JPH10310488A - 原料供給装置 - Google Patents
原料供給装置Info
- Publication number
- JPH10310488A JPH10310488A JP10047594A JP4759498A JPH10310488A JP H10310488 A JPH10310488 A JP H10310488A JP 10047594 A JP10047594 A JP 10047594A JP 4759498 A JP4759498 A JP 4759498A JP H10310488 A JPH10310488 A JP H10310488A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- pair
- silicon
- housing
- drive roller
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
Abstract
り込めるシリコンペレット供給装置を得ること。 【解決手段】シリコンペレットを収容する貯槽が連結さ
れた上端部を有する供給管の下端部は、カップリング及
び1対の歯車を介してモータで駆動される1対の回転可
能な駆動ローラに近接して配置されている。1対のロー
ラは、水平に対して傾斜角をもって取り付けられてお
り、ローラの出口側が、溶融シリコンの炉へ続く送り出
し管の上方に位置している。これらは、動作真空レベル
まで排気可能で、排気後に不活性ガスを充填できるハウ
ジングによって囲まれている。シリコンペレットの供給
量は、駆動ローラの角度と、モータの速度と、供給管の
下端部の形状によって決定される。ローラは弾性的であ
り、ペレットの流れに対する表面摩擦を高めると共に、
詰まったペレット粒子によるモータの故障を防止する。
Description
・デンドライト・ウェブを成長させる装置に係り、特
に、単結晶シリコン・デンドライト・ウェブの引き上げ
中に、融液を連続的に補給できるよう、炉内の融液にシ
リコン原材料を供給する改良型供給装置に関する。
ト・ウェブの成長は、一般的に不活性雰囲気の炉内で、
溶融シリコン(融液)を収容したるつぼを有する加熱サ
セプタを備えた装置で行われる。加熱は一般的に、誘導
コイルによって、または抵抗ヒータ例えばグラファイト
プレートに比較的高電流を流すことによって行われる。
シリコンウェブは、2本のシリコンフィラメント間に表
面張力によって支持された液体フィルムの(デンドライ
ト法として知られる)固化によって形成される。ウェブ
の形成後、個々のセルにする処理時に、これらのデンド
ライトがウェブから取られる。融液の補給方法は、コス
トダウンとウェブの成長の改善及び結晶品質の向上のた
めに非常に重要である。
ェブ結晶の成長にあわせて、シリコン粒子またはペレッ
トを、るつぼの一方または両方の端部から添加すること
によって融液を補給することができる。補給材料の融解
が行われる領域で吸収される熱によって、ウェブを引き
出す領域に大きな熱不平衡が発生し、成長に乱れが生じ
る。この乱れは、シリコン粒子を制御した流量で均一に
連続的に送り込むことによって軽減させられる。単一結
晶デンドライト・ウェブ・シリコン・リボンを長く連続
的に成長させるためには、結晶を引き出すとともに融液
にシリコンを補給することが必要である。これは、炉室
の外側であるが融液の上方に位置する供給機構によって
シリコン粒子用貯槽から行うことができる。しかし、市
販のシリコン弾、ペレットまたは他の不規則な形状及び
大きさによって、供給機構の動作が不安定になる。問題
は、粒子が融液内へ落下しない動作状態から、粒子が融
液内へ大崩落して溢れ、高価なモリブデン炉部品を破壊
するまでにわたる。
工及び組み立て量の点で高コストであるのに加えて、こ
の供給機構はかさ高である。大量のシリコンが放出され
てるつぼから溢れるか、進路方向が誤って適当な開口に
流入しない場合、それは高価なモリブデン炉部材と反応
してそれらを破壊する。他方の極端の動作状態では、供
給機構の作業員が粒子の欠乏に気付かない場合、上記供
給機構はしばらくの間は空の状態で動作でき、その結
果、るつぼ内での融液のレベルが低下し、ウェブが薄く
なって融液から引き離される。また、粒子が小さい穴や
管に詰まって落下しない場合もある。そのため、融液へ
のシリコンの送り出し量が非常に不安定になる。
を開始するために振動ボウル内に必要な量の材料のた
め、粒子の選別が発生する可能性がある。粒子は一定時
間後に分離し、大きい粒子ほど中心側へ、小さい粒子ほ
ど外側へ移動し、金属トラックが傾斜する。励振のレベ
ルと送出される粒子のサイズとの関係が安定しないた
め、この種の装置の調整は困難となる。
染する可能性がある金属部品のない装置によって半導体
グレードのシリコン原材料を制御雰囲気の炉へ送り込む
ことができ、また約20ミリトールの真空を保持でき
て、供給機構及び炉から排気をして水分を含まない不活
性雰囲気を充填することができる、シリコン供給装置を
設けることが望ましい。
題点は、高い信頼性を有すると共にはるかに簡単な改良
型供給装置によって解決される。本発明の装置は、供給
機構の上方の位置にシリコン原材料ペレットの貯槽を備
えている。ペレット貯槽は、ペレットが重力で流れる上
方の供給管によって供給機構に接続されている。供給管
の下端部の形状は、供給機構の長手方向軸線に沿って配
置された1対の送りローラの外形にほぼ一致している。
互いに非常に近接しているローラは、フレームによって
支持されて、1組の軸受で回転できるようになってい
る。ローラはさらに、1組の平歯車を介して互いに連結
されている。その動作においては、駆動ローラがペレッ
ト流の方向へ回転することによって、ペレットはころが
って自由に回転することができるため、駆動モータに対
する抵抗は少ない。ローラを傾斜させることによって、
重力によってペレットが供給管から遠ざかり、ローラの
端部へ移動する一列に並んだペレットの連なりを形成す
る。回転速度を制御することによって、ペレットがロー
ラから放出される流量を制御することができる。次に、
ペレットは炉内の供給室へ案内される。
め、以下の詳細な説明を添付の図面と組み合わせて参照
されたい。
るつぼ内の溶融シリコンに様々な大きさ及び形状のシリ
コン粒子を供給するための、本発明を組み込んだ装置で
ある。密封できるハウジング8は、本発明の装置を収容
できる十分な大きさである。貯槽3には原材料である様
々な大きさ及び形状のシリコン粒子4が収容されてい
る。これらの粒子は、一般的に粒径が約0.6ミクロン
から約2ミクロンの範囲に入るようにふるいにかけられ
ている。供給管2により、供給貯槽3と、1対の駆動ロ
ーラすなわち送りローラ1とが接続される。供給管2の
下端部の形状が、ローラ1の回転中に放出される粒子の
量を決定する。供給管2の下端部に形成されて下方へ延
びたテール部12によって、正面を示す図3及び側面を
示す図4から容易に理解できるように、原材料流の大部
分がローラ1の表面上へ向かわせられる。テール部12
は、ローラ1の表面に隣接する部分に一致した円弧状の
形状の1対の側壁部分13を備えている。好ましくは、
供給管2はタイプ303〜304のステンレス鋼等のス
テンレス鋼で形成される。
有する1組の平歯車10を介して連結されている。図2
に示されているように、ローラ1は、ほぼ同一直径であ
って、好ましくはウレタンゴム(例えばジュロメータシ
ョアAで硬度56)製であることによって、供給管2の
下端部と駆動ローラ1のいずれか一方との間で捕らえら
れたペレットは駆動ローラ1を変形させて進み続け、供
給管の反対側から逃げることができ、詰まってモータ7
を停止させることがない。モータ7は、公知のカップリ
ング6を介して駆動ローラ1の一方に連結されている。
ローラ1は、フレーム9によって所定位置に保持されて
いるシールドされた軸受5で回転可能に取り付けられて
いる。モータ7は、供給量を所望量まで変化させるよう
に様々な速度で運転することができる。ペレットは、回
転速度とローラ1の傾斜角度とで決定される流量で供給
管2の下端部から離れる。ペレットは、ローラ1の端部
へ進み、粒子経路11に沿って連続的に炉(図示せず)
内へ転げ落ちる。ウレタンローラ1であるため、回転の
停止時には、ローラ表面の摩擦によってペレットも停止
する。
真空排気ポート14が設けられている。真空排気ポート
14は真空源に連結されて、供給材料を貯槽3内へ装填
した後、フレームハウジング9の内部を動作レベル(好
ましくは約20ミリトール)まで排気できる。ガス入口
ポート16は、ハウジング8の内部を不活性雰囲気とす
るために不活性ガス源に連結されている。真空源と不活
性ガス源は、関連の溶融シリコン炉を排気してそれに不
活性雰囲気を与えるために使用されるものと同じにする
ことができる。
ための実験テストを行った。以下の表1は、水平に対す
るローラの傾斜角度が15度の場合について回転数/分
(rpm)で表したローラ速度の関数としての供給量を
示している。供給される材料が非常に離散的な量である
ために供給量は滑らかではない。しかし、この機構は供
給量を所望の供給量ラインを中心にした一定範囲内に維
持する。
の(供給量)対(ローラの回転数/分)のグラフを示し
ている。
って形成されたシリコン供給装置は、信頼できる供給量
でシリコン原材料を与えることができる。特に、原材料
の粒径の調節とフィードバック制御の追加によって、一
定の供給量を維持する正確度をさらに大幅に向上させる
ことができる。また、本発明は、シリコンを汚染する虞
れがある金属部品を必要としない制御雰囲気の炉内へシ
リコン原材料を送り込むことができる。また、本発明
は、シリコンウェブの成長に必要な真空を保持すること
ができるため、供給機構及び関連の炉の両方を排気し
て、水分を含まない不活性雰囲気を充填することができ
る。
した。当該技術の専門家には様々な変更及び代替構造及
び同等物を考えることができるであろう。従って、上記
の開示は本発明を制限するものと解釈されるべきではな
く、本発明は添付の請求項によって定義される。
ローラフィーダ機構を示す断面図である。
面図である。
形状を示している。
合の駆動ローラの回転速度と供給量の関係を示すグラフ
である。
4 シリコン粒子、7 モータ、 8 ハウジング、
10 平歯車、 14 真空排気ポート、16 ガス
入口ポート。
Claims (8)
- 【請求項1】 原料粒子を溶融シリコン炉へ制御可能な
流量で補給する装置であって、 原料粒子を収容する貯槽と、 前記貯槽に連結された第1端部と開放した出口端部を有
する供給管と、 前記供給管の開放端部に隣接して配置されていて、原料
粒子の送り経路を形成する回転可能な駆動ローラ対と、 前記駆動ローラ対を回転させる回転手段と、 前記貯槽、前記供給管、前記回転可能な駆動ローラ対及
び前記回転手段を包囲しているハウジングであって、動
作真空レベルまで排気できると共に、不活性ガスを収容
することができ、原料粒子出口を有しているハウジング
とを備え、前記回転手段の動作によって、最初は前記貯
槽に入っていた前記原料粒子が重力によって前記供給管
を通ってその出口端部から出て、前記ローラの表面に沿
って前記原料粒子出口へ送られるようにした原材料供給
装置。 - 【請求項2】 前記ハウジングはさらに、真空排気ポー
トとガス入口ポートを備えて、前記ハウジングの内部の
前記動作真空レベルまでの排気と前記ハウジングの内部
への不活性ガスの充填とが行える請求項1記載の装置。 - 【請求項3】 前記駆動ローラを水平基準線に対して角
度を付けて取り付けて、原料粒子がその表面に沿って流
れやすくしている請求項1記載の装置。 - 【請求項4】 前記駆動ローラは弾性材料で形成されて
いる請求項1記載の装置。 - 【請求項5】 前記回転手段は、駆動モータと、前記駆
動ローラ対に取り付けられて互いに噛み合った1対の歯
車を含む請求項1記載の装置。 - 【請求項6】 さらに、前記モータと前記駆動ローラ対
の一方の間に駆動カップリングを備えている請求項5記
載の装置。 - 【請求項7】 前記歯車は、前記駆動ローラ対の、前記
モータから離れた端部に取り付けられている請求項6記
載の装置。 - 【請求項8】 前記供給管の出口端部は、前記ローラ対
の表面間に延在するテール部を有することを特徴とする
請求項1記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/841245 | 1997-04-29 | ||
US08/841,245 US5997234A (en) | 1997-04-29 | 1997-04-29 | Silicon feed system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10310488A true JPH10310488A (ja) | 1998-11-24 |
Family
ID=25284396
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10047594A Ceased JPH10310488A (ja) | 1997-04-29 | 1998-02-27 | 原料供給装置 |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5997234A (ja) |
EP (1) | EP0875606B1 (ja) |
JP (1) | JPH10310488A (ja) |
KR (1) | KR19980079779A (ja) |
CN (1) | CN1093181C (ja) |
AU (1) | AU718318B2 (ja) |
BR (1) | BR9800795A (ja) |
CA (1) | CA2229384C (ja) |
DE (1) | DE69801132T2 (ja) |
ES (1) | ES2158626T3 (ja) |
ID (1) | ID20210A (ja) |
TW (1) | TW369503B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002543037A (ja) * | 1999-05-03 | 2002-12-17 | エバーグリーン ソーラー, インコーポレイテッド | 結晶成長のための連続的な溶融物補充 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6454851B1 (en) * | 2000-11-09 | 2002-09-24 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for preparing molten silicon melt from polycrystalline silicon charge |
WO2004035877A2 (en) | 2002-10-18 | 2004-04-29 | Evergreen Solar, Inc. | Method and apparatus for crystal growth |
US6814802B2 (en) | 2002-10-30 | 2004-11-09 | Evergreen Solar, Inc. | Method and apparatus for growing multiple crystalline ribbons from a single crucible |
WO2005064238A1 (en) * | 2003-12-31 | 2005-07-14 | Council Of Scientific & Industrial Research | Device for feeding pulverised coal to furnace |
DE102009028166A1 (de) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Förderung von Siliciumgranulat in einer gekapselten Förderrinne |
ES2547279T3 (es) * | 2011-11-14 | 2015-10-02 | Ultrasion S.L. | Procedimiento para la dosificación de pellets de material plástico |
CN103132137A (zh) * | 2013-02-25 | 2013-06-05 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 复投装置及利用具备该装置的设备生产直拉单晶的方法 |
ES2784518T3 (es) * | 2014-12-09 | 2020-09-28 | Mitsui Chemicals Inc | Composición de resina a base de propileno |
CN105887192B (zh) * | 2016-05-30 | 2020-05-12 | 上海超硅半导体有限公司 | 多晶硅料的筛选及装填坩埚的方法 |
CN106757348A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-31 | 天通银厦新材料有限公司 | 一种蓝宝石全自动化生产线 |
CN109433636B (zh) * | 2018-12-17 | 2023-11-10 | 东华链条兴化有限公司 | 一种链板正反面认面装置 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2515455A (en) * | 1947-06-11 | 1950-07-18 | Martin H Lipton | Uniform fuel feed for smoke generators |
US3259225A (en) * | 1960-02-16 | 1966-07-05 | Henry C Lehde | Marshalling apparatus |
US3297130A (en) * | 1964-01-13 | 1967-01-10 | American Flange & Mfg | Method and apparatus for orienting articles |
AU415239B2 (en) * | 1965-09-02 | 1971-07-20 | The Colonial Sugar Refining Company Limited | Method and apparatus for aligning bcd ibs |
US3610391A (en) * | 1970-03-20 | 1971-10-05 | Btu Eng Corp | Furnace conveyor system |
US3827582A (en) * | 1971-12-13 | 1974-08-06 | G Lederer | Stacking device |
US4040513A (en) * | 1972-11-20 | 1977-08-09 | Lewals, Inc. | Disc advancing and metering device |
DE2259300C2 (de) * | 1972-12-04 | 1984-01-05 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt | Fördervorrichtung zum Transport von Förderbändern, Drahtgliedergurten oder Förderkästen in einem Wärmebehandlungsofen |
FI58464C (fi) * | 1979-10-30 | 1981-02-10 | Rettig Strengberg Ab Oy | Doseringsanordning foer drageformigt material saosom soetsaker eller motsvarande |
US4391560A (en) * | 1981-10-14 | 1983-07-05 | Van Dam Machine Corporation Of America | Lid infeed for spinning rod restacker |
CA1261715A (en) * | 1984-07-06 | 1989-09-26 | General Signal Corporation | Apparatus and process for growing monocrystals of semiconductor materials from shallow crucibles by czochralski technique |
JPH01122988A (ja) * | 1987-11-06 | 1989-05-16 | Kawasaki Steel Corp | 単結晶を成長させる方法および単結晶製造装置 |
FI901413A0 (fi) * | 1989-03-30 | 1990-03-21 | Nippon Kokan Kk | Anordning foer framstaellning av kiselenkristaller. |
US5178077A (en) * | 1990-01-07 | 1993-01-12 | Norris David P | Apparatus and method for the removal of higher and lower volatility organic contaminants from soil |
JPH03252386A (ja) * | 1990-03-02 | 1991-11-11 | Nkk Corp | 単結晶製造装置 |
JP3060489B2 (ja) * | 1990-06-15 | 2000-07-10 | アイシン精機株式会社 | 機械駆動式遠心過給機 |
US5242667A (en) * | 1991-07-26 | 1993-09-07 | Ferrofluidics Corporation | Solid pellet feeder for controlled melt replenishment in continuous crystal growing process |
US5499709A (en) * | 1994-04-15 | 1996-03-19 | Alvey, Inc. | Conveyor with separator/aligner |
-
1997
- 1997-04-29 US US08/841,245 patent/US5997234A/en not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-02-11 CA CA002229384A patent/CA2229384C/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-02-18 AU AU55366/98A patent/AU718318B2/en not_active Ceased
- 1998-02-20 ES ES98103033T patent/ES2158626T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-20 EP EP98103033A patent/EP0875606B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-20 TW TW087102411A patent/TW369503B/zh active
- 1998-02-20 DE DE69801132T patent/DE69801132T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-02-27 BR BR9800795-5A patent/BR9800795A/pt not_active IP Right Cessation
- 1998-02-27 CN CN98105291A patent/CN1093181C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-02-27 KR KR1019980006410A patent/KR19980079779A/ko not_active Application Discontinuation
- 1998-02-27 JP JP10047594A patent/JPH10310488A/ja not_active Ceased
- 1998-03-02 ID IDP980306A patent/ID20210A/id unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002543037A (ja) * | 1999-05-03 | 2002-12-17 | エバーグリーン ソーラー, インコーポレイテッド | 結晶成長のための連続的な溶融物補充 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0875606B1 (en) | 2001-07-18 |
DE69801132D1 (de) | 2001-08-23 |
KR19980079779A (ko) | 1998-11-25 |
AU5536698A (en) | 1998-11-19 |
CN1197854A (zh) | 1998-11-04 |
BR9800795A (pt) | 1999-09-28 |
US5997234A (en) | 1999-12-07 |
CA2229384A1 (en) | 1998-10-29 |
ES2158626T3 (es) | 2001-09-01 |
EP0875606A1 (en) | 1998-11-04 |
CN1093181C (zh) | 2002-10-23 |
TW369503B (en) | 1999-09-11 |
DE69801132T2 (de) | 2001-11-15 |
AU718318B2 (en) | 2000-04-13 |
ID20210A (id) | 1998-10-29 |
CA2229384C (en) | 2006-04-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH10310488A (ja) | 原料供給装置 | |
EP0170856A1 (en) | Process for growing monocrystals of semiconductor materials from shallow crucibles by Czochralski technique | |
WO2000066816A1 (en) | Continuous melt replenishment for crystal growth | |
JPH10182289A (ja) | アンチモン又はヒ素が多量に添加されたシリコンウェーハの酸素含有量を制御する方法及び装置 | |
JP3115335B2 (ja) | 融液補給装置 | |
US10494734B2 (en) | Method for producing silicon single crystals | |
US5242667A (en) | Solid pellet feeder for controlled melt replenishment in continuous crystal growing process | |
KR930010751B1 (ko) | 분자선 에피택시 장치 | |
CN114686978A (zh) | 加料组件及具有其的单晶生长装置、加料方法 | |
EP0390502A2 (en) | Apparatus for manufacturing silicon single crystals | |
JP2010222162A (ja) | ドープ剤供給装置及び半導体単結晶製造装置 | |
JPH06100394A (ja) | 単結晶製造用原料供給方法及び装置 | |
MXPA98001695A (en) | Sili feed system | |
JP2525294B2 (ja) | 粒状シリコン供給装置 | |
JP2577259B2 (ja) | 粒状シリコン供給装置 | |
JPS598694A (ja) | 結晶成長装置 | |
JP2835345B2 (ja) | 原料供給方法及びその装置 | |
JP2523821B2 (ja) | Cz炉への原料供給装置 | |
JPH0532540Y2 (ja) | ||
JPH0446099A (ja) | シリコン単結晶体の引上装置 | |
JP3883394B2 (ja) | シリコン材料供給装置 | |
TW202237910A (zh) | 用於製備摻雜單晶矽錠的設備和方法 | |
JP6563459B2 (ja) | 半導体グレード材料またはソーラーグレード材料の融液の制御されたドーピングのための気体ドーピングシステム | |
JP2567312B2 (ja) | シリコン単結晶の製造装置及び製造方法 | |
US20050087126A1 (en) | Non-contact orbit control system for Czochralski crystal growth |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A625 | Written request for application examination (by other person) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A625 Effective date: 20040421 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040628 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040902 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060814 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070731 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070926 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080617 |
|
A045 | Written measure of dismissal of application [lapsed due to lack of payment] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A045 Effective date: 20081028 |