JPH0327564A - 集積回路リードアセンブリ構造 - Google Patents

集積回路リードアセンブリ構造

Info

Publication number
JPH0327564A
JPH0327564A JP2132412A JP13241290A JPH0327564A JP H0327564 A JPH0327564 A JP H0327564A JP 2132412 A JP2132412 A JP 2132412A JP 13241290 A JP13241290 A JP 13241290A JP H0327564 A JPH0327564 A JP H0327564A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
leads
lead
board
pattern
adjacent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2132412A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2889954B2 (ja
Inventor
Mu Albert Tsung-Chen
アルバート・ツァン・チェン・ムー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advanced Micro Devices Inc
Original Assignee
Advanced Micro Devices Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Micro Devices Inc filed Critical Advanced Micro Devices Inc
Publication of JPH0327564A publication Critical patent/JPH0327564A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2889954B2 publication Critical patent/JP2889954B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64Impedance arrangements
    • H01L23/642Capacitive arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49822Multilayer substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3011Impedance

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Multi-Conductor Connections (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野 この発明は、集積回路構造のための、改良されたパッケ
ージングに関するものである。より特定的には、この発
明は、漏話および結合を減じ、かつ付加の改良を提供す
るための、集積回路構造のための改良されたリードアセ
ンブリに、関するものである。
関連技術の説明 伝統的なリードフレームパターンを有する、集積回路構
造の従来のパッケージングにおいては、ダイは、ダイの
4つの側部の周囲に配置される一連のボンディングパッ
ドから扇形に拡げる、複数個の金属リードを有する、金
属リードフレームの中心パドルに装着されることができ
る。これらのリードのそれぞれの幅は、ダイに隣接した
それらの内部の端部から、リードの外部の端部までの、
それらの長さに沿って、変えることができる。これらの
リードのそれぞれの長さもまた、大きな差14 異を示すであろう。
さらに、パッケージの外側周囲までずっと延在する、リ
ードの間の一般的に平行な間隔、および長い結合長さは
、隣接したリード上の信号を結合する結果をもたらすこ
とがあり得る。これらのリードの間の幅を変えることは
、信号反射の結果をもたらすことがあり得る特性インピ
ーダンスレベルが、制御されておらず、かつ整合されて
いないことを意味する。リードの長さを変化させること
は、信号伝搬遅延における差異の結果をもたらすかもし
れない。
この発明の譲受人に譲渡された、ヘイワード(Hayw
ard)氏らの、米国特許第4,801,999号にお
いて、リードおよびバスが誘電体層の両側部上に配置さ
れる、リードアセンブリが示される。しかしながら、リ
ードはなおダイの周囲に、隣接したリードに一般的に平
行な形状で、配置される。
したがって、隣接した信号ラインの間の結合および漏話
を制御することができ、信号反射を最小15 にすることができ、信号伝搬遅延を等しくできる、集積
回路リードアセンブリ構造を提供することが、望ましい
発明の概要 したがって、この発明の目的は、隣接した信号リードの
間の結合および漏話が、リードの長さに沿ったある点に
おいて隣接した信号リードを交差させることにより、最
小にされる、または解消される、改良された集積回路リ
ードアセンブリを提供することであり、その集積回路リ
ードアセンブリ構造は、PC基板を含み、基板の1つの
表面に隣接した第1のリードフレームパターンおよびP
C基板の反対の表面に隣接した第2のリードパターンを
有し、基板の1つの表面に隣接して位置決めされる第1
のリードパターンにおける、リードの少なくとも1部分
は、PC基板の反対側の表面に隣接して位置決めされる
、第2のリードパターンにおける、対応するリードと交
差して走り、リードの間の漏話および結合を減じる。
この発明のなお別の目的は、PC基板を含み、16 間隔をあけられるボンディングパッドは基板の第1の表
面上で、中心のダイを装着する部分の周囲に装着され、
一般的に交互のボンディングパッドは一般的にPC基板
の反対の表面に隣接して位置決めされるリードパターン
におけるリードと、バイアまたはメッキ貫通孔を介して
電気的に通じ、大部分の残余のボンディングパッドはP
C基板の第1の表面に隣接して配置されるリードパター
ンのリードと電気的に通じ、そのため隣接したボンディ
ングパッドはPC基板の反対の表面上のリードと通じる
、改良された集積回路リードアセンブリを、提供するこ
とである。
この発明のさらに他の目的は、一般的に長四角形のPC
基板を含み、間隔をあけられるボンディングパッドは長
四角形のアレイにおいて基板の第1の表面上に、中央の
ダイを装着する部分の周囲に中央に装着され、一般的に
交互のボンディングパッドは一般的にPC基板の反対の
表面に隣接して位置決めされるリードパターンにおける
リードと、バイアまたはメッキ貫通孔を介して、電気的
17 に通じ、PC基板の反対側の表面上のリードパターンは
長四角形のボンディングパッドアレイの2つの両側部か
ら長四角形のPC基板の2つの両側部の外部の端縁へ平
行に延在する一般的にまっすぐなリードを含み、長四角
形のボンディングパッドアレイの他の両側部からのリー
ドはボンディングパッドから平行に延在し次いで階段態
様において直角をなして旋回し互いに平行にかつボンデ
ィングパッドアレイの第1の2つの両側部から延在する
リードに平行に延在し、そのためPC基板の反対側の上
のリードパターンにおける全てのリードはPC基板の2
つの両端部端縁上で終端となりかつ同様のリードフレー
ムパターンがPC基板の第1の表面に隣接して配置され
、2つのリードパターンは互いに90度回転されPC基
板の第1の表面に隣接して配置されるリードパターンの
全てのリードはそこにおいてPC基板の反対の表面に隣
接して配置されるリードパターンのリードが終端となる
2つの両外部の端縁に隣接したPC基板の2つの両外部
の端縁上で終端となり、1つの918 ードパターンにおけるリードは隣接したボンディングパ
ッドに電気的に接続される他のパターン上のリードと平
行ではない、改良された集積回路リードアセンブリ構造
を提供することである。
この発明のさらに他の目的は、PC基板を含み、基板の
第1の表面に隣接した第1のリードフレームパターンを
有し、間隔をあけられるボンディングパッドは長四角形
のアレイにおいて、基板の表面上に中心のダイを装着す
る部分の周囲に中央に装着され、一般的に交互のボンデ
ィングパッドは第1のリードフレーム構造上のリードに
電気的に接続され、かつ交互のボンディングパッドの間
のボンディングパッドはPC基板の反対の表面に一般的
に隣接して位置決めされる第2のリードパターンにおけ
るリードとバイアまたはメッキ貫通孔を介して電気的に
通じ、第1のリードフレーム構造におけるリードの部分
は第2のリードフレーム構造における対応するリードと
交差して走りかつ信号伝搬の遅延を等化するために一様
でないリードの長さを電気的に補償するための容量性負
荷回19 路網を堤供するための手段もまた、少なくともリードの
1部分に設けられる、改良された集積回路リードアセン
ブリ構造を提供することである。
この発明のなおさらに他の目的は、平行な平面において
存在する表面をHする、複数個のPC基板の積層物を含
む、改良された集積口路リードアセンブリ構造を提供す
ることであり、その構遣は積層物の分離した表面に隣接
してそれぞれに位置決めされる1つまたはより多くの電
力および接地電極を含み、第1のリードパターンは積層
物におけるPC基板の1つの別の表面に一般的に隣接し
て位置決めされ第2のリードパターンは積層物における
PC基板の1つのなお別の表面に一般的に隣接して位置
決めされ、第1のリードパターンにおけるリードの上部
分は、第2のリードパターンにおける対応するリードと
交差して走り、間隔をあけられるボンディングパッドは
長四角形のアレイにおいて積層物の外部の表面に隣接し
た中央のダイを装着する部分の周囲に中央に装着され、
般的に交互のボンディングパッドは外部の表面か20 らそれぞれのリードが第1および第2のリードパターン
において存在する積層物における表面に通じるバイアま
たはメッキ貫通孔を介して第1および第2のリードパタ
ーンにおけるリードにそれぞれに電気的に接続され、1
つまたはより多くのボンディングパッドは電力電極およ
び/または接地電極と電気的に接続される。
この発明のさらに他の目的は、平行な平面において存在
する表面を有する複数個のPC基板の積層物を含む、改
良された集積回路リードアセンブリ構造を提供すること
であり、その構造は、積層物の分離した表面に隣接して
それぞれに位置決めされる1つまたはより多くの電力お
よび接地電極を含み、第1のリードパターンは積層物に
おけるPC基板の1つの表面に、一般的に隣接して位置
決めされ、第2のリードパターンは積層物におけるPC
基板の1つのなお別の表面に一般的に隣接して位置決め
され、第1のリードパターンにおけるリードの1部分は
第2のリードパターンにおける対応するリードに交差し
て走り、かつ間隔をあ21 けられたボンディングパッドは長四角形のアレイにおい
て積層物の外部表面に隣接した中央のダイを装着する部
分の周囲に中央に装着され、一般的に交互のボンディン
グパッドは外部の表面から第1および第2のリードパタ
ーンにおけるそれぞれのリードが存在する積層物におけ
る表面に通じるバイアまたはメッキ貫通孔を介して第1
および第2のリードパターン上のリードにそれぞれに電
気的に接続され、1つまたはより多くのボンディングパ
ッドはバイアを介して電力電極および/または接地電極
と電気的に接続され、減結合するキャパシタ手段は積層
物の1つの外部の表面に装着され、電力および接地電極
の間に電気的に接続されて、電力供給電圧過渡現象を減
じる。
この発明の、これらおよびその他の目的は、以下の記述
および添付の図表から、明らかになるであろう。
発明の詳細な説明 この発明は、その最も簡単な実施例において、PC基板
を含み、基板の一方の表面に隣接した第22 ■のリードパターンおよびPC基板の反対の表面に隣接
した第2のリードパターンを有し、PC基板の一方の表
面に隣接して位置決めされるリードの少なくとも1部分
はPC基板の反対の表面に隣接して位置決めされる対応
するリードと交差して走る改良された集積回路リードア
センブリ構造を、含む。
第1図を参照すると、この発明のリードアセンブリ構造
は↓個のPC基板10を含み、PC基板↓0の上方の表
面上に形或される第1のリードパターン40およびPC
基板10の下方の表面上に形成される第2のリードパタ
ーン50を有する、最も簡単な形状において示される。
ただ図示の目的のためだけに、第1図において、PC基
板10は、リードパターン40および50の双方が見え
るように、透明として例示される。
リードパターン40は、全てのリードがPC基板10の
上方の表面の2つの両端円に延びるような形状にされ、
一方、リードパターン50は、リードの全てかPC基板
10の他の2つの端縁に延23 びるような形状にされる。そうすることにおいて、リー
ドパターン40におけるリードの全ては(第1図におい
て、各反対側部上に示される中央のリードを除いては)
、リードパターン50における、1つまたはより多くの
リードと、90度の角度で交差し、同様に、リードパタ
ーン50におけるリードの全ては(第1図における、各
反対の側部上に示される、中央のリードを除いては)、
リードパターン40における、少なくとも工つのリード
と交差する。2つのリードパターンのリードの間の、こ
の90度の交差は、第4図および第5図に関して以下に
論じられるように、隣接したリードの間の結合を減じる
ことが見られるであろう。
PC基板10、または以下に論じられる他のPC基板は
どれでも、ポリイミドまたは任意の他の均等なプラスチ
ック材料のような絶縁プラスチック材料で構或されても
よく、またはそれらは、セラミック材料を含んでもよい
。PC基板上にリードパターンを形成するために使用さ
れる金属は、アセンブリにおいて、またはカプセル化材
料にお24 いて使用される、他の材料と両立できる、いかなる導電
性金属を含んでもよい。アルミまたは銅が、その導電性
の故にリードパターン材料として、従来は使用されるが
、もし金または銀もしくは他の貴金属のような材料の使
用の付加の費用が正当化されるなら、金または銀もしく
は他の貴金属もまた、使用されてもよい。
さて、第2図および第3図を参照すると、この発明の他
の実施例が示され、その実施例では、上部PC基板12
の上部表面上に形成される、固体の電力電極60、たと
えば、■CCまたはVdd電カバスと、第2のPC基板
14の上部表面上かまたはPC基板12の下方表面上か
どちらかに形或される、リードパターン40と、第3の
PC基板16の上部表面上かまたはPC基板14の下方
表面上かどちらかに形或される、リードパターン50と
、PC基板16の下方表面上に(第2図において示され
るように)、または第4のPC基板18の上方表面上に
(第3図において示されるように)、形成される、固体
の接地電極、たとえば、25 VeeまたはVss接地バスを有する積層物を形或する
ために使用される、複数個のPC基板がそこにおいて使
用される。電力および接地電極60および70が通常3
つのPC基板のそれぞれの表面上に形成されるが、第4
の基板は、例証となる目的のために、利用されることが
でき、使用されてきた。
なお、第3図を参照すると、ダイ30はPC基板12の
上に中央に装着され、かつ、PC基板12の上方の表面
上に、ダイ30の周囲の辺りに長四角形の態様において
配置される、対応するホンディングパッド24に、リー
ド38により接続される、ダイ30の周囲の辺りに配置
される、多数のボンディングパッド34を有することが
、示される。ボンディングパッド24の1つを、順に電
力電極60に接続する、リード62が示される。
ダイ30の上の幾つものボンディングパッドが、この方
法で、適当なボンディングパッド24を介して、電力バ
ス電極60に接続されもよい。一方、残余のボンディン
グパッド24は、リードパター26 ン40および50におけるリードとそれぞれにだけでな
く、第6図ないし第9図に関していかに論じられるであ
ろう通りに、PC基板において形威されるパイアまたは
メッキ貫通孔を介して、接地リード電極70に通じる。
さて、第4図および第5図に移って、パターン40およ
び50におけるリードの交差が示され、そこにおいて、
リード40aないし40rは、実線として示され、一方
リード50aないし50pは、点線として示される。双
方の図において示されるように、それぞれの隣接したリ
ード40および50、たとえば、リード40fおよび5
0fは、PC基板12上の、交番の隣接したボンディン
グパッド24に、電気的に接続される。そのような隣接
したリードは、次いでそれぞれのボンディングパッド2
4から、一般的に互いに平行に、延在する(しかし、P
C基板14の両表面上で、したがって、PC基板14の
厚さだけ、間隔をあけられる)。しかしながら、次いで
、ラインの1つ、たとえば、リード50fは、直角をな
して向きを27 変え、次いでPC基板14の端縁へ新規の方向に延在し
、その間に、リードパターン40における、他のリード
、たとえば、リード40gないし40kに交差する。
もちろん、それぞれのリードパターン40および50に
おけるリードは、互いに物理的に交差しない、なぜなら
ば、それぞれのリードパターンは、PC基板の厚さだけ
互いから分離されるからである。しかしながら、リード
は隣接したリードの間の電気的な結合の見地から、互い
に交差していて、その電気的結合はそのような電気的交
差以外にももしリードがそれらの全距離の間互いに平行
に延在すれば、たとえPC基板王4により互いから分離
されるとしても生ずる。なぜならば、PC基板14は、
電極の間に誘電体として単純に作用し、すなわち、電極
の間の容量結合において、誘電体として機能するからで
ある。
それぞれのリードにそのような90度の旋回を与えるこ
とにより、リードパターン40におけるリードの全ては
、PC基板14の2つの両端円に28 延在し、またリードパターン50におけるリードの全て
は、第5図において最も良く見られるように、PC基板
14の、他の2つの両端円に延在し、そこにおいてリー
ドパターン40におけるリード40fないし40rの全
ては、(リード40Lないし40rの90度の旋回の後
で)第5図におけるPC基板14の上部端縁に垂直に走
るのが示され、また、リードパターン50における、リ
ード50fないし50pの全ては、(リード50fない
し50jの90度の旋回の後で)PC基板14の側部端
縁に、水平に延在するのが示される。
この発明のリードアセンブリは、PC基板の任意の端縁
に延在する、隣接したリードの間の、負荷的な間隔を与
えることが、さらに注目されるであろう。したがって、
たとえば、リード50cおよび40dが、それらを隣接
したボンディングパッドに接続する、それらのそれぞれ
のバイアまたはメッキ貫通孔から延在するときのリード
50cおよび40dの間の間隔が第4図において距離−
dとして示される。しかしながら、平行に延在する29 リード40cおよび40dの間のピッチは、この距離の
2倍であり、すなわち、2dである。リードパターン4
0におけるリードの間の−または、リードパターン50
における、隣接したリードの間の、この付加的な間隔は
、一さらに、隣接したリードの間の結合および漏話を減
じるために、役立つ。したがって、7ミルの幅を有する
リードが、従来のd=12.5ミルのピッチで使用され
るとき、この発明のリードアセンブリ構造を使用して、
この間隔を有効に2倍にすることは、同一のリードパタ
ーンにおいて、隣接したリードの間に、25ミルの間隔
を与える。
この発明の実施に従って、隣接したリードの間の間隔を
有効に2倍にすることは、さらに、リードのインピーダ
ンス整合への制御因子であるリードの幅を調整する自由
を与えることにもまた、注目すべきである。
第6図ないし第9図において、それぞれのリードおよび
/または電極と電気的なコンタクトをつくるための、1
つまたはより多くのPC基板を介30 して下へ延在するバイアまたはメッキ貫通孔の使用によ
り、ボンディングパッド24からアセンブリの上部表面
上にないリードおよび/または電極へ作られるコンタク
トが、示される。当業者には公知のように、バイアは、
導電性材料、たとえばアルミニウムで満たされた孔また
はボアである。
第6図は、1個のPC基板の使用を例示し、リードパタ
ーン40は、PC基板10の上部表面に配置され、かつ
、リードパターン50は、底部表面上に配置される。P
C基板10を介して延在する、バイアまたはメッキ貫通
孔25は、ボンディングパッド24およびリードパター
ン50におけるリードの間に、電気的なコンタクトを提
供する。
第7図は、2つのPC基板を含む積層物におけるバイア
またはメッキ貫通孔を例示し、電力電極60は、上方P
C基板12の上で、リードパターン40は、上方PC基
板t2および下方PC基板l4の間に配置され(PC基
板12の下側か、PC基板14の上部表面上かどちらか
にリードパターン40を形成して)、かつ、リードパタ
ーン531 0は、PC基板14の下表面にある。バイア25′は、
上方のPC基板12を介して延在し、リードパターン4
0のリードと、コンタクトを作る。
第8図において、上方のPC基板12の上部表面上に電
力電極60を有する、他の2層の積層物が示される。こ
の場合、リードパターン40は、存在するが、示される
断面図において、見えない。
バイアまたはメッキ貫通孔26は、上方のPC基板12
および下方のPC基板14を介して延在し、他のボンデ
ィングパッド24およびリードパターン50のリードの
間にコンタクトを作るのが、示される。
第9図は、PC基板12の上部表面上に電力電極60を
かつPC基板16の底部表面上に接地電極70を有する
、3層の積層物を示す。リードパターン40(この断面
図において見えない)がPC基板12およびPC基板1
4の間に配置され、一方、リードパターン50(また、
この特定の断面図において、見えない)は、PC基板1
4およびPC基板16の間に配置されてもよい。バイア
、32 またはメッキ貫通孔27は、ボンディングパッド24か
ら、下へ、3層または基板の全てを介して延在し、接地
電極70と電気的なコンタクトを作る。
第10図は、この発明の代わりのまたは補足の実施例を
例示し、そこにおいて、それぞれのリードパターンにお
けるリードの一様でない長さにより作り出される電気的
な不均衡は、リード経路の延長部として電気的に作用す
る容量性負荷回路網を形成する小さい側部リード経路を
設けることにより、補償される。そのような延長部は、
リードパターン40かまたは50かまたは好ましくはリ
ードパターンの双方に使用されるであろう。
したがって、第4図および第5図において示されるリー
ド50fに対応するリード50fは、図示における最も
長いリードで、かつ、したがって、いかなるリード経路
延長体を有するものとしても示されていない。リード5
0g′、次のより短いリードには、この実施例において
、経路を、り−ド50fのより長い経路とつりあわせる
ために、33 有効な電気的な長さまたは経路延在する側部部分52a
および52bを含む、1個のリード経路延長体が設けら
れる。同様の態様において、リード50h′には、経路
延長体52aおよび52bと同様に、延長体、54aお
よび54bが設けられ、一方リード501′には、3つ
のリード経路延長体52aおよび52b,54aおよび
54b1ならびに56aおよび56bが設けられる。図
示における最短リード、リード50j′は、リード延長
部、52aおよび52b,54aおよび54b156a
および5 6 b, 5 8 aおよび58bが設けら
れる。
第11図および第12図に移って、なお別の実施例が示
され、そこにおいて、誘電体86により分離される第1
の電極82および第2の電極84を含む、減結合するキ
ャパシタ80は、PC基板積層物19に、直接に装着さ
れてもよく、キャパシタ電極84は、第1図における接
地電極72、または第12図における接地電極74との
交信状態である。キャパシタ80の他の電極82は、P
34 C積層物19を介して通過する、バイアまたはメッキ貫
通孔を介して、第11図における電力ライン62、また
は第12図における電力ライン64と通じる。中間の層
およびその上のリードパターンは、明瞭さおよび簡単さ
のために、第11図および第12図において、示されて
いない。
第11図および第12図の間の基本的な差異は、ダイを
、第11図に示されるように、PC積層物19の上部表
面上に装着するか、または、第12図に示されるように
、底部表面上に装着するか、である。どちらの場合にも
、便宜上、キャパシタ80は、ダイ30の装着から反対
の表面上に、装着される。どちらの場合にも、ブラケッ
トまたはジグ100を保持することにより示されるよう
に、この発明に従って、PC基板積層物の使用は、全体
構造を、たとえばエボキシまたはポリイミド材料のよう
なプラスチック材料においてカプセル化するより前に、
そこへキャパシタ80を装着することを、許容する。
したがって、そのようなPC基板積層物の使用35 は、カプセル化より前に前もってキャパシタを装着する
場所がない、プラスチックでカプセル化された集積回路
構造における、減結合するキャパシタの使用を、許容す
る。しかしながら、この発明の述べられた集積回路リー
ドアセンブリのいずれもが、プラスチックかセラミック
かど゛ちらかのパッケージにより使用されても良いこと
は、注目されるべきである。
こうして、この発明のリードアセンブリ構造は、それぞ
れのリードパターンにおけるリードの、直角交差を有す
る2つのリードパターンのそのような使用により可能に
される、付加のリード間隔によるだけでなく、PC基板
の両側部上の隣接したボンディングパッドからのリード
の配置により、かつ互いに直角をなす、そのような隣接
したリードの交差により、隣接したリードの間の漏話ま
たは結合は最小にされるかまたは解消される、リード配
置を提供する。さらに、各トレースにおけるただ1個の
ベンドだけの使用は、いくつかのトレースにおいて、間
隔を維持するためにときどき生36 ずる多数の従来のベンドに比べて、不連続性および信号
反射を、最小にする。
【図面の簡単な説明】
第1図は、PC基板の両表面上に配置されるリードが見
えるように透明なPC基板により、上部から見られる通
りの、この発明のリードアセンブリ構造を一般的に示す
、上面図である。 第2図は、複数個のPC基板を含み、電力電極は積層物
の上部表面上にあり、第■のリードパターンの部分は積
層物の第2の表面に隣接し、第2のリードパターンの部
分は積層物の第3の表面に隣接し、かつ接地電極は積層
物の底部表面上にある、積層物として示される、リード
アセンブリ構造の、破断の側断面図である。 第3図は、中央のダイを装着する区域およびダイを装着
する区域を囲むボンディングパッドの長四角形のアレイ
と同様に、電力電極が上部表面上にあり、第1のリード
パターンが第2のPC基板の上部表面上に形或され、第
2のリードパターンが第3のPC基板の上部表面上に形
成され、示さ37 れる接地電極は、(ただ図示の目的だけのために)第4
のPC基板の上部表面上に形成され、接地電極は、第4
のPC基板の使用の必要を解消するために、通常は第3
のPC基板の底部表面上に形成されることは理解される
、4層の積層物として、この発明のリードアセンブリ構
造を示す、展開図である。 第4図は、PC基板の上部表面に隣接して装着される第
1のリードパターンを有し、第2のリードパターンはP
C基板の下方に位置され、かつそれぞれのリードパター
ンにおけるリードの間の関係を示すために、点線におい
て輪郭を描かれる、構造の一方の側部を示す、リードア
センブリ構造の表面の一部分の、破断の上面図である。 第5図は、PC基板の上部表面に隣接して装着される第
1のリードパターンを有し、第2のリードパターンは、
PC基板の下方に位置され、それぞれのリードパターン
におけるリードの間の関係、および特定的には、どのよ
うな具合に、1つのパターン上のリードは、第2のパタ
ーンにおけるり38 一ドがその上で終端となる端縁に隣接した、構造の両端
部端縁上で終端となるかを示すために、点線において輪
郭を描かれる、構造の2つの側部の部分を示す、リード
アセンブリ構造の表面の部分の、別の破断の上面図であ
る。 第6図は、ボンディングパッドおよびPC基板の反対の
表面に隣接して配置されて示される第2のリードパター
ンからのリードの間に、電気的な接続を与えるために、
PC基板を介して延在するるバイアを有するボンディン
グパッドと同様に、PC基板の上部表面上の第1のリー
ドパターンのリードを示す、破断の側断面図である。 第7図はボンディングパッドおよび第2のPC基板の上
部表面に隣接して配置されて示される第1のリードパタ
ーンからのリードの間に、電気的接続を与えるために、
第1のPC基板を介して延在するバイアを有する、ボン
ディングパッドと同様に、第1のPC基板の上部表面上
にVcc電極がある、2つのPC基板の積層物を示し、
また、第2のPC基板の底部表面に隣接した、第2のり
39 一ドパターンのリードの部分も示す、破断の側断面図で
ある。 第8図は、ボンディングパッドおよび第2のPC基板の
底部表面に隣接して配置されて示される第2のリードパ
ターンからのリードの間に電気的な接続を与えるために
、PC基板を介して延在する、バイアに電気的に接続さ
れる、別のボンディングパッドを示すために、異なった
点においてとられた、第7図の積層物の、破断の側断面
図である。 第9図は、電力電極はPC基板の最上部の上部表面上に
あり、第1のリードパターンからのリードは、第2のP
C基板の上部表面に隣接して配置され、第2のリードパ
ターンのリードの1部分は、第3のPC基板の上部表面
に隣接して配置され、かつボンディングパッドもまた、
上部PC基板の上部表面上に配置され、かつ、ボンディ
ングパッドおよび第3のPC基板の底部表面上の電力電
極の間に電気的接続を与えるために全てのPC基板を介
して伸びる、バイアまたはメッキ貫通孔に電40 気的に接続される、3つのPC基板の積層物を示す、破
断の側断面図である。 第10図は、1つのリードパターンの幾つもの隣接した
リードが、リードの間のリードの長さにおける差異を電
気的に補償するための、構造上の修正により示される、
この発明の代わりの実施例の、破断の上面図である。 第11図は、ダイかリードアセンブリ構造の上部表面上
に装着され、かつ減結合するキャパシタ手段がリードア
センブリ構造の反対の表面に装着され、電力および接地
電極の間に電気的に接続されて、電力供給電圧過渡現象
を減じる、リードアセンブリ構造が示される、この発明
の他の実施例の、側断面図である。 第12図は、ダイおよび減結合するキャパシタ手段が、
第11図に示される装着からリードアセンブリ構造の両
側部上に装着される、この発明の他の実施例の側部の第
2の図である。 図において、10、l2、14、16、18はPC基板
、19はPC基板積層物、24はボンデ41 ィングパッド、25、25′、26はバイア、30はグ
イ、38はリード、40は第1のリードパターン、40
aないし40rはリード、50は第2のリードパターン
、50aないし50pはリード、60は電力電極、62
および64は電力ライン、70、72、74は接地電極
、80はキャパシタ、82は第1の電極、84は第2の
電極、100はジグである。

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)少なくとも1つの一般的に長四角形のPC基板を
    含み、基板の一方の表面に隣接した第1のリードパター
    ンおよびPC基板の反対の表面に隣接した第2のリード
    パターンを有し、基板の前記一方の表面に隣接して位置
    決めされる前記第1のリードパターンにおける、リード
    の少なくとも1部分は、PC基板の前記反対の表面に隣
    接して位置決めされる、前記第2のリードパターンにお
    ける、対応するリードに、交差して走り、リードの間の
    漏話および結合を減じる、集積回路リードアセンブリ構
    造。
  2. (2)前記PC基板には、さらに、前記基板の前記一方
    の表面上に、中央のダイを装着する部分の周囲に装着さ
    れる、間隔をあけられるボンディングパッドが設けられ
    、一般的に交互のボンディングパッドは、バイアまたは
    メッキ貫通孔を介して、前記PC基板の前記反対の表面
    に一般的に隣接して位置決めされる前記第2のリードパ
    ターンのそれぞれのリードと電気的に通じ、大部分の残
    余のボンディングパッドがPC基板の前記一方の表面に
    隣接して配置される前記第1のリードパターンのリード
    と電気的に通じ、隣接したボンディングパッドは、前記
    PC基板の両表面上のリードと通じる、請求項1に記載
    の、集積回路リードアセンブリ構造。
  3. (3)前記PC基板の前記一方の表面上の前記第1のリ
    ードパターンは、前記長四角形のボンディングパッドア
    レイの2つの両側部から前記長四角形のPC基板の2つ
    の両側部の外部の端縁へ平行に延在する、一般的にまっ
    すぐなリードを含み、前記長四角形のボンディングパッ
    ドアレイの他の2つの側部からのリードは、前記ボンデ
    ィングパッドから平行に延在し、次いで、階段態様で直
    角をなして旋回し、互いに平行に、かつ前記ボンディン
    グパッドアレイの第1の2つの両側部から延在する前記
    リードに平行に延在し、そのため前記PC基板の前記一
    方の表面上の前記第1のリードパターンにおける全ての
    リードは、前記PC基板の2つの両端部端縁上で終端と
    なり、前記第2のリードパターンは前記PC基板の前記
    反対の表面に隣接して同様に配置され、そのため前記2
    つのリードパターンは、互いから90度回転され、その
    ため前記PC基板の前記一方の表面に隣接して配置され
    る前記第1のリードパターンのリードの全ては、前記P
    C基板の前記反対の表面に隣接して配置される前記第2
    のリードパターンのリードが終端となる、前記PC基板
    の2つの両外部の端縁に隣接した、前記PC基板の2つ
    の両外部の端縁上で終端となり、そのため前記第2のパ
    ターンにおけるリードは、それらの長さの少なくとも一
    部分に沿って、隣接したボンディングパッドに電気的に
    接続される前記第1のパターンにおける前記リードに対
    して90度に配置される、請求項2に記載の、集積回路
    リードアセンブリ構造。
  4. (4)一様でないリードの長さを電気的に補償するため
    に、前記リードの少なくとも一部分の上にもまた、手段
    が設けられる、請求項3に記載の、集積回路リードアセ
    ンブリ構造。
  5. (5)一様でないリードの長さを電気的に補償するため
    の前記の手段はさらに信号伝搬の遅延を等化するための
    、容量性負荷回路網を与えるための手段を含む、請求項
    4に記載の、集積回路リードアセンブリ構造。
  6. (6)信号伝搬の遅延を等化するための容量性負荷回路
    網を与えるための手段を含む、一様でないリードの長さ
    を電気的に補償するための前記手段は、さらに、前記リ
    ードのために実質的に等しい電気的な長さを与えるため
    に、前記リードのそれぞれの電気的経路を効果的に延在
    させるための手段を含む、請求項5に記載の集積回路リ
    ードアセンブリ構造。
  7. (7)一様でないリードの長さを電気的に補償するため
    の前記手段は、前記リードの上の、1つまたはより多く
    の側部経路をさらに含む、請求項6に記載の、集積回路
    リードアセンブリ構造。
  8. (8)前記構造はさらに、平行な平面において存在する
    表面を有する、2つかまたはより多くのPC基板の積層
    物を含み、前記構造は、前記積層物の分離した表面に隣
    接してそれぞれに位置決めされる、1つまたはより多く
    の電力および接地電極を含み、前記第1のリードパター
    ンは、前記積層物におけるPC基板の1つの表面に一般
    的に隣接して位置決めされ、前記第2のリードパターン
    は、PC基板の1つの、なお別の表面に一般的に隣接し
    て位置決めされ、前記第1のリードパターンにおけるリ
    ードの部分は、前記第2のリードパターンにおける対応
    するリードと交差して走り、前記間隔をあけられたボン
    ディングパッドは、長四角形のアレイにおいて、前記積
    層物の外部の表面に隣接した中央のダイを装着する部分
    の周囲に、中央に装着され、一般的に交互のボンディン
    グパッドは、外側の表面から前記第1および第2のリー
    ドパターンのそれぞれのリードが存在する積層物におけ
    るそれぞれの表面に通じるバイアまたはメッキ貫通孔を
    介して、前記第1および第2のリードパターンのリード
    にそれぞれに電気的に接続され、一つまたはより多くの
    ボンディングパッドは、前記電力電極および/または前
    記接地電極に、電気的に接続される、請求項3に記載の
    、集積回路リードアセンブリ構造。
  9. (9)集積回路ダイは、その上にボンディングパッドの
    前記長四角形のアレイを有する前記積層物の前記外側表
    面上に中央に装着され、前記ダイの上のボンディングパ
    ッドは、前記積層物の前記外部の表面上のボンディング
    パッドの前記アレイにそれぞれに電気的に接続される、
    請求項8に記載の、集積回路リードアセンブリ構造。
  10. (10)1つまたはより多くの前記ボンディングパッド
    は、1つまたはより多くのバイアを介して前記接地電極
    および/または前記電力電極に電気的に接続され、減結
    合するキャパシタ手段は、前記積層物の1つの外部表面
    に装着され、前記電力および接地電極の間に電気的に接
    続されて、電力供給電圧過渡現象を減じる、請求項8に
    記載の、集積回路リードアセンブリ構造。
  11. (11)第3図において一般的に示される、集積回路リ
    ードアセンブリ構造。
  12. (12) a、平行な平面において存在する表面を有する、複数個
    の長四角形のPC基板の積層物と、 b、前記積層物を含む前記PC基板の分離した表面に隣
    接してそれぞれに位置決めされる、1つまたはより多く
    の電力および接地電極と、 c、前記積層物を含む前記PC基板の1つの別の表面に
    一般的に隣接して位置決めされる、第1のリードパター
    ンと、 d、前記積層物のなお別の表面に一般的に隣接して位置
    決めされ、前記第1のリードパターンにおけるリードの
    部分が前記第2のリードパターンにおける対応するリー
    ドに交差して走り、前記第1および第2のリードパター
    ンの前記リードの間の漏話および結合を減じる、第2の
    リードパターンと、 e、長四角形のアレイにおいて、前記積層物の外側の表
    面に隣接した、中央のダイを装着する部分の周囲に、中
    央に装着される、間隔をあけられる、ボンディングパッ
    ドと、 f、一般的に交互のボンディングパッドを、前記第1お
    よび第2のリードパターンのリードに、それぞれに電気
    的に接続するために、前記ボンディングパッドの少なく
    ともいくつかから1つまたはより多くのPC基板を介し
    て延在するバイアまたはメッキ貫通孔を含む、電気的交
    信手段と、g、1つまたはより多くの前記ボンディング
    パッドを、前記電力電極および/または前記接地電極と
    電気的に接続するための手段とを含む、集積回路リード
    アセンブリ構造。
  13. (13)一様でないリードの長さを電気的に補償するた
    めに、前記リードの少なくとも1部分にもまた、手段が
    設けられる、請求項12に記載の、集積回路リードアセ
    ンブリ構造。
  14. (14)一様でないリードの長さを電気的に補償するた
    めの前記手段は、さらに信号伝搬の遅延を等化させるた
    めの容量性負荷回路網を与えるための手段を含む、請求
    項13に記載の、集積回路リードアセンブリ構造。
  15. (15)信号伝搬の遅延を等化させるための容量性負荷
    回路網を与えるための手段を含む、一様でないリードの
    長さを電気的に補償するための前記手段は、さらに前記
    リードのために実質的に等しい電気的な長さを与えるた
    めに、前記リードのそれぞれの電気的な経路を効果的に
    延在させるための手段を含む、請求項14に記載の、集
    積回路リードアセンブリ構造。
  16. (16)一様でないリードの長さを電気的に補償するた
    めの前記手段は、さらに前記リードの上の1つまたはよ
    り多くの側部経路を含む、請求項15に記載の、集積回
    路リードアセンブリ構造。
  17. (17)減結合するキャパシタ手段は前記積層物の1つ
    の外部の表面に装着され、前記電力および接地電極の間
    に、電気的に接続されて、電力供給電圧過渡現象を減じ
    る、請求項12に記載の、集積回路リードアセンブリ構
    造。
  18. (18)前記PC基板の前記別の表面上の前記第1のリ
    ードパターンは、前記長四角形のボンディングパッドア
    レイの2つの両側部から前記長四角形のPC基板の2つ
    の両側部の外部の端縁へ平行に延在する、一般的にまっ
    すぐなリードを含み、前記長四角形のボンディングパッ
    ドアレイの他の2つの側部からのリードは、前記ボンデ
    ィングパッドから平行に延在し、次いで、階段態様で直
    角をなして旋回し、互いに平行に、かつ前記ボンディン
    グパッドアレイの第1の2つの両側部から延在する前記
    リードに並行に、延在し、そのため前記PC基板の前記
    別の表面上の前記第1のリードパターンにおけるリード
    の全ては、前記PC基板の2つの両端部端縁上で終端と
    なり、前記第2のリードパターンは前記PC基板の前記
    なお別の表面に隣接して同様に配置され、前記2つのリ
    ードパターンは互いから90度回転され、前記PC基板
    の前記別の表面に隣接して配置される、前記第1のリー
    ドパターンのリードの全ては、そのため前記PC基板の
    前記なお別の表面に隣接して配置される前記第2のリー
    ドパターンのリードがそこにおいて終端となる、前記P
    C基板の2つの両外部の端縁に隣接した、前記PC基板
    の2つの両外部の端縁上で終端となり、前記第2のパタ
    ーンにおけるリードは、少なくともそれらの長さの一部
    分に沿って、隣接したボンディングパッドに電気的に接
    続された前記第1のパターンにおける前記リードに対し
    て90度に配置される、請求項12に記載の、集積回路
    リードアセンブリ構造。
  19. (19) a、平行な平面において存在する表面を有する、複数個
    の長四角形のPC基板の積層物と、 b、長四角形のアレイにおいて、中央のダイを装着する
    部分の周囲に、前記積層物の外部の表面に隣接して、中
    央に装着される、間隔をあけられるボンディングパッド
    と、 c、前記積層物を含むPC基板の、第1および第2の表
    面にそれぞれに隣接して位置される、1つまたはより多
    くの電力および接地電極と、d、前記積層物を含む前記
    PC基板の第3の表面に一般的に隣接して位置決めされ
    る第1のリードパターンとを含み、前記積層物の前記第
    3の表面に隣接した前記第1のリードパターンは、前記
    長四角形のボンディングパッドアレイの2つの両側部か
    ら前記長四角形のPC基板の2つの両側部の外部の端縁
    へ平行に延在する、一般的にまっすぐなリードを含み、
    前記長四角形のボンディングパッドアレイの他の2つの
    側部からのリードは、前記ボンディングパッドから平行
    に延在し、次いで、階段態様で直角をなして旋回し、互
    いに平行に、かつ、前記長四角形の前記ボンディングパ
    ッドアレイの第1の2つの両側部から延在する前記リー
    ドに平行に延在し、そのため前記積層物の前記第3の表
    面上の前記第1のリードパターンにおけるリードの全て
    は、前記積層物の2つの両端部端縁上で終端となり、さ
    らに、 e、前記積層物を含む前記PC基板の第4の表面に一般
    的に隣接して位置決めされる、第2のリードパターンを
    含み、前記第2のリードパターンは、前記第1のリード
    パターンから90度回転され、前記第3の表面に隣接し
    て配置される前記第1のリードパターンのリードの全て
    は、前記PC基板の前記第4の表面に隣接して配置され
    る前記第2のリードパターンのリードが、そこにおいて
    終端となる、前記積層物の2つの両外部の端縁に隣接し
    た、前記積層物の2つの両外部端縁上で終端となり、そ
    のため前記第2のパターンにおけるリードは、少なくと
    もそれらの長さの部分に沿って、前記アレイにおける隣
    接したボンディングパッドに電気的に接続された、前記
    第1のパターンにおける前記リードに、90度に配置さ
    れ、前記第1のおよび第2のリードパターンの前記リー
    ドの間の漏話および結合を減じ、さらに、 f、一般的に交互のボンディングパッドを、前記第1お
    よび第2のリードパターンに、それぞれに電気的に接続
    するための、少なくとも前記ボンディングパッドのいく
    つかから、前記積層物を含む前記PC基板の1つまたは
    より多くを介して延在する、バイアまたはメッキ貫通孔
    を含む、電気的交信手段と、 g、前記ボンディングパッドの1つまたはより多くを、
    前記電力電極および/または、前記接地電極と電気的に
    接続するための手段とを含む、集積回路リードアセンブ
    リ構造。
JP2132412A 1989-05-22 1990-05-21 集積回路リードアセンブリ構造 Expired - Lifetime JP2889954B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US35464789A 1989-05-22 1989-05-22
US354,647 1989-05-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0327564A true JPH0327564A (ja) 1991-02-05
JP2889954B2 JP2889954B2 (ja) 1999-05-10

Family

ID=23394320

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2132412A Expired - Lifetime JP2889954B2 (ja) 1989-05-22 1990-05-21 集積回路リードアセンブリ構造

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0399661B1 (ja)
JP (1) JP2889954B2 (ja)
AT (1) ATE171307T1 (ja)
DE (1) DE69032654T2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002016174A (ja) * 2000-06-30 2002-01-18 Kyocera Corp 多層配線基板

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2940593A1 (de) * 1979-10-06 1981-04-16 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Mehrlagen-modul mit konstantem wellenwiderstand
US4535388A (en) * 1984-06-29 1985-08-13 International Business Machines Corporation High density wired module
CA1246755A (en) * 1985-03-30 1988-12-13 Akira Miyauchi Semiconductor device
CA1305255C (en) * 1986-08-25 1992-07-14 Joseph Lebowitz Marching interconnecting lines in semiconductor integrated circuits
JPS6386554A (ja) * 1986-09-30 1988-04-16 インタ−ナショナル・ビジネス・マシ−ンズ・コ−ポレ−ション 電子的パッケ−ジ
GB2207558B (en) * 1987-07-11 1991-10-30 Abdul Hamed Printed circuit boards
JPS6442158A (en) * 1987-08-10 1989-02-14 Nec Corp Hybrid integrated circuit device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002016174A (ja) * 2000-06-30 2002-01-18 Kyocera Corp 多層配線基板

Also Published As

Publication number Publication date
DE69032654D1 (de) 1998-10-22
ATE171307T1 (de) 1998-10-15
EP0399661A3 (en) 1992-01-08
DE69032654T2 (de) 1999-04-15
EP0399661A2 (en) 1990-11-28
EP0399661B1 (en) 1998-09-16
JP2889954B2 (ja) 1999-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8039320B2 (en) Optimized circuit design layout for high performance ball grid array packages
KR970003913B1 (ko) 반도체 기억 장치의 실장 방법
US5093708A (en) Multilayer integrated circuit module
US20060118924A1 (en) Lead frame assemblies and decoupling capacitors
US20020060366A1 (en) Multilayer wiring substrate having differential signal wires and a general signal wire in different planes
KR20050085561A (ko) 집적 회로 조립체
GB2324411A (en) Lead frame structure and semiconductor package
KR100299560B1 (ko) 리드프레임리드와도전성트레이스를조합한고밀도집적회로어셈블리
US5063432A (en) Integrated circuit lead assembly structure with first and second lead patterns spaced apart in parallel planes with a part of each lead in one lead pattern perpendicular to a part of each lead in the other lead pattern
JPH11289029A (ja) 半導体装置のプラスチックパッケージ
JPH0327564A (ja) 集積回路リードアセンブリ構造
EP0352805B1 (en) Distributed constant type delay line device and a manufacturing method thereof
JP2882396B2 (ja) 半導体装置
JPS6329566A (ja) 半導体装置
JP2000138251A (ja) 半導体装置及び配線基板
JPH03110768A (ja) 配線パターン接続用チップ
JPH05218228A (ja) 電子部品搭載用基板
JP3113669B2 (ja) 液晶表示装置
JP3337368B2 (ja) 中継基板
JPS6045045A (ja) 多層セラミックパッケ−ジ
JP2687166B2 (ja) 電子部品用パッケージ
JPH0732214B2 (ja) Icパツケ−ジ
JPH071844Y2 (ja) 集積回路パツケ−ジ
JPH04111460A (ja) 混成集積回路装置
JPH03120748A (ja) リードフレーム

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090226

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090226

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100226

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110226

Year of fee payment: 12

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110226

Year of fee payment: 12