JPH03261648A - 多結晶アルミナ焼結体の製造方法 - Google Patents
多結晶アルミナ焼結体の製造方法Info
- Publication number
- JPH03261648A JPH03261648A JP2056645A JP5664590A JPH03261648A JP H03261648 A JPH03261648 A JP H03261648A JP 2056645 A JP2056645 A JP 2056645A JP 5664590 A JP5664590 A JP 5664590A JP H03261648 A JPH03261648 A JP H03261648A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sintered body
- sintered material
- grain size
- crystal grain
- hip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 title abstract description 9
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 50
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 15
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000001272 pressureless sintering Methods 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- VCNTUJWBXWAWEJ-UHFFFAOYSA-J aluminum;sodium;dicarbonate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O VCNTUJWBXWAWEJ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910021538 borax Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 description 1
- 229910001647 dawsonite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000007569 slipcasting Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000004328 sodium tetraborate Substances 0.000 description 1
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、ナトリウムランプ外管等に使用される光透
過率の高い多結晶アルミナの焼結体に関するものである
。
過率の高い多結晶アルミナの焼結体に関するものである
。
従来の技術
従来の透光性の多結晶アルミナの焼結体は、アルミナ粉
末を成形して、水素還元雰囲気下で1800℃程度で常
圧焼結していた。
末を成形して、水素還元雰囲気下で1800℃程度で常
圧焼結していた。
この多結晶アルミナ焼結体の透光性を高めるための要件
、すなわち光の散乱を少なくして光透過率を高めるため
の要件は、次のとおりである。
、すなわち光の散乱を少なくして光透過率を高めるため
の要件は、次のとおりである。
(1)不純物量を減少させる
(2)粒界に存在する気孔を減少させるこのうち(2)
については、結晶粒子径を大きくすることにより、気孔
を(粒界を)減少させていた。
については、結晶粒子径を大きくすることにより、気孔
を(粒界を)減少させていた。
発明が解決しようとする課題
結晶粒子径が大きいことから3点曲げ強さが280〜3
00Mp aと低く、応力集中を起こしやすい複雑形状
品には使用できなかった。
00Mp aと低く、応力集中を起こしやすい複雑形状
品には使用できなかった。
発明の目的
この発明は、透光性を高くできしかも高強度の多結晶ア
ルミナの焼結体を提供することを目的とする。
ルミナの焼結体を提供することを目的とする。
発明の要旨
この発明は特許請求の範囲に記載の多結晶アルミナの焼
結体を要旨としている。
結体を要旨としている。
課題を解決するための手段
高い透光性、すなわち直線透過率が30%以上である多
結晶アルミナの焼結体について、この焼粘体の平均結晶
粒子径が0.5μm以上20μm以下である。平均結晶
粒子径をこのように制御することにより曲げ強さを高め
ることができ、つまり応力集中の起しやすい複雑形状品
に使用できる。
結晶アルミナの焼結体について、この焼粘体の平均結晶
粒子径が0.5μm以上20μm以下である。平均結晶
粒子径をこのように制御することにより曲げ強さを高め
ることができ、つまり応力集中の起しやすい複雑形状品
に使用できる。
特に好ましくは1.5μm以上10μm以下である。直
線透過率が30%より小さいとナトリウム外管や容器な
どの用途に不適切である。
線透過率が30%より小さいとナトリウム外管や容器な
どの用途に不適切である。
平均粒子径が0.5μmより小さいと、直線透過率の低
下が若くなるためよくない。また20μmより大きいと
、平均曲げ強さが低くなるためよくない。
下が若くなるためよくない。また20μmより大きいと
、平均曲げ強さが低くなるためよくない。
熱処理は、好ましくは熱間静水圧プレス(以下HIPと
いう)処理である。HIP処理温度は、好ましくは12
00℃〜1400℃である。■200℃より低いと、直
線透過率の低下が著くなるためよくない。1400℃よ
り高いと、3点曲げ強さが低くなるためよくない。
いう)処理である。HIP処理温度は、好ましくは12
00℃〜1400℃である。■200℃より低いと、直
線透過率の低下が著くなるためよくない。1400℃よ
り高いと、3点曲げ強さが低くなるためよくない。
直線透過率を高めるためには、1300℃以上の処理温
度で処理するのが好ましい。たとえば1350℃や14
00℃の熱処理温度の焼結体では、40%以上の直線透
過率が得られる。
度で処理するのが好ましい。たとえば1350℃や14
00℃の熱処理温度の焼結体では、40%以上の直線透
過率が得られる。
本発明の多結晶アルミナの焼結体は、焼結助剤、たとえ
ばMgOが無添加でも直線透過率30%以上のものが得
られる。
ばMgOが無添加でも直線透過率30%以上のものが得
られる。
HIP処理はArのような不活性ガス雰囲気下で行う。
一例として1250℃で予備焼結後、1300℃でHI
P処理を行った多結晶アルミナの焼結体は、直線透過率
が40%、平均3点曲げ強さが760MPa、ビッカー
ス硬度〔H■〕が19.4G P a zワイブル係数
が14と高透光性、高強度の特質が得られている。
P処理を行った多結晶アルミナの焼結体は、直線透過率
が40%、平均3点曲げ強さが760MPa、ビッカー
ス硬度〔H■〕が19.4G P a zワイブル係数
が14と高透光性、高強度の特質が得られている。
実施例
実験例1〜5
A、多結晶アルミナの焼結体の製造
(1)[原料]
原料は高純度AI Oである。高純度AA’23
03は、アンモニュウムドーソナイト(NH4Al (
OH) Co3)を出発原料として、これを仮焼、粉
砕して得られた粉末である。高純度Al2O3の粉末試
料の特性を後掲の表−1に示す。
OH) Co3)を出発原料として、これを仮焼、粉
砕して得られた粉末である。高純度Al2O3の粉末試
料の特性を後掲の表−1に示す。
また高純度AI 20 aの粒子径分布を第1図に示す
。
。
(2)[成形コ
本発明の高純度Al2O3の粉末試料は、スリップキャ
スティング成形法によって成形を行った。
スティング成形法によって成形を行った。
分散処理は予め所定量の蒸溜水に分散剤を含む有機助剤
を溶解させた後、原料と同材質のアルミナボールおよび
アルミナポットを用いて約16時間混合を行った。
を溶解させた後、原料と同材質のアルミナボールおよび
アルミナポットを用いて約16時間混合を行った。
こうして得られたスラリーは、真空・加圧鋳込装置を用
いて約20分間の脱泡処理を行った後、合成樹脂製の型
を用いて約6 kg f /cnfの圧力で板状の成形
体を製作した。成形体の大きさは60闘X 80 mm
X 6 mmである。
いて約20分間の脱泡処理を行った後、合成樹脂製の型
を用いて約6 kg f /cnfの圧力で板状の成形
体を製作した。成形体の大きさは60闘X 80 mm
X 6 mmである。
(3)[予備焼結]
得られた成形体は、室温、40℃及び100℃で十分乾
燥を行った後、電気炉で大気中において昇温速度40℃
/時間で昇温した後、1250℃で2時間予備焼結を行
った。このように得られた予備焼結体の特性値を表−2
に示す。
燥を行った後、電気炉で大気中において昇温速度40℃
/時間で昇温した後、1250℃で2時間予備焼結を行
った。このように得られた予備焼結体の特性値を表−2
に示す。
(4) [HI P処理]
予備焼結体は次にHIP処理をする。第2図にHIP処
理のスケジュールを示す。HIPはAr雰囲気で約15
0MPaの圧力下、1050〜1400℃の温度範囲で
処理を行った。処理温度を変化させることにより結晶体
の結晶粒子径を制御した。その関係を第8図に示す。
理のスケジュールを示す。HIPはAr雰囲気で約15
0MPaの圧力下、1050〜1400℃の温度範囲で
処理を行った。処理温度を変化させることにより結晶体
の結晶粒子径を制御した。その関係を第8図に示す。
第3図には予備焼結体試料の位置を示す。
圧力容器10内には熱電対11、グラファイトのヒータ
12、グラファイトルツボ13があり、このルツボ13
内には予備焼結体試料14が配置されている。試料14
はグラファイトルツボ中に入れ、拭粉として試料と同材
質の仮焼粉体を用いた。
12、グラファイトルツボ13があり、このルツボ13
内には予備焼結体試料14が配置されている。試料14
はグラファイトルツボ中に入れ、拭粉として試料と同材
質の仮焼粉体を用いた。
B、評価
HIP処理後の試料(以下HIP焼結体という)につい
ては、結晶体結晶粒子径(平均結晶粒子径、組織観察)
、光学的特性(直線透過率)、機械的特性(3点曲げ強
さ、ビッカース硬度、破壊靭性)について測定を行った
。
ては、結晶体結晶粒子径(平均結晶粒子径、組織観察)
、光学的特性(直線透過率)、機械的特性(3点曲げ強
さ、ビッカース硬度、破壊靭性)について測定を行った
。
平均結晶粒子径の測定
結晶粒子径
平均結晶粒子径を求めるためにまず、すでに第10図で
示した結晶粒子径を求める。
示した結晶粒子径を求める。
■ 結晶粒子径測定面の研摩
#400.#800、#1500および3.czmのダ
イヤモンドペーストを用い、最終的に1μmのダイヤモ
ンドペーストで仕上げる。この仕上げた面を観察する。
イヤモンドペーストを用い、最終的に1μmのダイヤモ
ンドペーストで仕上げる。この仕上げた面を観察する。
■サーマルエツチング処理
HIP処理温度より50℃低い温度で、約1〜2時間処
理する。これにより結晶粒界面が明らかになる。
理する。これにより結晶粒界面が明らかになる。
■SEM観察
測定面画像のアウトプットをする。
■画像解析により結晶粒子径の測定
1)焼結体結晶粒子の面積の測定をする。つまり、第4
図(a)のような連続トレース方式あるいは第4図(b
)のような不連続点による面積測定をする。
図(a)のような連続トレース方式あるいは第4図(b
)のような不連続点による面積測定をする。
2)等偏置への変換(面積等偏置)と、等偏置の直径測
定をする。
定をする。
すなわち第5図に示すように、焼結体結晶粒子Pを直径
りの等偏置Cに変換するのである。つまり焼結体結晶粒
子Pの面積と等偏置の面積は一致する。
りの等偏置Cに変換するのである。つまり焼結体結晶粒
子Pの面積と等偏置の面積は一致する。
■ データの解析
測定データの集計と、平均化を行い、平均結晶粒子径を
得る。
得る。
このようにして得られた本発明でいう平均結晶粒子径と
は、測定面における焼結体結晶粒子Pの断面積を等偏置
に変換した等偏置Cの直径りの平均をいうのである。
は、測定面における焼結体結晶粒子Pの断面積を等偏置
に変換した等偏置Cの直径りの平均をいうのである。
直線透過率の測定
この直線透過率は、次のように測定する。第6図は測定
装置の原理図であり、第7図は実際の測定装置を示して
いる。ランプ40から出た光をレンズ41で直進光に変
光し、スリット42を通った光が、測定試料43を通過
する。そして通過した光をスリット44に通してフォト
セル45に受光させる。この光の強度をフォトセル45
によって測定する。式に表すと、 直線透過率 となる。多結晶セラミックスは、結晶粒界を光が通過す
ると屈折し、セラミックスを通り抜けた時は、散乱状態
にある。この中で、直進光がどのくらいの比率かを示し
たものが、直線透過率である。
装置の原理図であり、第7図は実際の測定装置を示して
いる。ランプ40から出た光をレンズ41で直進光に変
光し、スリット42を通った光が、測定試料43を通過
する。そして通過した光をスリット44に通してフォト
セル45に受光させる。この光の強度をフォトセル45
によって測定する。式に表すと、 直線透過率 となる。多結晶セラミックスは、結晶粒界を光が通過す
ると屈折し、セラミックスを通り抜けた時は、散乱状態
にある。この中で、直進光がどのくらいの比率かを示し
たものが、直線透過率である。
したがって、測定試料の厚み、及び表面状態で直線透過
率は変化する。
率は変化する。
第7図の実際の測定装置では、レンズ41とスリット4
2の代わりに光ファイバ51、プリズム52が用いられ
、スリット44の代わりに採光路53が用いられている
。
2の代わりに光ファイバ51、プリズム52が用いられ
、スリット44の代わりに採光路53が用いられている
。
本発明における測定方法は次のとおりである。
測定試料43の厚さを1mmにし、1μmのダイヤモン
ドペーストで最終研摩した後、熱ホウ砂により化学研摩
する。ハロゲンランプ40の光を光ファイバ51で集め
、測定試料43近くまで光を送る。この光をプリズム5
2で反射させ、フォトセル45で光強度を測定する。な
お、光を点燈しない時の光強度を0に調整し、光を点燈
し、試料43をセットしない時の光強度を100に調整
した後各試料をセットし光強度を測定する。
ドペーストで最終研摩した後、熱ホウ砂により化学研摩
する。ハロゲンランプ40の光を光ファイバ51で集め
、測定試料43近くまで光を送る。この光をプリズム5
2で反射させ、フォトセル45で光強度を測定する。な
お、光を点燈しない時の光強度を0に調整し、光を点燈
し、試料43をセットしない時の光強度を100に調整
した後各試料をセットし光強度を測定する。
3点曲げ強さの測定
3点曲げ強さはJIS−R1601に規定されている方
法により測定を行う。
法により測定を行う。
比較例1〜4
A、多結晶アルミナの結晶体の製造
(1)〔原料〕
原料は高純度Al2O3である。その特性を後掲の表−
1に示す。
1に示す。
(2)〔成形〕
試料は等方性静水圧プレス成形によって成形を行った。
成形に際し予め所定の粒度に調整した造粒体をゴム型に
均一に充填し、100100O/carの圧力で実施例
と同形状に成形した。
均一に充填し、100100O/carの圧力で実施例
と同形状に成形した。
(3)〔焼結〕
得られた成形体は水素還元雰囲気中において1800℃
の温度で焼結を行った。焼結時間を変化させることによ
り、焼結体の結晶粒子径を制御した。
の温度で焼結を行った。焼結時間を変化させることによ
り、焼結体の結晶粒子径を制御した。
B、評価
各試料についてそれぞれ実験例と同一の方法により、焼
結体結晶粒子径(平均結晶粒子径)、光学的特性(直線
透過率)、機械的特性(3点曲げ強さ)について測定を
行った。
結体結晶粒子径(平均結晶粒子径)、光学的特性(直線
透過率)、機械的特性(3点曲げ強さ)について測定を
行った。
比較例5〜7
A、多結晶アルミナの結晶体の製造
(1)〔原料〕
実験例と同様のものを用いた。
(2)〔成形〕
実験例と同様の方法により、実験例と同形状に形成した
。
。
(3)〔焼結〕
得られた成形体は室温、40℃及び100℃で十分に乾
燥を行った後、電気炉で大気中において昇温速度40℃
/時間で昇温した後、大気圧下にて1250℃〜135
0℃の温度範囲で、2時間焼結を行った。焼結温度を変
化させることにより焼結体の結晶粒子径を制御した。そ
の関係を第8図に示す。
燥を行った後、電気炉で大気中において昇温速度40℃
/時間で昇温した後、大気圧下にて1250℃〜135
0℃の温度範囲で、2時間焼結を行った。焼結温度を変
化させることにより焼結体の結晶粒子径を制御した。そ
の関係を第8図に示す。
B、評価
各試料についてそれぞれ実験例と同一の方法により、焼
結体結晶粒子径(平均結晶粒子径)、光学的特性(直線
透過率)、機械的特性(3点曲げ強さ)について測定を
行った。
結体結晶粒子径(平均結晶粒子径)、光学的特性(直線
透過率)、機械的特性(3点曲げ強さ)について測定を
行った。
実施結果
(1)焼結体結晶粒子径
第8図に実験例におけるHIP処理温度と焼結体結晶粒
子径との関係及び比較例5〜7における焼結温度と焼結
体結晶粒子径との関係を示す。
子径との関係及び比較例5〜7における焼結温度と焼結
体結晶粒子径との関係を示す。
第9図(a)〜(h)は、HJP焼結体(実験例1〜5
)と常圧焼結体(比較例5〜7)の走査型電子顕微鏡(
SEM)写真を示す。
)と常圧焼結体(比較例5〜7)の走査型電子顕微鏡(
SEM)写真を示す。
第9図(a)は1200℃におけるHIP焼結体(実験
例1)のサーマルエツチングされた表面を示す。
例1)のサーマルエツチングされた表面を示す。
第9図(b)は1250℃におけるHIP焼結体(実験
例2)のサーマルエツチングされた表面を示す。
例2)のサーマルエツチングされた表面を示す。
第9図(C)は1300℃におけるHIP焼結体(実験
例3)のサーマルエツチングされた表面を示す。
例3)のサーマルエツチングされた表面を示す。
第9図(d)は1350℃におけるHIP焼結体(実験
例4)のサーマルエツチングされた表面を示す。
例4)のサーマルエツチングされた表面を示す。
第9図(e)は1400℃におけるHIP焼結体(実験
例5)のサーマルエツチングされた表面を示す。
例5)のサーマルエツチングされた表面を示す。
第9図(f)は1250℃で常圧焼結体(比較例1)の
サーマルエツチングされた表面を示す。
サーマルエツチングされた表面を示す。
第9図(g)は1300℃で常圧焼結体(比較例2)の
サーマルエツチングされた表面を示す。
サーマルエツチングされた表面を示す。
第9図(h)は1350℃で常圧焼結体(比較例3)の
サーマルエツチングされた表面を示す。
サーマルエツチングされた表面を示す。
第9図(a)〜(e)に示すようにHIP焼結体につい
ては、処理温度の上昇と共に結晶粒の成長が促進されて
おり、第9図(e)の1400℃処理では約10μm以
上の結晶粒に成長している。
ては、処理温度の上昇と共に結晶粒の成長が促進されて
おり、第9図(e)の1400℃処理では約10μm以
上の結晶粒に成長している。
又、同じ処理温度の常圧焼結体と比較した場合に、HI
P焼結体の方が結晶粒子径が大きく、圧力をかけたこと
の効果が認められる。たとえば第9図(b)のHIP焼
結体と第9図(f)の常圧焼結体である。
P焼結体の方が結晶粒子径が大きく、圧力をかけたこと
の効果が認められる。たとえば第9図(b)のHIP焼
結体と第9図(f)の常圧焼結体である。
(2)光学的特性
第3表に核実験例及び比較例の直線透過率を示す。
実験例は、いずれも直線透過率が30%よりも大きい。
比較例1は実験例5と同等の平均結晶粒子径であるが、
直線透過率は10%以下と低い。
直線透過率は10%以下と低い。
また比較例3.4は直線透過率が40%と高いが平均結
晶粒子径は実験例よりも大きい。比較例5〜7は透光性
がほとんどない。
晶粒子径は実験例よりも大きい。比較例5〜7は透光性
がほとんどない。
■ 機械的特性
第10図にHIP処理温度と相対密度との関係を示す。
常圧焼結体、すなわち(比較例5〜7)を比較として示
している。
している。
相対密度はHIP処理温度1200℃以上においてほぼ
100%に達している。このため、密度に対するHIP
処理温度の効果は大きいと考えられる。
100%に達している。このため、密度に対するHIP
処理温度の効果は大きいと考えられる。
第11図にHIP処理温度と3点曲げ強さとの関係を示
す。
す。
HIP処理した本発明の実験例の3点曲げ強さは125
0℃処理が最も高く、約790 M P aであった。
0℃処理が最も高く、約790 M P aであった。
又、1250℃以上の処理温度では、処理温度が高くな
るにつれて強度は低くなる。しかし、実験例の3点曲げ
強さは650MP a以上であり、従来の透光性の多結
晶体アルミナ、つまり比較例3.4に比べ2倍以上の値
を示す。
るにつれて強度は低くなる。しかし、実験例の3点曲げ
強さは650MP a以上であり、従来の透光性の多結
晶体アルミナ、つまり比較例3.4に比べ2倍以上の値
を示す。
第12図にHIP処理温度と、破壊靭性〔Klc〕及び
ビッカース硬度(Hv)との関係について示す。ビッカ
ース硬度は第10図の相対密度と良く対応している。ビ
ッカース硬度は第10図の相対密度がほぼ100%近く
なる温度(1250℃)で約19.5GPaの値を示し
、その後処理温度が高くなってもこのビッカース硬度は
ほぼ一定である。破壊靭性については、処理温度が高く
なるにつれて値が減少する傾向が見られる。
ビッカース硬度(Hv)との関係について示す。ビッカ
ース硬度は第10図の相対密度と良く対応している。ビ
ッカース硬度は第10図の相対密度がほぼ100%近く
なる温度(1250℃)で約19.5GPaの値を示し
、その後処理温度が高くなってもこのビッカース硬度は
ほぼ一定である。破壊靭性については、処理温度が高く
なるにつれて値が減少する傾向が見られる。
機械的特性と焼結体結晶粒子径との関係について考察す
る。第3表に平均結晶粒子径と3点曲げ強さを示す。H
IP処理温度の上昇による3点曲げ強さの低下は第11
図に示されているが、つまり粒成長に伴う粒界のトータ
ル破壊エネルギーの低下に起因するものであると考えら
れる。
る。第3表に平均結晶粒子径と3点曲げ強さを示す。H
IP処理温度の上昇による3点曲げ強さの低下は第11
図に示されているが、つまり粒成長に伴う粒界のトータ
ル破壊エネルギーの低下に起因するものであると考えら
れる。
さらに、第11図のように常圧焼結体の3点曲げ強さの
最大値が1300℃であることに比べ、HIP焼結体で
は1250℃と低くなっている。
最大値が1300℃であることに比べ、HIP焼結体で
は1250℃と低くなっている。
しかし、1300℃で常圧焼結体と1250℃でのHI
P焼結体の結晶粒子サイズは第9図(g)と(b)に示
すようによく一致しており、焼結体強度は結晶粒子サイ
ズに大きく依存していることが分る。
P焼結体の結晶粒子サイズは第9図(g)と(b)に示
すようによく一致しており、焼結体強度は結晶粒子サイ
ズに大きく依存していることが分る。
光学的特性と焼結体結晶粒子径との関係について考察す
る。
る。
本発明の実験例と比較例1〜4とは、結晶粒子径が大き
くなると直線透過率が上がる。本発明の実験例では、比
較例1〜4に比べて結晶粒子径が大幅に小さいにもかか
わらず、高い直線透過率が得られる。このことから本発
明の実験例は、比較例1〜4に比べ結晶粒子径が小さい
にもかかわらず直線透過率を大きくとれることが判り、
しかも結晶粒子径が小さいため強度が高いことから、複
雑な形状のものを作ることができるのである。
くなると直線透過率が上がる。本発明の実験例では、比
較例1〜4に比べて結晶粒子径が大幅に小さいにもかか
わらず、高い直線透過率が得られる。このことから本発
明の実験例は、比較例1〜4に比べ結晶粒子径が小さい
にもかかわらず直線透過率を大きくとれることが判り、
しかも結晶粒子径が小さいため強度が高いことから、複
雑な形状のものを作ることができるのである。
本発明の多結晶アルミナの焼結体を作るのにHIPを用
いれば、従来の常圧焼結温度1800℃に比べて約50
0℃程度低い温度で透過性の良好な焼結体が得られる。
いれば、従来の常圧焼結温度1800℃に比べて約50
0℃程度低い温度で透過性の良好な焼結体が得られる。
しかも高強度である。
実際1350℃でHIP処理した本発明の焼結体が最も
直線透過率が良かった。
直線透過率が良かった。
本発明の多結晶アルミナの焼結体は高圧ナトリウムラン
プ用発光管や容器などに使用できる。
プ用発光管や容器などに使用できる。
発明の詳細
な説明したようにこの発明によれば、結晶粒子径が小さ
くても透光性が高く、結晶粒子径が小さいので高強度で
複雑な形状の焼結体を得ることができる。
くても透光性が高く、結晶粒子径が小さいので高強度で
複雑な形状の焼結体を得ることができる。
第1図は本発明の実験例の高純度アルミナ粉末試料の粒
子径分布を示す図である。 第2図はHIP焼結体作製用のHIP処理スケジュール
を示す図である。 第3図はHIP処理装置の例を示す図である。 第4図と第5図は焼結体の結晶粒子径を測定するための
原理を示す図である。 第6図は直線透過率の測定原理を示す図である。 第7図は直線透過率の測定装置の一例を示す図である。 第8図は処理温度と結晶粒子径の関係を示す図である。 第9図(a)〜(h)は各温度におけるHIP焼結体と
常圧焼結体のサーマルエツチングされた表面を示す走査
型顕微鏡写真である。 第10図は本発明のHIP処理と常圧焼結の処理温度と
、相対密度との関係を示す図である。 第11図は本発明のHIP焼結と常圧焼結の処理温度と
、3点曲げ強度との関係を示す図である。 第12図は処理温度とビッカース硬度と破壊靭性の関係
を示す図である。 14・・・・・・・・・・・・試 料 40・・・・・・・・・・・・ランプ 41・・・・・・・・・・・・レンズ 42.44・・・スリット 43・・・・・・・・・・・・測定試料51・・・・・
・・・・・・・光ファイバ52・・・・・・・・・・・
・プリズム53・・・・・・・・・・・・採光路 P・・・・・・・・・・・・・・・焼結体結晶粒子C・
・・・・・・・・・・・・・・等細円D・・・・・・・
・・・・・・・・直 径表−2 表− 表−3 粒子径 Cμm) Fig、2 目II)スケジュール(時間) Fig、4 (a) (b) Fig、5 Fig、8 濡 度 (’C) 温 度 (’C) Fig。9(9) Fig。9(h) iヨ バm 度 (℃) 手続補正書(方式) 平成2年2月 9日
子径分布を示す図である。 第2図はHIP焼結体作製用のHIP処理スケジュール
を示す図である。 第3図はHIP処理装置の例を示す図である。 第4図と第5図は焼結体の結晶粒子径を測定するための
原理を示す図である。 第6図は直線透過率の測定原理を示す図である。 第7図は直線透過率の測定装置の一例を示す図である。 第8図は処理温度と結晶粒子径の関係を示す図である。 第9図(a)〜(h)は各温度におけるHIP焼結体と
常圧焼結体のサーマルエツチングされた表面を示す走査
型顕微鏡写真である。 第10図は本発明のHIP処理と常圧焼結の処理温度と
、相対密度との関係を示す図である。 第11図は本発明のHIP焼結と常圧焼結の処理温度と
、3点曲げ強度との関係を示す図である。 第12図は処理温度とビッカース硬度と破壊靭性の関係
を示す図である。 14・・・・・・・・・・・・試 料 40・・・・・・・・・・・・ランプ 41・・・・・・・・・・・・レンズ 42.44・・・スリット 43・・・・・・・・・・・・測定試料51・・・・・
・・・・・・・光ファイバ52・・・・・・・・・・・
・プリズム53・・・・・・・・・・・・採光路 P・・・・・・・・・・・・・・・焼結体結晶粒子C・
・・・・・・・・・・・・・・等細円D・・・・・・・
・・・・・・・・直 径表−2 表− 表−3 粒子径 Cμm) Fig、2 目II)スケジュール(時間) Fig、4 (a) (b) Fig、5 Fig、8 濡 度 (’C) 温 度 (’C) Fig。9(9) Fig。9(h) iヨ バm 度 (℃) 手続補正書(方式) 平成2年2月 9日
Claims (1)
- 直線透過率が30%以上の多結晶アルミナの焼結体にお
いて、平均結晶粒子径が0.5μm以上20μm以下で
あることを特徴とする多結晶アルミナの焼結体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2056645A JP2663191B2 (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 多結晶アルミナ焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2056645A JP2663191B2 (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 多結晶アルミナ焼結体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03261648A true JPH03261648A (ja) | 1991-11-21 |
JP2663191B2 JP2663191B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=13033084
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2056645A Expired - Lifetime JP2663191B2 (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 多結晶アルミナ焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2663191B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6417127B1 (en) | 1999-05-19 | 2002-07-09 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Translucent polycrystalline ceramic and method for making same |
JP2008195581A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-08-28 | Tosoh Corp | 透光性アルミナ焼結体及びその製造方法 |
EP2055687A2 (en) | 2007-10-30 | 2009-05-06 | Tosoh Corporation | High toughness translucent alumina sintered body, method for producing the same and its uses |
WO2010058745A1 (ja) | 2008-11-18 | 2010-05-27 | 東ソー株式会社 | 高靭性且つ高透光性の着色アルミナ焼結体及びその製造方法並びに用途 |
JP2012238654A (ja) * | 2011-05-10 | 2012-12-06 | Ngk Insulators Ltd | 透光性配線基板およびその製造方法 |
JP2015121763A (ja) * | 2013-11-20 | 2015-07-02 | 日本碍子株式会社 | 光学部品 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1787601B1 (en) | 2004-08-27 | 2015-04-15 | Tosoh Corporation | Orthodontic bracket and process for producing the same |
JP5168766B2 (ja) * | 2004-08-27 | 2013-03-27 | 東ソー株式会社 | 歯列矯正ブラケット及びその製造方法 |
JP5437636B2 (ja) * | 2005-12-14 | 2014-03-12 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 酸化ジルコニウムコーティングされた矯正用物品 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6272554A (ja) * | 1985-09-25 | 1987-04-03 | 三菱鉱業セメント株式会社 | 緻密な多結晶Al↓2O↓3焼結体の製造方法 |
JPS63236757A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-03 | 東陶機器株式会社 | 多結晶セラミツクス製品及びその製造方法 |
JPS63242964A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-07 | 日本碍子株式会社 | アルミナセラミックスの製造方法 |
-
1990
- 1990-03-09 JP JP2056645A patent/JP2663191B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6272554A (ja) * | 1985-09-25 | 1987-04-03 | 三菱鉱業セメント株式会社 | 緻密な多結晶Al↓2O↓3焼結体の製造方法 |
JPS63236757A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-03 | 東陶機器株式会社 | 多結晶セラミツクス製品及びその製造方法 |
JPS63242964A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-07 | 日本碍子株式会社 | アルミナセラミックスの製造方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6417127B1 (en) | 1999-05-19 | 2002-07-09 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Translucent polycrystalline ceramic and method for making same |
JP2008195581A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-08-28 | Tosoh Corp | 透光性アルミナ焼結体及びその製造方法 |
EP2055687A2 (en) | 2007-10-30 | 2009-05-06 | Tosoh Corporation | High toughness translucent alumina sintered body, method for producing the same and its uses |
US7888279B2 (en) | 2007-10-30 | 2011-02-15 | Tosoh Corporation | High toughness translucent alumina sintered body, method for producing the same, and its uses |
WO2010058745A1 (ja) | 2008-11-18 | 2010-05-27 | 東ソー株式会社 | 高靭性且つ高透光性の着色アルミナ焼結体及びその製造方法並びに用途 |
US8481439B2 (en) | 2008-11-18 | 2013-07-09 | Tosoh Corporation | Colored alumina sintered body of high toughness and high translucency, and its production method and its uses |
EP2808313A2 (en) | 2008-11-18 | 2014-12-03 | Tosoh Corporation | Colored alumina sintered body of high toughness and high translucency, and its production method and its uses |
JP2012238654A (ja) * | 2011-05-10 | 2012-12-06 | Ngk Insulators Ltd | 透光性配線基板およびその製造方法 |
JP2015121763A (ja) * | 2013-11-20 | 2015-07-02 | 日本碍子株式会社 | 光学部品 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2663191B2 (ja) | 1997-10-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5685846B2 (ja) | 透明ジルコニア焼結体及びその製造方法、並びにその用途 | |
EP3088373B1 (en) | Translucent zirconia sintered body and zirconia powder, and use therefor | |
JP5125065B2 (ja) | 透明ジルコニア焼結体 | |
CN107721406B (zh) | 一种制备高透光性镁铝尖晶石透明陶瓷的方法 | |
Long et al. | Preparation of dense β-CaSiO3 ceramic with high mechanical strength and HAp formation ability in simulated body fluid | |
JPS6048466B2 (ja) | 多結晶透明アルミナ焼結体の製造法 | |
CN107352994B (zh) | 一种镁铝尖晶石透明陶瓷的制备方法 | |
CN100469737C (zh) | 陶瓷光学部件的制造方法 | |
Zegadi et al. | Transparent MgAl2O4 spinel fabricated by spark plasma sintering from commercial powders | |
JP2008214168A (ja) | 透光性ジルコニア焼結体及びその製造方法 | |
JPH03261648A (ja) | 多結晶アルミナ焼結体の製造方法 | |
CN113149652A (zh) | 基于冷烧结技术制备的高透光率透明陶瓷及其制备方法 | |
EP2808313B1 (en) | Colored alumina sintered body of high toughness and high translucency, and its production method and its uses | |
CN112624761B (zh) | 氧化锆烧结体及其制造方法 | |
JP4806952B2 (ja) | 透光性セラミックス | |
JP5458552B2 (ja) | 高靭性且つ透光性の着色アルミナ焼結体及びその製造方法並びに用途 | |
JP3000685B2 (ja) | 透光性イットリア焼結体及びその製造方法 | |
JP5770431B2 (ja) | 高強度透明ジルコニア焼結体 | |
JP3420377B2 (ja) | イットリウム−アルミニウム−ガーネット焼結体の製造方法 | |
Qi et al. | Reaction sintering of transparent aluminum oxynitride (AlON) ceramics using MgO and Y2O3 as co-additives | |
JP2001158660A (ja) | 透光性希土類アルミニウムガーネット焼結体及びその製造方法 | |
US20190241440A1 (en) | Low-cost process of manufacturing transparent spinel | |
JPH01172264A (ja) | 透光性ジルコニア質焼結体の製造方法 | |
Chen et al. | Preparation of γ-AlON transparent ceramics by pressureless sintering | |
JP2000154053A (ja) | 高強度、高靱性酸化アルミニウム焼結体及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |