JPH03269248A - 物体検査装置 - Google Patents
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- JPH03269248A JPH03269248A JP2068675A JP6867590A JPH03269248A JP H03269248 A JPH03269248 A JP H03269248A JP 2068675 A JP2068675 A JP 2068675A JP 6867590 A JP6867590 A JP 6867590A JP H03269248 A JPH03269248 A JP H03269248A
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Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
物体内部の検査、特に絶縁基板のバイアホールの充填状
態や実装はんだの内部状態を×１！透過光により検査す
る物体検査装置に関し、 センサ上の分解能の不均一性を矯正することを目的とし
、 電子ビームを電子レンズで集光し、被検査物に照射する
Ｘ線源と、定速で移動される該被検査物を透過したＸ線
を可視光に変換する変換手段と、該変換手段からの可視
光を透過又は遮断することにより制限して分解能を均一
にさせるフィルタと、該フィルタからの透過可視光を結
像する結像手段と、該結像手段からの結像に対応するＸ
線透過量を積算する検出手段と、該検出手段で積算され
たＸ線透過量による立体形状を観測して前記検査物の欠
陥を判別する処理手段とを有するように構成する。
態や実装はんだの内部状態を×１！透過光により検査す
る物体検査装置に関し、 センサ上の分解能の不均一性を矯正することを目的とし
、 電子ビームを電子レンズで集光し、被検査物に照射する
Ｘ線源と、定速で移動される該被検査物を透過したＸ線
を可視光に変換する変換手段と、該変換手段からの可視
光を透過又は遮断することにより制限して分解能を均一
にさせるフィルタと、該フィルタからの透過可視光を結
像する結像手段と、該結像手段からの結像に対応するＸ
線透過量を積算する検出手段と、該検出手段で積算され
たＸ線透過量による立体形状を観測して前記検査物の欠
陥を判別する処理手段とを有するように構成する。
本発明は、物体内部の検査、特に絶縁基板のバイアホー
ルの充填状態や実装はｌυだの内部状態をＸ線透過光に
より検査する物体検査装置に関する。
ルの充填状態や実装はｌυだの内部状態をＸ線透過光に
より検査する物体検査装置に関する。
近年、電子部品の高密度化、高集積化が進むにつれ、外
観だけでは検査不可能な部分が多くなってきており、透
過型検査が行われている。この透過型検査は、Ｘ線を透
過し、その透過量によって判断するもので分解能の向上
が要求されている。
観だけでは検査不可能な部分が多くなってきており、透
過型検査が行われている。この透過型検査は、Ｘ線を透
過し、その透過量によって判断するもので分解能の向上
が要求されている。
このため、検知領域の拡大に伴う分解能の不均一を矯正
する必要がある。
する必要がある。
従来、物体内部の検査はＸ線を透過し、その透過量によ
って物体の欠陥判定を行っている。
って物体の欠陥判定を行っている。
例えば、電子計算機の製造においては、従来のプラステ
ィックに代わり、セラミック基板が使用されるようにな
ってきている。これは、従来のプラスチック系素材とは
全く異なる製造方法がとられる。例えば、多層基板の各
層を接続する電気導体孔（バイアホール）の構成におい
ては、プラスチック基板の場合、各層を積層した後、貞
通孔を聞け、内部を銅メツキして、作製する。一方、セ
ラミック基板では、積層前に、各層毎に孔を開け、内部
に電気導体の粉を充填し、全層積層後、焼成して作成す
る。従って、セラミック基板では、作製基板の信頼度保
証のために、このバイアホールの導体粉充填状態の検査
をＸ線透過により行っている。
ィックに代わり、セラミック基板が使用されるようにな
ってきている。これは、従来のプラスチック系素材とは
全く異なる製造方法がとられる。例えば、多層基板の各
層を接続する電気導体孔（バイアホール）の構成におい
ては、プラスチック基板の場合、各層を積層した後、貞
通孔を聞け、内部を銅メツキして、作製する。一方、セ
ラミック基板では、積層前に、各層毎に孔を開け、内部
に電気導体の粉を充填し、全層積層後、焼成して作成す
る。従って、セラミック基板では、作製基板の信頼度保
証のために、このバイアホールの導体粉充填状態の検査
をＸ線透過により行っている。
一方、実装後の基板表面におけるはんだの外観検査は、
従来から光学的に行われてきたが、表面実装技術の進歩
と共に、はんだ付けをリード裏面でも行う両面実装がさ
れるようになり、はんだ内部検査をＸ線透過により行っ
ている。
従来から光学的に行われてきたが、表面実装技術の進歩
と共に、はんだ付けをリード裏面でも行う両面実装がさ
れるようになり、はんだ内部検査をＸ線透過により行っ
ている。
ところで、検査対象の裏側にはんだ、部品等が存在する
と、Ｘ線による画像は重なることから、欠陥検査を行う
ことができない。
と、Ｘ線による画像は重なることから、欠陥検査を行う
ことができない。
これにより、ＴＤＩＣＯＤ（ＴｉｍｅＤｅｌａｙ Ｉ
ｎｔｅｇｒａｔｉＯｎ ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅ
ｄ １）ｅｖｉｃｅ ）とマイクロフォーカスＸ線源
を用いた物体検査装置が考えられている。この場合、高
さ方向（Ｚ方向）の分解能を向上さゼるために、検知領
域を拡大する必要があるが、センサ（ＴＤＩＣＣＤ）上
での水平方向（ＸＹ力方向の分解能が不均一になるとい
う問題がある。
ｎｔｅｇｒａｔｉＯｎ ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅ
ｄ １）ｅｖｉｃｅ ）とマイクロフォーカスＸ線源
を用いた物体検査装置が考えられている。この場合、高
さ方向（Ｚ方向）の分解能を向上さゼるために、検知領
域を拡大する必要があるが、センサ（ＴＤＩＣＣＤ）上
での水平方向（ＸＹ力方向の分解能が不均一になるとい
う問題がある。
そこで、本発明は上記課題に鑑みなされたもので、セン
サ上の分解能の不均一性を矯正する物体検査装置を提供
することを目的とする。
サ上の分解能の不均一性を矯正する物体検査装置を提供
することを目的とする。
第１図に本発明の原理説明図を示す。第１図（Ａ）は本
発明の構成図、第１図（Ｂ）はフィルタの斜視図である
。第１図（Ａ）中、１はＸ線源であり、電子ビームを電
子レンズで集束し、被検査物２に照射する。３は変換手
段であり、定速で移動される被検査物をＸ線を可視光に
変換する。
発明の構成図、第１図（Ｂ）はフィルタの斜視図である
。第１図（Ａ）中、１はＸ線源であり、電子ビームを電
子レンズで集束し、被検査物２に照射する。３は変換手
段であり、定速で移動される被検査物をＸ線を可視光に
変換する。
４はフィルタであり、変換手段３からの可視光を透過又
は遮断することにより制限して分解能を均一にさせる。
は遮断することにより制限して分解能を均一にさせる。
５は結像手段であり、フィルタ４からの透過可視光を結
像する。６は検出手段であり、結像手段５からの結像に
対応するＸ線透過量を積算する。そして、このＸ線透過
量により、図示しない処理手段において立体形状を観測
して被検査物の欠陥を判別する。
像する。６は検出手段であり、結像手段５からの結像に
対応するＸ線透過量を積算する。そして、このＸ線透過
量により、図示しない処理手段において立体形状を観測
して被検査物の欠陥を判別する。
また、第１図（Ｂ）において、フィルタ４は変換手段３
からの可視光を透過するスリット部４ａと、遮断する遮
光部４ｂにより構成される。この場合、フィルタ４は、
被検査物２の移動方向に沿って、遮光部４ｂとスリット
部４ａとが交互に配置するように位置される（第１図（
Ａ））。
からの可視光を透過するスリット部４ａと、遮断する遮
光部４ｂにより構成される。この場合、フィルタ４は、
被検査物２の移動方向に沿って、遮光部４ｂとスリット
部４ａとが交互に配置するように位置される（第１図（
Ａ））。
第１図に示すように、変換手段３の後段にフィルタ４を
配置している。このフィルタ４はスリット部４ａと遮光
部４ｂより構成されることから、スリット部４ａは変換
手段３からの可視光を透過させて、結像手段５を介して
検出手段６で検知されるが、遮光部４ｂでは検出手段６
で検知されない。従って、検出手段６で検知される信号
強度（透過可視光）を水平方向（被検査物の移動方向）
で整形され、検知領域の矯正が行われる。すなわち、検
出手段６の水平方向での分解能の均一化が可能となり、
検知領域を拡大して高さ方向（Ｚ方向）の分解能の向上
が図られる。
配置している。このフィルタ４はスリット部４ａと遮光
部４ｂより構成されることから、スリット部４ａは変換
手段３からの可視光を透過させて、結像手段５を介して
検出手段６で検知されるが、遮光部４ｂでは検出手段６
で検知されない。従って、検出手段６で検知される信号
強度（透過可視光）を水平方向（被検査物の移動方向）
で整形され、検知領域の矯正が行われる。すなわち、検
出手段６の水平方向での分解能の均一化が可能となり、
検知領域を拡大して高さ方向（Ｚ方向）の分解能の向上
が図られる。
第２図に本発明の一実施例の構成図を示す。第２図にお
いて、Ｘ線源１より、テーブル１０に載置された被検査
物であるサンプル（例えばプリント基板）２にＸ線を照
射する。この場合、Ｘ線源１はＸ線管コントローラ１１
により制御されてパルス状のＸ線を照射することも可能
である。また、テーブル１０はテーブルコントローラ１
２によって制御されて矢印方向に移動される。
いて、Ｘ線源１より、テーブル１０に載置された被検査
物であるサンプル（例えばプリント基板）２にＸ線を照
射する。この場合、Ｘ線源１はＸ線管コントローラ１１
により制御されてパルス状のＸ線を照射することも可能
である。また、テーブル１０はテーブルコントローラ１
２によって制御されて矢印方向に移動される。
プリント基板２を透過したＸ線は、変換手段である蛍光
板３により可視光に変換され、フィルタ４により、図示
しないスリット部（第１図（Ｂ）４８）ｒ透過し、又は
遮光部（第１図（Ｂ）４ｂ）で遮断される。スリット部
（４ａ）を透過した可視光は結像手段であるシリンドリ
カルレンズ５により検出手段である前述のＴＤＩＣＣＤ
６に結像される。その場合、ＴＤＩコントローラ１３が
ＴＤＩＣＣＤ６の電荷を駆動しく第４図参照）、その移
動速度はテーブル１０の移動速度と同期して制御される
。
板３により可視光に変換され、フィルタ４により、図示
しないスリット部（第１図（Ｂ）４８）ｒ透過し、又は
遮光部（第１図（Ｂ）４ｂ）で遮断される。スリット部
（４ａ）を透過した可視光は結像手段であるシリンドリ
カルレンズ５により検出手段である前述のＴＤＩＣＣＤ
６に結像される。その場合、ＴＤＩコントローラ１３が
ＴＤＩＣＣＤ６の電荷を駆動しく第４図参照）、その移
動速度はテーブル１０の移動速度と同期して制御される
。
このＴＤＩＣＣＤ６の画像データはバッファ１４に一旦
保持され、必要部分をメモリ１５に記憶する。このメモ
リ１５のデータでＣＰＬＩ （中央演算処理装置）１６
によりサンプル２の欠陥を判別する。これらバッファ１
４．メモリ１５．ＣＰＵ１６により処理手段を構成する
。そして、その結果を出力部１７より出力する。なお、
Ｘ線管コントローラ１１．テーブルコントローラ１２及
びＴＤＩコントローラ１３はｌ１０（入出力部）１８を
介してＣＰＬＪ １６によりタイミングが計られる。ま
た、図中、１９．２０はバスである。
保持され、必要部分をメモリ１５に記憶する。このメモ
リ１５のデータでＣＰＬＩ （中央演算処理装置）１６
によりサンプル２の欠陥を判別する。これらバッファ１
４．メモリ１５．ＣＰＵ１６により処理手段を構成する
。そして、その結果を出力部１７より出力する。なお、
Ｘ線管コントローラ１１．テーブルコントローラ１２及
びＴＤＩコントローラ１３はｌ１０（入出力部）１８を
介してＣＰＬＪ １６によりタイミングが計られる。ま
た、図中、１９．２０はバスである。
ココテ、上記Ｘｌ１ｌ１１及びＴＤ ＩＣＣ；Ｄ６ｋｍ
にる物体検査の原理を第３図により説明する。第３図（
Ａ）はサンプル２をプリント基板とし、両面実装のはん
だの欠陥を検査する場合を示しており、第３図（Ｂ）は
ＴＤＩＣＣＤ６における検知画像を示したものである。
にる物体検査の原理を第３図により説明する。第３図（
Ａ）はサンプル２をプリント基板とし、両面実装のはん
だの欠陥を検査する場合を示しており、第３図（Ｂ）は
ＴＤＩＣＣＤ６における検知画像を示したものである。
第３図（Ａ）において、プリント基板２の両面実装のは
んだ２Ａ、２Ｂを検査する場合、その移動によりＸ線源
１からのＸ線は０〜０点ではんだ２Ａ（２Ｂ）に照射透
過され、ＴＤＩＣＣＤ５には各点での画像を検知する。
んだ２Ａ、２Ｂを検査する場合、その移動によりＸ線源
１からのＸ線は０〜０点ではんだ２Ａ（２Ｂ）に照射透
過され、ＴＤＩＣＣＤ５には各点での画像を検知する。
この場合の画像のそれぞれが、例えば第３図（Ｂ）のよ
うに示され、これらが加算された画像■が得られる。こ
れは、Ｘ線投資画像が本質的に量子ノイズを含んでおり
、加算されたはんだ２Ｂの画像が、画像のホワイトノイ
ズに埋もれてしまうことによるものである。
うに示され、これらが加算された画像■が得られる。こ
れは、Ｘ線投資画像が本質的に量子ノイズを含んでおり
、加算されたはんだ２Ｂの画像が、画像のホワイトノイ
ズに埋もれてしまうことによるものである。
このときのＴＤＩＣＣＤ６の原理を第４図に示す。
図において、ＴＯＩＣＣＤ６は、ラインＣＯＤ素子と二
次元ＣＯＤ素子との中間動作をするものであり、２０４
８個のＣＯＤ素子を６４列に配置されたものと等価であ
る。
次元ＣＯＤ素子との中間動作をするものであり、２０４
８個のＣＯＤ素子を６４列に配置されたものと等価であ
る。
その機能は、１列目のＣＯＤ素子が蓄積した電荷を次の
列のＣＯＤ素子の電荷に累積加算するものである。例え
ば、サンプル２をＴＤ Ｉ ＣＣＤ６上で移動すると、
最終ライン（６４４列目では各ラインの電荷が蓄積され
て、同図の一点鎖線に示すような蓄積電荷分布曲線がえ
られる。これにより、１列のＣＯＤ素子に比較して６４
倍の検出感疫になるものである。
列のＣＯＤ素子の電荷に累積加算するものである。例え
ば、サンプル２をＴＤ Ｉ ＣＣＤ６上で移動すると、
最終ライン（６４４列目では各ラインの電荷が蓄積され
て、同図の一点鎖線に示すような蓄積電荷分布曲線がえ
られる。これにより、１列のＣＯＤ素子に比較して６４
倍の検出感疫になるものである。
この場合、フィルタ４ではシリンドリカルレンズ５で収
束されたサンプル２の断面長方形状の結像光の光量補正
を行っている。この光量補止は、ＴＤＩＣＣＤ６の入力
画素数にもよるが第４図のような２０４８Ｘ ６４画素
の場合のデユーティが３２＝１のとき、−ラインの電荷
の蓄積時間を調整することにより行われる。すなわち、
「Ｈ」レベルの期間を１／３２Ｘ １周期とするように
フィルタ４のスリット部４ａ及び遮光部４ｂの間隔を設
定している。これにより、２０４８ｘ ６４画素のＴＤ
Ｉ ＣＣＤ６の−ラインの電荷の蓄積時間が調整され
、ＴＤＩＣＣＤ６の１画素（１：１）に修正される。寸
なわち、フィルタ４により、ＴＤＩＣＣＤ６で検知され
る信号強度を整形して分解能の不均一性を矯正すること
により、検知領域を拡大することが可能となる。これは
、断面検査において高さ方向（Ｚ方向）の分解能を向上
させることが可能であることを意味する。
束されたサンプル２の断面長方形状の結像光の光量補正
を行っている。この光量補止は、ＴＤＩＣＣＤ６の入力
画素数にもよるが第４図のような２０４８Ｘ ６４画素
の場合のデユーティが３２＝１のとき、−ラインの電荷
の蓄積時間を調整することにより行われる。すなわち、
「Ｈ」レベルの期間を１／３２Ｘ １周期とするように
フィルタ４のスリット部４ａ及び遮光部４ｂの間隔を設
定している。これにより、２０４８ｘ ６４画素のＴＤ
Ｉ ＣＣＤ６の−ラインの電荷の蓄積時間が調整され
、ＴＤＩＣＣＤ６の１画素（１：１）に修正される。寸
なわち、フィルタ４により、ＴＤＩＣＣＤ６で検知され
る信号強度を整形して分解能の不均一性を矯正すること
により、検知領域を拡大することが可能となる。これは
、断面検査において高さ方向（Ｚ方向）の分解能を向上
させることが可能であることを意味する。
次に、第１図に戻り、上述のような物体検査を、第５図
を参考に説明する。まず、矢印方向に移動されるサンプ
ル２にＸ線源１よりＸ線が照射される。サンプル２の移
動タイミングは、ＴＤＩＣＣＤ （２０４８Ｘ６４画素
、３２：１）６の検知領域、１画素（１：１）が、サン
プル２上の観測領域（３２：１）と異なることから、上
述のフィルタ４により修正される。
を参考に説明する。まず、矢印方向に移動されるサンプ
ル２にＸ線源１よりＸ線が照射される。サンプル２の移
動タイミングは、ＴＤＩＣＣＤ （２０４８Ｘ６４画素
、３２：１）６の検知領域、１画素（１：１）が、サン
プル２上の観測領域（３２：１）と異なることから、上
述のフィルタ４により修正される。
これにより、第５図（Ａ）において、サンプル２上（７
）ｖＡ？ｔｌＱ Ｔｉ Ｖｉ ニ対シＴ、ＴＤＩＣＣＤ
６（７）１”／インの蓄積時間が１７３２周期に制限さ
れ、この期間のみ検出動作がｒ ＯＮ ｊする。
）ｖＡ？ｔｌＱ Ｔｉ Ｖｉ ニ対シＴ、ＴＤＩＣＣＤ
６（７）１”／インの蓄積時間が１７３２周期に制限さ
れ、この期間のみ検出動作がｒ ＯＮ ｊする。
次に、サンプル２からのＸ線透過光は蛍光板３により可
視光に変換され、フィルタ４のスリット部４ａを透過し
てシリンドリカルレンズ５で結像される。この際に、シ
リンドリカルレンズ５が、放射状の蛍光を収束して断面
長方形状の結像光にする。
視光に変換され、フィルタ４のスリット部４ａを透過し
てシリンドリカルレンズ５で結像される。この際に、シ
リンドリカルレンズ５が、放射状の蛍光を収束して断面
長方形状の結像光にする。
次いで、結像光に基づいてサンプル２の画像データＤ１
を取得する。この際に、ＴＤＩＣＣＩ）６の電荷は、Ｔ
ＤＩコントローラ１３によりサンプル２と逆の方向に移
動される。これにより、ＴＤＩＣＣＤ６は移動するサン
プル２上の観測領域に対して、注目点の画像データＤ１
を順次取得する（第４図参照）。そして、画像データＤ
１は一旦バッファ１４に保持される。
を取得する。この際に、ＴＤＩＣＣＩ）６の電荷は、Ｔ
ＤＩコントローラ１３によりサンプル２と逆の方向に移
動される。これにより、ＴＤＩＣＣＤ６は移動するサン
プル２上の観測領域に対して、注目点の画像データＤ１
を順次取得する（第４図参照）。そして、画像データＤ
１は一旦バッファ１４に保持される。
その後、画像データＤ１を厚み画像データＤ２に信号処
理する。ここでは、第５図（Ｂ）に示すようにメモリ１
５にサンプル２上の観測領域のＨ目点の画像データＤ１
が順次格納される。これにより、サンプル２の観測領域
について１画面１枚の計ｎ枚のフレイムメモリテーブル
が得られ、こ１ れをＣＰＵ１６内の加算器１６ａにより加算する。
理する。ここでは、第５図（Ｂ）に示すようにメモリ１
５にサンプル２上の観測領域のＨ目点の画像データＤ１
が順次格納される。これにより、サンプル２の観測領域
について１画面１枚の計ｎ枚のフレイムメモリテーブル
が得られ、こ１ れをＣＰＵ１６内の加算器１６ａにより加算する。
この加算されたデータは、サンプル２上の観測領域の注
目点の厚み画像データＤ２である。
目点の厚み画像データＤ２である。
そして、ＣＰＵ１６内において、厚み画像データＤ２と
期待値データ等とを比較してサンプル２の内部欠陥判別
し、出力部１７より出力するものである。
期待値データ等とを比較してサンプル２の内部欠陥判別
し、出力部１７より出力するものである。
尚、上記実施例において、Ｘ線源１によるＸ線は原理的
にパルス状のものでなくてもよいが、いわゆるマイクロ
ッ・オーカスＸ線源等によりパルス状のＸ線を使用して
もよく、この場合はさらに分解能を向上さけることがで
きる。
にパルス状のものでなくてもよいが、いわゆるマイクロ
ッ・オーカスＸ線源等によりパルス状のＸ線を使用して
もよく、この場合はさらに分解能を向上さけることがで
きる。
以上のように本発明によれば、変換手段の後段にフィル
タを配置することにより、検出手段で検知される信号強
度を整形して分解能の不均一を防ぐことができ、検知領
域を容易に拡大させ、高さ方向の分解能を向上させるこ
とができる。
タを配置することにより、検出手段で検知される信号強
度を整形して分解能の不均一を防ぐことができ、検知領
域を容易に拡大させ、高さ方向の分解能を向上させるこ
とができる。
２
第１図は本発明の原理説明図、
第２図は本発明の一実施例の構成図、
第３図は本発明の物体検査の原理を説明づるための図、
第４図は本発明の実施例に係るＴＤＩＣＣＤの原理を説
明するための図、 第５図は本発明の実施例に係る物体検査装置の動作を説
明するための図である。 図において、 １はＸｒＡ源、 ２は被検査物、 ３は変換手段、 ４はフィルタ、 ４ａはスリット部、 ４ｂは遮光部、 ５は結像手段、 ６は検出手段 を示す。 特開平３ ２６９２４８ （５） 第 ５ 図 ３５１−
明するための図、 第５図は本発明の実施例に係る物体検査装置の動作を説
明するための図である。 図において、 １はＸｒＡ源、 ２は被検査物、 ３は変換手段、 ４はフィルタ、 ４ａはスリット部、 ４ｂは遮光部、 ５は結像手段、 ６は検出手段 を示す。 特開平３ ２６９２４８ （５） 第 ５ 図 ３５１−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 電子ビームを電子レンズで集光し、被検査物（２）に照
射するＸ線源（１）と、 定速で移動される該被検査物（２）を透過したＸ線を可
視光に変換する変換手段（３）と、該変換手段（３）か
らの可視光を透過又は遮断することにより制限して分解
能を均一にさせるフィルタ（４）と、 該フィルタ（４）からの透過可視光を結像する結像手段
（５）と、 該結像手段（５）からの結像に対応するＸ線透過量を積
算する検出手段（６）と、 該検出手段（６）で積算されたＸ線透過量による立体形
状を観測して前記検査物（２）の欠陥を判別する処理手
段（１４〜１６）と、 を有することを特徴とする物体検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2068675A JPH03269248A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 物体検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2068675A JPH03269248A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 物体検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03269248A true JPH03269248A (ja) | 1991-11-29 |
Family
ID=13380532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2068675A Pending JPH03269248A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 物体検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03269248A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001522054A (ja) * | 1997-11-05 | 2001-11-13 | ケイエルエイ−テンコー コーポレイション | ２次電子放出顕微鏡検査のための装置及び方法 |
| JP2006177841A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 非破壊検査装置および方法 |
| US8138786B2 (en) | 2004-05-19 | 2012-03-20 | Altera Corporation | Apparatus and methods for adjusting performance of integrated circuits |
| US9436250B1 (en) | 2011-12-19 | 2016-09-06 | Altera Corporation | Apparatus for improving power consumption of communication circuitry and associated methods |
-
1990
- 1990-03-19 JP JP2068675A patent/JPH03269248A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001522054A (ja) * | 1997-11-05 | 2001-11-13 | ケイエルエイ−テンコー コーポレイション | ２次電子放出顕微鏡検査のための装置及び方法 |
| US8138786B2 (en) | 2004-05-19 | 2012-03-20 | Altera Corporation | Apparatus and methods for adjusting performance of integrated circuits |
| JP2006177841A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 非破壊検査装置および方法 |
| US9436250B1 (en) | 2011-12-19 | 2016-09-06 | Altera Corporation | Apparatus for improving power consumption of communication circuitry and associated methods |
| US10348311B2 (en) | 2011-12-19 | 2019-07-09 | Altera Corporation | Apparatus for improving power consumption of communication circuitry and associated methods |
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