CN117661112B - 一种连续加料式单晶炉 - Google Patents
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Abstract
本发明属于单晶炉技术领域，具体的说是一种连续加料式单晶炉，包括炉体，炉体的侧壁活动安装有密封上料仓，密封上料仓包括活动安装在炉体侧壁的外壳，外壳的内部固定安装有过滤仓滚动安装在过滤仓的中心底端的动力圆柱；固定安装在动力圆柱外壁的放置板，放置板的内部设置有多个放置槽，放置槽的内部设置有可移动的第一过滤板；固定安装在过滤仓内壁的第一隔离板和第二隔离板，本发明通过过滤仓内部的第二过滤板和第一过滤板对多晶硅材料进行筛选，从而筛选出大小相似的多晶硅材料，使得上料均匀，从而降低上料前后温度差异的波动，而运料管内部的第二动力柱和运料页实现均匀上料的效果，提高单晶炉内部的温度稳定性。
Description
技术领域
本发明属于单晶炉领域，具体的说是一种连续加料式单晶炉。
背景技术
单晶炉是在低于常压的惰性气体环境中，以石墨电阻加热器加热，将填充在石英坩埚内的多晶硅材料熔化，用直拉法生长无位错的高质量单晶设备，之后将单晶设备制作成光伏电池需要生产材料，而单晶炉制晶的质量需要恒温的环境，通过温度差来提取单晶硅，因此在提取单晶硅时需要控制温度的变化程度，来提高单晶硅的质量。
公开号为CN116555891A的一项专利申请公开了一种连续加料的光伏单晶炉，包括炉体和托盘，托盘上侧设有第一坩埚和第二坩埚，第二坩埚内底部设有滤孔，第一坩埚斜上侧安装有加料通道，加料通道内设有电动送料机构，电动送料机构包括设在加料通道内部的螺旋送料组件，螺旋送料组件一端传动连接有伺服电机，便于送料。
由上述的内容可知，储料斗为正常漏斗，而多晶硅通常呈现出颗粒状、块状的形状，当多晶硅材料倒入漏斗之后，小块颗粒状的多晶硅材料和磨碎的多晶硅材料粉尘易聚集在漏斗的最底端，当单晶炉内部加热至高温，继续送料时，小块颗粒状多晶硅材料和粉尘会先通过底端进入到炉内，由于温度较高，小块颗粒状多晶硅材料和粉尘极易熔化，加热至熔化温度较快，而之后大块的多晶硅进入到炉内时，熔化较慢，加热至熔化温度较慢，导致温度加料时的波动较大，造成送料前后的温度不易控制。
为此，本发明提供一种连续加料式单晶炉。
发明内容
为了弥补现有技术的不足，解决背景技术中所提出的至少一个技术问题。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：本发明所述的一种连续加料式单晶炉，包括炉体，所述炉体的顶端固定安装有拉晶管，所述炉体的顶端固定安装有炉盖，所述炉体的侧壁活动安装有密封上料仓，所述密封上料仓包括活动安装在炉体侧壁的外壳，所述外壳的内部固定安装有用于筛选多晶硅的过滤仓；所述过滤仓包括：滚动安装在过滤仓的中心底端的动力圆柱；固定安装在动力圆柱外壁的放置板，所述放置板的内部设置有多个放置槽，所述放置槽的内部设置有可移动的第一过滤板；开设在放置板内部用于滑动第一过滤板的过滤板滑槽；固定安装在过滤仓内壁的第一隔离板和第二隔离板，所述第一隔离板和第二隔离板与放置板的顶端外壁和底端外壁贴合；固定安装在第一过滤板侧壁的弹簧，所述第一过滤板的底端固定安装有第一凸起；固定安装在第二隔离板底端用于连通炉体和过滤仓的运料管。
优选的，所述动力圆柱的外壁固定安装有第二过滤板，所述第二过滤板上的孔洞大于第一过滤板上的孔洞。
优选的，所述设置在过滤仓的侧壁的第一材料出口和第二材料出口；固定安装在第一材料出口和第二材料出口侧壁的拨动板；固定安装在外壳侧壁的第一材料箱和第二材料箱，所述第一材料箱和第二材料箱与第一材料出口和第二材料出口连通。
优选的，所述运料管包括：连通炉体和过滤仓内部的运料通道，所述运料通道内部滚动安装有运料页，所述运料页通过内部固定连接的第二动力柱旋转。
优选的，所述运料通道的转角处的多个第二动力柱端部均设置有第一固定板和第三固定板；滚动安装在第一固定板和第三固定板内部的第一滚柱和第四滚柱；滚动连接在第一滚柱和第四滚柱内部的第二滚柱和第三滚柱，所述第二滚柱和第三滚柱的端部通过杆固定连接。
优选的，所述固定安装在外壳外壁的第一固定环；螺纹连接在第一固定环内部的螺纹杆，所述螺纹杆滚动安装在炉体的侧壁。
优选的，所述运料通道伸进炉体内部的运料通道端部设置有防溅通道；滚动安装在防溅通道内部的防溅运料页；固定安装在防溅运料页内部的防溅动力柱，所述防溅动力柱的端部固定安装有刮刀，所述防溅通道方向垂直向下。
优选的，所述螺纹杆的端部固定安装有用于旋转螺纹杆的把手。
优选的，所述固定安装在过滤仓内壁的第二固定板，所述第二固定板位于动力圆柱的顶端；固定安装在过滤仓内壁的上料放置板，所述上料放置板与第二固定板之间存在间隔。
优选的，所述放置板的高度位于第一材料出口和第二材料出口之间。
本发明的有益效果如下：
1.本发明所述的一种连续加料式单晶炉，通过过滤仓内部的第二过滤板和第一过滤板对多晶硅材料进行筛选，从而筛选出大小相似的多晶硅材料，使得上料均匀，从而降低上料前后温度差异的波动，而运料管内部的第二动力柱和运料页实现均匀上料的效果，提高单晶炉内部的温度稳定性。
2.本发明所述的一种连续加料式单晶炉，通过运料管端部的防溅通道可以降低运料通道在炉体内部下料时飞溅，降低多晶硅熔化时飞溅可能造成的运料通道损伤，提高工件运行的安全性，而防溅通道的端部设置有刮刀，防止运料通道运送多晶硅至炉体的内部时，由于高温粘附在防溅通道的底端，造成防溅通道堵塞的问题。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步说明。
图1是本发明整体外观图；
图2是本发明密封上料仓和过滤仓侧面剖切图；
图3是本发明过滤仓的部分侧面剖切图；
图4是本发明过滤仓内部结构图；
图5是本发明过滤仓侧视剖切图；
图6是本发明放置板的结构图；
图7是本发明放置板和运料管连接图；
图8是图7中B处局部放大图；
图9是本发明放置板内部结构图；
图10是本发明炉体的剖切配合图；
图11是图10中A处局部放大图；
图中：
1、炉体；11、炉盖；12、拉晶管；
2、密封上料仓；21、外壳；22、第一固定环；23、螺纹杆；231、把手；24、第一材料箱；25、第二材料箱；
3、过滤仓；31、第一隔离板；312、第二隔离板；313、上料放置板；314、第一材料出口；315、第二材料出口；316、第二固定板；317、第二过滤板；318、动力圆柱；319、拨动板；32、放置槽；33、放置板；331、过滤板滑槽；34、第一过滤板；341、第一凸起；35、弹簧；
4、运料管；41、运料通道；411、防溅通道；412、防溅动力柱；413、防溅运料页；414、刮刀；42、第二动力柱；43、运料页；431、第一固定板；432、第一滚柱；433、第二滚柱；434、第三滚柱；435、第四滚柱；436、第三固定板。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。
如图1-2、图6-7、图9所示，本发明实施例所述的一种连续加料式单晶炉，包括炉体1，所述炉体1的顶端固定安装有拉晶管12，所述炉体1的顶端固定安装有炉盖11，所述炉体1的侧壁活动安装有密封上料仓2，所述密封上料仓2包括活动安装在炉体1侧壁的外壳21，所述外壳21的内部固定安装有用于筛选多晶硅的过滤仓3；所述过滤仓3包括：
滚动安装在过滤仓3的中心底端的动力圆柱318；
固定安装在动力圆柱318外壁的放置板33，所述放置板33的内部设置有多个放置槽32，所述放置槽32的内部设置有可移动的第一过滤板34；
开设在放置板33内部用于滑动第一过滤板34的过滤板滑槽331；
固定安装在过滤仓3内壁的第一隔离板31和第二隔离板312，所述第一隔离板31和第二隔离板312与放置板33的顶端外壁和底端外壁贴合；
固定安装在第一过滤板34侧壁的弹簧35，所述第一过滤板34的底端固定安装有第一凸起341；
固定安装在第二隔离板312底端用于连通炉体1和过滤仓3的运料管4。
具体的，在使用单晶炉炼化多晶硅材料时，需要将炉体1的内部抽真空，充入惰性气体，同时控制炉内温度的变化，通过细微的温度变化提炼单晶硅，而在单晶硅提炼时，需要往炉内添加多晶硅材料，由于多晶硅材料的大小不同，在炉内熔化的速度则不同，大块的多晶硅材料熔化时，需要的时间较长，加料时，需要加热，增加加热的功率，而细小的粉尘多晶硅熔化时，需要的时间较短，也需要加热，但是加热的功率较小，因此，上料的过程中，需要调节上料的速度和上料的量，为了降低上料时的温度波动，在上料时控制速度降低温度的波动，为了更好的控制温度的波动，做了如下改进：
上料前，先将过滤仓3顶端放置的盖子打开，之后将多晶硅材料倒入过滤仓3的内部，多晶硅与放置板33的顶面接触，较小的多晶硅进入到放置槽32的内部，细小的粉尘会从第一过滤板34的孔洞处落下，较大的多晶硅材料则不能进入到放置槽32的内部，则放置槽32的内部可以放置大小较为均匀的多晶硅材料，准备工作完成，将过滤仓3顶端的盖子封闭，封闭之后，将炉体1的内部和过滤仓3的内部进行抽真空处理，之后再充入惰性气体，完成之后，准备工作完成；
在加料时，用电机带动动力圆柱318旋转，动力圆柱318旋转带动放置板33旋转，第一过滤板34此时位于放置板33的底端，放置板33旋转带动放置槽32与第二隔离板312的位置对齐，第二隔离板312的端部设置有凸起，如图6所示，当第一过滤板34移动至第二隔离板312的位置时，第一凸起341在第二隔离板312的作用下在过滤板滑槽331的内部滑动，从而向放置板33的圆心位置移动，当放置板33移动至与运料管4对准时，第一过滤板34不再位于放置板33的正下方，因此放置板33与运料管4的通道打开，可以将放置板33内部的多晶硅材料送至运料管4的内部，运料管4的内部设置有螺旋送料的叶片，可以将大小较为均匀地多晶硅材料运送至炉体1的内部，在进行加热时，多晶硅的大小较为均匀，则加热的时间均衡，温度的变化较小，从而降低温度的波动；
当其中一个放置槽32运送完之后，动力圆柱318带动放置板33旋转，使得放置槽32与第二隔离板312错开，当放置槽32与第二隔离板312完全错开时，第一过滤板34底端的第一凸起341不再受到第二隔离板312外壁凸起的阻挡，则第一过滤板34在弹簧35的作用下弹出，第一过滤板34与放置槽32再次同心，从而起到筛选过滤的作用，重复以上操作即可持续上料，直至上料完成，将多晶硅运送至炉体1的内部之后，在炉体1的内部进行加热，直至加热至熔化状态，之后通过控制温度形成单晶硅，从拉晶管12的内部拉出，完成单晶炉制作单晶硅的过程。
如图2和图5所示，所述动力圆柱318的外壁固定安装有第二过滤板317，所述第二过滤板317上的孔洞大于第一过滤板34上的孔洞。
具体的，由于多晶硅材料的大小不一，直接通过放置板33进行筛选，虽然可以缩小多晶硅材料的大小差距，但依然存在大小不一的情况，因此在动力圆柱318的外壁设置有第二过滤板317，且第二过滤板317上的孔洞大于第一过滤板34上的孔洞，而第二过滤板317位于放置板33的上方，在打开过滤仓3顶端的盖子时，多晶硅材料会落在动力圆柱318的上方，当电机带动放置板33旋转时，也会带动第二过滤板317旋转，在上料时，旋转的第二过滤板317可以将多晶硅材料不停的波动，大小相同的多晶硅材料则落入放置板33的顶端，通过动力圆柱318带动放置板33旋转落入到放置槽32的内部，从而进行运送。
如图4所示，所述设置在过滤仓3的侧壁的第一材料出口314和第二材料出口315；
固定安装在第一材料出口314和第二材料出口315侧壁的拨动板319；
固定安装在外壳21侧壁的第一材料箱24和第二材料箱25，所述第一材料箱24和第二材料箱25与第一材料出口314和第二材料出口315连通。
具体的，当第二过滤板317和第一过滤板34在对大小不同的多晶硅材料进行筛选时，大的多晶硅材料会聚集在第二过滤板317的上方，细小的粉尘则落入到过滤仓3的底端，过滤仓3的底端设置有可以与动力圆柱318同步旋转的动力板，因此在过滤仓3的底端和第二过滤板317相同高度的位置设置有拨动板319，当动力圆柱318旋转带动第二过滤板317旋转以及底端的板旋转时，可以使得动力圆柱318顶端的多晶硅材料和过滤仓3底端的多晶硅材料通过拨动板319的作用，向第一材料出口314和第二材料出口315的内部运送，最后进入到第一材料箱24和第二材料箱25的内部进行收集和储存，防止下料时的筛选受到影响。
如图7所示，所述运料管4包括：
连通炉体1和过滤仓3内部的运料通道41，所述运料通道41内部滚动安装有运料页43，所述运料页43通过内部固定连接的第二动力柱42旋转。
具体的，当放置槽32内部的多晶硅材料进入运料管4的内部时，用电机带动第二动力柱42旋转，第二动力柱42带动外壁的运料页43旋转，即可将多晶硅材料匀速的运送至炉体1的内部，运料管4的设计可以控制运送材料的速度，从而提高温度的控制效果。
如图7-8所示，所述运料通道41的转角处的多个第二动力柱42端部均设置有第一固定板431和第三固定板436；
滚动安装在第一固定板431和第三固定板436内部的第一滚柱432和第四滚柱435；
滚动连接在第一滚柱432和第四滚柱435内部的第二滚柱433和第三滚柱434，所述第二滚柱433和第三滚柱434的端部通过杆固定连接。
具体的，为了防止多晶硅材料在运料通道41内部运送时卡住，因此在运料通道41的拐角处的第二动力柱42端部设置第一固定板431和第一滚柱432，第一滚柱432的内部滚动连接有第二滚柱433，而另外一组第二动力柱42顶端设置有第三固定板436，和第四滚柱435，第三滚柱434滑动在第四滚柱435的内部，将第三滚柱434和第二滚柱433的外壁通过杆固定连接，在第二动力柱42旋转时，可以带动第二滚柱433和第三滚柱434转动，从而使得多个第二动力柱42保持相同的旋转力度，且在多个第二动力柱42连接处设置保护壳，防止第二动力柱42在旋转时，受到多晶硅材料的影响。
如图1和图10所示，所述固定安装在外壳21外壁的第一固定环22；
螺纹连接在第一固定环22内部的螺纹杆23，所述螺纹杆23滚动安装在炉体1的侧壁。
具体的，由于需要打开和移动炉体1内部的工件，因此，需要将炉体1内部伸出的运料通道41进行移动，防止在移动炉体1内部的工件时产生阻碍，因此在炉体1的外壁设置有螺纹杆23，通过旋转螺纹杆23带动第一固定环22移动，第一固定环22移动带动炉体1外壁的密封上料仓2和过滤仓3移动。
如图10-11所示，所述运料通道41伸进炉体1内部的运料通道41端部设置有防溅通道411；
滚动安装在防溅通道411内部的防溅运料页413；
固定安装在防溅运料页413内部的防溅动力柱412，所述防溅动力柱412的端部固定安装有刮刀414，所述防溅通道411方向垂直向下。
具体的，由于炉体1的内部在使用时，是高温状态，熔化的多晶硅材料会变成液体，当多晶硅材料通过运料通道41进入到炉体1的内部时，多晶硅下落可能会导致液体飞溅，因此在炉体1内部的运料通道41端部设置有防溅通道411，当多晶硅材料从运料通道41进入到防溅通道411时，通过防溅运料页413旋转，使得多晶硅材料旋转斜向下下落，降低垂直下落的力度，当值液体飞溅，而防溅运料页413的端部设置有刮刀414，防止多晶硅进入炉体1的内部时，由于温度较高开始产生表面的熔化额粘附在防溅通道411的底端，防止防溅通道411堵塞。
如图1和图10所示，所述螺纹杆23的端部固定安装有用于旋转螺纹杆23的把手231。
具体的，在螺纹杆23的端部设置有把手231，可以在旋转时，握住把手231，方便移动密封上料仓2和过滤仓3的整体。
如图5所示，所述固定安装在过滤仓3内壁的第二固定板316，所述第二固定板316位于动力圆柱318的顶端；
固定安装在过滤仓3内壁的上料放置板313，所述上料放置板313与第二固定板316之间存在间隔。
具体的，由于第二过滤板317可以旋转，若在上料时，直接将多晶硅材料倒入第二过滤板317的顶端，则可能导致第二过滤板317磨损，因此在过滤仓3的内部设置有第二固定板316和上料放置板313，在使用时，将多晶硅材料倒入上料放置板313上，在过滤仓3的外壁设置震动的模式，使得上料放置板313上端的材料可以持续的进入到上料放置板313顶端的预留孔当中。
如图5所示，所述放置板33的高度位于第一材料出口314和第二材料出口315之间。
具体的，放置板33的高度位于第一材料出口314和第二材料出口315之间，可以在细小的多晶硅材料和较大的多晶硅材料分离不会影响放置板33的正常工作。
工作原理：上料前，通过旋转螺纹杆23带动第一固定环22移动，第一固定环22移动带动炉体1外壁的密封上料仓2和过滤仓3移动，调整到运料通道41的位置可以使得上料正常运行时，先将过滤仓3顶端放置的盖子打开，将多晶硅材料倒入上料放置板313上，在过滤仓3的外壁设置震动的模式，使得上料放置板313上端的材料可以持续的进入到上料放置板313顶端的预留孔当中多晶硅材料会落在动力圆柱318的上方，当电机带动放置板33旋转时，也会带动第二过滤板317旋转，在上料时，旋转的第二过滤板317可以将多晶硅材料不停的拨动，大小相同的多晶硅材料则落入放置板33的顶端，通过动力圆柱318带动放置板33旋转落入到放置槽32的内部，当动力圆柱318旋转带动第二过滤板317旋转以及底端的板旋转时，可以使得动力圆柱318顶端的多晶硅材料和过滤仓3底端的多晶硅材料通过拨动板319的作用，向第一材料出口314和第二材料出口315的内部运送，最后进入到第一材料箱24和第二材料箱25的内部进行收集和储存，防止下料时的筛选受到影响，放置板33旋转带动放置槽32与第二隔离板312的位置对齐，第二隔离板312的端部设置有凸起，如图6所示，当第一过滤板34移动至第二隔离板312的位置时，第一凸起341在第二隔离板312的作用下在过滤板滑槽331的内部滑动，从而向放置板33的圆心位置移动，当放置板33移动至与运料管4对准时，第一过滤板34不在位于放置板33的整下方，因此放置板33与运料管4的通道打开，可以将放置板33内部的多晶硅材料送至运料管4的内部，用电机带动第二动力柱42旋转，第二动力柱42带动外壁的运料页43旋转，在运料通道41的拐角处的第二动力柱42端部设置第一固定板431和第一滚柱432,第一滚柱432的内部滚动连接有第二滚柱433，而另外一组第二动力柱42顶端设置有第三固定板436,和第四滚柱435,第三滚柱434滑动在第四滚柱435的内部，将第三滚柱434和第二滚柱433的外壁通过杆固定连接，在第二动力柱42旋转时，可以带动第二滚柱433和第三滚柱434转动，从而使得多个第二动力柱42保持相同的旋转力度，且在多个第二动力柱42连接处设置保护壳，防止第二动力柱42在旋转时，受到多晶硅材料的影响，
由于炉体1的内部在使用时，是高温状态，熔化的多晶硅材料会变成液体，当多晶硅材料通过运料通道41进入到炉体1的内部时，多晶硅下落可能会导致液体飞溅，因此在炉体1内部的运料通道41端部设置有防溅通道411，当多晶硅材料从运料通道41进入到防溅通道411时，通过防溅运料页413旋转，使得多晶硅材料旋转斜向下下落，降低垂直下落的力度，当值液体飞溅，而防溅运料页413的端部设置有刮刀414，防止多晶硅进入炉体1的内部时，由于温度较高开始产生表面的熔化额粘附在防溅通道411的底端，防止防溅通道411堵塞，当其中一个放置槽32运送完之后，动力圆柱318带动放置板33旋转，使得放置槽32与第二隔离板312错开，当放置槽32与第二隔离板312完全错开时，第一过滤板34底端的第一凸起341不在受到第二隔离板312外壁凸起的阻挡，则第一过滤板34在弹簧35的作用下弹出，第一过滤板34与放置槽32再次同心，从而起到筛选过滤的作用，重复以上操作即可持续上料，直至上料完成。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (10)
1.一种连续加料式单晶炉，包括炉体(1)，所述炉体(1)的顶端固定安装有拉晶管(12)，所述炉体(1)的顶端固定安装有炉盖(11)，其特征在于：所述炉体(1)的侧壁活动安装有密封上料仓(2)，所述密封上料仓(2)包括活动安装在炉体(1)侧壁的外壳(21)，所述外壳(21)的内部固定安装有用于筛选多晶硅的过滤仓(3)；所述过滤仓(3)包括：
滚动安装在过滤仓(3)的中心底端的动力圆柱(318)；
固定安装在动力圆柱(318)外壁的放置板(33)，所述放置板(33)的内部设置有多个放置槽(32)，所述放置槽(32)的内部设置有可移动的第一过滤板(34)；
开设在放置板(33)内部用于滑动第一过滤板(34)的过滤板滑槽(331)；
固定安装在过滤仓(3)内壁的第一隔离板(31)和第二隔离板(312)，所述第一隔离板(31)和第二隔离板(312)与放置板(33)的顶端外壁和底端外壁贴合；
固定安装在第一过滤板(34)侧壁的弹簧(35)，所述第一过滤板(34)的底端固定安装有第一凸起(341)；
固定安装在第二隔离板(312)底端用于连通炉体(1)和过滤仓(3)的运料管(4)。
2.根据权利要求1所述的一种连续加料式单晶炉，其特征在于：
所述动力圆柱(318)的外壁固定安装有第二过滤板(317)，所述第二过滤板(317)上的孔洞大于第一过滤板(34)上的孔洞。
3.根据权利要求2所述的一种连续加料式单晶炉，其特征在于：
设置在过滤仓(3)的侧壁的第一材料出口(314)和第二材料出口(315)；
固定安装在第一材料出口(314)和第二材料出口(315)侧壁的拨动板(319)；
固定安装在外壳(21)侧壁的第一材料箱(24)和第二材料箱(25)，所述第一材料箱(24)和第二材料箱(25)与第一材料出口(314)和第二材料出口(315)连通。
4.根据权利要求3所述的一种连续加料式单晶炉，其特征在于：所述运料管(4)包括：
连通炉体(1)和过滤仓(3)内部的运料通道(41)，所述运料通道(41)内部滚动安装有运料页(43)，所述运料页(43)通过内部固定连接的第二动力柱(42)旋转。
5.根据权利要求4所述的一种连续加料式单晶炉，其特征在于：所述运料通道(41)的转角处的多个第二动力柱(42)端部均设置有第一固定板(431)和第三固定板(436)；
滚动安装在第一固定板(431)和第三固定板(436)内部的第一滚柱(432)和第四滚柱(435)；
滚动连接在第一滚柱(432)和第四滚柱(435)内部的第二滚柱(433)和第三滚柱(434)，所述第二滚柱(433)和第三滚柱(434)的端部通过杆固定连接。
6.根据权利要求5所述的一种连续加料式单晶炉，其特征在于：
固定安装在外壳(21)外壁的第一固定环(22)；
螺纹连接在第一固定环(22)内部的螺纹杆(23)，所述螺纹杆(23)滚动安装在炉体(1)的侧壁。
7.根据权利要求6所述的一种连续加料式单晶炉，其特征在于：所述运料通道(41)伸进炉体(1)内部的运料通道(41)端部设置有防溅通道(411)；
滚动安装在防溅通道(411)内部的防溅运料页(413)；
固定安装在防溅运料页(413)内部的防溅动力柱(412)，所述防溅动力柱(412)的端部固定安装有刮刀(414)，所述防溅通道(411)方向垂直向下。
8.根据权利要求7所述的一种连续加料式单晶炉，其特征在于：所述螺纹杆(23)的端部固定安装有用于旋转螺纹杆(23)的把手(231)。
9.根据权利要求8所述的一种连续加料式单晶炉，其特征在于：
固定安装在过滤仓(3)内壁的第二固定板(316)，所述第二固定板(316)位于动力圆柱(318)的顶端；
固定安装在过滤仓(3)内壁的上料放置板(313)，所述上料放置板(313)与第二固定板(316)之间存在间隔。
10.根据权利要求9所述的一种连续加料式单晶炉，其特征在于：所述放置板(33)的高度位于第一材料出口(314)和第二材料出口(315)之间。
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