JPH03271188A - 原料供給方法及びその装置 - Google Patents

原料供給方法及びその装置

Info

Publication number
JPH03271188A
JPH03271188A JP7265690A JP7265690A JPH03271188A JP H03271188 A JPH03271188 A JP H03271188A JP 7265690 A JP7265690 A JP 7265690A JP 7265690 A JP7265690 A JP 7265690A JP H03271188 A JPH03271188 A JP H03271188A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
feeder
raw material
intermediate container
dopant
container
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP7265690A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2835345B2 (ja
Inventor
Daizo Horie
堀江 大造
Shinichi Sakurada
桜田 晋一
Tsutomu Kajimoto
梶本 努
Yoshihiro Akashi
義弘 明石
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KYUSHU ELECTRON METAL CO Ltd
Osaka Titanium Co Ltd
Original Assignee
KYUSHU ELECTRON METAL CO Ltd
Osaka Titanium Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by KYUSHU ELECTRON METAL CO Ltd, Osaka Titanium Co Ltd filed Critical KYUSHU ELECTRON METAL CO Ltd
Priority to JP7265690A priority Critical patent/JP2835345B2/ja
Publication of JPH03271188A publication Critical patent/JPH03271188A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2835345B2 publication Critical patent/JP2835345B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本願発明は、CZ炉へ粒状原料を連続的に供給する原料
供給方法及び原料供給装置に関する。
(従来の技術) 単結晶製造においては、まず、経済的観点から建屋や装
置の許す限り長尺な単結晶とすることに意が注がれる。
したがって、単結晶の成長につれて融液中に原料を追加
供給する操作が行なわれ、該供給装置として回転羽根や
フィーダ、或いはベルトコンベアが用いられている。
また、単結晶製造においては、品質−走化の観点から、
単結晶の育成方向全域に亘り、単結晶が均一抵抗値を宥
する(均一ドーパント濃度である)よう留意される。
具体的には、Si融液中にPやB等のドーパントを添加
して単結晶を育成する場合、ドーパントの偏析に起因し
て、育成単結晶内のドーパント濃度よりも、Si融液中
のドーパント濃度の方が高くなり、両ドーパント濃度の
比は一定であって、該比はPやB等の物質種によって定
まる。したがって、単結晶が育成されて行くにつれて、
Si融液中のドーパント濃度が大きくなり、この結果、
育成単結晶の終端部分は始端部分よりもドーパント濃度
が大きくなる(抵抗値が小さくなる)。換言すれば、S
i融液中のドーパント濃度を一定にすることにより、成
長単結晶がその成長方向に均一抵抗値を肴するものとな
る。
そこで、従来からドーパントを含まない原料を追加供給
するという手段が試みられている。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、単に、ドーパント無添加原料を単結晶育
成量に応じて追加供給したのでは、反対にルツボ内のド
ーパント濃度が薄ズなってしまう。勿論、ルツボ内のド
ーパント濃度が必要以上低下しないように、ドーパント
無添加原料の供給を押えることは可能であるが、この手
段に依ると、ルツボ内の融液量が減少して行き、長尺の
単結晶が得られなくなる。
確かに従来からドーパント含有量を種々異ならせた原料
を使用する方法、ドーパント添加原料とドーパント無添
加原料とを混合して供給する方法等、種々の原料供給手
段が提案されているが、ルツボ内のドーパント量の変化
に対応し得る手段は存在しない。
さらに、原料の供給に関しては、フィーダの送り速度の
把握について問題が存する。
すなわち粒状原料は一般に、原料容器に貯留され、フィ
ーダ上に落下されて送り込まれて行くが、フィーダ上に
落下せしめられる原料の量は、原料容器内の原料が少な
くなるにつれて減少する。換言すれば、フィーダの送り
速度が一定であっても供給される原料の量は変って行く
。したがって、単にフィーダの送り速度に依って原料供
給量を把握しようとすると、大きな誤差を招くことにな
る。
本願発明は上記実情下に、均一な抵抗値を有する長尺な
成長単結晶を得るための原料供給方法を提案し、且つ、
該方法の実施に適した装置を提供することを課題として
なされた。
(課題を解決するための手段及び作用)すなわち、本願
第1の発明は、一定割合のドーパントを含む粒状のドー
パント添加原料と、粒状のドーパント無添加原料とを別
経路によってルツボへと供給する原料供給方法であって
、ドーパント添加原料の供給量とドーパント無添加原料
の供給量との和を所定量とするとともに、ルツボ内融液
のドーパント量に応してドーパント添加原料の供給速度
を変更するものであり、本願第2の発明は、容器から落
し込まれた原料をフィーダ或いはベルトコンベアでルツ
ボへと供給するに際し、前記容器内の原料貯留量を常時
一定範囲内に保持させ、フィーダ或いはベルトコンベア
に依る実際の送り量をフィーダ或いはベルトコンベアの
駆動速度に対応するようになしたものであり、本願第3
の発明は、第1の原料容器の下部に配された第1のフィ
ーダと、該第1のフィーダの下流に配された上下面開口
の第1の中間容器と、該第1の中間容器下に配された送
り速度調節可能な第2のフィーダと、前記第1の中間容
器及び第2のフィーダを載設した第1の秤量器と、第2
の原料容器の下部に配された第3のフィーダと、該第3
のフィーダの下流に配された上下面開口の第2の中間容
器と、該第2の中間容器下に配された送り速度調節可能
な第4のフィーダと、前記第2の中間容器及び第4のフ
ィーダを載設した第2の秤量器と、前記第2のフィーダ
及び第4のフィーダに連接された漏斗とを具備している
ものであり、本願第4の発明は、第1の原料容器の下部
に配された第1のフィーダと、該第1のフィーダの下流
に配された上下面開口の第1の中間容器と、該第1の中
間容器下に配された送り速度調節可能な第2のフィーダ
と、前記第1の中間容器及び第2のフィーダを載設した
第1の秤量器と、第2の原料容器の下部に配された第3
のフィーダと、該第3のフィーダの下流に配された上下
面開口の第2の中間容器と、該第2の中間容器下に配さ
れた送り速度調節可能な第4のフィーダと、前記第2の
中間容器及び第4のフィーダを載設した第2の秤量器と
、前記第2のフィーダ及び第4のフィーダに連接された
漏斗と、前記第1のフィーダと第3のフィーダを駆動制
御すると共に、第2のフィーダと第4のフィーダの送り
速度を可変制御する制御手段とを具備し、前記制御手段
は、第1の秤量器の秤量値に応じて第1の中間容器内に
原料を送り込むべく第1のフィーダを駆動し、且つ、一
定時間内における第1の中間容器内の原料の設定重量値
と実際の秤量値との差に応じて補正値を加味しつつ第2
のフィーダの駆動速度制御を行ない、且つ、第2の秤量
器の秤量値に応じて第2の中間容器内に原料を送り込む
べく、第3のフィーダを駆動し、且つ、一定時間内にお
ける第2の中間容器内の原料の設定重量値と実際の秤量
値との差に応じて補正値を加味しつつ第4のフィーダの
駆動速度制御を行なうものである。これらにより、目標
とする原料供給速度で自動的に原料が供給され、均一な
抵抗値を肴する長尺の成長単結晶が得られる。
(実施例) 以下、本願発明を添付図面に基づいて説明する。
まず、本願発明装置の1実施例図たる第1図に基づいて
、装置から説明する。
本願発明装置は、一定割合のドーパントを含む粒状のド
ーパント添加原料Aを入れておぐ原料容器(以下、「第
1の原料容器1」と称する)と、粒状のドーパント無添
加原料Bを入れておく原料容器(以下、「第2の原料容
器9」と称する)とを備え、上記ドーパント添加原料A
とドーパント無添加原料Bとは、それぞれ異なった流路
をたどって−の漏斗3に送られる構成とされている。
第1の原料容器1の下部に第1のフィーダ2が配され、
該第1のフィーダ2の下流に上下面開口の第1の中間容
器4が配され、該第1の中間容器4の下部に送り速度調
節可能な第2のフィーダ5が配され、該第2のフィーダ
5の下流端部か上記漏斗3に臨んでいる。つまり、蓋1
aを開けて第1の原料容器1内に貯留された原#4Aは
、第1のフィーダ2によって第1の中間容器4内に−旦
貯留され、該第1の中間容器4から第2のフィーダ5に
よって漏斗3に送り込まれる。
また、第2の原料容器9の下部に第3のフィーダ10が
配され、該第3のフィーダ10の下流に上下面開口の第
2の中間容器11が配され、該第2の中間容器11の下
部に送り速度調節可能な第4のフィーダ12が配され、
該第4のフィーダ12の下流端部が上記漏斗3に臨んで
いる。つまり、蓋9aを開けて第2の原料容器9内に貯
留された原料Bは、第3のフィーダ10によって第2の
中間容器11内に一旦貯留され、該第2の中間容器11
から第4のフィーダ12によって漏斗3に送り込まれる
上記したように、本願発明装置では、原料A、Bそれぞ
れが異なった流路をたどり、いずれもその途中において
中間容器4,11に貯留される構成となっている。この
中間容器4.工1は、それぞれの貯留量を一定範囲内に
保持するように用いられる。そして、これら中間容器4
,11から原料A、Bを受は取るフィーダ5,12の送
り速度制御で原料A、Bの供給量制御をできるようにし
ている。6は第2のフィーダ5下に配された第1の秤量
器であり、該第1の秤量器6によって上記第1のフィー
ダ2が0N−OFF制御され、第1の中間容器4内の原
料Aの量を常時一定範囲に保持する。この第1のフィー
ダ2の0N−OFF制御及び後述する第2のフィーダ5
の送り速度制御は、制御手段7によって行なわれる。
まず、第1のフィーダ2における制御は、中間容器4に
原料Aが入っていないとき、秤量器6の基準出力値をA
。として初期設定がなされ、中間容器4に原料Aがm入
っているとき、秤量器6は秤量出力値A□を出力する。
第2図において、ステップP101で、秤量出力値A、
nが、下限重量の秤量出力値aよりも小さいとき、ステ
ップP102で第1のフィーダ2が駆動し、これにより
原料容器9内の原料Aが中間容器4に供給される。
ステップP103で、秤量出力値A、が上限重量の秤量
出力値すを越えると、第1のフィーダ2の駆動が停止さ
れ(ステップP104)、再びステップPlotに戻る
前記ステップPIOIてA、、l<aでないときは、ス
テップP104へ進んで第1のフィーダ2の駆動が停止
され、また、ステップP103て秤量出力値A□がbを
越えていないときは、第1のフィーダ2は駆動を継続す
る(ステップP102)。更に上記制御手段7は、a≦
A、、、≦bの範囲内において、後述する補正値を加味
して第2のフィーダ5の速度制御を行ない、実際に漏斗
3に供給される原料Aの量を一定化するものでもある。
また上記補正値は、次のようにして作成され、制御手段
7に入力される。
中間容器4内の原料Aが第2のフィーダ5によって供給
されるに従い、秤量値の出力A、が減少して行く。この
減少量の経時的変化が補正を行わない場合の現実の原料
供給速度であり、この原料供給速度は、理想の原料供給
速度と異なる。そこで理想の原料供給速度との差を求め
制御手段にこの差を補正値として入力する。
すなわち、第2のフィーダ5において、フィーダの原料
供給通路(トラフ)の断面積S [cm21、トラフを
移動する原料の単位時間における位置的変位量(原料移
動速度) V [cm/m1nl 、原料の比重C[g
/cm31 との間で、単位時間にトラフから供給(落
下)される原料の重量W[g/m1nlは、w=c−s
−v となる。
第1のフィーダ2から中間容器4へ補充されない場合、
第2のフィーダ5の時刻T0. T、、 T2・・・T
7・・・T、、・・・のときの秤量値をWo、W工+W
2・・・Ivo・・・Wn・・・とすると、ToからT
。の間の供給された原料の量は、W、、、−Wrlとな
る。
その間の平均供給速度は、 一(L−W、) / (Tn−T、) で表わされる。
制御において予め設定する値は、各任意の時刻Tnにお
ける供給速度W(Tn)で行なう。なお、この速度W(
T、)は、時刻に対して一定か否かを問わない。
さて、本発明の制御は、下記の3項について行なう。
(ただしi < j ) として、 を求める。
ただし、Aは、微少時間における目標値との偏差、 Cは、制御開始からの総供給量の目標値との偏差、 Bは、A及びCの中間時間における目標値との偏差、 をそれぞれ示す。
そして、上記A、B、Cのそれぞれが負の場合の供給量
を押え、これらがそれぞれ正の場合の供給量を増やすよ
うに制御する。なお、実際には、上記A、B、Cに所定
の定数a、b、cを定め、aA+ bB+ cCの値に
よってフィーダを制御する。第3図は、実際の供給の一
例を表わすもので、理懇の原料供給態様に対し、上記の
制御を行った場合と、これを行わない場合を示している
第1のフィーダ2から中間容器4へ補充している場合は
、補充する直前の制御値を続行させ、この間の秤量値の
変化を第2のフィーダ5の制御には用いないで行なう。
この間は、補充する直前の供給量が維持されているもの
として前記A、B。
Cの計算を実行するものである。上述の制御は、原料B
側についても同様に行なわれる。
このとき、ドーパント添加原料A及びドーパント無添加
原料Bの目標原料供給速度は、ルツボ内のSi融液量及
びそのドーパント濃度が一定となるよう、単結晶の引上
量、ドーパントの偏析係数等より、予め計算して求めて
おく。
8は、上記器械全体を囲繞する保護容器であり、該保護
容器8には、空気抜管若しくはアルゴン等の不活性ガス
注入管8aが接続されている。
上述したように、本発明装置では、所望とする原料供給
量を正確に確保できる。そして、その原料供給は連続的
であり、その供給速度はフィーダ5.12を制御するの
みで簡単に行なえる。
したがって、ルツボ(図示せず)内のドーパント濃度の
変化に応じて、ドーパント添加原料Aとドーパント無添
加原料Bの送給割合を連続的に変化させ、以って融液量
を変えることなく、ルツボ内のドーパント量を一定に保
持させることか可能となる。
具体的には、ドーパント添加原料Aの供給量とドーパン
ト無添加原料Bの供給量との和を、単結晶成長に費やし
た原料に一致させ、ルツボ内に残存するドーパント量に
合わせてドーパント添加原料Aの供給量を増減させる。
この結果、ルツボ内の融液量を常時一定に保持しつつ、
ドーパント濃度を常時一定となし、長尺且つ均質(抵抗
値が一定)の単結晶が得られる。
(発明の効果) 以上説明したように、本発明によれば、目標とする原料
供給速度で自動的に連続してルッホヘ原料を供給するこ
とができ、Si単結晶を育成しながらルツボ内のSi融
液量を一定かつ、ドーパント濃度も一定する様に粒状原
料を供給する事が可能になる。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明を示す概念構成図、第2図は第1のフィ
ーダの制御フローチャート、第3図は原料供給の一例を
示す図である。 A・・・ドーパント添加原料 B・・・ドーパント無添加原料 1・・・第1の原料容器 3・・・漏斗 5・・・第2のフィーダ フ・・・制御手段 io・・・第3のフィーダ 12・・・第4のフィーダ 2・・・第1のフィーダ 4・・・第1の中間容器 6・・・第1の秤量器 9・・・第2の原料容器 11・・・第2の中間容器 13・・・第2の秤量器

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一定割合のドーパントを含む粒状のドーパント添
    加原料と、粒状のドーパント無添加原料とを別経路によ
    ってルツボへと供給する原料供給方法てあって、ドーパ
    ント添加原料の供給量とドーパント無添加原料の供給量
    との和を所定量とするとともに、ルツボ内融液のドーパ
    ント量に応じてドーパント添加原料の供給速度を変更す
    ることを特徴とする原料供給方法。
  2. (2)容器から落し込まれた原料をフィーダ或いはベル
    トコンベアでルツボへと供給するに際し、前記容器内の
    原料貯留量を常時一定範囲内に保持させ、フィーダ或い
    はベルトコンベアに依る実際の送り量をフィーダ或いは
    ベルトコンベアの駆動速度に対応するようになしたこと
    を特徴とする原料供給方法。
  3. (3)第1の原料容器の下部に配された第1のフィーダ
    と、該第1のフィーダの下流に配された上下面開口の第
    1の中間容器と、該第1の中間容器下に配された送り速
    度調節可能な第2のフィーダと、前記第1の中間容器及
    び第2のフィーダを載設した第1の秤量器と、第2の原
    料容器の下部に配された第3のフィーダと、該第3のフ
    ィーダの下流に配された上下面開口の第2の中間容器と
    、該第2の中間容器下に配された送り速度調節可能な第
    4のフィーダと、前記第2の中間容器及び第4のフィー
    ダを載設した第2の秤量器と、前記第2のフィーダ及び
    第4のフィーダに連接された漏斗とを具備していること
    を特徴とする原料供給装置。
  4. (4)第1の原料容器の下部に配された第1のフィーダ
    と、該第1のフィーダの下流に配された上下面開口の第
    1の中間容器と、該第1の中間容器下に配された送り速
    度調節可能な第2のフィーダと、前記第1の中間容器及
    び第2のフィーダを載設した第1の秤量器と、第2の原
    料容器の下部に配された第3のフィーダと、該第3のフ
    ィーダの下流に配された上下面開口の第2の中間容器と
    、該第2の中間容器下に配された送り速度調節可能な第
    4のフィーダと、前記第2の中間容器及び第4のフィー
    ダを載設した第2の秤量器と、前記第2のフィーダ及び
    第4のフィーダに連接された漏斗と、前記第1のフィー
    ダと第3のフィーダを駆動制御すると共に、第2のフィ
    ーダと第4のフィーダの送り速度を可変制御する制御手
    段とを具備し、 前記制御手段は、第1の秤量器の秤量値に応じて第1の
    中間容器内に原料を送り込むべく第1のフィーダを駆動
    し、且つ、一定時間内における第1の中間容器内の原料
    の設定重量値と実際の秤量値との差に応じて補正値を加
    味しつつ第2のフィーダの駆動速度制御を行ない、 且つ、第2の秤量器の秤量値に応じて第2の中間容器内
    に原料を送り込むべく、第3のフィーダを駆動し、且つ
    、一定時間内における第2の中間容器内の原料の設定重
    量値と実際の秤量値との差に応じて補正値を加味しつつ
    第4のフィーダの駆動速度制御を行なうもの、 であることを特徴とする原料供給装置。
JP7265690A 1990-03-22 1990-03-22 原料供給方法及びその装置 Expired - Fee Related JP2835345B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7265690A JP2835345B2 (ja) 1990-03-22 1990-03-22 原料供給方法及びその装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7265690A JP2835345B2 (ja) 1990-03-22 1990-03-22 原料供給方法及びその装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03271188A true JPH03271188A (ja) 1991-12-03
JP2835345B2 JP2835345B2 (ja) 1998-12-14

Family

ID=13495640

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7265690A Expired - Fee Related JP2835345B2 (ja) 1990-03-22 1990-03-22 原料供給方法及びその装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2835345B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5876496A (en) * 1996-03-21 1999-03-02 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method for feeding a granular raw material and feeding apparatus
JP2016509989A (ja) * 2013-03-15 2016-04-04 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・ソシエタ・ペル・アチオニMEMC Electronic Materials, SpA 半導体グレード材料またはソーラーグレード材料の融液の制御されたドーピングのための気体ドーピングシステム
US11028499B2 (en) 2018-12-14 2021-06-08 Globalwafers Co., Ltd. Methods for preparing a doped ingot
US11028500B2 (en) 2018-12-14 2021-06-08 Globalwafers Co., Ltd. Ingot puller apparatus that include a doping conduit with a porous partition member for subliming solid dopant
WO2022147089A1 (en) * 2020-12-30 2022-07-07 Globalwafers Co., Ltd. Additive feed systems, ingot puller apparatus and methods for forming a single crystal silicon ingot with use of such additive feed systems

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5876496A (en) * 1996-03-21 1999-03-02 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method for feeding a granular raw material and feeding apparatus
JP2016509989A (ja) * 2013-03-15 2016-04-04 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・ソシエタ・ペル・アチオニMEMC Electronic Materials, SpA 半導体グレード材料またはソーラーグレード材料の融液の制御されたドーピングのための気体ドーピングシステム
US10889913B2 (en) 2013-03-15 2021-01-12 Globalwafers Co., Ltd. Gas doping systems for controlled doping of a melt of semiconductor or solar-grade material
US11299819B2 (en) 2013-03-15 2022-04-12 Globalwafers Co., Ltd. Gas doping systems for controlled doping of a melt of semiconductor or solar-grade material
US11028499B2 (en) 2018-12-14 2021-06-08 Globalwafers Co., Ltd. Methods for preparing a doped ingot
US11028500B2 (en) 2018-12-14 2021-06-08 Globalwafers Co., Ltd. Ingot puller apparatus that include a doping conduit with a porous partition member for subliming solid dopant
WO2022147089A1 (en) * 2020-12-30 2022-07-07 Globalwafers Co., Ltd. Additive feed systems, ingot puller apparatus and methods for forming a single crystal silicon ingot with use of such additive feed systems
US11499245B2 (en) 2020-12-30 2022-11-15 Globalwafers Co., Ltd. Additive feed systems, ingot puller apparatus and methods for forming a single crystal silicon ingot with use of such additive feed systems

Also Published As

Publication number Publication date
JP2835345B2 (ja) 1998-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5242531A (en) Continuous liquid silicon recharging process in czochralski crucible pulling
CN1020767C (zh) 制造硅单晶的方法和设备
EP0537988A1 (en) An apparatus for supplying granular raw material for a semiconductor single crystal pulling apparatus
US5587016A (en) Controlled feeding Czochralski apparatus
US5471938A (en) Process for growing multielement compound single crystal
JP2002543037A (ja) 結晶成長のための連続的な溶融物補充
US4762687A (en) Means for forming a melt of a semiconductor material in order to make a crystalline element grow therein
JPH03271188A (ja) 原料供給方法及びその装置
KR100860440B1 (ko) 다결정 실리콘의 용융 속도를 증가시키기 위한 단속식 투입기술
JPH037637B2 (ja)
CN113308730A (zh) 一种晶体连续生长的加料控制方法和控制系统
JP2523821B2 (ja) Cz炉への原料供給装置
JPH10310488A (ja) 原料供給装置
CN104911697B (zh) 提拉单晶炉晶体恒组分生长控制系统和方法
JPS5688896A (en) Growth of single crystal
JPH01286987A (ja) 単結晶の製造方法及び装置
JP2525294B2 (ja) 粒状シリコン供給装置
KR100327475B1 (ko) 단결정연속성장장치
EP0553677B1 (en) Monocrystal growing method
JPH0131478B2 (ja)
US5681758A (en) Method for fabricating semiconductor single crystal
JP4742254B2 (ja) 単結晶の育成方法
JPS59217695A (ja) 単結晶引き上げ装置
JP2854643B2 (ja) 単結晶引上げにおけるドーピング方法
JPS6395195A (ja) 結晶引上げ方法及び装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees