の芳香族基を示す）で表されるニトロ化合物を製造す
る。

次に、この一般式（５）で表されるニトロ化合物を金属
触媒を用いて接触還元し、上記一般式（１）で表される
本発明のジアミン化合物を得る。

上記一般式（１）において、Ａｒで示される２価の芳香
族基としては、例えば、等が挙げられる。

また、本発明のジアミン誘導体は、他の方法によっても
比較的容易に製造することができる。例えば、（ａ）ハ
ロゲン化物のアミノ化、（ｂ）アルデヒドの還元アミノ
化、（Ｃ）アミドのホフマン（Ｈｏｆｍａｎｎ）分解、
（ｄ）アゾ、アジド化合物の還元、あるいは（ｅ）ヒド
ラジンの還元等の方法を挙げることができる。

本発明のジアミン誘導体のうち、下記一般式（２）（但
し、式中Ｘは一〇−又は−ＮＨ−を示し、Ａｒは２価の
芳香族基を示す）で表されるジアミン誘導体は、原料と
なる２、６−ジカルボキシナフタレンが安価であり、他
の誘導体に比べて直線性に優れているため、高耐熱性ポ
リマー原料として特に好ましい。

前記したような製造方法によって得られる本発明のジア
ミン誘導体の具体例としては、等が挙げられる。

本発明のジアミン誘導体は、耐熱性ポ１ツマー製造用の
モノマーとして用いることができ、ジカルボン酸あるい
はテトラカルボン酸と反応させることにより耐熱性に優
れたポリアミド、ポ１ノイミドを製造することができる
。

〔実施例〕

以下、実施例に基づいて、本発明を更に詳しく説明する
。

実施例１２．６−ナフタレンジカルボン酸５０　ｇ　（０，２３
ｍｏりに塩化チオニル６４　ｇ　（０，６９ｍｏｌ）を
加え、１００℃の油浴上で５時間反応した。反応が進む
に連れて系は均一となった。反応終了後、過剰の塩化チ
オニルを減圧で留去し、残渣にｎ−ヘキサンを５０〇−
加え、析出した結晶をろ別した。得られた粗結晶はジク
ロロエタンより再結晶を行い、２，６−ナフタレンジカ
ルボン酸ジクロライド５２．４ｇ（収率９０％）を得た
。

別にｐ−ニトロフェノール４０．　１　ｇ（０，２９ｍ
ｏｌ）をジクロロエタン５００−に溶解し、トリエチル
アミン２９　、　３　ｇ　（０，２９ｍｏｌ）を加え、
さらに先に合成した２、６−ナフタレンジカルボン酸ジ
クロライド３０　ｇ　（０，１２ｍｏｌ）を加えて室温
で２時間攪拌した。

攪拌終了後、沈澱物をろ別し、得られた沈澱物を４Ｘ−
炭酸水素ナトリウム水溶液と蒸留水で十分に洗浄した後
乾燥し、２，６−ナフタレンジカルボン酸ｐ−ニトロフ
ェニルエステル５２．　３　ｇ　（収率９５％）を得た
。

次に、上記２，６−ナフタレンジカルボン酸ｐ−ニトロ
フェニルエステル１０　、　０　ｇ　（０，０２２ｍａ
ｔ）とパラジウムカーボン１．０ｇをＮ、Ｎ−ジメチル
アセトアミド１００−に懸濁させ、５時間水素ガスを通
気させながら１００℃の油浴上で攪拌した。

反応終了後、パラジウムカーボン及び未反応物を除去し
たのち、溶媒を留去した。残渣にトルエン１５０−を加
え、析出した結晶をろ別し、４−アミノフェニル−２，
６−ナフタレンジカルボン酸エステル７．０１ｇ（収率
８０％）を得た。得られた生成物の分析結果は次の通り
であった。

融点＝２５０°Ｃ（、ｄｅｃ、　）ＦＤ−ＭＡＳＳスペクトル：Ｍ／ｅ３９８（分子量３９
８．４２）元素分析：　Ｃ２４Ｈ１＠Ｎ２Ｏ４計算値（Ｘ）　Ｃニア２．４；　Ｈ：４，６；　Ｎニア
、０実測値（Ｘ）　Ｃニア２．２．　Ｈ：４，７；　Ｎ
ニア、ＯＮＭＲスペクトル：第１図の通りＩＲスペクトル・第２図の通り実施例２実施例１と同様にして２，６−ナフタレンジカルボン酸
ジクロライドを得た。

別にｐ−ニトロアニリン４０．　１　ｇ（０，２９ｍｏ
ｌ）をジクロロエタン５００７ｎｌに溶解し、トリエチ
ルアミン２９　、　３　ｇ　（０，２９ｍｏｌ）を加え
、さらに２，６−ナフタレンジカルボン酸クロライド３
０　ｇ　（０，１２ｍ。

ｌ）を加え、２時間攪拌した。

生じた沈澱物をろ別し、得られた沈澱物を０．２Ｘ塩酸
及び蒸留水で洗浄した後乾燥し、２，６−ナフタレンジ
カルボン酸ｐ−ニトロアニリド５３．１ｇ（収率９７％
）を得た。

次に、実施例１と同様の操作により接触還元を行って２
，６−ビス（４−アミノフェニル）ナフタレンジアミド
７．０１ｇ（収率８０％）を得た。得られた生成物の分
析結果は次の通りであった。

融点＝２５０°Ｃ（ｄｅｃ、　）ＦＤ−ＭＡＳＳスペクトル：Ｍ／ｅ３９６（分子量３９
６．４３）元素分析：　Ｃ１ＪｚｏＮｉＯ□ 計算値（Ｘ）　Ｃニア２．７；　Ｈ：５．１；　Ｎ：１
４．１実測値（Ｘ）　Ｃニア２．５；　Ｈ：５．２；　
Ｎ：１３．９ＮＭＲスペクトル：第３図の通りＩＲスペクトル：第４図の通り〔発明の効果〕本発明のジアミン誘導体は、ナフタレン骨格を有する新
規な構造を有し、各種の高耐熱性エンジニアリングプラ
スチックの製造原料として有用な化合物である。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は実施例１で得られたジアミン誘導体
のＮＭＲスペクトル及びＩＲスペクトルであり、第３図
及び第４図は実施例２で得られたジアミン誘導体のＮＭ
Ｒスペクトル及びＩＲスペクトルである。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）下記一般式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼（１）（但し、式中Ｘは−Ｏ−又は−ＮＨ−を示し、Ａｒは２
価の芳香族基を示す）で表されるナフタレン骨格を有す
るジアミン誘導体。
（２）下記一般式（２） ▲数式、化学式、表等があります▼（２）（但し、式中Ｘは−Ｏ−又は−ＮＨ−を示し、Ａｒは２
価の芳香族基を示す）で表される請求項１記載のナフタ
レン骨格を有するジアミン誘導体。