CN114686978A - 加料组件及具有其的单晶生长装置、加料方法 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 65
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 203
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 166
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 45
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 39
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 25
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 18
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 17
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000007480 spreading Effects 0.000 claims description 3
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 79
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 49
- 235000014347 soups Nutrition 0.000 abstract description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 22
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 12
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 238000012840 feeding operation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B27/00—Single-crystal growth under a protective fluid
- C30B27/02—Single-crystal growth under a protective fluid by pulling from a melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明公开了一种加料组件及具有其的单晶生长装置、加料方法，单晶生长装置包括：炉体、坩埚以及加料组件，炉体内限定出炉室，坩埚设于炉室内，加料组件适于向坩埚内补充原料，加料组件包括：加料筒、导料件以及调节件，加料筒内形成容纳原料的容纳腔，容纳腔的朝向坩埚一侧形成开口，导料件可移动地设于容纳腔内，导料件朝向开口的表面形成为导料面，导料面与开口的内周壁之间限定出出料口，导料件具有关闭出料口的展开状态以及打开出料口的收合状态，调节件适于驱动导料件在展开状态和收合状态之间切换，以调节出料口的大小。根据本发明的加料组件，可以根据原料的大小尺寸控制原料的下落速度，从而减小加料过程中造成的熔汤飞溅以及液面振动。
Description
技术领域
本发明涉及晶体生长技术领域，尤其是涉及一种加料组件及具有其的单晶生长装置、加料方法。
背景技术
在直拉单晶制造法中，在维持成减压下的惰性气体环境的腔室内，将晶种浸渍于坩埚内所积存的硅的原料熔汤中，并将所浸渍的晶种缓慢提拉，通过这种方式于晶种的下方生长出单晶硅。其中，在单晶生长的过程中，由于生产预定尺寸的晶棒所需的多晶原料无法精准预估，同时为防止原料浪费，因此需要向坩埚内补充多晶原料。但在相关技术的加料过程中，无法准确控制原料落入坩埚内熔汤的速度，从而造成熔汤液面产生较大波动，进而影响单晶生长质量，且会产生熔汤飞溅，造成原料的浪费及影响单晶炉的稳定性。
发明内容
本发明提出了一种加料组件，所述加料组件可以减小加料过程中造成的熔汤飞溅以及液面振动。
本发明还提出了一种具有上述加料组件的单晶生长装置。
本发明还提出了一种用于上述单晶生长装置的加料方法。
根据本发明实施例的加料组件，设置于单晶生长装置中，单晶生长装置包括：炉体、坩埚以及所述加料组件，所述炉体内限定出炉室，所述坩埚设于所述炉室内，所述加料组件适于向所述坩埚内补充原料，所述加料组件包括：加料筒，所述加料筒内形成容纳所述原料的容纳腔，所述容纳腔的朝向所述坩埚一侧形成开口；导料件，所述导料件可移动地设于所述容纳腔内，所述导料件的朝向所述开口的表面形成为导料面，所述导料面与所述开口的内周壁之间限定出出料口，所述导料件具有关闭所述出料口的展开状态以及打开所述出料口的收合状态；调节件，所述调节件适于驱动所述导料件在所述展开状态和所述收合状态之间切换，以调节所述出料口的大小
根据本发明实施例的加料组件，调节件用于驱动导料件的至少部分运动以调节导料面与水平面的夹角以及出料口的大小，使得加料组件可以根据原料的大小尺寸控制原料的下落速度，从而减小加料过程中造成的熔汤飞溅以及液面振动，进而可以防止熔汤飞溅到其他部件上造成原料的浪费。此外，加料过程造成熔汤液面振动的幅度较小，利于熔汤液面快速恢复至较为平静的状态，从而降低熔汤液面波动对单晶生长的影响。
根据本发明的一些实施例，所述导料件包括：环形的连接件；隔挡叶片，在由上至下的方向上，所述隔挡叶片朝向所述连接件的径向外侧倾斜延伸，所述隔挡叶片设有多个，多个隔挡叶片沿所述连接件的周向排布且相邻的两个所述隔挡叶片的至少部分重叠设置，以形成所述导料面；所述调节件适于驱动多个所述隔挡叶片以所述连接件与所述隔挡叶片的连接处的切线为轴转动，用于调整所述出料口的大小。
根据本发明的一些实施例，所述调节件包括：驱动板，所述驱动板设于所述导料件朝向所述坩埚的一侧，所述驱动板与多个所述隔挡叶片朝向所述坩埚的一侧抵接；第一驱动模块，所述第一驱动模块适于驱动所述驱动板升降。
根据本发明的一些实施例，所述隔挡叶片上形成过滤孔，所述过滤孔与所述驱动板在上下方向上相对设置，所述过滤孔的直径小于所述原料的最小直径，所述隔挡叶片与所述驱动板限定出杂质收集腔，以在所述原料沿所述隔挡叶片下落并从所述出料口进入所述坩埚的过程中，所述原料中的杂质通过所述过滤孔进入所述杂质收集腔。
根据本发明的一些实施例，所述调节件还包括：第一底板，所述第一底板设于所述驱动板朝向所述坩埚的轴向端面上，所述驱动板上形成第一过孔，所述第一底板上形成第二过孔，所述第二过孔的内径不小于所述第一过孔的内径，所述第一驱动模块适于驱动所述第一底板相对所述驱动板转动，以使得所述第一过孔和所述第二过孔对齐或错开。
根据本发明的一些实施例，所述原料至少包括：一类原料和二类原料，所述一类原料的直径大于所述二类原料的直径，所述隔挡叶片上形成分料孔，所述分料孔与所述驱动板在上下方向上相对设置，所述分料孔的直径小于所述一类原料的直径且大于所述二类原料的直径，所述调节件还包括：第二底板，所述第二底板设于所述驱动板朝向所述坩埚的轴向端面上，所述驱动板上形成第三过孔，所述第三过孔的直径不小于所述二类原料的直径，所述第二底板上形成第四过孔，所述第四过孔的内径不小于所述第三过孔的内径，所述第一驱动模块适于驱动所述第二底板相对所述驱动板转动，以使得所述第三过孔和所述第四过孔对齐或错开。
根据本发明的一些实施例，所述加料组件还包括：第二驱动模块，所述第二驱动模块包括底端与所述连接件连接的传动轴以及驱动所述传动轴升降和/或转动的第二驱动件，所述第一驱动模块包括：第一驱动件和传动杆，所述驱动板设于所述传动杆的底端，所述第一驱动件适于驱动所述传动杆升降和/或转动，所述传动杆穿设于所述传动轴。
根据本发明实施例的单晶生长装置，包括：上述加料组件。
根据本发明实施例的单晶生长装置，加料组件可以根据原料的大小尺寸控制原料的下落速度，从而减小加料过程中造成的熔汤飞溅以及液面振动，进而可以防止熔汤飞溅到其他部件上造成原料的浪费。此外，加料过程造成熔汤液面振动的幅度较小，利于熔汤液面快速恢复至较为平静的状态，从而降低熔汤液面波动对单晶生长的影响，利于提升单晶生长装置的可靠性。
根据本发明实施例的用于单晶生长装置的加料方法，包括：将原料按照直径由小到大的顺序依次放入加料筒内；根据所述原料的尺寸，所述调节件控制所述导料件的所述导料面与所述加料筒的轴线之间的夹角的大小，以调节所述出料口的大小，从而控制所述原料的下落速度及下落位置；加料完成后，所述调节件控制所述导料件形成为展开状态以关闭所述出料口。
根据本发明实施例的用于单晶生长装置的加料方法，可以较好地减小加料过程中造成的熔汤飞溅以及液面振动，进而可以防止熔汤飞溅到其他部件上造成原料的浪费。此外，加料过程造成熔汤液面振动的幅度较小，利于熔汤液面快速恢复至较为平静的状态，从而降低熔汤液面波动对单晶生长的影响，利于提升单晶生长装置的可靠性。
根据本发明的一些实施例，所述单晶生长装置还包括：导流筒，所述导流筒设于所述炉室内，且位于所述坩埚的上方，所述导流筒内形成气流通道，所述导料件穿设于所述气流通道内；所述加料完成后，所述调节件控制所述导料件形成为展开状态以关闭所述出料口，包括：所述导料件上升至底部与所述导流筒的底部平齐。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
图1是根据本发明实施例的单晶生长装置的局部剖视图；
图2是根据本发明实施例一的加料组件关闭开口时的示意图；
图3是根据本发明实施例一的加料组件关闭开口时的局部剖视图；
图4是根据本发明实施例一的加料组件打开开口时的示意图；
图5是根据本发明实施例一的加料组件的打开开口时的局部剖视图；
图6是根据本发明实施例一的加料组件的导料件的示意图；
图7是根据本发明实施例二的加料组件的导料件的示意图；
图8是根据本发明实施例二的加料组件关闭开口时的示意图；
图9是根据本发明实施例二的加料组件关闭开口时的局部剖视图；
图10是根据本发明实施例二的加料组件过滤灰尘的示意图；
图11是根据本发明实施例二的加料组件的驱动板收集灰尘的示意图；
图12是根据本发明实施例三的加料组件释放二类原料时的示意图；
图13是根据本发明实施例三的加料组件的释放二类原料时的局部剖视图；
图14是根据本发明实施例三的加料组件的导料件的示意图；
图15是根据本发明实施例三的加料组件释放一类原料时的示意图；
图16是根据本发明实施例的加料组件的释放一类原料时的局部剖视图；
图17是根据本发明实施例的加料组件的导料件遮挡气流通道的示意图；
图18是根据本发明实施例的单晶生长装置的原料分布示意图。
附图标记：
1000、单晶生长装置；
100、加料组件；
1、加料筒；11、容纳腔；12、开口；13、出料口；
2、导料件；21、导料面；22、连接件；23、隔挡叶片；231、过滤孔；232分料孔；
3、调节件；31、驱动板；311、第一过孔；312、第三过孔；
32、传动杆；33、第一底板；331、第二过孔；
34、第二底板；341、第四过孔；35、传动轴；
4、原料；41、一类原料；42、二类原料；43、杂质；
200、坩埚；210、熔汤；300、导流筒。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的可应用于性和/或其他材料的使用。
下面参考附图描述根据本发明实施例的加料组件100。
如图1所示，单晶生长装置1000包括：炉体(图未示出)、坩埚200以及根据本发明实施例的加料组件100。具体地，炉体内限定出炉室，坩埚200设于炉室内，加料组件100适于向坩埚200内补充原料4。可以理解的是，在单晶生长的过程中，例如使用单晶生长装置1000生产单晶硅棒时，首先将原料4如多晶硅原料4放入坩埚200内加热至熔融状态形成多晶硅熔汤210，然后将籽晶浸渍于熔汤210中，通过提拉、旋转籽晶的方式，使得熔汤210内的硅原子逐步在籽晶底部结晶，并通过控制籽晶的提拉、旋转速度控制籽晶的尺寸，以最终形成符合尺寸需求的单晶硅棒。但随着熔汤210内的硅原子不断在籽晶底部结晶，使得熔汤210内的硅原子含量不断减少。由此，通过加料组件100可以及时地向坩埚200内补充用于生产单晶的原料4，从而可以避免因单晶原子含量不足影响单晶生长速度、质量等情况的发生，以保证生产出满足尺寸需求的单晶棒。
其中，如图2-图5所示，加料组件100包括：加料筒1、导料件2和调节件3。具体地，加料筒1内形成容纳原料4的容纳腔11，容纳腔11的朝向坩埚200的一侧形成开口1，导料件2可移动地设于容纳腔11内，导料件2朝向开口1的表面形成为导料面21，导料面21与开口1的内周壁之间限定出出料口13，导料件2具有关闭出料口13的展开状态以及打开出料口13的收合状态。也就是说，可以通过控制导料件2处于展开状态打开出料口13，以使得容纳腔11内的原料4可以通过打开的出料口13进入坩埚200内，而当设定量的原料4添加完毕后，可以通过控制导料件2处于收合状态关闭出料口13等待下次加料。由此，可以灵活地根据原料4的需求量进行一次或者多次加料操作，从而保证生产出满足尺寸需求的单晶棒。此外，通过将原料4分多次加入坩埚200内，可以根据单晶棒当前的生长状态灵活地控制投入量，从而可以防止单次加入过多的原料4导致的原料4浪费，利于降低单晶棒的生产成本。
此外，调节件3适于驱动导料件2在展开状态和收合状态之间切换，以调节出料口13的大小。其中可以理解的是，导料件2在展开状态和收合状态之间切换过程中，导料面21相对于水平面的倾斜角度也随之改变，导料面21与水平面之间的夹角在导料件2处于展开状态时最小，导料面21与水平面之间的夹角在导料件2处于收合状态时最大，并且，随着导料面21相对于水平面之间的夹角逐渐增大时，使得导料面21与开口1的内周壁之间的间距随之缩小。因此，通过调节件3调节导料件2在展开状态和收合状态之间切换，可以控制导料面21相对于水平面的倾斜角度，并在此过程中可以调节出料口13的大小。由此，使得加料组件100可以根据加料要求，控制出料口13的大小以加入指定尺寸的原料4。例如，当具有多种尺寸的原料4时，可以通过将出料口13控制在仅可以供小颗粒原料4通过的大小，由于此时导料面21的倾斜程度满足小颗粒原料4的加料需求，因此，通过限制出料口13的大小可以防止大颗粒原料4通过，从而可以较好地避免大颗粒原料4下落造成造成的熔汤210飞溅以及液面振动越大。
此外，调节件3还可以驱动导料件2升降，以调节导料面21与开口11的内周壁之间的间距控制出料口13的大小。其中，当调节件3控制导料面21与开口12的内周壁间隔开时，容纳腔11内原料4可以沿着导料面21向下滑动并通过出料口13落入坩埚200。可以理解的是，导料面21相对于水平面的倾斜角度越大，原料4沿着导料面21滑落的速度越快，则原料4脱离导料面21后下落的速度越快，而可以理解的是，原料4的下落速度越快，原料4的尺寸越大，则原料4落入熔汤210造成的熔汤210飞溅以及液面振动越大，反之，原料4的下落速度越慢，原料4的尺寸越小，则落入熔汤210造成的熔汤210飞溅以及液面振动越小。
具体地，在加料的过程中，当原料4的尺寸较大，在出料口13满足原料4通过的前提下，可以通过调节件3减小导料面21相对于水平面的倾斜程度，从而减缓原料4沿导料面21滑动以及下落的速度，从而可以减小入熔汤210造成的熔汤210飞溅以及液面振动。其次，当原料4壳体的尺寸较小时，可以通过调节件3增大导料面21相对于水平面的倾斜程度，使得尺寸较小的原料4可以更快速地落入坩埚200内，利于提升加料组件100的加料速度。换言之，通过控制出料口13的大小，可以根据加料要求加入指定尺寸的原料4，并且，不同尺寸的原料4可以对应不同倾斜程度的导料面21，从而可以较好地将原料4尺寸与导料面21的倾斜程度一一对应。
由此，使得加料组件100可以根据原料4的大小尺寸控制原料4的落入熔汤210的速度，从而减小加料过程中造成的熔汤210飞溅以及液面振动，进而可以防止熔汤210飞溅到其他部件上造成原料4的浪费，并利于提升单晶生长装置1000的可靠性。此外，加料过程造成熔汤210液面振动的幅度较小，利于熔汤210液面快速恢复至较为平静的状态，从而降低熔汤210液面波动对单晶生长的影响。
根据本发明实施例的加料组件100，通过调节件3驱动导料件2在展开状态和收合状态之间切换调节出料口13的大小，使得加料组件100可以根据加料要求加入指定尺寸的原料4，从而可以实现精确加料；此外，使得加料组件100可以根据原料4的大小尺寸控制原料4的下落速度，从而减小加料过程中造成的熔汤210飞溅以及液面振动，进而可以防止熔汤210飞溅到其他部件上造成原料4的浪费，并利于提升单晶生长装置1000的可靠性。其次，加料过程造成熔汤210液面振动的幅度较小，利于熔汤210液面快速恢复至较为平静的状态，从而降低熔汤210液面波动对单晶生长的影响。
在一个具体示例中，加料组件100具有位于炉室内的加料位置以及位于炉室外的装料位置，利于降低加料组件100的装料难度。具体地，将加料组件100置于炉室外部，并控制导料件2关闭开口12，后将原料4放入容纳腔11内。待需要向坩埚200内加料时，加料组件100设有开口12的一端伸入炉室内，并朝向靠近坩埚200的方向移动，待加料组件100到达指定位置后，导料件2打开开口12，以使得容纳腔11内的原料4落入坩埚200内，待加入设定量的原料4后，导料件2关闭开口12后，可以将加料组件100从炉室内取出，从而可以防止对单晶生长造成干扰。此外，可以通过控制加料组件100在坩埚200上方的高度，控制开口12与坩埚200内熔汤210的高度差，即控制原料4落入坩埚200的高度，从而可以控制原料4落入熔汤210时造成的熔汤210飞溅以及液面振动，进而可以防止熔汤210飞溅到其他部件上造成原料4的浪费，并利于熔汤210液面快速恢复至较为平静的状态，从而降低熔汤210液面波动对单晶生长的影响。
根据本发明的一些实施例，在收合状态，导料件2的展开角度与出料口13的大小呈反比，导料件2的展开角度为导料面21和加料筒1的轴线之间的夹角。也就是说，导料件2展开角度越大，出料口13越小，导料面21与加料筒1的轴线之间的夹角越大，即导料面21相对于水平面的倾斜角度越大，原料4沿着导料面21滑落以及下落的速度也就越慢；反之，导料件2的展开角度越小，出料口13越大，导料面21与加料筒1的轴线之间的夹角越大，即，导料面21的相对于水平面的倾斜角度越小，原料4沿着导料面21滑落以及下落的速度也就越快。
由此，使得加料组件100可以根据原料4的尺寸灵活地控制原料4的下落速度，从而减小加料过程中造成的熔汤210飞溅以及液面振动，进而可以防止熔汤210飞溅到其他部件上造成原料4的浪费。此外，加料过程造成熔汤210液面振动的幅度较小，利于熔汤210液面快速恢复至较为平静的状态，从而降低熔汤210液面波动对单晶生长的影响。
进一步地，如图2和图6所示，导料件2包括：环形的连接件22和多个隔挡叶片23。其中，在连接件22朝向坩埚200的方向上，隔挡叶片23朝向加料筒1的径向外侧倾斜，多个隔挡叶片23沿连接件22的周向排布且均可转动地设于连接件22，在加料筒1的周向方向上，相邻的两个隔挡叶片23的至少部分重叠设置，以形成导料面21，调节件3适于驱动多个隔挡叶片23以连接件22与隔挡叶片23的连接处的切线为轴转动，以调整出料口的13的大小。也就是说，多个隔挡叶片23的朝向开口12的表面共同构成导料面21，调节件3驱动多个隔挡叶片23相对于连接件22转动时，使得导料件2可以在展开状态和收合状态之间切换，在隔挡叶片23相对于连接件22转动的过程中，隔挡叶片23相对于水平面的倾斜角度也随之变化，从而调整导料面21与开口12的内周壁之间的间隔，进而可以控制出料口13的大小以向坩埚200内加入指定尺寸的原料4。
其次，可以通过控制多个隔挡叶片23与加料筒1的轴线之间的夹角控制导料面21与加料筒1的轴线之间的夹角，进而实现原料4下落速度的控制。具体地，位于导料面21上的原料4可以沿着导料面21朝向远离连接件22的外周侧的下方滑动。此外，可以较好地保证多个隔挡叶片23转动的同步性，并可以较好地防止原料4通过相邻的两个隔挡叶片23之间的漏出，利于提升加料组件100的可靠性。
在一个具体示例中，连接件22与加料筒1同轴设置，隔挡叶片23呈扇形，在朝向连接件22径向外侧的方向上，隔挡叶片23的宽度逐渐增大，导料件2大致构成圆台形。其中，当导料件2展开至最大角度时，相邻的两个隔挡叶片23相互靠近的一侧可以沿上下方向部分重叠，或者是相邻的两个隔挡叶片23相互靠近的一侧可以沿连接件的周向方向紧密贴合。
可选地，如图3和图5所示，调节件3包括：驱动板31和第一驱动模块(图未示出)，驱动板31设于导料件2朝向坩埚200的一侧，驱动板31与多个隔挡叶片23朝向坩埚200的一侧抵接，第一驱动模块适于驱动驱动板31升降。由此，通过第一驱动模块驱动驱动板31升降，可以精确地控制隔挡叶片23与加料筒1的轴线之间的夹角以及出料口13的大小，从而精确地控制原料4的下落速度。具体地，驱动板31呈圆形，且驱动板31的外周边缘与多个隔挡叶片23的下表面抵接，当导料件2处于展开状态时，开口12处于关闭状态，多个隔挡叶片23的上表面与开口12的内周壁抵接。
因此，参考图2-图5，在加料过程中，当原料4的尺寸较小时，驱动板31可以在第一驱动模块的驱动下向下移动，多个隔挡叶片23的下表面均与驱动板31抵接，使得多个隔挡叶片23在重力的作用下相对于连接件22向下转动，多个隔挡叶片23与加料筒1的轴线之间夹角逐渐缩小，使得导料面21相对于水平面的倾斜角度增大，在控制原料4下落速度的同时，利于提升加料速度。而当原料4的尺寸较大时，驱动板31可以在第一驱动模块的驱动下上升，使得驱动板31可以同时推动多个隔挡叶片23相对于连接件22向上转动，多个隔挡叶片23与加料筒1的轴线之间夹角逐渐增大，使得导料面21相对于水平面的倾斜角度减小，从而减缓原料4的下落速度，从而减小加料过程中造成的熔汤210飞溅以及液面振动。
此外，可以根据原料4的尺寸控制出料口13的大小，具体地，当原料4的尺寸较小时，驱动板31可以在第一驱动模块的驱动下上升，使得驱动板31可以同时推动多个隔挡叶片23相对于连接件22向上转动，使得多个隔挡叶片23与开口12的内壁之间的间距逐渐缩小，从而缩小出料口13。当原料4的尺寸较大时，驱动板31可以在第一驱动模块的驱动下向下移动，多个隔挡叶片23的下表面均与驱动板31抵接，使得多个隔挡叶片23在重力的作用下相对于连接件22向下转动，使得多个隔挡叶片23与开口12的内壁之间的间距逐渐增大，从而增大出料口13。此外，待加料完成后，可以通过第一驱动模块控制驱动板31上升直至多个隔挡叶片23与开口12的内周壁抵接，以关闭出料口13。
在一个具体示例中，驱动板31与隔挡叶片23抵接的部分形成圆弧面，利于降低驱动板31与隔挡叶片23接触位置相对运动时的摩擦力。
进一步地，如图7-图11所示，隔挡叶片23上形成过滤孔231，过滤孔231与驱动板31在上下方向上相对设置，过滤孔231的直径小于原料4的最小直径，隔挡叶片23与驱动板31限定出杂质收集腔，以在原料4沿隔挡叶片23下落并从出料口进入坩埚200的过程中，原料4中的杂质43通过过滤孔231进入杂质收集腔。其中可以理解的是，多晶原料4中通常掺杂有灰尘等杂质43，因此，通过设置过滤孔231，使得在加料的过程中，掺杂于原料4中的灰尘等杂质43可以通过过滤孔231落到杂质收集腔内，例如驱动板31上，并可以将原料4阻拦在导料面21上，进而通过调节件3与导料件2的配合，使得位于导料面21上原料4可以通过出料口13进入坩埚200内。由此，可以较好地避免原料4中掺杂的灰尘等杂质43进入坩埚200的熔汤210内造成污染，利于提升单晶的生长质量。
更进一步地，调节件3还包括：第一底板33，第一底板33设于驱动板31朝向坩埚200的轴向端面上，驱动板31上形成第一过孔311，第一底板33上形成第二过孔331，第二过孔331的内径不小于第一过孔311的内径，第一驱动模块适于驱动第一底板33相对驱动板31转动，以使得第一过孔311和第二过孔331对齐或错开。
也就是说，如图11所示，在第一底板33和驱动板31相对转动的过程中，第一过孔311和第二过孔331可以错开，即第一过孔311与第二过孔331不连通，使得杂质收集腔内的杂质43，即落在驱动板31上的灰尘等杂质43无法通过第一过孔311和第二过孔331，从而可以防止在加料的过程中杂质43落入坩埚200内造成污染。而在加料完成后，例如将加料组件100从炉室内取出后，通过第一底板33和驱动板31相对转动，第一过孔311和第二过孔331对齐，即第一过孔311和第二过孔331相对且连通，使得落在驱动板31上的灰尘等杂质43可以依次通过第一过孔311和第二过孔331被清理。由此，利于降低堆积在驱动板31上的杂质43的清理难度。
其中，第二过孔331的内径可以大于第一过孔311的内径，或者是第二过孔331的内径可以与第一过孔311的内径相同，以保证通过第一过孔311的杂质43可以顺畅通过第二过孔331，利于提升杂质43的清理速度。需要说明的是，第一过孔311的内径可以根据使用需求进行设置，在一个具体示例中，第一过孔311的内径与过滤孔231的内径相同。
可选地，如图12-14所示，原料4至少包括一类原料41和二类原料42，一类原料41的直径大于二类原料42的直径，隔挡叶片23上形成分料孔232，分料孔232与驱动板31在上下方向上相对设置，分料孔232的内径小于一类原料41的直径且大于二类原料42的直径，也就是说，在加料过程中，二类原料42可以通过分料孔232落在驱动板31上，并可以将一类原料41阻拦在导料面21上。进一步地，如图13和图16所示，调节件3还包括：第二底板34，驱动板31上形成第三过孔312，第三过孔312的直径不小于二类原料42的直径，第二底板34上形成第四过孔341，第四过孔341的内径不小于第三过孔312的内径，第一驱动模块适于驱动第二底板34相对驱动板31转动，以使得第三过孔312和第四过孔341对齐或错开。
也就是说，在第二底板34和驱动板31相对转动的过程中，第三过孔312和第四过孔341可以错开，即，第三过孔312和第四过孔341不连通，使得落在驱动板31上的二类原料42无法通过第一过孔311和第二过孔331下落。如图12和图13所示，当需要向坩埚200内加入二类原料42时，通过第二底板34和驱动板31相对转动，使得第三过孔312和第四过孔341对齐，即第三过孔312和第四过孔341连通，使得驱动板31上的二类原料42可以通过第三过孔312和第四过孔341向下落入坩埚200内。由此，可以较好地缩短原料4的下落距离，利于减慢原料4的下落速度，从而可以减小加料过程中造成的熔汤210飞溅以及液面振动。进一步地，如图15和图16所示，当二类原料42添加完成后，可以通过打开出料口13释放导料面21上的一类原料21，此时可以控制第三过孔312和第四过孔341错开，从而防止热量通过第三过孔312和第四过孔341以及加料筒1流失。
其中，第四过孔341的内径可以大于第三过孔312的内径，或者是第四过孔341的内径可以与第三过孔312的内径相同，以保证通过第三过孔312的二类原料42可以顺畅通过第四过孔341，利于提升二类原料42的加料速度。需要说明的是，第三过孔312的内径可以根据使用需求进行设置，在一个具体示例中，第三过孔312的内径与分料孔232的内径相同。
可选，如图2和图3所示，加料组件100还包括：第二驱动模块(图未示出)，第二驱动模块包括底端与连接件22连接的传动轴35以及驱动传动轴35升降和/或转动的第二驱动件(图未示出)。也就是说，第二驱动件可以驱动传动轴35升降，从而可以通过连接件22带动多个隔挡叶片23同步升降，即，第二驱动件可以驱动传动轴35带动多个隔挡叶片23向下运动，使得多个隔挡叶片23与开口12之间间距增加，即增大出料口13，第二驱动件还可以驱动传动轴35带动多个隔挡叶片23向上运动，使得多个隔挡叶片23与开口12之间的间距缩小，即缩小出料口13。即，第二驱动模块可以驱动导料件2调节出料口13的大小。由此，使得加料组件100可以根据原料4的尺寸精确地控制出料口13的大小，利于提升加料数量的准确度。
此外，第二驱动件还可以驱动传动轴35旋转，从而可以通过连接件22带动多个隔挡叶片23围绕传动轴35的轴线转动，即第二驱动件可以驱动导料件2围绕传动轴35的轴线转动。由此，在多个隔挡叶片23转动转动的过程中，使得原料4可以均匀地散布在导料面21上，从而使得在加料筒1的周向上，原料4可以均匀地落入坩埚200内，即原料4可以在熔汤210内均匀分布，利于提升单晶的生长质量。并且，可以较好地避免原料4在坩埚200内的一处堆积影响加料数量。此外，在导料件2的转动过程中，可以较好带动位于导料面21上原料4转动，从而避免原料4在出料口13内堆积导致出料口13堵塞的情况发生，利于提升加料组件100的加料效率。
进一步地，第一驱动模块包括：第一驱动件(图未示出)和传动杆32，驱动板31设于传动杆32的底端，第一驱动件适于驱动传动杆32升降和/或转动。也就是说，第一驱动件可以驱动传动杆32升降，从而带动驱动板31升降，以精确、灵活地控制导料面21与加料筒1的轴线之间的夹角以及出料口13的大小。此外，第一驱动件还可以驱动传动杆32升降以及转动，从而带动驱动板31升降的同时旋转，利于降低驱动板31推动隔挡叶片23转动的难度。更进一步地，传动杆32穿设于传动轴35。由此，在保证传动杆32和传动轴35可以独立转动的同时，可以较好地避免传动杆32与原料4接触，从而可以降低传动杆32的转动摩擦力以及传动杆32磨损。
根据本发明的一些实施例，如图1和图17所示，单晶生长装置1000还包括：导流筒300，导流筒300设于炉室内，且位于坩埚200的上方，导流筒300内形成气流通道310，导料件2适于遮挡气流通道310的至少部分。由此，使得导料件2可以较好地阻挡热量通过气流通道310以及加料筒1流失，利于保持炉室内的温度，利于提升加入原料4的热熔速度，并可以较好地降低单晶生长装置1000的能耗。在一个具体示例中，导料件2可以完全遮挡气流通道310，以进一步阻挡热量的流失。
下面参考图1-图18描述根据本发明具体实施例的加料组件100。值得理解的是，下述描述只是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
实施例一
参考图2，加料组件100包括：圆筒形的加料筒1、导料件2和调节件3。
其中，加料筒1沿上下方向延伸，加料筒1中形成容纳腔11，原料4位于容纳腔11内，加料筒1的下端形成与容纳腔11连通的开口12。
参考图2和图6，导料件2包括连接件22和多个隔挡叶片23，连接件22呈环形，且与加料筒1同轴设置，隔挡叶片23呈扇形，多个隔挡叶片23的上表面共同构成导料面21，多个隔挡叶片23均沿上下方向可转动地设于连接件22的外周边缘，导料件2大致构成圆台形，导料件2的下端的直径大于上端的直径，并且在连接件22的周向方向上，相邻的两个隔挡叶片23的部分重叠设置。
参考图2和图3，调节件3包括：驱动板31、第一驱动模块和第二驱动模块。具体地，驱动板31呈圆形且驱动板31的外周边缘与多个隔挡叶片23的下表面抵接，第一驱动模块包括传动杆32和第一驱动件，第二驱动模块包括传动轴35和第二驱动件，传动杆32穿设于传动轴35和连接件22，传动杆32和传动轴35均与加料筒1同轴设置，传动轴35的下端连接件22固定连接，传动杆32的下端与驱动板31固定连接，驱动板31为圆形，传动杆32与驱动板31同轴设置，第一驱动件用于驱动传动杆32升降及旋转，第二驱动件用于驱动传动轴35升降及旋转。
具体地，实施例一的加料过程如下：如图2和图3所示，在加料前，导料件2关闭开口12，多个隔挡叶片23的上表面与开口12的内周壁抵接，并将原料4放入容纳腔11内，并将加料筒1的开口12一端伸到坩埚200的上方(如图1所示)。如图4和图5所示，通过第一驱动件驱动传动杆32下降，驱动板31同步向下运动，多个导料件2在重力的作用下紧贴着驱动板31的外周边缘相对于与连接件22连接位置向下转动，使得多个隔挡叶片23的上表面与开口12的内周壁的间距逐渐增大，导料面21相对于水平面的倾斜角度增大。
其中，可以根据原料4的直径控制导料面21的倾斜角度以及出料口13的大小。其中，当容纳腔11内具有不同尺寸的原料4时，例如，当原料4的尺寸较大时，为避免原料4落入坩埚200内引起较大的飞溅以及液面振动，可以首先通过第一驱动件控制驱动板31上升，隔挡叶片23相对于连接件22向上转动，使得导料面21相对于水平面的倾斜角度缩小，但由于隔挡叶片23向上转动，使得隔挡叶片23与开口12的内周壁之间的距离缩小，即出料口13缩小，因此，为保证尺寸较大的原料4通过出料口13，若此时的出料口13大小小于原料4的尺寸，可以通过第二驱动件控制导料件2整体向下移动，以增大出料口13释放原料4。
而当原料4的尺寸较小时，由于小尺寸原料4落入坩埚200内引起较大的飞溅以及液面振动较小，因此可以通过第一驱动件驱动传动杆32下降，进而增大导料面21的倾斜角度，并同时增大出料口13的大小，利于实现尺寸较小的原料4的加料速度。此外，为避免单次加入过量的原料4，可以通过第二驱动件控制导料件2整体向上移动，从而可以缩小出料口13。
此外，可以通过控制导料件2的展开角度，实现原料4在坩埚200内的均匀分布。具体地，当多个隔挡叶片23的倾斜角度较小时，此时导料件2的底端直径较大，原料4沿着导料面21落入坩埚200内具有中线轴线较远的位置。可以通过第一驱动件驱动传动杆32向下下降，逐渐增加隔挡叶片23的倾斜角度，使得导料件2的底端的直径缩小，使得原料4可以通过导料面21落入较为靠近坩埚200的中心轴线的区域内，从而向坩埚200内均匀加料。
此外，在加料完成后，参考图1，可以通过第一驱动件驱动传动杆32上升，使得导料件2的展开角度增大，从而遮挡在导流筒300的气流通道310内，以防止坩埚内热量通过气流通道310和加料筒1流失。
实施例二
本实施例与实施例一的结构大致相同，其中相同的部件采用相同的附图标记，参考图7-图11，实施例二与实施例一的区别点在于，隔挡叶片23上形成与驱动板31相对设置过滤孔231，过滤孔231的内径小于原料4最小的尺寸，驱动板31上形成内径与过滤孔231的内径相同的第一过孔311，调节件3还包括第一底板33，第一底板33上表面与驱动板31的下表面贴合，第一底板33和驱动板31同轴设置且直径相同，第一底板33上形成内径与第一过孔311的内径相同的第二过孔331，第一驱动件通过传动杆32驱动第一底板33和驱动板31产生相对于中心轴线的转动，第一底板33和驱动板31相对转动的过程中，第一过孔311和第二过孔331可以对齐或错开。
具体地，实施例二的加料过程与实施例一的加料过程大致相同，区别点在于，如图11所示，在加料的过程中，第一过孔311和第二过孔331错开，使得原料4中掺杂的灰尘等杂质43可以通过过滤孔231向下落在驱动板31上，待加料完成后，可以通过将加料组件100取出，例如取到炉室外，通过第一驱动模块驱动第一底板33和驱动板31相对转动以对齐第一过孔311和第二过孔331，使得落在驱动板31上的杂质43可以通过第一过孔311和第二过孔331清理。此外，驱动板31相对于第一底板33转动的过程中可以驱动位于其上的灰尘等杂质43滚动，利于提升杂质43的清理效率。
此外，在加料完成后，参考图17，可以通过第一驱动件驱动传动杆32上升，使得导料件2的展开角度增大，从而遮挡在导流筒300的气流通道310内，以防止坩埚内热量通过气流通道310和加料筒1流失。
实施例三
本实施例与实施例一的结构大致相同，其中相同的部件采用相同的附图标记，参考图12-图16，实施例三与实施例一的区别点在于，加入的原料4中至少包括：一类原料41和二类原料42，一类原料41的尺寸大于二类原料42的尺寸，隔挡叶片23上形成与驱动板31相对的分料孔232，分料孔232的内径大于二类原料42的尺寸小于一类原料41的尺寸，驱动板31上形成内径与分料孔232内径相同的第三过孔312，调节件3还包括第二底板34，第二底板34的上表面与驱动板31的上表面抵接，第二底板34和驱动板31可相对传动杆32的轴线转动，第二底板34上形成内径与第三过孔312的内径相同第四过孔341，第一驱动模块可以驱动第二底板34与驱动板31产生相对于中心轴线的转动，第二底板34和驱动板31相对转动的过程中，第三过孔312和第四过孔341可以对齐或错开。
具体地，实施例三的加料过程与实施例一的加料过程大致相同，区别点在于，在加料的过程中，第三过孔312和第四过孔341错开，二类原料42可以通过分料孔232向下落在驱动板31上，一类原料41位于导料面21上，通过第一驱动模块驱动第二底板34和驱动板31相对转动以对齐第三过孔312和第四过孔341，使得落在驱动板31上的二类原料42可以通过第三过孔312和第四过孔341落入坩埚200内，而位于导料面21上的一类原料41的加料过程可以参考实施例一中的加料过程，这里不在赘述。
其中，还可以通过第一驱动模块控制驱动板31和第二底板34下降，进一步缩小驱动板31与坩埚200内熔汤210液面的高度差，以进一步地减慢二类原料42的下落速度。此外，驱动板31相对于第二底板34转动的过程中可以驱动位于其上的二类原料42滚动，以使得二类原料42可以在滚动的过程中进入第三过孔312内，并通过第四过孔341落下，利于提升二类原料42的加料效率。
此外，在加料完成后，参考图17，可以通过第一驱动件驱动传动杆32上升，使得导料件2的展开角度增大，从而遮挡在导流筒300的气流通道310内，以防止坩埚内热量通过气流通道310和加料筒1流失。
下面参考附图描述根据本发明实施例的单晶生长装置1000。
根据本发明实施例的单晶生长装置1000，包括上述加料组件100。
根据本发明实施例的单晶生长装置1000，加料组件100可以根据原料4的大小尺寸控制原料4的下落速度，从而减小加料过程中造成的熔汤210飞溅以及液面振动，进而可以防止熔汤210飞溅到其他部件上造成原料4的浪费。此外，加料过程造成熔汤210液面振动的幅度较小，利于熔汤210液面快速恢复至较为平静的状态，从而降低熔汤210液面波动对单晶生长的影响，利于提升单晶生长装置1000的可靠性。
下面参考附图描述根据本发明实施例的用于单晶生长装置1000的加料方法。
根据本发明实施例的用于上述单晶生长装置1000的加料方法，包括：将原料4按照直径由小到大的顺序依次放入加料筒1内。如图2和图18所示，也就是说，容纳腔11内的原料4的尺寸在由下向上的方向上增大。因此，在加料的过程中，尺寸较小的原料4可以先落入坩埚200内，尺寸较大的物料依次落入坩埚200内并堆积在尺寸较小的原料4上，即，尺寸越小的原料4越靠近坩埚200的底部，使得尺寸越小的原料4的下落距离越长，尺寸越大的原料4的下落距离越长。由此，利于缩短尺寸较大的原料4的下落距离，从而降低尺寸较大的原料4下落过程中造成的溶液振动，利于熔汤210液面快速恢复至较为平静的状态，从而降低熔汤210液面波动对单晶生长的影响。
此外，当小尺寸原料4落入到坩埚200内后，可以漂浮在熔汤210的液面上，从而形成缓冲层，进而使得当大尺寸原料4落入坩埚200时，通过小尺寸原料4形成的缓冲层可以较好地减缓大尺寸原料4的落入速度，从而进一步减小尺寸较大的原料4下落过程中造成的溶液振动以及飞溅。
进一步地，如图2-图5所示，根据当前导料面21上原料4的尺寸，调节件3控制导料件2的导料面21与加料筒1的轴线之间的夹角的大小，以调节出料口13的大小，从而控制原料4的下落速度及下落位置。具体地，在加料的过程中，当原料4的尺寸较大，在出料口13满足原料4通过的前提下，可以通过调节件3减小导料面21相对于水平面的倾斜程度，从而减缓远离原料4沿导料面21滑动以及下落的速度，从而可以减小入熔汤210造成的熔汤210飞溅以及液面振动。其次，当原料4壳体的尺寸较小时，可以通过调节件3增大导料面21相对于水平面的倾斜程度，使得尺寸较小的原料4可以更快速地落入坩埚200内，利于提升加料组件100的加料速度。
其次，通过控制出料口13的大小，可以根据加料要求加入指定尺寸的原料4，并且，不同尺寸的原料4所对应的导料面21的倾斜程度不同，由此，可以较好地将原料4尺寸与导料面21的倾斜程度一一对应，以保证加料过程的稳定性。例如，当具有多种尺寸的原料4时，可以通过将出料口13控制在仅可以供小颗粒原料4通过的大小，由于此时导料面21的倾斜程度满足小颗粒原料4的加料需求，因此，通过限制出料口13的大小可以防止大颗粒原料4通过，从而可以较好地避免大颗粒原料4下落造成造成的熔汤210飞溅以及液面振动越大。
由此，使得加料组件100可以根据原料4的大小尺寸控制原料4的落入熔汤210的速度，从而控制加料过程中造成的熔汤210飞溅以及液面振动，进而可以防止熔汤210飞溅到其他部件上造成原料4的浪费。此外，加料过程造成熔汤210液面振动的幅度较小，利于熔汤210液面快速恢复至较为平静的状态，从而降低熔汤210液面波动对单晶生长的影响。
进一步地，加料完成，调节件3控制导料件2形成为展开状态以关闭出料口13。由此，完成一次加料操作，可以根据加料需求重复上述步骤进行多次加料。
根据本发明实施例的用于单晶生长装置1000的加料方法，可以较好地减小加料过程中造成的熔汤210飞溅以及液面振动，进而可以防止熔汤210飞溅到其他部件上造成原料4的浪费。此外，加料过程造成熔汤210液面振动的幅度较小，利于熔汤210液面快速恢复至较为平静的状态，从而降低熔汤210液面波动对单晶生长的影响。
根据本发明的一些实施例，单晶生长装置1000还包括：导流筒300，导流筒300设于炉室内，且位于坩埚200的上方，导流筒300内形成气流通道310，导料件2穿设于气流通道310内；加料完成后，调节件3控制导料件2形成为展开状态以关闭出料口，包括：导料件2上升至底部与导流筒300的底部平齐。也就是说，通过展开状态的导料件2可以较好地封堵至少部分的气流通道310，此外，导料件2的底部与导流筒300的底部平齐，可以较好地防止热量通过导料件2的底部与导流筒300底部在上下方向之间的间隙流失。
由此，使得导料件2可以较好地阻挡热量通过气流通道310以及加料筒1流失，利于保持炉室内的温度，利于提升加入原料4的热熔速度，并可以较好地降低单晶生长装置1000的能耗。在一个具体示例中，导料件2处于展开状态时的外径与气流通道310的内径相同，使得导料件2可以完全遮挡气流通道310，以进一步阻挡热量的流失。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。
Claims (10)
1.一种用于单晶生长装置的加料组件，其特征在于，所述单晶生长装置包括：炉体、坩埚以及所述加料组件，所述炉体内限定出炉室，所述坩埚设于所述炉室内，所述加料组件适于向所述坩埚内补充原料，所述加料组件包括：
加料筒，所述加料筒内形成容纳所述原料的容纳腔，所述容纳腔的朝向所述坩埚一侧形成开口；
导料件，所述导料件可移动地设于所述容纳腔内，所述导料件朝向所述开口的表面形成为导料面，所述导料面与所述开口的内周壁之间限定出出料口，所述导料件具有关闭所述出料口的展开状态以及打开所述出料口的收合状态；
调节件，所述调节件适于驱动所述导料件在所述展开状态和所述收合状态之间切换，以调节所述出料口的大小。
2.根据权利要求1所述的单晶生长装置的加料组件，其特征在于，所述导料件包括：
环形的连接件；
隔挡叶片，在由上至下的方向上，所述隔挡叶片朝向所述连接件的径向外侧倾斜延伸，所述隔挡叶片设有多个，多个隔挡叶片沿所述连接件的周向排布且相邻的两个所述隔挡叶片的至少部分重叠设置，以形成所述导料面；
所述调节件适于驱动多个所述隔挡叶片以所述连接件与所述隔挡叶片的连接处的切线为轴转动，用于调整所述出料口的大小。
3.根据权利要求2所述的单晶生长装置的加料组件，其特征在于，所述调节件包括：
驱动板，所述驱动板设于所述导料件朝向所述坩埚的一侧，所述驱动板与多个所述隔挡叶片朝向所述坩埚的一侧抵接；
第一驱动模块，所述第一驱动模块适于驱动所述驱动板升降。
4.根据权利要求3所述的单晶生长装置的加料组件，其特征在于，所述隔挡叶片上形成过滤孔，所述过滤孔的直径小于所述原料的最小直径，所述隔挡叶片与所述驱动板限定出杂质收集腔，以在所述原料沿所述隔挡叶片下落并从所述出料口进入所述坩埚的过程中，所述原料中的杂质通过所述过滤孔进入所述杂质收集腔。
5.根据权利要求4所述的单晶生长装置的加料组件，其特征在于，所述调节件还包括：
第一底板，所述第一底板设于所述驱动板朝向所述坩埚的轴向端面上，所述驱动板上形成第一过孔，所述第一底板上形成第二过孔，所述第二过孔的内径不小于所述第一过孔的内径，所述第一驱动模块适于驱动所述第一底板相对所述驱动板转动，以使得所述第一过孔和所述第二过孔对齐或错开。
6.根据权利要求3所述的单晶生长装置的加料组件，其特征在于，所述原料至少包括：一类原料和二类原料，所述一类原料的直径大于所述二类原料的直径，所述隔挡叶片上形成分料孔，所述分料孔与所述驱动板在上下方向上相对设置，所述分料孔的直径小于所述一类原料的直径且大于所述二类原料的直径，所述调节件还包括：
第二底板，所述第二底板设于所述驱动板朝向所述坩埚的轴向端面上，所述驱动板上形成第三过孔，所述第三过孔的直径不小于所述二类原料的直径，所述第二底板上形成第四过孔，所述第四过孔的内径不小于所述第三过孔的内径，所述第一驱动模块适于驱动所述第二底板相对所述驱动板转动，以使得所述第三过孔和所述第四过孔对齐或错开。
7.根据权利要求3所述的单晶生长装置的加料组件，其特征在于，所述加料组件还包括：第二驱动模块，所述第二驱动模块包括底端与所述连接件连接的传动轴以及驱动所述传动轴升降和/或转动的第二驱动件，所述第一驱动模块包括：第一驱动件和传动杆，所述驱动板设于所述传动杆的底端，所述第一驱动件适于驱动所述传动杆升降和/或转动，所述传动杆穿设于所述传动轴。
8.一种单晶生长装置，其特征在于，包括：根据权利要求1-7中任一项所述的加料组件。
9.一种单晶生长装置的加料方法，其特征在于，所述单晶生长装置为根据权利要求8所述的单晶生长装置，所述加料方法包括：
将原料按照直径由小到大的顺序依次放入加料筒内；
根据所述原料的尺寸，所述调节件控制所述导料件的所述导料面与所述加料筒的轴线之间的夹角的大小，以调节所述出料口的大小，从而控制所述原料的下落速度及下落位置；
加料完成后，所述调节件控制所述导料件形成为展开状态以关闭所述出料口。
10.根据权利要求9所述的单晶生长装置的加料方法，其特征在于，所述单晶生长装置还包括：导流筒，所述导流筒设于所述炉室内，且位于所述坩埚的上方，所述导流筒内形成气流通道，所述导料件穿设于所述气流通道内；所述加料完成后，所述调节件控制所述导料件形成为展开状态以关闭所述出料口，包括：
所述导料件上升至底部与所述导流筒的底部平齐。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210301704.7A CN114686978B (zh) | 2022-03-24 | 2022-03-24 | 加料组件及具有其的单晶生长装置、加料方法 |
| TW112111129A TWI845224B (zh) | 2022-03-24 | 2023-03-24 | 加料組件及具有其的單晶生長裝置、加料方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210301704.7A CN114686978B (zh) | 2022-03-24 | 2022-03-24 | 加料组件及具有其的单晶生长装置、加料方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114686978A true CN114686978A (zh) | 2022-07-01 |
| CN114686978B CN114686978B (zh) | 2023-05-30 |
Family
ID=82138648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210301704.7A Active CN114686978B (zh) | 2022-03-24 | 2022-03-24 | 加料组件及具有其的单晶生长装置、加料方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114686978B (zh) |
| TW (1) | TWI845224B (zh) |
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- 2022-03-24 CN CN202210301704.7A patent/CN114686978B/zh active Active
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- 2023-03-24 TW TW112111129A patent/TWI845224B/zh active
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|---|---|
| TWI845224B (zh) | 2024-06-11 |
| TW202338166A (zh) | 2023-10-01 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 221004 No.1 Xinxin Road, Xuzhou Economic and Technological Development Zone, Jiangsu Province Applicant after: Zhonghuan Leading (Xuzhou) Semiconductor Materials Co.,Ltd. Address before: 221004 No.1 Xinxin Road, Xuzhou Economic and Technological Development Zone, Jiangsu Province Applicant before: XUZHOU XINJING SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
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| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
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|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
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