JP3115335B2 - 融液補給装置 - Google Patents
融液補給装置Info
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
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- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B15/34—Edge-defined film-fed crystal-growth using dies or slits
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Description
本発明は、シリコン・デンドライトウェブの製造システ
ムに関し、より詳細には、材料を所望の制御された速度
で追加することによりデンドライトウェブを引き上げる
溶融プールを一定レベルに保つシステムに関する。
ムに関し、より詳細には、材料を所望の制御された速度
で追加することによりデンドライトウェブを引き上げる
溶融プールを一定レベルに保つシステムに関する。
【０００１】デンドライトウェブの成長プロセスを工業
化するためには、融液プールの補給により高品質の長い
リボンを製造する必要がある。成長中に補給しなくて
も、７、８ｍという長い結晶の成長を達成できるが、結
晶の引上げ作業間で補給時間が必要になるので、アウト
プット（生産量）及びプロセス効率が低下する。光電池
用シリコン・デンドライトウェブのプロセスを工業化す
るためには、本質的にはリボンを連続的に成長させなけ
ればならない。かくして、融液から取り出された材料を
置き換えるだけではなく、成長システムにおける熱条件
を維持するためにも、リボン結晶成長の起点となるシリ
コン融液を連続的に補給する必要がある。坩堝（るつ
ぼ）を覆う蓋に対する融液面の位置は特に、デンドライ
トウェブと溶融プールの相互接合部付近の熱条件に影響
を及ぼす。
化するためには、融液プールの補給により高品質の長い
リボンを製造する必要がある。成長中に補給しなくて
も、７、８ｍという長い結晶の成長を達成できるが、結
晶の引上げ作業間で補給時間が必要になるので、アウト
プット（生産量）及びプロセス効率が低下する。光電池
用シリコン・デンドライトウェブのプロセスを工業化す
るためには、本質的にはリボンを連続的に成長させなけ
ればならない。かくして、融液から取り出された材料を
置き換えるだけではなく、成長システムにおける熱条件
を維持するためにも、リボン結晶成長の起点となるシリ
コン融液を連続的に補給する必要がある。坩堝（るつ
ぼ）を覆う蓋に対する融液面の位置は特に、デンドライ
トウェブと溶融プールの相互接合部付近の熱条件に影響
を及ぼす。
【０００２】米国特許第４，３８９，３７７号は、融液
の補給をデンドライトウェブの成長中に行う場合に温度
勾配の制御が優れたサセプタ−坩堝組立体を有する融液
補給システムを開示している。この米国特許における改
良点は、成長及び融液補給区画室の配設場所において坩
堝の下に位置するサセプタの付近に鉛直のスロットの形
のレセプタのベースに熱遮蔽手段を形成することにあ
る。その結果、融液中の温度勾配が段階的に変化し、そ
れによりデンドライトウェブが引き出される成長区画室
内の温度がより一層均一になるという作用効果が得られ
る。
の補給をデンドライトウェブの成長中に行う場合に温度
勾配の制御が優れたサセプタ−坩堝組立体を有する融液
補給システムを開示している。この米国特許における改
良点は、成長及び融液補給区画室の配設場所において坩
堝の下に位置するサセプタの付近に鉛直のスロットの形
のレセプタのベースに熱遮蔽手段を形成することにあ
る。その結果、融液中の温度勾配が段階的に変化し、そ
れによりデンドライトウェブが引き出される成長区画室
内の温度がより一層均一になるという作用効果が得られ
る。
【０００３】本発明の目的は、溶融プール内へのペレッ
トの投入量を制御してほぼ一定の融液レベルを保つ補給
装置を提供することにある。
トの投入量を制御してほぼ一定の融液レベルを保つ補給
装置を提供することにある。
【０００４】一般に、細長い坩堝内でのデンドライトウ
ェブ成長のための本発明の融液補給装置は、坩堝が、デ
ンドライトウェブを溶融プールから引き上げる中央部分
及び坩堝の各端部に一つずつ設けられていて補給用供給
材料を溶融プールに供給させる一対の材料供給部分を有
し、前記融液補給装置が、前記供給材料のペレットのリ
ザーバを備えた密閉供給室と、密閉供給室からの単一流
れ状態のペレットの供給量を制御する手段と、ペレット
の単一流れを本質的に同量の複数の流れに分けるペレッ
ト流れスプリッタと、それぞれが該流れスプリッタから
本質的に同量のペレットを受け入れて該ペレットを坩堝
の各端部の供給部分に差し向ける一対の導管とを有し、
前記ペレット供給量制御手段が、ペレットの流れを、材
料をデンドライトウェブの形で坩堝の中央部分の溶融プ
ールから引き上げる速度と等しい速度に制御し、前記融
液補給装置が、カバーガスを該融液補給装置に供給し、
それにより、ペレットの汚染及び前記導管内での酸化物
及び材料ダストの堆積を防止して前記導管内でのペレッ
トの自由な流れを確保すると共に溶融プールに対する熱
の外乱を最少限に抑えるための手段を更に有することを
特徴とする。
ェブ成長のための本発明の融液補給装置は、坩堝が、デ
ンドライトウェブを溶融プールから引き上げる中央部分
及び坩堝の各端部に一つずつ設けられていて補給用供給
材料を溶融プールに供給させる一対の材料供給部分を有
し、前記融液補給装置が、前記供給材料のペレットのリ
ザーバを備えた密閉供給室と、密閉供給室からの単一流
れ状態のペレットの供給量を制御する手段と、ペレット
の単一流れを本質的に同量の複数の流れに分けるペレッ
ト流れスプリッタと、それぞれが該流れスプリッタから
本質的に同量のペレットを受け入れて該ペレットを坩堝
の各端部の供給部分に差し向ける一対の導管とを有し、
前記ペレット供給量制御手段が、ペレットの流れを、材
料をデンドライトウェブの形で坩堝の中央部分の溶融プ
ールから引き上げる速度と等しい速度に制御し、前記融
液補給装置が、カバーガスを該融液補給装置に供給し、
それにより、ペレットの汚染及び前記導管内での酸化物
及び材料ダストの堆積を防止して前記導管内でのペレッ
トの自由な流れを確保すると共に溶融プールに対する熱
の外乱を最少限に抑えるための手段を更に有することを
特徴とする。
【０００５】特許請求の範囲に係る本発明の内容は、添
付の図面を参照して以下の詳細な説明を読むと一層明ら
かになろう。なお、図中、同一の参照符号は同一の部分
を指している。
付の図面を参照して以下の詳細な説明を読むと一層明ら
かになろう。なお、図中、同一の参照符号は同一の部分
を指している。
【０００６】今図面を詳細に参照し、特に第１図を参照
すると、シリコン・デンドライトウェブ３を成長させる
融液補給装置１が概略的に示されている。デンドライト
ウェブ３は、坩堝（るつぼ）７内に収容保持されたシリ
コンの溶融プールから引き出される。坩堝７は通常は石
英製であり、デンドライトウェブを引き上げる中央部分
９及び両端部に設けられていて壁１２によって隔てられ
た一対の供給部分１１を備えた細長い皿状の器具であ
る。壁１２は、補給用材料を坩堝７の中央部分９に通す
ことができる開口部１３を有している。坩堝７は、誘導
炉１７内に配置されたサセプタ内に設けられている。誘
導炉１７は、融液状態の維持に必要な高い温度を維持す
るためのエネルギーを供給する誘導コイル１９を有して
いる。誘導炉１７は又、引上げ中のデンドライトウェブ
３を通す煙突２３を備えた蓋２１と、溶融プール５及び
新たに形成されたデンドライトウェブ３の汚染を防止す
るためのカバーガスを供給する不活性ガス供給源（図示
せず）とを有している。
すると、シリコン・デンドライトウェブ３を成長させる
融液補給装置１が概略的に示されている。デンドライト
ウェブ３は、坩堝（るつぼ）７内に収容保持されたシリ
コンの溶融プールから引き出される。坩堝７は通常は石
英製であり、デンドライトウェブを引き上げる中央部分
９及び両端部に設けられていて壁１２によって隔てられ
た一対の供給部分１１を備えた細長い皿状の器具であ
る。壁１２は、補給用材料を坩堝７の中央部分９に通す
ことができる開口部１３を有している。坩堝７は、誘導
炉１７内に配置されたサセプタ内に設けられている。誘
導炉１７は、融液状態の維持に必要な高い温度を維持す
るためのエネルギーを供給する誘導コイル１９を有して
いる。誘導炉１７は又、引上げ中のデンドライトウェブ
３を通す煙突２３を備えた蓋２１と、溶融プール５及び
新たに形成されたデンドライトウェブ３の汚染を防止す
るためのカバーガスを供給する不活性ガス供給源（図示
せず）とを有している。
【０００７】融液補給装置１は、補給用供給材料のペレ
ットのリザーバ２７を備えた密閉供給室２５及び該供給
室内に収納されたペレット供給装置２９を有する。ペレ
ット供給装置２９は、ステンレス鋼または他の耐腐食性
材料で作られ、しかも供給ペレットの汚染を防止するた
めテフロン（Teflon）、ナイロンまたはエポキシで被覆
されている。ペレット供給装置２９は、供給量が振動の
振幅及びペレット供給装置内のペレットの保持レベルに
応答して変化する振動形式の供給装置である。ペレット
供給量を正確に制御するため、ペレットのレベルはほぼ
一定レベルに保たれるが、このために鏡３０をペレット
供給装置内へ配置し、光源光センサ３１を用いて回転弁
３５を操作させる信号をコントローラ３３に送り、これ
によりペレットを振動供給装置２９内へ落下させて振動
供給装置２９内におけるレベルをほぼ一定に保つ。回転
弁３５は溶融プール５を一定のレベルに保つのに十分な
精度の制御が可能である。振動供給装置２９は供給管ま
たは供給導管３７内へのペレットの供給量を正確に制御
し、この供給導管３７はペレットを流れスプリッタ３９
に差し向け、このスプリッタ３９はペレットを２つの同
量の流れに分ける。同じ本数のペレットが流れスプリッ
タ３９から一対の供給管または導管４１の各供給導管に
送られ、これら供給導管４１は、ペレットを坩堝７の両
端部に設けられている供給区画室１１に差し向けて融液
のレベルを本質的に一定に保つ。本質的に一定の融液レ
ベルの維持に必要な正確に制御された供給量を得るた
め、レーザを利用した融液レベルセンサ４３が信号をコ
ントローラ４５に送り、このコントローラは融液レベル
が減少しているか、或いは増大しているかに関する融液
レベルセンサ４０からの信号に基づいて振動供給装置を
動作させてペレット供給量を増減する。
ットのリザーバ２７を備えた密閉供給室２５及び該供給
室内に収納されたペレット供給装置２９を有する。ペレ
ット供給装置２９は、ステンレス鋼または他の耐腐食性
材料で作られ、しかも供給ペレットの汚染を防止するた
めテフロン（Teflon）、ナイロンまたはエポキシで被覆
されている。ペレット供給装置２９は、供給量が振動の
振幅及びペレット供給装置内のペレットの保持レベルに
応答して変化する振動形式の供給装置である。ペレット
供給量を正確に制御するため、ペレットのレベルはほぼ
一定レベルに保たれるが、このために鏡３０をペレット
供給装置内へ配置し、光源光センサ３１を用いて回転弁
３５を操作させる信号をコントローラ３３に送り、これ
によりペレットを振動供給装置２９内へ落下させて振動
供給装置２９内におけるレベルをほぼ一定に保つ。回転
弁３５は溶融プール５を一定のレベルに保つのに十分な
精度の制御が可能である。振動供給装置２９は供給管ま
たは供給導管３７内へのペレットの供給量を正確に制御
し、この供給導管３７はペレットを流れスプリッタ３９
に差し向け、このスプリッタ３９はペレットを２つの同
量の流れに分ける。同じ本数のペレットが流れスプリッ
タ３９から一対の供給管または導管４１の各供給導管に
送られ、これら供給導管４１は、ペレットを坩堝７の両
端部に設けられている供給区画室１１に差し向けて融液
のレベルを本質的に一定に保つ。本質的に一定の融液レ
ベルの維持に必要な正確に制御された供給量を得るた
め、レーザを利用した融液レベルセンサ４３が信号をコ
ントローラ４５に送り、このコントローラは融液レベル
が減少しているか、或いは増大しているかに関する融液
レベルセンサ４０からの信号に基づいて振動供給装置を
動作させてペレット供給量を増減する。
【０００８】流れスプリッタ３９は、第２図〜第５図に
示すように、複数の押さえネジによって気密に作られた
蓋４９及び周囲シール５１を備えたエンクロージャ４７
を有する。エンクロージャ４７内に配置されたクインカ
ンクス（Quincunx）組立体５５が、複数のピン５９を備
えた一対の間隔をおいて設けられているプレート５７を
有している。ピン５９は三角形ピッチで間隔をおいて設
けられたプレート５７と垂直に且つこれらの間の空間中
に配置されている。導管３７は補給用ペレットをクイン
カンクス組立体５５の上方中央部分に送り、導管４７の
対はクインカンクス組立体５５の下端部内に設けられた
一対の弧状中空部６０と連通状態にあり、導管３７を経
て供給装置から流れスプリッタ３９へ向かう同数の補給
用ペレットを受け入れ得るような位置にある。
示すように、複数の押さえネジによって気密に作られた
蓋４９及び周囲シール５１を備えたエンクロージャ４７
を有する。エンクロージャ４７内に配置されたクインカ
ンクス（Quincunx）組立体５５が、複数のピン５９を備
えた一対の間隔をおいて設けられているプレート５７を
有している。ピン５９は三角形ピッチで間隔をおいて設
けられたプレート５７と垂直に且つこれらの間の空間中
に配置されている。導管３７は補給用ペレットをクイン
カンクス組立体５５の上方中央部分に送り、導管４７の
対はクインカンクス組立体５５の下端部内に設けられた
一対の弧状中空部６０と連通状態にあり、導管３７を経
て供給装置から流れスプリッタ３９へ向かう同数の補給
用ペレットを受け入れ得るような位置にある。
【０００９】導管３７を手動操作で閉止する弁６１が導
管３７に設けられている。不活性ガスが弁６１の各側で
供給タンク６３から供給ライン６５，６７を経て導管３
７に供給され、供給ライン６５，６７はそれぞれには閉
止弁６９が設けられている。また供給ライン６５にも流
量計及び手動流量制御弁７１が設けられている。排出ラ
イン７３が供給室２５と連通しており、真空ポンプ７
５、流量計及び手動流量制御弁７７を有している。
管３７に設けられている。不活性ガスが弁６１の各側で
供給タンク６３から供給ライン６５，６７を経て導管３
７に供給され、供給ライン６５，６７はそれぞれには閉
止弁６９が設けられている。また供給ライン６５にも流
量計及び手動流量制御弁７１が設けられている。排出ラ
イン７３が供給室２５と連通しており、真空ポンプ７
５、流量計及び手動流量制御弁７７を有している。
【００１０】第６図に示すように、供給導管４１はそれ
ぞれ、炉のカバー又は蓋２１を貫通すると気密シール８
１を通過する。気密シールは、押さえネジ８５で蓋２１
に締結される底部フランジ８３を有し、底部フランジ８
３と蓋２１との間にはＯ−リングシール８７が設けられ
ている。また、底部フランジは中央開口部８９及びボー
ル９３の着座部９１を有し、Ｏ−リングシール９５がボ
ール９３と着座部９１との間に設けられている。ボール
９３は中央開口部９７及びこれを貫通した導管４１のた
めの封止装置を有する。封止装置は、ボール９３の開口
部にねじ込まれた管状部材９９と、ボール９３と導管４
１との間に設けられたＯ−リング１０１と、管状部材９
９と導管４１との間に位置したスリーブ１０３と、管状
部材９９にねじ込まれて、スリーブ１０３をＯ−リング
１０１に押し付けてボール９３と導管４１との間にシー
ルを形成するグランドナット１０５とを有する。
ぞれ、炉のカバー又は蓋２１を貫通すると気密シール８
１を通過する。気密シールは、押さえネジ８５で蓋２１
に締結される底部フランジ８３を有し、底部フランジ８
３と蓋２１との間にはＯ−リングシール８７が設けられ
ている。また、底部フランジは中央開口部８９及びボー
ル９３の着座部９１を有し、Ｏ−リングシール９５がボ
ール９３と着座部９１との間に設けられている。ボール
９３は中央開口部９７及びこれを貫通した導管４１のた
めの封止装置を有する。封止装置は、ボール９３の開口
部にねじ込まれた管状部材９９と、ボール９３と導管４
１との間に設けられたＯ−リング１０１と、管状部材９
９と導管４１との間に位置したスリーブ１０３と、管状
部材９９にねじ込まれて、スリーブ１０３をＯ−リング
１０１に押し付けてボール９３と導管４１との間にシー
ルを形成するグランドナット１０５とを有する。
【００１１】以下に本発明の融液補給装置１の使用法を
説明する。ペレットリザーバ２７を密閉状態の供給室２
５の中に置き、ペレットリザーバ２７内には、回転弁３
５によって振動供給装置２９に供給されるシリコンペレ
ットがたっぷりと入っている。振動速度に応答する振動
供給装置２９からの正確に制御された流量を得るため、
振動供給装置２９内のペレットのレベルは、光源光セン
サ３１からの信号に応答するコントローラ３３によって
ほぼ一定のレベルに保たれる。光源は光を鏡３０に当て
るが、鏡３０はペレットで覆われていなければ光を反射
させてこれをセンサに戻し、回転弁３５を動作させて鏡
３０を覆うほどのペレットのほぼ一定レベルを保つ。
説明する。ペレットリザーバ２７を密閉状態の供給室２
５の中に置き、ペレットリザーバ２７内には、回転弁３
５によって振動供給装置２９に供給されるシリコンペレ
ットがたっぷりと入っている。振動速度に応答する振動
供給装置２９からの正確に制御された流量を得るため、
振動供給装置２９内のペレットのレベルは、光源光セン
サ３１からの信号に応答するコントローラ３３によって
ほぼ一定のレベルに保たれる。光源は光を鏡３０に当て
るが、鏡３０はペレットで覆われていなければ光を反射
させてこれをセンサに戻し、回転弁３５を動作させて鏡
３０を覆うほどのペレットのほぼ一定レベルを保つ。
【００１２】レーザセンサ４３は坩堝７内の溶融プール
５の表面に差し向けられていて、レベルが変動するとコ
ントローラ４５に信号を送って振動供給装置２９からの
流量を増減させて溶融プール５のレベルを正確に維持す
る。振動供給装置２９によって供給中のペレットは供給
管または供給導管３７内に落下して流れスプリッタに差
し向けられ、この流れスプリッタはペレットを２つの同
一の流れに分割する。供給管または供給導管４１の対は
それぞれ、ペレットの２つの流れのうち一方を受け入れ
て同数のペレットを坩堝７の両端部互いに反対側に位置
した端部に設けられている供給区画室１１に差し向け、
それにより坩堝７内の融液レベルを一定に保つ。第７図
に示すように、ペレットを坩堝７の両端部に追加補給す
ると、各端部における供給量が減って成長区画室９内の
温度が高く且つより一定に保たれ、それにより、優れた
デンドライトウェブ３が得られる。融液補給装置１全体
をガスシールするためカバーガスがガス供給タンク６３
から手動流量制御弁７１を備えた流量計を通って供給管
または供給導管３７，４１に供給され、真空ポンプ７５
及び手動流量制御弁７７を備えた流量計が、ペレットを
坩堝７に供給する供給管または供給導管４１の対の中の
流れを僅かに下方に向けたままにし、それにより供給導
管が二酸化シリコンで詰まらないようにすると共にガス
が供給管または供給導管３７を上方に流して供給室に入
る恐れのある空気または水蒸気の逆拡散を防止すると共
に供給導管４１に入る供給材料のダストを吹き飛ばす。
一般に、毎秒３立方センチメートルの供給量が十分な量
である。毎秒１立方センチメートルが導管３７を上方に
流れ、毎秒１立方センチメートルが導管４１のそれぞれ
を流下する。導管４１のそれぞれの中の毎秒０．７立方
センチメートルという少ないガス流量で供給導管４１を
十分に正常な状態に保てると言うことが判明した。ガス
の流れが無ければ、供給管は３０分程の短い時間で酸化
シリコンで詰まる傾向がある。供給ライン６７は閉止弁
６１と供給室２５との間で導管３７と流体連通状態にあ
り、もし炉の使用中に供給室２５を開放する必要が生じ
た場合、供給室２５を清浄にする多量のパージ流を通す
ことができる。
５の表面に差し向けられていて、レベルが変動するとコ
ントローラ４５に信号を送って振動供給装置２９からの
流量を増減させて溶融プール５のレベルを正確に維持す
る。振動供給装置２９によって供給中のペレットは供給
管または供給導管３７内に落下して流れスプリッタに差
し向けられ、この流れスプリッタはペレットを２つの同
一の流れに分割する。供給管または供給導管４１の対は
それぞれ、ペレットの２つの流れのうち一方を受け入れ
て同数のペレットを坩堝７の両端部互いに反対側に位置
した端部に設けられている供給区画室１１に差し向け、
それにより坩堝７内の融液レベルを一定に保つ。第７図
に示すように、ペレットを坩堝７の両端部に追加補給す
ると、各端部における供給量が減って成長区画室９内の
温度が高く且つより一定に保たれ、それにより、優れた
デンドライトウェブ３が得られる。融液補給装置１全体
をガスシールするためカバーガスがガス供給タンク６３
から手動流量制御弁７１を備えた流量計を通って供給管
または供給導管３７，４１に供給され、真空ポンプ７５
及び手動流量制御弁７７を備えた流量計が、ペレットを
坩堝７に供給する供給管または供給導管４１の対の中の
流れを僅かに下方に向けたままにし、それにより供給導
管が二酸化シリコンで詰まらないようにすると共にガス
が供給管または供給導管３７を上方に流して供給室に入
る恐れのある空気または水蒸気の逆拡散を防止すると共
に供給導管４１に入る供給材料のダストを吹き飛ばす。
一般に、毎秒３立方センチメートルの供給量が十分な量
である。毎秒１立方センチメートルが導管３７を上方に
流れ、毎秒１立方センチメートルが導管４１のそれぞれ
を流下する。導管４１のそれぞれの中の毎秒０．７立方
センチメートルという少ないガス流量で供給導管４１を
十分に正常な状態に保てると言うことが判明した。ガス
の流れが無ければ、供給管は３０分程の短い時間で酸化
シリコンで詰まる傾向がある。供給ライン６７は閉止弁
６１と供給室２５との間で導管３７と流体連通状態にあ
り、もし炉の使用中に供給室２５を開放する必要が生じ
た場合、供給室２５を清浄にする多量のパージ流を通す
ことができる。
【００１３】クインカンクス形スプリッタと通称される
流れスプリッタ２９はペレットを２つの同量の流れに分
割する。供給流を２つに分ける必要性は２つの理由あ
る。第１の理由として、両端部供給方式は結晶成長区画
室９内の所要の熱システムを維持する。もしペレットを
溶融させる熱負荷が坩堝７の一端部に局在化している
と、液状シリコンの温度分布が非対称になって、成長中
のデンドライトウェブ３に問題の生じる場合がある。こ
の様な非対称の問題はサセプタ１５の端部に可動の放射
線遮蔽体を用いることにより、あるいは誘導コイル１９
の位置を変えることにより補償できるけれども、システ
ムの応答性が遅くなり且つ供給量が変化するためにこれ
ら温度の調整手段を連続的に変化させなければならな
い。本発明における両端部供給方式を用いると、この問
題が解決される。第２の理由は、両端部供給方式を用い
ると坩堝７の各端部における熱負荷が半分に過ぎないこ
とである。供給区画室９内における溶融温度の代表的な
測定値が第７図に示されている。この各区画室１１内に
おける供給量が少なければ少ないほどシステムの熱摂動
の幅がそれだけ一層小さくなる。デンドライトウェブの
成長に必要な熱システムが敏感であれば摂動が小さけれ
ば小さいほど良い。
流れスプリッタ２９はペレットを２つの同量の流れに分
割する。供給流を２つに分ける必要性は２つの理由あ
る。第１の理由として、両端部供給方式は結晶成長区画
室９内の所要の熱システムを維持する。もしペレットを
溶融させる熱負荷が坩堝７の一端部に局在化している
と、液状シリコンの温度分布が非対称になって、成長中
のデンドライトウェブ３に問題の生じる場合がある。こ
の様な非対称の問題はサセプタ１５の端部に可動の放射
線遮蔽体を用いることにより、あるいは誘導コイル１９
の位置を変えることにより補償できるけれども、システ
ムの応答性が遅くなり且つ供給量が変化するためにこれ
ら温度の調整手段を連続的に変化させなければならな
い。本発明における両端部供給方式を用いると、この問
題が解決される。第２の理由は、両端部供給方式を用い
ると坩堝７の各端部における熱負荷が半分に過ぎないこ
とである。供給区画室９内における溶融温度の代表的な
測定値が第７図に示されている。この各区画室１１内に
おける供給量が少なければ少ないほどシステムの熱摂動
の幅がそれだけ一層小さくなる。デンドライトウェブの
成長に必要な熱システムが敏感であれば摂動が小さけれ
ば小さいほど良い。
【００１４】ペレットを供給する導管３７，４１の材質
はモリブデンのような金属またはセラミック例えば高純
度のアルミナであるのが良い。金属製の導管を用いる
と、導管がペレットと合金を作るという問題が生じこれ
により融液が汚染され導管が詰まる。他方、セラミック
製の導管３７、４１はペレットと反応しないけれども本
明細書で記載しているようなガスの流れが維持されなけ
れば酸化物で閉塞しやすい。また、溶融プール５に対す
る導管４１の位置は、成長にとって非常に重要なので調
節可能なシール８１が補給装置１の正しい動作状態を得
るために重要である。
はモリブデンのような金属またはセラミック例えば高純
度のアルミナであるのが良い。金属製の導管を用いる
と、導管がペレットと合金を作るという問題が生じこれ
により融液が汚染され導管が詰まる。他方、セラミック
製の導管３７、４１はペレットと反応しないけれども本
明細書で記載しているようなガスの流れが維持されなけ
れば酸化物で閉塞しやすい。また、溶融プール５に対す
る導管４１の位置は、成長にとって非常に重要なので調
節可能なシール８１が補給装置１の正しい動作状態を得
るために重要である。
【００１５】本明細書で開示した融液補給装置１に
は、、ペレットの正確な供給量が得られ、これが２つの
本質的に同量の流れに分割され、同一の両端部供給方式
が可能になり、かくして坩堝７に温度の対称性が維持さ
れると共に追加供給材料の局在化された熱衝撃が減少
し、また、大気汚染が防止され、システムからの供給物
ダストを除去し、供給管を酸化物の堆積のない状態にす
るカバーガスシステムが形成され、更に、デンドライト
ウェブ成長装置の補給に関する熱、大気の純度及び操作
上の条件を同時に取り扱うシステムに多種多様な要素を
組み込むことができるという利点がある。
は、、ペレットの正確な供給量が得られ、これが２つの
本質的に同量の流れに分割され、同一の両端部供給方式
が可能になり、かくして坩堝７に温度の対称性が維持さ
れると共に追加供給材料の局在化された熱衝撃が減少
し、また、大気汚染が防止され、システムからの供給物
ダストを除去し、供給管を酸化物の堆積のない状態にす
るカバーガスシステムが形成され、更に、デンドライト
ウェブ成長装置の補給に関する熱、大気の純度及び操作
上の条件を同時に取り扱うシステムに多種多様な要素を
組み込むことができるという利点がある。
【００１６】上述の好ましい実施例は本発明の最適態様
であるが、当業者であれば種々の設計変更及び改造を想
到できることは明らかであろう。従って上述の実施例は
例示として考えられるべきであり、特許請求の範囲はか
かる設計変更及び改造が本発明の精神及び範囲に属すれ
ば、これらを包含するものである。
であるが、当業者であれば種々の設計変更及び改造を想
到できることは明らかであろう。従って上述の実施例は
例示として考えられるべきであり、特許請求の範囲はか
かる設計変更及び改造が本発明の精神及び範囲に属すれ
ば、これらを包含するものである。
【図１】第１図は、本発明に従って構成された融液補給
装置の略図である。
装置の略図である。
【図２】第２図は、ペレット流れスプリッタの断面図で
ある。
ある。
【図３】第３図は、第２図のIII-III 線における断面図
である。
である。
【図４】第４図は、クインカンクス組立体の立面図であ
る。
る。
【図５】第５図は、第４図のＶ−Ｖ線における断面図で
ある。
ある。
【図６】第６図は、供給管シール組立体の断面図であ
る。
る。
【図７】第７図は、供給量の関数として融液温度を表す
グラフ図である。
グラフ図である。
【符号の説明】 １ 融液補給装置 ３ シリコン・デンドライトウェブ ５ 融液または溶融プール ７ 坩堝（るつぼ） ９ 中央部分 １１ 供給部分または供給区画室 １５ サセプタ １７ 誘導炉 １９ 誘導コイル ２１ 蓋 ２５ 密閉供給室 ２７ ペレットリザーバ ３０ 鏡 ３１ 光源光センサ ３３，４５ コントローラ ３７ 供給管または供給導管 ３９ ペレット流れスプリッタ ４１ 供給管または供給導管 ６３ 不活性ガス供給タンク ２９ 振動供給装置 ３５ 回転弁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 リチャード ジェイ ラバス アメリカ合衆国 ペンシルベニア州 ア ーウィン アール ディー ナンバー ２ サンライズ ドライブ 225 (72)発明者 ジョージ ヴァン ボルト ハール アメリカ合衆国 ペンシルベニア州 ベ セル パーク シーニック ビュー ド ライブ 5704 (72)発明者 ジェームス パール マックヒュー アメリカ合衆国 ペンシルベニア州 ピ ッツバーグ フレーザー ドライブ 308 (72)発明者 フランク ローレンス パージワーティ アメリカ合衆国 ペンシルベニア州 ク レアートン パイン ヒル ロード 409 (72)発明者 リンド レイ マコーミック アメリカ合衆国 ペンシルベニア州 フ ィンリービル アイビー ヒル レーン 3474 (56)参考文献 特開 昭58−49689（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−174188（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00 ＷＰＩ（ＤＩＡＬＯＧ)
Claims (12)
- 【請求項１】 細長い坩堝内でのデンドライトウェブ成
長のための融液補給装置であって、坩堝は、デンドライ
トウェブを溶融プールから引き上げる中央部分及び坩堝
の各端部に一つずつ設けられていて補給用供給材料を溶
融プールに供給する一対の材料供給部分を有し、前記融
液補給装置は、前記供給材料のペレットのリザーバを備
えた密閉供給室と、密閉供給室からの単一流れ状態のペ
レットの供給量を制御する手段と、ペレットの単一流れ
を本質的に同量の複数の流れに分けるペレット流れスプ
リッタと、それぞれが該流れスプリッタから本質的に同
量のペレットを受け入れて該ペレットを坩堝の各端部の
供給部分に差し向ける一対の導管とを有し、前記ペレッ
ト供給量制御手段は、ペレットの流れを、材料をデンド
ライトウェブの形で坩堝の中央部分の溶融プールから引
き上げる速度と等しい速度に制御し、前記融液補給装置
は、カバーガスを該融液補給装置に供給し、それによ
り、ペレットの汚染及び前記導管内での酸化物及び材料
ダストの堆積を防止して前記導管内でのペレットの自由
な流れを確保すると共に溶融プールに対する熱の外乱を
最少限に抑えるための手段を更に有することを特徴とす
る融液補給装置。 - 【請求項２】 ペレット供給量制御手段は振動供給装置
であり、振動供給装置は、該供給装置内のペレットのレ
ベル及び振動供給装置への入力動力に応答して供給量を
変化させることを特徴とする請求項１の融液補給装置。 - 【請求項３】 ペレット供給量制御手段は、振動供給装
置内のペレットをほぼ一定レベルに保つ手段を有するこ
とを特徴とする請求項２の融液補給装置。 - 【請求項４】 振動供給装置内のペレットをほぼ一定レ
ベルに保つ前記手段は、リザーバに設けられていて、振
動供給装置内のペレットのレベルに応答するコントロー
ラによって開閉される弁であることを特徴とする請求項
３の融液補給装置。 - 【請求項５】 振動供給装置内のペレットのレベルに応
答するコントローラは鏡を含み、この鏡は、ペレットに
よって鏡と光源光センサーとの間の光路が遮られると、
光源光センサーと協働してリザーバに設けられている弁
を閉じ、光路が遮られていない状態では弁を開くような
信号を送り、それにより振動供給装置内のペレットのほ
ぼ一定レベルを保つよう配置されていることを特徴とす
る請求項４の融液補給装置。 - 【請求項６】 振動供給装置は、ペレットが汚染しない
よう保護被膜で被覆されていることを特徴とする請求項
５の融液補給装置。 - 【請求項７】 振動供給装置はエンクロージャ内に配置
されていることを特徴とする請求項６の融液補給装置。 - 【請求項８】 ペレット流れスプリッタは、クインカン
クスであることを特徴とする請求項７の融液補給装置。 - 【請求項９】 供給室からのペレットの供給量を制御す
る前記手段は、坩堝内の溶融材料のレベルに応答して振
動供給装置を制御しそれによりレベルをほぼ一定に保つ
ことを特徴とする請求項７の融液補給装置。 - 【請求項１０】 カバーガスを融液補給装置に供給する
手段は、融液補給装置と流体連通状態にある不活性ガス
供給タンクと、エンクロージャと流体連通状態にあり、
ガスをエンクロージャから除去し融液補給装置内を低圧
状態に維持する真空ポンプとを有することを特徴とする
請求項８の融液補給装置。 - 【請求項１１】 カバーガス供給手段は更に、供給室を
流れスプリッタ及びカバーガス供給装置から切り離す弁
を有し、該弁は供給室のパージを容易にするため閉じら
れると弁の両側にガスを供給し、一対の導管を酸化物の
無い状態に保つことを特徴とする請求項１０の融液補給
装置。 - 【請求項１２】 炉への導管の貫入部分にシールが設け
られていることを特徴とする請求項１０の融液補給装
置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US47000090A | 1990-01-25 | 1990-01-25 | |
| US470000 | 1990-01-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04342490A JPH04342490A (ja) | 1992-11-27 |
| JP3115335B2 true JP3115335B2 (ja) | 2000-12-04 |
Family
ID=23865892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03020564A Expired - Fee Related JP3115335B2 (ja) | 1990-01-25 | 1991-01-21 | 融液補給装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5229082A (ja) |
| JP (1) | JP3115335B2 (ja) |
| KR (1) | KR0169732B1 (ja) |
| AU (1) | AU632886B2 (ja) |
| FR (1) | FR2657359B1 (ja) |
| GB (1) | GB2240287B (ja) |
| IT (1) | IT1245098B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5242667A (en) * | 1991-07-26 | 1993-09-07 | Ferrofluidics Corporation | Solid pellet feeder for controlled melt replenishment in continuous crystal growing process |
| JP2754104B2 (ja) * | 1991-10-15 | 1998-05-20 | 信越半導体株式会社 | 半導体単結晶引上用粒状原料供給装置 |
| DE4328982C2 (de) * | 1993-08-28 | 1996-02-01 | Leybold Ag | Verfahren zum Regeln eines Mengenstromes von Partikeln zu einem Schmelztiegel und Regelanordnung zur Durchführung des Verfahrens |
| TW440613B (en) * | 1996-01-11 | 2001-06-16 | Mitsubishi Material Silicon | Method for pulling single crystal |
| JP3594155B2 (ja) * | 1996-03-21 | 2004-11-24 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶引上げ装置における粒状原料の供給方法及び供給装置 |
| DE19813453A1 (de) * | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Leybold Systems Gmbh | Kristall-Ziehanlage |
| DE19813452A1 (de) * | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Leybold Systems Gmbh | Kristall-Ziehanlage |
| DE19825051A1 (de) * | 1998-06-04 | 1999-12-09 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines zylinderförmigen Einkristalls und Verfahren zum Abtrennen von Halbleiterscheiben |
| US6402839B1 (en) | 1998-08-14 | 2002-06-11 | Ebara Solar, Inc. | System for stabilizing dendritic web crystal growth |
| US8021483B2 (en) * | 2002-02-20 | 2011-09-20 | Hemlock Semiconductor Corporation | Flowable chips and methods for the preparation and use of same, and apparatus for use in the methods |
| DE10234250B4 (de) * | 2002-07-27 | 2008-09-25 | Deutsche Solar Ag | Vorrichtung sowie Verfahren zur Überwachung der Kristallisation von Silizium |
| US6896732B2 (en) * | 2003-04-24 | 2005-05-24 | Bryan Fickett | Source material feeder apparatus for industrial crystal growth systems |
| KR101470814B1 (ko) | 2006-01-20 | 2014-12-09 | 에이엠지 아이디얼캐스트 솔라 코포레이션 | 광전 변환 소자용 단결정 캐스트 실리콘 및 단결정 캐스트 실리콘 바디들을 제조하는 방법 및 장치 |
| US8440157B2 (en) * | 2007-07-20 | 2013-05-14 | Amg Idealcast Solar Corporation | Methods and apparatuses for manufacturing cast silicon from seed crystals |
| EP2183412A2 (en) * | 2007-07-20 | 2010-05-12 | BP Corporation North America Inc. | Methods for manufacturing cast silicon from seed crystals |
| US8591649B2 (en) | 2007-07-25 | 2013-11-26 | Advanced Metallurgical Group Idealcast Solar Corp. | Methods for manufacturing geometric multi-crystalline cast materials |
| US8709154B2 (en) | 2007-07-25 | 2014-04-29 | Amg Idealcast Solar Corporation | Methods for manufacturing monocrystalline or near-monocrystalline cast materials |
| TW201012978A (en) * | 2008-08-27 | 2010-04-01 | Bp Corp North America Inc | Apparatus and method of use for a casting system with independent melting and solidification |
| KR101690490B1 (ko) * | 2010-10-21 | 2016-12-28 | 에스케이이노베이션 주식회사 | 탄화규소 단결정의 제조방법 및 장치 |
| US20120137976A1 (en) * | 2010-12-02 | 2012-06-07 | Jyh-Chen Chen | Hot zone device |
| CN102242395A (zh) * | 2011-06-17 | 2011-11-16 | 常州天合光能有限公司 | 用于硅单晶生长的连续加料装置及设置该装置的单晶炉 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2893847A (en) * | 1954-02-23 | 1959-07-07 | Siemens Ag | Apparatus for preparing rod-shaped, crystalline bodies, particularly semiconductor bodies |
| FR2292647A1 (fr) * | 1974-11-28 | 1976-06-25 | Air Ind | Diviseur de flux pour produit pulverulent |
| US3960503A (en) * | 1974-12-27 | 1976-06-01 | Corning Glass Works | Particulate material feeder for high temperature vacuum system |
| US4036595A (en) * | 1975-11-06 | 1977-07-19 | Siltec Corporation | Continuous crystal growing furnace |
| US4248539A (en) * | 1978-12-26 | 1981-02-03 | Glocker Edwin M | Material spreader |
| US4282184A (en) * | 1979-10-09 | 1981-08-04 | Siltec Corporation | Continuous replenishment of molten semiconductor in a Czochralski-process, single-crystal-growing furnace |
| US4389377A (en) * | 1981-07-10 | 1983-06-21 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Apparatus for growing a dendritic web |
| IN161924B (ja) * | 1984-10-29 | 1988-02-27 | Westinghouse Electric Corp | |
| US4698120A (en) * | 1984-10-29 | 1987-10-06 | Westinghouse Electric Corp. | Barrier for quartz crucible for drawing silicon dendritic web and method of use |
| US4861416A (en) * | 1985-04-04 | 1989-08-29 | The United States Of America As Represented By The Administrator, National Aeronautics And Space Administration | Ribbon growing method and apparatus |
| FR2592064B1 (fr) * | 1985-12-23 | 1988-02-12 | Elf Aquitaine | Dispositif pour former un bain d'un materiau semi-conducteur fondu afin d'y faire croitre un element cristallin |
| JPH0684277B2 (ja) * | 1986-03-07 | 1994-10-26 | 日立電線株式会社 | ▲ｉｉｉ▼−ｖ族化合物半導体単結晶製造方法及びその装置 |
| IN166547B (ja) * | 1986-06-27 | 1990-06-02 | Westinghouse Electric Corp | |
| DE3737051A1 (de) * | 1987-10-31 | 1989-05-11 | Leybold Ag | Vorrichtung fuer die kontinuierliche zufuhr von schmelzgut |
| DE3865628D1 (de) * | 1987-11-02 | 1991-11-21 | Mitsubishi Materials Corp | Einrichtung zur zuechtung von kristallen. |
| JPH01122988A (ja) * | 1987-11-06 | 1989-05-16 | Kawasaki Steel Corp | 単結晶を成長させる方法および単結晶製造装置 |
| US4968380A (en) * | 1989-05-24 | 1990-11-06 | Mobil Solar Energy Corporation | System for continuously replenishing melt |
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