JPH032729A - 液晶素子の製造方法 - Google Patents
液晶素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH032729A JPH032729A JP13681389A JP13681389A JPH032729A JP H032729 A JPH032729 A JP H032729A JP 13681389 A JP13681389 A JP 13681389A JP 13681389 A JP13681389 A JP 13681389A JP H032729 A JPH032729 A JP H032729A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- substrate
- substrates
- time
- crystal cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 claims description 9
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 abstract description 20
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 8
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000010992 reflux Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- YLLIGHVCTUPGEH-UHFFFAOYSA-M potassium;ethanol;hydroxide Chemical compound [OH-].[K+].CCO YLLIGHVCTUPGEH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- UQGBCDGMUYQNLX-UHFFFAOYSA-N 3-[ethoxy(dimethoxy)silyl]propan-1-amine Chemical compound CCO[Si](OC)(OC)CCCN UQGBCDGMUYQNLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- OVYTZAASVAZITK-UHFFFAOYSA-M sodium;ethanol;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].CCO OVYTZAASVAZITK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液晶素子の製造方法に関する。
［従来の技術］
従来の液晶素子の製造方法に於いては、配向材料の塗布
方法としてポリイミド、他の有機高分子材料もしくは、
アミノシランカップリング剤のスピンコード等が知られ
ている。
方法としてポリイミド、他の有機高分子材料もしくは、
アミノシランカップリング剤のスピンコード等が知られ
ている。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、従来のポリイミド膜を配向材料とした強誘電性
液晶素子では、液晶素子の双安定な２状態のなす見かけ
の開き角が２０度以下と狭く、透過光量が少ないという
欠点があった。また、アミノシランなどのシランカップ
リング剤をスピンコードしその後焼成する方法では、ア
ミノシラン自体の熱安定性の悪さにより配向剤が熱分解
を起こし易く、特性の経時変化も含めて液晶の配向方法
には不向きであった。さらには−船釣なスピンコード方
法の場合には、−枚づつ配向材を塗布しなければならず
生産性が低く、ゴミなどが混入し易く歩留まりが悪い０
本発明の目的は、マルチブレックス駆動時に於ける光学
特性に経時変化が起こることが無く、さらには生産性の
高い、高コントラストの強誘電性液晶セルを提供する事
にある。
液晶素子では、液晶素子の双安定な２状態のなす見かけ
の開き角が２０度以下と狭く、透過光量が少ないという
欠点があった。また、アミノシランなどのシランカップ
リング剤をスピンコードしその後焼成する方法では、ア
ミノシラン自体の熱安定性の悪さにより配向剤が熱分解
を起こし易く、特性の経時変化も含めて液晶の配向方法
には不向きであった。さらには−船釣なスピンコード方
法の場合には、−枚づつ配向材を塗布しなければならず
生産性が低く、ゴミなどが混入し易く歩留まりが悪い０
本発明の目的は、マルチブレックス駆動時に於ける光学
特性に経時変化が起こることが無く、さらには生産性の
高い、高コントラストの強誘電性液晶セルを提供する事
にある。
［課題を解決するための手段］
本発明の液晶素子の製造方法は、
（１）透明な電極上に絶縁層として５ｉｎ２を有する基
板に強誘電性液晶を挟持してなる液晶素子の製造方法に
於て、基板をアルカリで処理する工程と、基板を酸で、
その後に純水で洗浄する工程と、基板表面に配向膜を化
学的に結合させる工程とを含む事を特徴とする。
板に強誘電性液晶を挟持してなる液晶素子の製造方法に
於て、基板をアルカリで処理する工程と、基板を酸で、
その後に純水で洗浄する工程と、基板表面に配向膜を化
学的に結合させる工程とを含む事を特徴とする。
（２）上記の、基板をアルカリで処理する工程に於て、
前記アルカリがＮａＯＨまたはＫＯＨのアルコール溶液
であり、基板を溶液中で加熱還流することを特徴とする
。
前記アルカリがＮａＯＨまたはＫＯＨのアルコール溶液
であり、基板を溶液中で加熱還流することを特徴とする
。
（３）上記の、基板表面に配向膜を化学的に結合させる
工程に於て、前記配向膜がアミノ基を有するシランカッ
プリング剤であることを特徴とする。
工程に於て、前記配向膜がアミノ基を有するシランカッ
プリング剤であることを特徴とする。
以下、実施例により本発明の詳細を示す。
［実施例コ
［実施例１］
透明な電極を有する硝子基板上に５ｉｎ２を７００Ａス
パツタした基板を、０．５％ＫＯＨエタノール溶液に浸
し１０分間還流した。その後０４１％塩酸で充分洗浄し
、更に純水で１５分間洗浄した。乾燥後 ０．２％ γ
、アミノプロピルトリエトキシシランのエタノール溶液
に浸し３０分還流しその後エタノール蒸気にて洗浄し窒
素中で乾燥した。得られた基板にラビング処理を行い液
晶セルを組み立てた０以上の工程のフローチャートを第
１図に示した８本セルに強誘電性液晶としてロディク社
製ＤＯＦＯＯＯ４を注入し液晶セルの光学特性及び特性
の経時変化を調べた。２５Ｖ交番電界を印加した後の液
晶セルのマルチプレックス駆動時のコントラストは２０
であり、６０°０４８時間放置後の液晶セルの特性に変
化はなかった。
パツタした基板を、０．５％ＫＯＨエタノール溶液に浸
し１０分間還流した。その後０４１％塩酸で充分洗浄し
、更に純水で１５分間洗浄した。乾燥後 ０．２％ γ
、アミノプロピルトリエトキシシランのエタノール溶液
に浸し３０分還流しその後エタノール蒸気にて洗浄し窒
素中で乾燥した。得られた基板にラビング処理を行い液
晶セルを組み立てた０以上の工程のフローチャートを第
１図に示した８本セルに強誘電性液晶としてロディク社
製ＤＯＦＯＯＯ４を注入し液晶セルの光学特性及び特性
の経時変化を調べた。２５Ｖ交番電界を印加した後の液
晶セルのマルチプレックス駆動時のコントラストは２０
であり、６０°０４８時間放置後の液晶セルの特性に変
化はなかった。
［実施例２］
透明な電極を有する硝子基板上に５ｉ０２を７００Ａス
パツタした基板を、０．５％ＫＯＨエタノール溶液に浸
し１０分間還流した。その後０．１％塩酸で充分洗浄し
、更に純水で１５分間洗浄した。乾燥後 ０．２％ Ｎ
メチル−３−アミノプロピルトリメトキシシランのエタ
ノール溶液に浸し３０分還流しその後エタノール蒸気に
て洗浄し窒素中で乾燥した。得られた基板にラビング処
理を行い液晶セルを組み立てた０本セルに強誘電性液晶
として ロディク社製ＤＯＦＯＯＯ４を注入し液晶セルの光学特
性及び特性の経時変化を調べた。２５Ｖ交番電界を印加
した後の液晶セルのマルチプレックス駆動時のコントラ
ストは２３であり、６０℃４８時間放置後の液晶セルの
特性に変化はなかった。
パツタした基板を、０．５％ＫＯＨエタノール溶液に浸
し１０分間還流した。その後０．１％塩酸で充分洗浄し
、更に純水で１５分間洗浄した。乾燥後 ０．２％ Ｎ
メチル−３−アミノプロピルトリメトキシシランのエタ
ノール溶液に浸し３０分還流しその後エタノール蒸気に
て洗浄し窒素中で乾燥した。得られた基板にラビング処
理を行い液晶セルを組み立てた０本セルに強誘電性液晶
として ロディク社製ＤＯＦＯＯＯ４を注入し液晶セルの光学特
性及び特性の経時変化を調べた。２５Ｖ交番電界を印加
した後の液晶セルのマルチプレックス駆動時のコントラ
ストは２３であり、６０℃４８時間放置後の液晶セルの
特性に変化はなかった。
［実施例３コ
透明な電極を有する硝子基板上にＳｉＯ２を７００人ス
パッタした基板を、０．５％ＮａＯＨエタノール溶液に
浸し１０分間還流した。その後０゜１％塩酸で充分洗浄
し、更に純水で１５分間洗浄した。乾燥後 ０． ２％
γ、アミノプロピルトリエトキシシランのエタノール
溶液に浸し３０分還流しその後エタノール蒸気にて洗浄
し窒素中で乾燥した。得られた基板にラビング処理を行
い液晶セルを組み立てた０本セルに強誘電性液晶として
ロディク社製ＤＯＦＯＯＯ４を注入し液晶セルの光学特
性及び特性の経時変化を調べた。２５ｖ交番電界を印加
した後の液晶セルのマルチプレックス駆動時のコントラ
ストは２１であり、６０°Ｃ４８時間放置後の液晶セル
の特性に変化はなかった。
パッタした基板を、０．５％ＮａＯＨエタノール溶液に
浸し１０分間還流した。その後０゜１％塩酸で充分洗浄
し、更に純水で１５分間洗浄した。乾燥後 ０． ２％
γ、アミノプロピルトリエトキシシランのエタノール
溶液に浸し３０分還流しその後エタノール蒸気にて洗浄
し窒素中で乾燥した。得られた基板にラビング処理を行
い液晶セルを組み立てた０本セルに強誘電性液晶として
ロディク社製ＤＯＦＯＯＯ４を注入し液晶セルの光学特
性及び特性の経時変化を調べた。２５ｖ交番電界を印加
した後の液晶セルのマルチプレックス駆動時のコントラ
ストは２１であり、６０°Ｃ４８時間放置後の液晶セル
の特性に変化はなかった。
［比較例］
透明な電極を有する硝子基板上に５ｉｎ２を７００Ａス
パツタした基板に、０．２％ γ、アミノプロピルトリ
エトキシシランのエタノール溶液をスピンコードし１２
０℃で乾燥した。得られた基板にラビング処理を行い液
晶セルを組み立てた。
パツタした基板に、０．２％ γ、アミノプロピルトリ
エトキシシランのエタノール溶液をスピンコードし１２
０℃で乾燥した。得られた基板にラビング処理を行い液
晶セルを組み立てた。
以上の工程のフローチャートを第２図に示した。
本セルに強誘電性液晶としてロディク社製ＤＯＦ０００
４を注入し液晶セルの光学特性及び特性の経時変化を調
べた。２５Ｖ交番電界を印加した後の液晶セルのマルチ
プレックス駆動時のコントラストは２１であったが、６
０℃４８時間放置後の液晶セルの特性は経時変化してお
り、特に液晶の転移温度が低下していた。
４を注入し液晶セルの光学特性及び特性の経時変化を調
べた。２５Ｖ交番電界を印加した後の液晶セルのマルチ
プレックス駆動時のコントラストは２１であったが、６
０℃４８時間放置後の液晶セルの特性は経時変化してお
り、特に液晶の転移温度が低下していた。
以上実施例と比較側を述べたが、本発明は以上の実施例
のみならず、他の液晶材料、アミノシラン等でも同様の
効果が得られる。
のみならず、他の液晶材料、アミノシラン等でも同様の
効果が得られる。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、マルチプレックス駆
動時に於ける光学特性に経時変化が起こることが無く、
さらには、生産性の高い高コントラストの強誘電性液晶
セルを提供する事が出来る。
動時に於ける光学特性に経時変化が起こることが無く、
さらには、生産性の高い高コントラストの強誘電性液晶
セルを提供する事が出来る。
第１図は、本発明の工程のフローチャートを表す図であ
り、第２図は従来の工程のフローチャートを表す図であ
る。 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴木喜三部（他１名）ｈ÷ Ｘ剥
り、第２図は従来の工程のフローチャートを表す図であ
る。 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴木喜三部（他１名）ｈ÷ Ｘ剥
Claims (3)
- （１）透明な電極上に絶縁層としてＳｉＯ＿２を有する
基板に強誘電性液晶を挟持してなる液晶素子の製造方法
に於て、基板をアルカリで処理する工程と、基板を酸で
、その後に純水で洗浄する工程と、基板表面に配向膜を
化学的に結合させる工程とを含む事を特徴とする液晶素
子の製造方法。 - （２）上記の、基板をアルカリで処理する工程に於て、
前記アルカリがＮａＯＨまたはＫＯＨのアルコール溶液
であり、基板を溶液中で加熱還流することを特徴とする
請求項１記載の液晶素子の製造方法。 - （３）上記の、基板表面に配向膜を化学的に結合させる
工程に於て、前記配向膜がアミノ基を有するシランカッ
プリング剤であることを特徴とする請求項１記載の液晶
素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13681389A JPH032729A (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 液晶素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13681389A JPH032729A (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 液晶素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH032729A true JPH032729A (ja) | 1991-01-09 |
Family
ID=15184107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13681389A Pending JPH032729A (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 液晶素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH032729A (ja) |
-
1989
- 1989-05-30 JP JP13681389A patent/JPH032729A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0040975A1 (en) | Method of preparation of a substrate for a liquid crystal display device, a positive display type liquid crystal display device, and a method of constructing such a device | |
| US4472027A (en) | Method for the orientation of liquid crystal and liquid crystal display device | |
| JPH032729A (ja) | 液晶素子の製造方法 | |
| JPS6036580B2 (ja) | 液晶表示パネルの製造方法 | |
| JPS61165730A (ja) | 液晶電気光学装置 | |
| JPS62209415A (ja) | 液晶セルおよびその製造方法 | |
| JPS62251720A (ja) | 液晶素子の製造方法 | |
| KR100649054B1 (ko) | 폴리머가 코팅된 장수명 광메모리 장치의 제조방법 | |
| JPH0756550B2 (ja) | 液晶セルの製造方法 | |
| JPH032728A (ja) | 液晶素子の製造方法 | |
| JPH04225325A (ja) | 液晶分子配向体の製造方法 | |
| JP2914889B2 (ja) | 液晶表示素子および製造方法 | |
| JP3026880B2 (ja) | 液晶分子配向用ラビング布及び液晶表示素子の製造方法 | |
| JPS62247326A (ja) | 強誘電性液晶素子の製造方法 | |
| JPS62173433A (ja) | 液晶電気光学装置 | |
| JPH04130415A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPS5754919A (en) | Liquid crystal element | |
| JPS6349734A (ja) | 液晶素子の製造方法 | |
| JPH049829A (ja) | 非線形光学素子及びその製造方法 | |
| JPH05297378A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPH08179328A (ja) | 液晶配向膜の製造方法およびそれを用いた液晶素子の製造方法 | |
| JP2003095702A (ja) | 電気光学パネルのガラス基板再生方法および電気光学パネル、電気光学装置、電子機器 | |
| JPS62275222A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPS62215237A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH06250188A (ja) | 液晶表示素子及びその製造方法 |