JPH03269534A - チップ位置情報パターンの形成方法 - Google Patents

チップ位置情報パターンの形成方法

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Publication number
JPH03269534A
JPH03269534A JP2070570A JP7057090A JPH03269534A JP H03269534 A JPH03269534 A JP H03269534A JP 2070570 A JP2070570 A JP 2070570A JP 7057090 A JP7057090 A JP 7057090A JP H03269534 A JPH03269534 A JP H03269534A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
patterns
pattern
chip
reticules
reticle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2070570A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoru Akutagawa
哲 芥川
Noriyoshi Sonoda
園田 則義
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2070570A priority Critical patent/JPH03269534A/ja
Publication of JPH03269534A publication Critical patent/JPH03269534A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 ウェーハまたはマスクの上にチップ位置情報を簡易な手
段で形成する方法に関し、 レチクルを使用する投影露光装置を使用するか取扱いか
容易でスループット比の高いチップ位置情報の形成方法
を提供することを目的とし、製品パターンを所定のステ
ップ毎にウェーハまたはマスク上を移動させ露光させ、
またウェーハ上のチップ位置情報を他の手段で露光形成
させるチップ位置情報パターンの形成方法において、チ
ップ位置判別情報を有するパターンレクチルを、前記製
品パターン用レチクルを移動させるステップとは異なる
ステップにより移動させて露光形成し、判別用パターン
と製品パターンとの相対位置をチップ毎に異ならせて構
成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明はウェーハまたはマスクの上にチップ位置情報を
簡易な手段で形成する方法に関する。
従来チップ位置情報をウェーハ上に形成するとき、多種
類のレチクルを用意するなど極めて複雑であった。電子
ビームなどビーム露光するときはスループット比が低い
ため、取扱いが容易なチップ位置情報の形成方法を開発
することが要望された。
〔従来の技術〕
半導体製品を製造するときウェーハ上のチップについて
その位置情報を知る必要かある。それは製造されたチッ
プかウェーハ上何の位置において製造されたかを確認す
るためである。それは近年の半導体製品は素子パターン
の微細化が進み、製造工程でのゴミ、ウェーハ基板の変
形、感光剤のムラ、製造処理条件が製品に与える影響か
大きくなっているからである。これらの製品不良、性能
低下を引き起こす原因の解明及び制御のために、ダイシ
ング後の製品からウェーハ上の何の位置で製造されたか
を判別する必要かある。そのような判別パターンは、各
チップ上で異なった形状または形成位置であることが要
求される。半導体製品を製造するとき各チップに対し、
パターンを形成するためのレチクルを使用し、また「マ
スク」を使用している。そのとき位置判別パターンを各
チップ上で異ならせるため、従来半導体製品メーカにお
いて採用している手段は下記のとおりである。
そのlは、位置判別パターンの異なるレチクルを多数使
用することにより、位置情報パターンを形成すること。
その2は、単一毎のレチクルてウエーノ\上のチップ毎
に露光を行い、その前または後に電子ビーム・レーザビ
ームにより異なる位置判別パターンを二重露光すること
、このときビームにはチップ毎に異なる位置判別パター
ンを含ませて置く。
その3は、レチクルを一切使用することなく電子ビーム
・レーザビームにより製品パターンと、位置判別パター
ンとの両者を露光すること。
である。
「マスク」はウェーハ上に露光するとき、特に半導体素
子を複数層に分解したパターン毎に、各々別のマスクと
してウェーハ上のチップ配置か正確にできるように予め
製作して置く。そのため露光する層のパターンのウェー
ハ上配置が区別できるように、情報パターン例えばバー
コードを設けておく必要がある。このとき多数のチップ
に対して同一マスクを使って露光し、次の層のため別の
マスクにより露光を行う。したがって以下の説明におい
ては、ウェーハ上の位置情報パターンを形成させる方法
につき主として記載しているが、マスクに対しても同様
に行うことが出来る。
〔発明か解決しようとする課題〕
位置情報パターンをチップ毎に露光させるための従来技
術で、レチクルを使用する場合はウェーハ上に配置する
チップ個数分の種類のレチクルパターンを必要とする。
そのため製品パターンは同じであって、位置判別パター
ンのみ異なる多量のレチクルを準備し、且つ露光ショッ
ト毎にレチクルを入れ替えてパターンを形成する必要か
あり、作業が極めて複雑である。
またレクチルを使用せずに電子ビーム・レーザビームに
より露光を行う場合はスループット比か極めて低く、製
作時間の短縮化を阻害している。
またレクチルを使用するときの投影露光装置に比べて、
電子ビーム露光装置などは極めて高価で、装置の取扱い
か複雑であるから、工数、コスト共に高くついている。
本発明の目的は前述の欠点を改善し、レチクルを使用す
るか、取扱か容易でスルーブツト比の高いチップ位置情
報の形成方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
第1図は本発明の原理構成を示す図である。第1図Aは
製品パターン用レチクル(1)の上面図、第1図Bは位
置判別パターン用レチクル(2)の上面図、第1図Cは
各レクチルによる二重露光の位置関係を示す図である。
製品パターンを所定のステップ毎にウェーハまたはマス
ク上を移動させ露光させ、またウエーノ\上のチップ位
置情報を他の手段で露光形成させるチップ位置情報パタ
ーンの形成方法において、本発明は下記の構成とする。
即ち、 チップ位置判別情報を有するパターンレチクル(2)を
、前記製品パターン用レクチル(1)を移動させるステ
ップとは異なるステップにより移動させて露光形成し、
判別用パターンと製品パターンとの相対位置をチップ毎
に異ならせることで構成する。
〔作用〕
第1図Cに示すように、製品パターン用レチクルlをウ
ェーハ上で順次移動させるときのステップはSlであり
、位置判別パターン用レチクル2についてはステップS
2て移動する。そのため位置判別パターンとして「十」
模様はチップ毎に異なる位置、即ちステップSl、S2
の差だけずれた位置に形成される。したかって同一の位
置判別パターン用レチクルを使用して多数種のチップ毎
のパターンを形成することか出来る。第2図は二重露光
した後、チップ毎に形成されたパターンを示す図である
〔実施例〕
第3図は本発明の実施例として、X、Y両軸方向に本発
明を適用した場合を示す図である。第3図AはX軸方向
に動かすレチクルを示し、第3図BはY軸方向に動かす
レチクルを示し、それぞれ「X」 「Y」のパターンを
位置判別パターンとしている。第3図Cは各レチクルを
使用して得られた位置判別の情報も含んだパターンを示
している。
X軸方向用のレチクルはX方向にステップをずらし、Y
方向は同ステップで二重露光をしてウェーハ面全体を露
光する。
次にY軸方向用レチクルはY方向にステップをずらして
、X方向は同ステップで二重露光をしてウェーハ面全体
を露光する。
なお以上の説明において、使用するレチクルとして「X
」パターンと、「Y」パターンの両者を同一のレチクル
に併せて設けることも出来る。
更にレチクルとして製品パターン用レチクルの一部に位
置情報パターンを挿入し、露光は部分的に各々、別に行
うように処理することて、レチクルの種類を減少させる
ことが出来る。
〔発明の効果〕
このようにして本発明によると、少数柱のレチクルを使
用するのみで、多種類の判別パターンをウェーハまたは
マスク上に形成させることが容易に出来る。したかって
高スルーブツト比で低コストの処理が可能となった。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の原理構成を示す図、 第2図は第1図により形成された位置情報パターンを示
す図、 第3図は本発明の実施例を示す図である。 (11・・製品パターン用レチクル (2)−位置判別パターン用レチクル

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  製品パターンを所定のステップ毎にウェーハまたはマ
    スク上を移動させ露光させ、またウェーハ上のチップ位
    置情報を他の手段で露光形成させるチップ位置情報パタ
    ーンの形成方法において、チップ位置判別情報を有する
    パターンレチクル(2)を、前記製品パターン用レクチ
    ル(1)を移動させるステップとは異なるステップによ
    り移動させて露光形成し、判別用パターンと製品パター
    ンとの相対位置をチップ毎に異ならせることを特徴とす
    るチップ位置情報パターンの形成方法。
JP2070570A 1990-03-20 1990-03-20 チップ位置情報パターンの形成方法 Pending JPH03269534A (ja)

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JPH03269534A true JPH03269534A (ja) 1991-12-02

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