JPH03257851A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH03257851A JPH03257851A JP5369490A JP5369490A JPH03257851A JP H03257851 A JPH03257851 A JP H03257851A JP 5369490 A JP5369490 A JP 5369490A JP 5369490 A JP5369490 A JP 5369490A JP H03257851 A JPH03257851 A JP H03257851A
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- JP
- Japan
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- synthetic resin
- case
- strength
- wall thickness
- resin case
- Prior art date
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、キャスティングモールド型の半導体装置の構
造及び製造に係り、特に外装封止に用いる合成樹脂ケー
スの構造に関する。
造及び製造に係り、特に外装封止に用いる合成樹脂ケー
スの構造に関する。
従来の装置は第１図に示す構造で半導体基板１の両側に
半田層２を介して電極３を接着し、さらに第２の半田層
５を介してリード線４を接着している。又半導体基板１
の外装封止どして、半導体基板の端面円周部に表面安定
化剤６を塗布後、合成樹脂ケース７にセットし上部より
液状の合成樹脂材８を注入後硬化せしめ、モールドする
ものである。第２図にケースのみの上部からの平面図を
示す。
半田層２を介して電極３を接着し、さらに第２の半田層
５を介してリード線４を接着している。又半導体基板１
の外装封止どして、半導体基板の端面円周部に表面安定
化剤６を塗布後、合成樹脂ケース７にセットし上部より
液状の合成樹脂材８を注入後硬化せしめ、モールドする
ものである。第２図にケースのみの上部からの平面図を
示す。
上記従来技術は、外装封止にケースを用いるがケースは
一般的にインジェクションモールドと呼ばれる製法によ
り製造される。第７図にケースの代表例を示す。ゲート
口９より合成樹脂が注入され流動方向Ａに流れ、ゲート
口の反対側に位置する合流点Ｂで交わる。合流点にウェ
ルドマークと呼ばれる強度低下部分が生じ、周辺に比べ
強度が低い。この点について配慮がされておらず、温度
変化の大きい使用条件では電極と注入合成樹脂材の熱膨
張係数の差から生ずる応力によりケースが破壊する問題
があった。
一般的にインジェクションモールドと呼ばれる製法によ
り製造される。第７図にケースの代表例を示す。ゲート
口９より合成樹脂が注入され流動方向Ａに流れ、ゲート
口の反対側に位置する合流点Ｂで交わる。合流点にウェ
ルドマークと呼ばれる強度低下部分が生じ、周辺に比べ
強度が低い。この点について配慮がされておらず、温度
変化の大きい使用条件では電極と注入合成樹脂材の熱膨
張係数の差から生ずる応力によりケースが破壊する問題
があった。
本発明は合成樹脂ケースに生ずる強度低下部分の強度向
上を目的としており、さらに従来より高信頼性の半導体
装置を提供することを目的とする〔課題を解決するため
の手段〕 上記の目的を達成するために、合成樹脂ケースの強度低
下部分の強度向上を計ることから、ケースの肉厚を不均
一とした構造で１強度低下部の肉厚を厚肉にしたもので
ある。
上を目的としており、さらに従来より高信頼性の半導体
装置を提供することを目的とする〔課題を解決するため
の手段〕 上記の目的を達成するために、合成樹脂ケースの強度低
下部分の強度向上を計ることから、ケースの肉厚を不均
一とした構造で１強度低下部の肉厚を厚肉にしたもので
ある。
本発明は、合成樹脂ケースの強度低下部の肉厚が厚肉に
することより強度低下部の強度が周辺部分の強度と同等
あるいはそれ以上になる。それによって、温度変化の大
きい使用条件で電極と注入合成樹脂材の熱膨張係数の差
から生ずる応力に対し、ケースが破壊しにくくなる。
することより強度低下部の強度が周辺部分の強度と同等
あるいはそれ以上になる。それによって、温度変化の大
きい使用条件で電極と注入合成樹脂材の熱膨張係数の差
から生ずる応力に対し、ケースが破壊しにくくなる。
以下、本発明の一実施例を第３図により説明する。半導
体基板１の両側に半田層２を介して電極３を接着し、さ
らに第２の半田層５を介してリード線４を接着している
。リート線までは同時に半田炉を通して半田付けを実施
している。次に半導体基板表面を洗浄し、表面安定化剤
６を塗布し硬化した半製品を合成樹脂ケース７に片側リ
ード線より挿入しセットする。その後、上部のケースの
開放口より、液状の合成樹脂材８を挿入し硬化させたも
のである０本発明はこの合成樹脂ケース７の肉厚を右向
−とした構造で、強度低下部分の肉厚を厚肉にすること
である。第４図に合成樹脂ケースのみの上部からの平面
図を示す。本実施例によれば、強度低下部分の強度が向
上する効果がある。
体基板１の両側に半田層２を介して電極３を接着し、さ
らに第２の半田層５を介してリード線４を接着している
。リート線までは同時に半田炉を通して半田付けを実施
している。次に半導体基板表面を洗浄し、表面安定化剤
６を塗布し硬化した半製品を合成樹脂ケース７に片側リ
ード線より挿入しセットする。その後、上部のケースの
開放口より、液状の合成樹脂材８を挿入し硬化させたも
のである０本発明はこの合成樹脂ケース７の肉厚を右向
−とした構造で、強度低下部分の肉厚を厚肉にすること
である。第４図に合成樹脂ケースのみの上部からの平面
図を示す。本実施例によれば、強度低下部分の強度が向
上する効果がある。
本発明によれば、合成樹脂ケースの強度向上の効果があ
る。また、電極と合成樹脂材の熱膨張係数の差から生ず
る応力によるケース破壊の信頼性が向上する効果もある
。
る。また、電極と合成樹脂材の熱膨張係数の差から生ず
る応力によるケース破壊の信頼性が向上する効果もある
。
第１図は従来技術の半導体装置を示す図、第２図は従来
技術の合成樹脂ケースの平面図、第３図は本発明の一実
施例の半導体装置を示す図、第４図は本発明の一実施例
の合成樹脂ケースの平面図、第５図は従来技術の合成樹
脂ケースの上部からの平面図、第６図は従来技術の合成
樹脂ケースの内部を示す図、第７図は従来技術の合成樹
脂ケースの下部からの平面図である。 １・・・半導体基板、２・・・半田層、３・・・電極、
４・・・リード線、５・・・半田層、６・・・表面安定
化剤、７・・・合成樹脂ケース、８・・・合成樹脂材、
９・・・注入ゲート口、Ａ・・・ケース製造時の樹脂流
動方向、Ｂ・・・樹脂Ｈ） 因 第 図 第 図 第 図
技術の合成樹脂ケースの平面図、第３図は本発明の一実
施例の半導体装置を示す図、第４図は本発明の一実施例
の合成樹脂ケースの平面図、第５図は従来技術の合成樹
脂ケースの上部からの平面図、第６図は従来技術の合成
樹脂ケースの内部を示す図、第７図は従来技術の合成樹
脂ケースの下部からの平面図である。 １・・・半導体基板、２・・・半田層、３・・・電極、
４・・・リード線、５・・・半田層、６・・・表面安定
化剤、７・・・合成樹脂ケース、８・・・合成樹脂材、
９・・・注入ゲート口、Ａ・・・ケース製造時の樹脂流
動方向、Ｂ・・・樹脂Ｈ） 因 第 図 第 図 第 図
Claims (3)
- １．半導体基板とこれを挟む一対の電極とその両端にリ
ード線を接着し、アキシヤル形状とした事を特徴とする
半導体装置。 - ２．外装封止に合成樹脂ケースを用い、ケースの上部よ
り合成樹脂材を注入した後に硬化させ一体構造とした事
を特徴とする請求項第１項記載の半導体装置。 - ３．合成樹脂ケースの肉厚を不均一とした構造でウエル
ドマーク部分の厚みをケースの他の部分より厚くした事
を特徴とする請求項第１項または第２項記載の半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5369490A JPH03257851A (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5369490A JPH03257851A (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03257851A true JPH03257851A (ja) | 1991-11-18 |
Family
ID=12949920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5369490A Pending JPH03257851A (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03257851A (ja) |
-
1990
- 1990-03-07 JP JP5369490A patent/JPH03257851A/ja active Pending
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