JPH03256004A - 反射防止層の形成方法 - Google Patents
反射防止層の形成方法Info
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Landscapes
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は有機高分子基板上に耐汚染性に優れた反射防止
層を形成する方法に関する。有機高分子基板上に反射防
止層を有するものは眼鏡用レンズ、カメラ用レンズ等の
光学用レンズ、デイスプレーの前面板、計器類の前面板
、自動車用窓ガラス等への使用を目的としている。
層を形成する方法に関する。有機高分子基板上に反射防
止層を有するものは眼鏡用レンズ、カメラ用レンズ等の
光学用レンズ、デイスプレーの前面板、計器類の前面板
、自動車用窓ガラス等への使用を目的としている。
(従来の技術)
透明な材料を通して物を見る場合、その材料表面で反射
した光が強いと反射像が明確になってみたい物を良く見
ようとするのに障害となる。このような現象を避けるた
めに屈折率が基材とは異なる物質を基材表面に被覆して
反射防止層とすることが知られている。この反射防止層
としては、単層のものも、2層以上の層から形成される
多層の反射防止層も知られている。
した光が強いと反射像が明確になってみたい物を良く見
ようとするのに障害となる。このような現象を避けるた
めに屈折率が基材とは異なる物質を基材表面に被覆して
反射防止層とすることが知られている。この反射防止層
としては、単層のものも、2層以上の層から形成される
多層の反射防止層も知られている。
この反射防止層は金属酸化物や金属弗化物等を真空蒸着
することにより形成されているが、真空蒸着以外にスパ
ッタ蒸着、イオンブレーティング等のPVD法や各種の
CVD等によってち形成できる。
することにより形成されているが、真空蒸着以外にスパ
ッタ蒸着、イオンブレーティング等のPVD法や各種の
CVD等によってち形成できる。
これらには、反射防止層を有する積層体の基板として、
ガラスの他にプラスチック材料も用い得ることが記載さ
れており、このプラスチック材料は軽量、安全性、取扱
い性等の長所を有するものである。
ガラスの他にプラスチック材料も用い得ることが記載さ
れており、このプラスチック材料は軽量、安全性、取扱
い性等の長所を有するものである。
耐汚染性を考慮したものとしては、特開昭62−148
902号公報に無機物からなる単層又は多層の反射防止
膜の表面に末端シラノール有機ポリシロキサンからなる
物質による水に対する接触角が60@以上である層を形
成させたものが提案されている。
902号公報に無機物からなる単層又は多層の反射防止
膜の表面に末端シラノール有機ポリシロキサンからなる
物質による水に対する接触角が60@以上である層を形
成させたものが提案されている。
(発明が解決しようとする課題)
しかし、真空蒸着法によって形成された反射防止膜は主
として金属酸化物や金属弗化物からなるため高い表面硬
度を有するが、指紋、手垢、汗等によって汚染され易く
、又、−旦付着した汚れの除去が困難であるという問題
があった。
として金属酸化物や金属弗化物からなるため高い表面硬
度を有するが、指紋、手垢、汗等によって汚染され易く
、又、−旦付着した汚れの除去が困難であるという問題
があった。
又、特開昭62−148902号公報に開示された方法
によれば優れた耐汚染性のものが得られるが、汚染防止
層の耐摩耗性が充分とは言えないという問題があり、し
かもこれらの反射防止層は塩水に浸漬するとクラックが
生じるという問題があった。
によれば優れた耐汚染性のものが得られるが、汚染防止
層の耐摩耗性が充分とは言えないという問題があり、し
かもこれらの反射防止層は塩水に浸漬するとクラックが
生じるという問題があった。
(課題を解決するための手段)
本発明者らは、このような状況に鑑み鋭意検討した結果
、反射防止層の最外層の少なくとも表面あるいは反射防
止層の外側に珪素アルコキシドと特定のシラン化合物と
からなる組成物を加水分解、共縮合させてなる層を形成
させると反射防止性能を維持しつつ、汚染防止性を有し
、しかも耐摩耗性、耐塩水性を有するものとすることが
できることを見出し、本発明に到達した。
、反射防止層の最外層の少なくとも表面あるいは反射防
止層の外側に珪素アルコキシドと特定のシラン化合物と
からなる組成物を加水分解、共縮合させてなる層を形成
させると反射防止性能を維持しつつ、汚染防止性を有し
、しかも耐摩耗性、耐塩水性を有するものとすることが
できることを見出し、本発明に到達した。
即ち、本発明の要旨は有機高分子基板上に多層の反射防
止層を形成し、しかも、該反射防止層の構成が基板側か
ら最外層に隣接する層まで順に屈折率が高く、最外層の
屈折率が最も低いものである反射防止層を形成させる方
法において、少なくとも反射防止層の最外層に隣接する
層まではPVD法で形成し、最外層の少なくとも大気に
接する側を珪素アルコキシドと一般式(1) %式%(1) (式中、R1,R2は各々独立にビニル基、アミノ基、
(メタ)アクリロイルオキシ基、メルカプト基、エポキ
シ基、塩素及び弗素から選ばれる置換基を有していても
よい炭素数l〜20のアルキル基、炭素数1〜20のア
ルケニル基又アルキル基、炭素数1〜12のアルケニル
基又は炭素数1〜4のアリール基であり、R3はOll
又は2であって、但し、m+nは1又は2を満足するも
のである。)で表わされるシラン化合物とを含む珪素ア
ルコキシド混合物に水と酸とを添加したものを塗布、加
水分解、共縮合せしめて水に対する接触角が60度以上
であるものとすることを特徴とする反射防止層の形成方
法にあり、更に、有機高分子基板上にPVD法により多
層の反射防止層を形成し、しかも、該反射防止層の構成
が基板側から最外層に隣接する層まで順に屈折率が高く
、最外層の屈折率が最も低いものである反射防止層を形
成させ、その最外層の表面に珪素アルコキシドと一般式
(1)で表わされるシラン化合物とを含む珪素アルコキ
シド混合物に水と酸とを添加したものを塗布、加水分解
、共縮合せしめて水に対する接触角が60度以上である
ものとすることを特徴とする反射防止層の形成方法にあ
る。
止層を形成し、しかも、該反射防止層の構成が基板側か
ら最外層に隣接する層まで順に屈折率が高く、最外層の
屈折率が最も低いものである反射防止層を形成させる方
法において、少なくとも反射防止層の最外層に隣接する
層まではPVD法で形成し、最外層の少なくとも大気に
接する側を珪素アルコキシドと一般式(1) %式%(1) (式中、R1,R2は各々独立にビニル基、アミノ基、
(メタ)アクリロイルオキシ基、メルカプト基、エポキ
シ基、塩素及び弗素から選ばれる置換基を有していても
よい炭素数l〜20のアルキル基、炭素数1〜20のア
ルケニル基又アルキル基、炭素数1〜12のアルケニル
基又は炭素数1〜4のアリール基であり、R3はOll
又は2であって、但し、m+nは1又は2を満足するも
のである。)で表わされるシラン化合物とを含む珪素ア
ルコキシド混合物に水と酸とを添加したものを塗布、加
水分解、共縮合せしめて水に対する接触角が60度以上
であるものとすることを特徴とする反射防止層の形成方
法にあり、更に、有機高分子基板上にPVD法により多
層の反射防止層を形成し、しかも、該反射防止層の構成
が基板側から最外層に隣接する層まで順に屈折率が高く
、最外層の屈折率が最も低いものである反射防止層を形
成させ、その最外層の表面に珪素アルコキシドと一般式
(1)で表わされるシラン化合物とを含む珪素アルコキ
シド混合物に水と酸とを添加したものを塗布、加水分解
、共縮合せしめて水に対する接触角が60度以上である
ものとすることを特徴とする反射防止層の形成方法にあ
る。
S i R’mR”n (OR”L−s+−n ・・・
(1)(式中、R1、R2、R3、m及びnは上述の
意味を示す。) 本発明において用いられる有機高分子基板としては、そ
の主要用途が光学用途であることを勘案すると透明性、
屈折率、分散等の光学特性の適切なものであることが好
ましく、このような有機高分子としてはポリメチルメタ
クリレート及びその共重合体、ポリカーボネート、ジエ
チレングリコールビスアリルカーボネート、ポリスチレ
ン、AS樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリエチレンテレフタ
レート等のポリエステル樹脂等を例示できる。
(1)(式中、R1、R2、R3、m及びnは上述の
意味を示す。) 本発明において用いられる有機高分子基板としては、そ
の主要用途が光学用途であることを勘案すると透明性、
屈折率、分散等の光学特性の適切なものであることが好
ましく、このような有機高分子としてはポリメチルメタ
クリレート及びその共重合体、ポリカーボネート、ジエ
チレングリコールビスアリルカーボネート、ポリスチレ
ン、AS樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリエチレンテレフタ
レート等のポリエステル樹脂等を例示できる。
本発明における多層の反射防止層が機能を果たすために
は各層の膜厚と屈折率とが一定の条件の範囲内に制御さ
れていることが好ましい1反射防止層の層の数は、多い
ほど広い波長範囲で反射率を下げることが可能になるが
、暦数が多ければ多いほど製造工程が煩雑となり、あま
りに多い工程は実際的でなくなる。好ましい層の数とし
ては2〜8層であり、2〜6層であることがより好まし
い。層の数が3層以上である場合は基板側から最外層に
隣接する層まで順に屈折率が高くなっていることが好ま
しい。
は各層の膜厚と屈折率とが一定の条件の範囲内に制御さ
れていることが好ましい1反射防止層の層の数は、多い
ほど広い波長範囲で反射率を下げることが可能になるが
、暦数が多ければ多いほど製造工程が煩雑となり、あま
りに多い工程は実際的でなくなる。好ましい層の数とし
ては2〜8層であり、2〜6層であることがより好まし
い。層の数が3層以上である場合は基板側から最外層に
隣接する層まで順に屈折率が高くなっていることが好ま
しい。
以下、n、を基板側からi層目の層の屈折率、dlを基
板側からi層目の層の厚さ、aを正の整数、b、c、e
を正の奇数、λを可視周辺領域内で選ばれる任意の基準
波長(単位nm) 、好ましくは500〜600nmの
範囲内の任意の波長として、2〜4層の場合を例に取り
各層の膜厚と屈折率の好ましい条件を示すと、 反射防止層が2層の場合: 1.55<n l <2.25. n lX dr
崎b Xえ/4.1.38<n= <1.50.
nl X da hIa Xλ/4の条件を満足す
ることが好ましく、 3層の場合: 1.55<nI <1.85. nr X dt ”F
t)Xλ/4.1.65<nx <2.25. n=
X dt &、 a Xλ/4.1.38< ns <
1.50. ns X ds &F CXえ/4、
nI <nx の条件を満足することが好ましく、 4層の場合: 1、38< n + < 1.65゜1、55< n
z < 1.85゜ 1、65< n s < 2.40゜ 1.38<n、 <1.50゜ nI<nl< n s の条件を満足することが好ましい。
板側からi層目の層の厚さ、aを正の整数、b、c、e
を正の奇数、λを可視周辺領域内で選ばれる任意の基準
波長(単位nm) 、好ましくは500〜600nmの
範囲内の任意の波長として、2〜4層の場合を例に取り
各層の膜厚と屈折率の好ましい条件を示すと、 反射防止層が2層の場合: 1.55<n l <2.25. n lX dr
崎b Xえ/4.1.38<n= <1.50.
nl X da hIa Xλ/4の条件を満足す
ることが好ましく、 3層の場合: 1.55<nI <1.85. nr X dt ”F
t)Xλ/4.1.65<nx <2.25. n=
X dt &、 a Xλ/4.1.38< ns <
1.50. ns X ds &F CXえ/4、
nI <nx の条件を満足することが好ましく、 4層の場合: 1、38< n + < 1.65゜1、55< n
z < 1.85゜ 1、65< n s < 2.40゜ 1.38<n、 <1.50゜ nI<nl< n s の条件を満足することが好ましい。
なお、ここで「岬」は±15%の範囲内、好ましくは±
10%の範囲内にあることを示す。
10%の範囲内にあることを示す。
このような構成の反射防止層において最外層の組成の少
なくとも大気に接する層が珪素アルコキシドと上記−紋
穴(1)で表わされるシラン化合物とからなるか、ある
いは反射防止層の外側に珪岬bXλ/4、 →C×λ/4、 ユa×λ/4、 崎e×λ/4、 Xd。
なくとも大気に接する層が珪素アルコキシドと上記−紋
穴(1)で表わされるシラン化合物とからなるか、ある
いは反射防止層の外側に珪岬bXλ/4、 →C×λ/4、 ユa×λ/4、 崎e×λ/4、 Xd。
Xd。
ds
Xd4
素アルコキシドと上記−紋穴(1)で表わされるシラン
化合物とからなる汚染防止層が形成されている必要があ
る。後者の場合の汚染防止層は当然、反射防止機能に寄
与しない程度の膜厚のものであって、100Å以下であ
ることが好ましい。本発明においてこの汚染防止層は水
に対する接触角が60”以上である必要があり、60”
未満であると指紋等で表面が汚れやすく、かつ汚れた場
合にエタノール等で拭き取っても充分除去できなくなる
傾向にある。
化合物とからなる汚染防止層が形成されている必要があ
る。後者の場合の汚染防止層は当然、反射防止機能に寄
与しない程度の膜厚のものであって、100Å以下であ
ることが好ましい。本発明においてこの汚染防止層は水
に対する接触角が60”以上である必要があり、60”
未満であると指紋等で表面が汚れやすく、かつ汚れた場
合にエタノール等で拭き取っても充分除去できなくなる
傾向にある。
上記の珪素アルコキシドのアルコキシドとしては炭素数
1〜5のアルコキシドであることが好ましく、この範囲
内であれば単一のアルコキシドであっても複数種のアル
コキシドの混合物であってもよい。炭素数6以上のアル
コキシドを用いた珪素アルコキシドを用いると水との相
溶性が不充分でかつ粘度も高くなる傾向にあり、外観の
優れた薄膜が得られ難くなる傾向にある。このような珪
素アルコキシ ドの具体例としてテトラメチルオルソシリケート、テト
ラエチルオルソシリケート、テトラミープロピルオルソ
シリケート、テトラn−ブチルオルソシリケート、テト
ラS−ブチルオルソシリケート、テトラt−ブチルオル
ソシリケート、テトラアミルオルソシリケート等を例示
できる。
1〜5のアルコキシドであることが好ましく、この範囲
内であれば単一のアルコキシドであっても複数種のアル
コキシドの混合物であってもよい。炭素数6以上のアル
コキシドを用いた珪素アルコキシドを用いると水との相
溶性が不充分でかつ粘度も高くなる傾向にあり、外観の
優れた薄膜が得られ難くなる傾向にある。このような珪
素アルコキシ ドの具体例としてテトラメチルオルソシリケート、テト
ラエチルオルソシリケート、テトラミープロピルオルソ
シリケート、テトラn−ブチルオルソシリケート、テト
ラS−ブチルオルソシリケート、テトラt−ブチルオル
ソシリケート、テトラアミルオルソシリケート等を例示
できる。
式(1)で示されるシラン化合物としてはメチルトリメ
トキシシラン、エチルトリメトキシシラン等のアルキル
トリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチ
ルトリエトキシシラン等のアルキルトリエトキシシラン
、メチルトリブトキシシラン等のアルキルトリブトキシ
シラン、メチルトリアセトキシシラン等のアルキルトリ
アセトキシシラン、メチルトリ(メトキシエトキシ)シ
ラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシ
シラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリ(メ
トキシエトキシ)シラン、フェニルトリメトキシシラン
、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリアセトキ
シシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ
−クロロプロピルトリエトキシシラン、γ−クロロプロ
ピルトリアセトキシシラン、3,3.3−)リフルオロ
プロピルトリメトキシシラン、2,2.2−トリフルオ
ロエチルトリメトキシシラン、パーフルオロメチルトリ
メトキシシラン、パーフルオロメチルトリエトキシシラ
ン等のパーフルオロアルキル基を有するトリアルコキシ
シラン、γ−メタクリロイルオキシプロピルトリメトキ
シシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ
−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプト
プロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピル
トリエトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−
アミノプロピルトリメトキシシラン、β−シアノエチル
トリエトキシシラン、メチルトリフエノキシシラン、ク
ロロメチルトリメトキシシラン、クロロメチルトリエト
キシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジェ
トキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、フェ
ニルメチルジェトキシシラン、γ−クロロプロピルメチ
ルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジェト
キシシラン、ジメチルジアセトキシシラン、γ−メタク
リロイルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−
メタクリロイルオキシプロピルメチルジェトキシシラン
、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、5
−メルカプトプロピルメチルジェトキシシラン、γ−ア
ミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロ
ピルメチルジェトキシシラン、メチルビニルジメトキシ
シラン、メチルビニルジェトキシシラン、グリシジルオ
キシメチルトリメトキシシラン、グリシジルオキシメチ
ルトリエトキシシラン、β−グリシジルオキシエチルト
リメトキシシラン、β−グリシジルオキシエチルトリエ
トキシシラン、γ−グリシジルオキシブロビルトリメト
キシシラン、γ−グリシジルオキシブロビルトリエトキ
シシラン、γ−グリシジルオキシブロビルトリ(メトキ
シエトキシ)シラン、γ−グリシジルオキシブロビルト
リアセトキシシラン、δ−グリシジルオキシブチルトリ
メトキシシラン、δ−グリシジルオキジプチルトリエト
キシシラン、グリシジルオキシメチル(メチル)ジメト
キシシラン、グリシジルオキシメチル(メチル)ジェト
キシシラン、グリシジルオキシメチル(エチル)ジメト
キシシラン、グリシジルオキシメチル(フェニル)ジメ
トキシシラン、グリシジルオキシメチル(ビニル)ジメ
トキシシラン、グリシジルオキシメチル(ジメチル)メ
トキシシラン、β−グリシジルオキシエチル(メチル)
ジメトキシシラン、β−グリシジルオキシエチル(エチ
ル)ジメトキシシラン、β−グリシジルオキシエチル(
ジメチル)メトキシシラン、γ−グリシジルオキシブロ
ビル(メチル)ジメトキシシラン、γ−グリシジルオキ
シプロビル(エチル)ジメトキシシラン、γ−グリシジ
ルオキシブロビル(ジメチル)メトキシシラン、δ−グ
リシジルオキシブチル(メチル)ジメトキシシラン、δ
−グリシジルオキジプチル(エチル)ジメトキシシラン
、δ−グリシジルオキシブチル(ジメチル)メトキシシ
ラン、ビス(グリシジルオキシメチル)ジメトキ・ジシ
ラン、ビス(グリシジルオキシメチル)ジェトキシシラ
ン、ビス(β−グリシジルオキシエチル)ジメトキシシ
ラン、ビス(γ−グリシジルオキシブロピル)ジェトキ
シシラン、トリス(グリシジルオキシメチル)メトキシ
シラン、トリス(グリシジルオキシメチル)エトキシシ
ラン、トリス(β−グリシジルオキシエチル)メトキシ
シラン、トリス(β−グリシジルオキシエチル)エトキ
シシラン、トリス(γ−グリシジルオキシブロビル)メ
トキシシラン、トリス(γ−グリシジルオキシブロビル
)エトキシシラン、グリシジルメチルトリメトキシシラ
ン、グリシジルメチルトリエトキシシラン、β−グリシ
ジルエチルトリメトキシシラン、β−グリシジルエチル
トリエトキシシラン、γ−グリシジルプロビルトリメト
キシシラン、γ−グリシジルプロビルトリエトキシシラ
ン、γグリシジルプロビルトリ(メトキシエトキシ)シ
ラン、γ−グリシジルプロビルトリアセトキシシラン、
3,4−エポキシシクロヘキシルメチルトリメトキシシ
ラン、3,4−エポキシシクロヘキシルメチルトリエト
キシシラン、3,4−エポキシシクロヘキシルエチルト
リメトキシシラン、3,4−エボキシシクロへキシルプ
ロピルトリメトキシシラン、3.4−エポキシシクロへ
キシルブチルトリメトキシシラン等を例示できる。
トキシシラン、エチルトリメトキシシラン等のアルキル
トリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチ
ルトリエトキシシラン等のアルキルトリエトキシシラン
、メチルトリブトキシシラン等のアルキルトリブトキシ
シラン、メチルトリアセトキシシラン等のアルキルトリ
アセトキシシラン、メチルトリ(メトキシエトキシ)シ
ラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシ
シラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリ(メ
トキシエトキシ)シラン、フェニルトリメトキシシラン
、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリアセトキ
シシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ
−クロロプロピルトリエトキシシラン、γ−クロロプロ
ピルトリアセトキシシラン、3,3.3−)リフルオロ
プロピルトリメトキシシラン、2,2.2−トリフルオ
ロエチルトリメトキシシラン、パーフルオロメチルトリ
メトキシシラン、パーフルオロメチルトリエトキシシラ
ン等のパーフルオロアルキル基を有するトリアルコキシ
シラン、γ−メタクリロイルオキシプロピルトリメトキ
シシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ
−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプト
プロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピル
トリエトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−
アミノプロピルトリメトキシシラン、β−シアノエチル
トリエトキシシラン、メチルトリフエノキシシラン、ク
ロロメチルトリメトキシシラン、クロロメチルトリエト
キシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジェ
トキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、フェ
ニルメチルジェトキシシラン、γ−クロロプロピルメチ
ルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジェト
キシシラン、ジメチルジアセトキシシラン、γ−メタク
リロイルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−
メタクリロイルオキシプロピルメチルジェトキシシラン
、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、5
−メルカプトプロピルメチルジェトキシシラン、γ−ア
ミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロ
ピルメチルジェトキシシラン、メチルビニルジメトキシ
シラン、メチルビニルジェトキシシラン、グリシジルオ
キシメチルトリメトキシシラン、グリシジルオキシメチ
ルトリエトキシシラン、β−グリシジルオキシエチルト
リメトキシシラン、β−グリシジルオキシエチルトリエ
トキシシラン、γ−グリシジルオキシブロビルトリメト
キシシラン、γ−グリシジルオキシブロビルトリエトキ
シシラン、γ−グリシジルオキシブロビルトリ(メトキ
シエトキシ)シラン、γ−グリシジルオキシブロビルト
リアセトキシシラン、δ−グリシジルオキシブチルトリ
メトキシシラン、δ−グリシジルオキジプチルトリエト
キシシラン、グリシジルオキシメチル(メチル)ジメト
キシシラン、グリシジルオキシメチル(メチル)ジェト
キシシラン、グリシジルオキシメチル(エチル)ジメト
キシシラン、グリシジルオキシメチル(フェニル)ジメ
トキシシラン、グリシジルオキシメチル(ビニル)ジメ
トキシシラン、グリシジルオキシメチル(ジメチル)メ
トキシシラン、β−グリシジルオキシエチル(メチル)
ジメトキシシラン、β−グリシジルオキシエチル(エチ
ル)ジメトキシシラン、β−グリシジルオキシエチル(
ジメチル)メトキシシラン、γ−グリシジルオキシブロ
ビル(メチル)ジメトキシシラン、γ−グリシジルオキ
シプロビル(エチル)ジメトキシシラン、γ−グリシジ
ルオキシブロビル(ジメチル)メトキシシラン、δ−グ
リシジルオキシブチル(メチル)ジメトキシシラン、δ
−グリシジルオキジプチル(エチル)ジメトキシシラン
、δ−グリシジルオキシブチル(ジメチル)メトキシシ
ラン、ビス(グリシジルオキシメチル)ジメトキ・ジシ
ラン、ビス(グリシジルオキシメチル)ジェトキシシラ
ン、ビス(β−グリシジルオキシエチル)ジメトキシシ
ラン、ビス(γ−グリシジルオキシブロピル)ジェトキ
シシラン、トリス(グリシジルオキシメチル)メトキシ
シラン、トリス(グリシジルオキシメチル)エトキシシ
ラン、トリス(β−グリシジルオキシエチル)メトキシ
シラン、トリス(β−グリシジルオキシエチル)エトキ
シシラン、トリス(γ−グリシジルオキシブロビル)メ
トキシシラン、トリス(γ−グリシジルオキシブロビル
)エトキシシラン、グリシジルメチルトリメトキシシラ
ン、グリシジルメチルトリエトキシシラン、β−グリシ
ジルエチルトリメトキシシラン、β−グリシジルエチル
トリエトキシシラン、γ−グリシジルプロビルトリメト
キシシラン、γ−グリシジルプロビルトリエトキシシラ
ン、γグリシジルプロビルトリ(メトキシエトキシ)シ
ラン、γ−グリシジルプロビルトリアセトキシシラン、
3,4−エポキシシクロヘキシルメチルトリメトキシシ
ラン、3,4−エポキシシクロヘキシルメチルトリエト
キシシラン、3,4−エポキシシクロヘキシルエチルト
リメトキシシラン、3,4−エボキシシクロへキシルプ
ロピルトリメトキシシラン、3.4−エポキシシクロへ
キシルブチルトリメトキシシラン等を例示できる。
最表層の少なくとも大気に接する側あるいは汚染防止層
を形成させるための組成物中の珪素アルコキシドと式(
1)で示されるシラン化合物のモル比は珪素アルコキシ
ド1モルあたり0.005〜0.5モルであることが好
ましい。式(1)で示されるシラン化合物のモル比が上
記上限を越えると耐摩耗性及び外観が不良となる傾向に
あり、上記下限以下であると汚染防止効果が不充分とな
る傾向にある。
を形成させるための組成物中の珪素アルコキシドと式(
1)で示されるシラン化合物のモル比は珪素アルコキシ
ド1モルあたり0.005〜0.5モルであることが好
ましい。式(1)で示されるシラン化合物のモル比が上
記上限を越えると耐摩耗性及び外観が不良となる傾向に
あり、上記下限以下であると汚染防止効果が不充分とな
る傾向にある。
反射防止層の最表層の膜厚はその光学的膜厚が対象とす
る光波長の1/4あるいはその奇数倍の前後10%程度
であることが好ましい。
る光波長の1/4あるいはその奇数倍の前後10%程度
であることが好ましい。
反射防止層の最表層以外の層は真空蒸着法、スパッタリ
ング、イオンブレーティング等各種PVD法を用いて形
成されていることが好ましい。PVD法で中・高屈折率
の層を形成するのに適した物質としては、TfOi、
Zr0i、 Ce0g、 InzOa、 Hf0a、
Y2ks。
ング、イオンブレーティング等各種PVD法を用いて形
成されていることが好ましい。PVD法で中・高屈折率
の層を形成するのに適した物質としては、TfOi、
Zr0i、 Ce0g、 InzOa、 Hf0a、
Y2ks。
Pr5O+ r 、 Ta5ks、 NdOs、 5b
zOs、 Snow、 ZnO,A11as、 Bi
20m 。
zOs、 Snow、 ZnO,A11as、 Bi
20m 。
EuzOs、La1es、CeF、MoOs+MgO,
SmzOs、5cans、NOx。
SmzOs、5cans、NOx。
YbzOa、 LaFa、 LiF、 NdFs、 P
bFa、 SmFs等を挙げることができる。
bFa、 SmFs等を挙げることができる。
低屈折率の層を形成するのに適した物質としてはAIF
x、 BaF、 CaFx、 CaF、 LaFs、
LiF、 MgFi、 Na1A1sFs。
x、 BaF、 CaFx、 CaF、 LaFs、
LiF、 MgFi、 Na1A1sFs。
Na5AlsFz、NaF、SrF、SiO,SiO等
を挙げることができる。
を挙げることができる。
又、これらの物質は混合して用いることもできる。
本発明の方法においては、上述の屈折率になるように選
択した物質を用いて平板あるいは適切な形状の基板に、
真空蒸着法、スパッタリングあるいはイオンブレーティ
ング等のPVD法で上述の膜厚の反射防止層を形成する
。
択した物質を用いて平板あるいは適切な形状の基板に、
真空蒸着法、スパッタリングあるいはイオンブレーティ
ング等のPVD法で上述の膜厚の反射防止層を形成する
。
この際、反射防止層の最外層を上述の珪素アルコキシド
と一般式(1)で示されるシラン化合物とを溶媒に溶解
し、水と酸とを添加したものを塗布し、加水分解、共縮
合させることにより形成させる。この組成物に添加する
水と酸とは上記組成物を加水分解重縮合させるために添
加するもので、水の添加量は水と酸とを添加してなる混
合物中3〜10重量%であることが好ましく、酸の添加
量は0.3〜1重量%であることが好ましい。この酸と
しては有機酸であっても無機酸であってもよく、無機酸
としては塩酸、硫酸、硝酸、炭酸等を例示でき、有機酸
としては酢酸、乳酸等を例示できる。酸や水の添加量が
上記の下限より少ない場合は形成される層が不透明にな
り易く、水の量が上記上限より多いとこの溶液を基板に
塗布したときにはじきが生じて均質な厚みの塗膜が得難
くなる傾向にあり、酸の量が上記上限より多いとこの層
がもろくなる傾向にある。
と一般式(1)で示されるシラン化合物とを溶媒に溶解
し、水と酸とを添加したものを塗布し、加水分解、共縮
合させることにより形成させる。この組成物に添加する
水と酸とは上記組成物を加水分解重縮合させるために添
加するもので、水の添加量は水と酸とを添加してなる混
合物中3〜10重量%であることが好ましく、酸の添加
量は0.3〜1重量%であることが好ましい。この酸と
しては有機酸であっても無機酸であってもよく、無機酸
としては塩酸、硫酸、硝酸、炭酸等を例示でき、有機酸
としては酢酸、乳酸等を例示できる。酸や水の添加量が
上記の下限より少ない場合は形成される層が不透明にな
り易く、水の量が上記上限より多いとこの溶液を基板に
塗布したときにはじきが生じて均質な厚みの塗膜が得難
くなる傾向にあり、酸の量が上記上限より多いとこの層
がもろくなる傾向にある。
ここで用いられる溶媒としてはメタノール、エタノール
、プロパツール、ブタノール等のアルコール;n−ペン
タン、n−ヘキサン、n−へブタン、n−オクタン等の
炭水化物;アセトン、メチルアセトン、メチルエチルケ
トン等のケトン類;エチルエーテル、イソプロピルエー
テル、n−ブチルエーテル等のエーテル類;酢酸エチル
、酢酸ブチル等のエステル類;メチルセロソルブ、エチ
ルセロソルブ、ブチルセロソルブ等のセロソルブ類;塩
化メチル、塩化メチレン、クロロホルム、1,1.1−
)リクロロエタン等のハロゲン化炭化水素:th!酸、
酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸類;トルエン、キシ
レン等の芳香族化合物を用いることができる。
、プロパツール、ブタノール等のアルコール;n−ペン
タン、n−ヘキサン、n−へブタン、n−オクタン等の
炭水化物;アセトン、メチルアセトン、メチルエチルケ
トン等のケトン類;エチルエーテル、イソプロピルエー
テル、n−ブチルエーテル等のエーテル類;酢酸エチル
、酢酸ブチル等のエステル類;メチルセロソルブ、エチ
ルセロソルブ、ブチルセロソルブ等のセロソルブ類;塩
化メチル、塩化メチレン、クロロホルム、1,1.1−
)リクロロエタン等のハロゲン化炭化水素:th!酸、
酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸類;トルエン、キシ
レン等の芳香族化合物を用いることができる。
これらの中ではメタノール、エタノール、プロパツール
、ブタノール等の低級アルコール、メチルセロソルブ、
エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、蟻酸、酢酸、プ
ロピオン酸、トルエン、キシレン、酢酸エチル、酢酸ブ
チル類はこれらの混合物を好ましいものとして挙げるこ
とができる。
、ブタノール等の低級アルコール、メチルセロソルブ、
エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、蟻酸、酢酸、プ
ロピオン酸、トルエン、キシレン、酢酸エチル、酢酸ブ
チル類はこれらの混合物を好ましいものとして挙げるこ
とができる。
この溶液の粘度は塗布のし易さ、塗布された塗膜の均質
性の観点から20センチポアズ以下であることが好まし
く、10センチポアズ以下であることがより好ましい。
性の観点から20センチポアズ以下であることが好まし
く、10センチポアズ以下であることがより好ましい。
この溶液には必要に応じてキレート剤、界面活性剤、染
料等を添加してもよい。
料等を添加してもよい。
上述の基板上への塗布後の加水分解・共縮合は、塗布後
に溶剤を蒸発させ、次いで焼成あるいは活性エネルギー
照射による加熱硬化により行われる。
に溶剤を蒸発させ、次いで焼成あるいは活性エネルギー
照射による加熱硬化により行われる。
焼成の温度条件は60℃以上、かつ基板の熱変形温度よ
り低い温度であることが好ましい。
り低い温度であることが好ましい。
反射防止層の最外層全体をこのような方法で形成させる
代わりに、上述の珪素アルコキシドとシラン化合物の加
水分解・共縮合物とほぼ同じ屈折率となる物質を用いて
PVD法を用いて最外層の一部を形成し、その上に上述
のようにして珪素アルコキシドとシラン化合物の加水分
解・共縮合物からなる層を形成させてこの2つを合わせ
て最外層となるようにしてもよい。
代わりに、上述の珪素アルコキシドとシラン化合物の加
水分解・共縮合物とほぼ同じ屈折率となる物質を用いて
PVD法を用いて最外層の一部を形成し、その上に上述
のようにして珪素アルコキシドとシラン化合物の加水分
解・共縮合物からなる層を形成させてこの2つを合わせ
て最外層となるようにしてもよい。
又、反射防止層を形成する全ての層を真空蒸着法、スパ
ッタリング、イオンブレーティング等各種PVD法を用
いて形成し、その上に反射防止性能に関与しない程度の
厚さ、例えば100六以下の厚さになるように上述の珪
素アルコキシドと一般式(1)で示されるシラン化合物
とを溶媒に溶解し、水と酸とを添加したものを塗布し、
加水分解、共縮合させてもよい。
ッタリング、イオンブレーティング等各種PVD法を用
いて形成し、その上に反射防止性能に関与しない程度の
厚さ、例えば100六以下の厚さになるように上述の珪
素アルコキシドと一般式(1)で示されるシラン化合物
とを溶媒に溶解し、水と酸とを添加したものを塗布し、
加水分解、共縮合させてもよい。
この加水分解物からなる層の厚みのコントロールは塗布
法が浸漬法であれば引き上げ速度で、スピンコード法で
あれば回転数等を調節することにより行うことができる
。
法が浸漬法であれば引き上げ速度で、スピンコード法で
あれば回転数等を調節することにより行うことができる
。
(実施例〉
以下に実施例を用いて本発明を説明する。
なお、実施例において下記の各評価項目は下記に従って
評価した。
評価した。
接触角:接触角計(協和科学社製)を用い、液滴法で測
定した。(測定温度24℃) 耐汚染性:珪素アルコキシドとシラン化合物の共縮合層
の上に水道水2mβを滴下し、室温で24時間放置した
後、乾燥した布でこれを拭き取り、水垢が実質的に除去
可能であった場合を良好、困難であった場合を不良とし
た。
定した。(測定温度24℃) 耐汚染性:珪素アルコキシドとシラン化合物の共縮合層
の上に水道水2mβを滴下し、室温で24時間放置した
後、乾燥した布でこれを拭き取り、水垢が実質的に除去
可能であった場合を良好、困難であった場合を不良とし
た。
密着性二反射防止層をカミソリでクロスカットして1f
fII11×111fl+の升目を100個作り、その
上に市販のセロハン粘着テープにチバン405)を充分
密着させた後、これを剥離することを3回繰り返し、剥
離しないで残った反射防止層の升目の数を密着性の尺度
c%)とした。
fII11×111fl+の升目を100個作り、その
上に市販のセロハン粘着テープにチバン405)を充分
密着させた後、これを剥離することを3回繰り返し、剥
離しないで残った反射防止層の升目の数を密着性の尺度
c%)とした。
膜厚:エリプソメーター(溝尻光学工業所製)を用いて
測定した。
測定した。
粘度二回転粘度計(東京計器社製)を用いて測定した。
クラック二反射防止層におけるクラックの存在の有無を
光学顕微鏡(倍率400倍)で観察した。
光学顕微鏡(倍率400倍)で観察した。
全光線透過率:JIS K 7105にしたがって
測定した。
測定した。
耐塩水性二反射防止層を形成した基板を24℃で5%の
水に24時間浸漬した後の外観を観察し、クラック発生
の有無を観察した。
水に24時間浸漬した後の外観を観察し、クラック発生
の有無を観察した。
耐摩耗性:積層体をビロード布(406枚重ね、加重0
.28kg/cm”、30往復/分、5000回)で摩
擦し、傷の発生の有無を調べた。
.28kg/cm”、30往復/分、5000回)で摩
擦し、傷の発生の有無を調べた。
実施例1
テトラエチルオルソシリケート18.8g 、オクチル
トリメトキシシラン2.0g及びi−プロピルアルコー
ル62.5mlの混合溶液に水9g、塩酸1g及びi−
プロピルアルコールの混合物を添加し、室温で1時間撹
拌混合して更にi−プロピルアルコール300m1を加
えて撹拌して均一混合溶液を得た。この溶液の粘度は1
.42センチポアズであった。
トリメトキシシラン2.0g及びi−プロピルアルコー
ル62.5mlの混合溶液に水9g、塩酸1g及びi−
プロピルアルコールの混合物を添加し、室温で1時間撹
拌混合して更にi−プロピルアルコール300m1を加
えて撹拌して均一混合溶液を得た。この溶液の粘度は1
.42センチポアズであった。
別途、ポリメチルメタクリレート板R板(三菱レイヨン
■製、全光線透過率92%、屈折率1.49)に電子ビ
ーム法を用いてYaks、zro□、 SiO□を順に
蒸着し、これに浸漬法を用いて上述の均一混合液を塗布
しく引き上げ速度2.0cm/lll1n)、室温で5
分間、更に80℃で1時間加熱して硬化させ、膜厚82
0人のY2O3層、膜厚1350人のZrO□層及び蒸
着による膜厚900人とアルコキシドの加水分解重縮合
による膜厚100人の合計1000人の膜厚のSlO□
層の3層からなる反射防止層を形成した。
■製、全光線透過率92%、屈折率1.49)に電子ビ
ーム法を用いてYaks、zro□、 SiO□を順に
蒸着し、これに浸漬法を用いて上述の均一混合液を塗布
しく引き上げ速度2.0cm/lll1n)、室温で5
分間、更に80℃で1時間加熱して硬化させ、膜厚82
0人のY2O3層、膜厚1350人のZrO□層及び蒸
着による膜厚900人とアルコキシドの加水分解重縮合
による膜厚100人の合計1000人の膜厚のSlO□
層の3層からなる反射防止層を形成した。
Y2O3層の屈折率は1.68、Zroa層の屈折率は
2.03、蒸着によるSi0g層の屈折率は1.40、
シランアルコキシドの加水分解・重縮合によるSlO□
層の屈折率は1.44であった。
2.03、蒸着によるSi0g層の屈折率は1.40、
シランアルコキシドの加水分解・重縮合によるSlO□
層の屈折率は1.44であった。
こうして得られた板の全光線透過率は98.8%であり
、接触角は88°、反射防止層にクラックは認められず
、反射防止層の密着性は100%であり、耐汚染性試験
の結果は良好であった。又、耐塩水性テストでクラック
の発生はなく、耐摩耗試験によって傷もつかなかった。
、接触角は88°、反射防止層にクラックは認められず
、反射防止層の密着性は100%であり、耐汚染性試験
の結果は良好であった。又、耐塩水性テストでクラック
の発生はなく、耐摩耗試験によって傷もつかなかった。
実施例2
テトラエチルオルソシリケートの量を19.8g、オク
チルトリメトキシシランの量を1.Og、1時間撹拌混
合後に加えるイソプロピルアルコールの量を250m1
とした以外は実施例1と同様にして珪素アルコキシド混
合液を得た。
チルトリメトキシシランの量を1.Og、1時間撹拌混
合後に加えるイソプロピルアルコールの量を250m1
とした以外は実施例1と同様にして珪素アルコキシド混
合液を得た。
一方、実施例1で用いたと同様のポリメチルメタクリレ
ート板に電子ビーム法を用いてY2O3及びZrO□を
順に蒸着し、これを上述のようにして準備した珪素アル
コキシド混合液に浸漬し、引き上げ速度6.5cm/w
inで引き上げ、室温下で5分、更に80℃で1時間加
熱して硬化させることにより、合計3層からなる反射防
止層を形成させた。
ート板に電子ビーム法を用いてY2O3及びZrO□を
順に蒸着し、これを上述のようにして準備した珪素アル
コキシド混合液に浸漬し、引き上げ速度6.5cm/w
inで引き上げ、室温下で5分、更に80℃で1時間加
熱して硬化させることにより、合計3層からなる反射防
止層を形成させた。
Y2O3層の屈折率は1.68、膜厚は820人、Zr
O2層の屈折率は2.03、膜厚は1350入、珪素ア
ルコキシドを加水分解・縮合させてなる層の屈折率は1
.44、膜厚は955人であった。又、基板の屈折率は
1.49であった。
O2層の屈折率は2.03、膜厚は1350入、珪素ア
ルコキシドを加水分解・縮合させてなる層の屈折率は1
.44、膜厚は955人であった。又、基板の屈折率は
1.49であった。
こうして得られた板の全光線透過率は99,1%であり
、接触角は98°、反射防止層にクラックは認められず
、反射防止層の密着性は100%であり、耐汚染性試験
の結果は良好であった。又、耐塩水性テストでクラック
の発生はなく、耐摩耗試験によって傷もつかなかった。
、接触角は98°、反射防止層にクラックは認められず
、反射防止層の密着性は100%であり、耐汚染性試験
の結果は良好であった。又、耐塩水性テストでクラック
の発生はなく、耐摩耗試験によって傷もつかなかった。
実施例3
実施例1で用いたと同様のポリメチルメタクリレート板
に電子ビーム法を用いてY2O3、ZrO2及びSiO
□をこの順に蒸着した。次いで、実施例2で用いたと同
様の珪素アルコキシド混合液に浸漬し、引き上げ速度2
.2cm/winで塗布した後、室温で5分、更に80
℃で1時間加熱して硬化させ、膜厚820人のY2O3
層、膜厚1350人のZroz層及び蒸着による膜厚4
90人とアルコキシドの加水分解重縮合による膜厚47
5人の合計965人の膜厚のSlO□層の3層からなる
反射防止層を得た。Y2O3層の屈折率は1.68、−
Zroa層の屈折率は2.03、蒸着による5IO2層
の屈折率は1.40、アルコキシドの加水分解重縮合に
よる8、0層層の屈折率は1.44であった。こうして
得られた反射防止層を有する板の全光線透過率は99.
2%であり、接触角は98°、反射防止層にクラックは
認められず、反射防止層の密着性は100%であり、耐
汚染性試験の結果は良好であった。
に電子ビーム法を用いてY2O3、ZrO2及びSiO
□をこの順に蒸着した。次いで、実施例2で用いたと同
様の珪素アルコキシド混合液に浸漬し、引き上げ速度2
.2cm/winで塗布した後、室温で5分、更に80
℃で1時間加熱して硬化させ、膜厚820人のY2O3
層、膜厚1350人のZroz層及び蒸着による膜厚4
90人とアルコキシドの加水分解重縮合による膜厚47
5人の合計965人の膜厚のSlO□層の3層からなる
反射防止層を得た。Y2O3層の屈折率は1.68、−
Zroa層の屈折率は2.03、蒸着による5IO2層
の屈折率は1.40、アルコキシドの加水分解重縮合に
よる8、0層層の屈折率は1.44であった。こうして
得られた反射防止層を有する板の全光線透過率は99.
2%であり、接触角は98°、反射防止層にクラックは
認められず、反射防止層の密着性は100%であり、耐
汚染性試験の結果は良好であった。
又、耐塩水性テストでクラックの発生はなく、耐摩耗試
験によって傷もつかなかった。
験によって傷もつかなかった。
実施例4
実施例1で用いたと同様のポリメチルメタクリレート板
に電子ビーム法を用いて5iOz、A1□03、ZrO
□及び5i(hをこの順に蒸着した。次いで、実施例1
で用いたと同様の珪素アルコキシド均一混合溶液に浸漬
し、引き上げ速度2.0cm/winで塗布した後、室
温下で5分、更に80℃で1時間加熱して硬化させ、膜
厚980人のSi0g層、膜厚860人のA1201層
、膜厚1350人のZroz層及び蒸着による膜厚90
0人とアルコキシドの加水分解重縮合による膜厚100
人の合計1000人の膜厚のSlO□層の4層からなる
反射防止層を得た。Altos層の屈折率は1.60、
Zroi層の屈折率は2.03、蒸着による310a層
の屈折率は1.40、アルコキシドの加水分解重縮合に
よるS+Oa層の屈折率は1.44であった。こうして
得られた反射防止層を有する板の全光線透過率は98.
8%であり、接触角は89°、反射防止層にクラックは
認められず、反射防止層の密着性は100%であり、耐
汚染性試験の結果は良好であった。又、耐塩水性テスト
でクラックの発生はなく、耐摩耗試験によって傷もつか
なかった。
に電子ビーム法を用いて5iOz、A1□03、ZrO
□及び5i(hをこの順に蒸着した。次いで、実施例1
で用いたと同様の珪素アルコキシド均一混合溶液に浸漬
し、引き上げ速度2.0cm/winで塗布した後、室
温下で5分、更に80℃で1時間加熱して硬化させ、膜
厚980人のSi0g層、膜厚860人のA1201層
、膜厚1350人のZroz層及び蒸着による膜厚90
0人とアルコキシドの加水分解重縮合による膜厚100
人の合計1000人の膜厚のSlO□層の4層からなる
反射防止層を得た。Altos層の屈折率は1.60、
Zroi層の屈折率は2.03、蒸着による310a層
の屈折率は1.40、アルコキシドの加水分解重縮合に
よるS+Oa層の屈折率は1.44であった。こうして
得られた反射防止層を有する板の全光線透過率は98.
8%であり、接触角は89°、反射防止層にクラックは
認められず、反射防止層の密着性は100%であり、耐
汚染性試験の結果は良好であった。又、耐塩水性テスト
でクラックの発生はなく、耐摩耗試験によって傷もつか
なかった。
実施例5
実施例1で用いたと同様のポリメチルメタクリレート板
に電子ビーム法を用いてSiO□、A11as及びZr
O□をこの順に蒸着した。次いで、実施例2で用いたと
同様の珪素アルコキシド混合液に浸漬し、引き上げ速度
6.5cm/winで塗布した後、室温下で5分、更に
80℃で1時間加熱して硬化させ、膜厚980人のSi
O□層、膜厚860人のAizos層、膜厚1350A
のZrO□層及び膜厚955人のアルコキシドの加水分
解重縮合によるSiO□層からなる4層の反射防止層が
設けられた板を得た。AhOm層の屈折率は1.60、
Zroa層の屈折率は2,03、蒸着によるS、O。
に電子ビーム法を用いてSiO□、A11as及びZr
O□をこの順に蒸着した。次いで、実施例2で用いたと
同様の珪素アルコキシド混合液に浸漬し、引き上げ速度
6.5cm/winで塗布した後、室温下で5分、更に
80℃で1時間加熱して硬化させ、膜厚980人のSi
O□層、膜厚860人のAizos層、膜厚1350A
のZrO□層及び膜厚955人のアルコキシドの加水分
解重縮合によるSiO□層からなる4層の反射防止層が
設けられた板を得た。AhOm層の屈折率は1.60、
Zroa層の屈折率は2,03、蒸着によるS、O。
層の屈折率は1.40、アルコキシドの加水分解重縮合
による8、02層の屈折率は1.44であった。こうし
て得られた反射防止層を有する板の全光線透過率は98
.6%であり、接触角は98°、反射防止層にクラック
は認められず、反射防止層の密着性は100%であり、
耐汚染性試験の結果は良好であった。
による8、02層の屈折率は1.44であった。こうし
て得られた反射防止層を有する板の全光線透過率は98
.6%であり、接触角は98°、反射防止層にクラック
は認められず、反射防止層の密着性は100%であり、
耐汚染性試験の結果は良好であった。
又、耐塩水性テストでクラックの発生はなく、耐摩耗試
験によって傷もつかなかった。
験によって傷もつかなかった。
実施例6
実施例1で用いたと同様のポリメチルメタクリレート板
に電子ビーム法を用いてWO2を蒸着した。
に電子ビーム法を用いてWO2を蒸着した。
次いで、実施例2で用いたと同様の珪素アルコキシド混
合液に浸漬し、引き上げ速度6.5cm/winで塗布
した後、室温で5分、更に80℃で1時間加熱して硬化
させ、2層からなる反射防止層を形成させた。WO2層
の膜厚は785人、屈折率は1.75であり、SiO□
層の膜厚は955λ、屈折率は1.44であった。こう
して得られた反射防止層を有する板の全光線透過率は9
7.5%であり、接触角は98°、反射防止層にクラッ
クは認められず、反射防止層の密着性は100%であり
、耐汚染性試験の結果は良好であった。又、耐塩水性テ
ストでクラックの発生はなく、耐摩耗試験によって傷も
つがなかった。
合液に浸漬し、引き上げ速度6.5cm/winで塗布
した後、室温で5分、更に80℃で1時間加熱して硬化
させ、2層からなる反射防止層を形成させた。WO2層
の膜厚は785人、屈折率は1.75であり、SiO□
層の膜厚は955λ、屈折率は1.44であった。こう
して得られた反射防止層を有する板の全光線透過率は9
7.5%であり、接触角は98°、反射防止層にクラッ
クは認められず、反射防止層の密着性は100%であり
、耐汚染性試験の結果は良好であった。又、耐塩水性テ
ストでクラックの発生はなく、耐摩耗試験によって傷も
つがなかった。
実施例7〜18
オクチルトリメトキシシランの代わりに同量の第1表に
示したアルコキシシランを用いた以外は実施例2と同様
にした。
示したアルコキシシランを用いた以外は実施例2と同様
にした。
こうして得られた板はいずれもYio、層の屈折率は1
.68、膜厚は820人、Zroz層の屈折率は2.o
3、膜厚は1350入、珪素アルコキシドを加水分解・
縮合させてなる層の屈折率は1.44、膜厚は955人
であった。得られた板の接触角は82°、反射防止層に
クラックは認められず、反射防止層の密着性は100%
であり、耐汚染性試験の結果は良好であった。又、耐塩
水性テストでクラックの発生はなく、耐摩耗試験によっ
て傷つかなかった。得られた板の全光線透過率及び接触
角を第1表に示す。
.68、膜厚は820人、Zroz層の屈折率は2.o
3、膜厚は1350入、珪素アルコキシドを加水分解・
縮合させてなる層の屈折率は1.44、膜厚は955人
であった。得られた板の接触角は82°、反射防止層に
クラックは認められず、反射防止層の密着性は100%
であり、耐汚染性試験の結果は良好であった。又、耐塩
水性テストでクラックの発生はなく、耐摩耗試験によっ
て傷つかなかった。得られた板の全光線透過率及び接触
角を第1表に示す。
(以下余白)
第1表
実施例19
テトラエチルオルソシリケートの量を18.7g、オク
チルトリメトキシシランの量を2.1gとした以外は実
施例2と同様にした。得られた反射防止層を有する板の
全光線透過率は99.1%であり、反射防止層の最表層
(SiO□層)の屈折率は1.44、膜厚は955人で
あり、接触角は98°であり、反射防止層にクラックは
認められず、反射防止層の密着性は100%であり、耐
汚染性試験の結果は良好であった。又、耐塩水性テスト
でクラックの発生はなく、耐摩耗試験によって傷つかな
かった。
チルトリメトキシシランの量を2.1gとした以外は実
施例2と同様にした。得られた反射防止層を有する板の
全光線透過率は99.1%であり、反射防止層の最表層
(SiO□層)の屈折率は1.44、膜厚は955人で
あり、接触角は98°であり、反射防止層にクラックは
認められず、反射防止層の密着性は100%であり、耐
汚染性試験の結果は良好であった。又、耐塩水性テスト
でクラックの発生はなく、耐摩耗試験によって傷つかな
かった。
実施例20
テトラエチルオルソシリケートの量を20.7g、オク
チルトリメトキシシランの量を061gとした以外は実
施例2と同様にした。得られた反射防止層を有する板の
全光線透過率は99.1%であり、反射防止層の最表層
(Si0g層)の屈折率は1.44、膜厚は955人で
あり、接触角は85°であり、反射防止層にクラックは
認められず、反射防止層の密着性は100%であり、耐
汚染性試験の結果は良好であった。又、耐塩水性テスト
でクラックの発生はなく、耐摩耗試験によって傷つかな
かった。
チルトリメトキシシランの量を061gとした以外は実
施例2と同様にした。得られた反射防止層を有する板の
全光線透過率は99.1%であり、反射防止層の最表層
(Si0g層)の屈折率は1.44、膜厚は955人で
あり、接触角は85°であり、反射防止層にクラックは
認められず、反射防止層の密着性は100%であり、耐
汚染性試験の結果は良好であった。又、耐塩水性テスト
でクラックの発生はなく、耐摩耗試験によって傷つかな
かった。
実施例21
ポリメチルメタクリレート板の代わりにポリカーボネー
トAR板(三菱レイヨン■製、全光線透過率87%、屈
折率1.59)を用いた以外は実施例2と同様にした。
トAR板(三菱レイヨン■製、全光線透過率87%、屈
折率1.59)を用いた以外は実施例2と同様にした。
得られた板の全光線透過率は95%であり、反射防止層
の最表層(SiO□層)の屈折率は1.44、膜厚は9
55人であり、接触角は98°であり、反射防止層にク
ラックは認められず、反射防止層の密着性は100%で
あり、耐汚染性試験の結果は良好であった。又、耐塩水
性テストでクラックの発生はなく、耐摩耗試験によって
傷つかなかった。
の最表層(SiO□層)の屈折率は1.44、膜厚は9
55人であり、接触角は98°であり、反射防止層にク
ラックは認められず、反射防止層の密着性は100%で
あり、耐汚染性試験の結果は良好であった。又、耐塩水
性テストでクラックの発生はなく、耐摩耗試験によって
傷つかなかった。
実施例22
実施例1で用いたと同様のポリメチルメタクリレート板
に電子ビーム法を用いてY2O3、ZrO□及びMgF
zをこの順に蒸着した。次いで、実施例1で用いたと同
様のアルコキシシランの均一混合溶液を浸漬法を用いて
引き上げ速度2.0cm/minで塗布した後、室温で
5分、更に80℃で1時間加熱して硬化させた。得られ
た板の全光線透過率は98.9%であった。
に電子ビーム法を用いてY2O3、ZrO□及びMgF
zをこの順に蒸着した。次いで、実施例1で用いたと同
様のアルコキシシランの均一混合溶液を浸漬法を用いて
引き上げ速度2.0cm/minで塗布した後、室温で
5分、更に80℃で1時間加熱して硬化させた。得られ
た板の全光線透過率は98.9%であった。
Y2O3層の屈折率は1.68、膜厚は820人、Zr
oz層の屈折率は2.03、膜厚は1350人、MgF
z層の屈折率は1.38、膜厚は995人であり、5
iOa層の屈折率は1.44、膜厚は100人であった
。得られた板の接触角は88°であり、反射防止層にク
ラックは認められず、反射防止層の密着性は100%で
あり、耐汚染性試験の結果は良好であり、耐塩水性テス
トでクラックの発生はなく、耐摩耗試験によって傷つか
なかった。
oz層の屈折率は2.03、膜厚は1350人、MgF
z層の屈折率は1.38、膜厚は995人であり、5
iOa層の屈折率は1.44、膜厚は100人であった
。得られた板の接触角は88°であり、反射防止層にク
ラックは認められず、反射防止層の密着性は100%で
あり、耐汚染性試験の結果は良好であり、耐塩水性テス
トでクラックの発生はなく、耐摩耗試験によって傷つか
なかった。
実施例23
実施例1で用いたと同様のポリメチルメタクリレート板
に電子ビーム法を用いてSiO□、AIJa、ZrOa
及びMgF2をこの順に蒸着した。次いで、実施例1で
用いたと同様のアルコキシシランの均一混合溶液を浸漬
法を用いて引き上げ速度2.0cm10Iinで塗布し
た後、室温で5分、更に80℃で1時間加熱して硬化さ
せた。得られた板の全光線透過率は98.9%であった
。
に電子ビーム法を用いてSiO□、AIJa、ZrOa
及びMgF2をこの順に蒸着した。次いで、実施例1で
用いたと同様のアルコキシシランの均一混合溶液を浸漬
法を用いて引き上げ速度2.0cm10Iinで塗布し
た後、室温で5分、更に80℃で1時間加熱して硬化さ
せた。得られた板の全光線透過率は98.9%であった
。
蒸着によるSin、層の屈折率は1.40、膜厚は98
0人、AIxos層の屈折率は1.60、膜厚は860
人、Zroz層の屈折率は2.03、膜厚は1350入
、MgF 2層の屈折率は1.38、膜厚は995人で
あり、アルコキシシランの加水分解・重縮合によるSi
O□層の屈折率は1.44、膜厚は100人であった。
0人、AIxos層の屈折率は1.60、膜厚は860
人、Zroz層の屈折率は2.03、膜厚は1350入
、MgF 2層の屈折率は1.38、膜厚は995人で
あり、アルコキシシランの加水分解・重縮合によるSi
O□層の屈折率は1.44、膜厚は100人であった。
得られた板の接触角は89°であり、反射防止層にクラ
ックは認められず、反射防止層の密着性は100%であ
り、耐汚染性試験の結果は良好であり、耐塩水性テスト
でクラックの発生はなく、耐摩耗試験によって傷つかな
かった。
ックは認められず、反射防止層の密着性は100%であ
り、耐汚染性試験の結果は良好であり、耐塩水性テスト
でクラックの発生はなく、耐摩耗試験によって傷つかな
かった。
比較例1
実施例1と同様にしてポリメチルメタクリレート板R板
(三菱レイヨン■製、全光線透過率92%、屈折率1.
49)に電子ビーム法を用いてYzOs、 Zr0i。
(三菱レイヨン■製、全光線透過率92%、屈折率1.
49)に電子ビーム法を用いてYzOs、 Zr0i。
SiO□を順に蒸着して3層からなる反射防止層を形成
した。(yzos層の屈折率1,68、膜厚820人、
ZrO□層の屈折率2.03、膜厚1350人、SiO
□層の屈折率1.40、膜厚980人) 得られた板の反射防止層にクラックは認められず、反射
防止層の密着性は100%であり、耐摩耗試験によって
傷つかなかったが、接触角は16°と小さく、このため
、耐汚染性試験の結果は不良であった。
した。(yzos層の屈折率1,68、膜厚820人、
ZrO□層の屈折率2.03、膜厚1350人、SiO
□層の屈折率1.40、膜厚980人) 得られた板の反射防止層にクラックは認められず、反射
防止層の密着性は100%であり、耐摩耗試験によって
傷つかなかったが、接触角は16°と小さく、このため
、耐汚染性試験の結果は不良であった。
比較例2
反射防止層の表面にアルコキシシラン均一混合溶液を塗
布して硬化させる代わりに弗化アルキル基を一成分とす
るA−B型のアクリルブロック共重合体であるモディパ
ーF100 (日本油脂■製、水酸基価36、固形分3
0%)20部にコロネートEH(日本ポリウレタン工業
■製)のメチルイソブチルケトン/シクロヘキサノン(
40760重量比) 15重量%溶液5.06部とジブ
チル錫ジラウレートのメチルイソブチルケトン/シクロ
ヘキサノン(40/60重量比) 0.0001%溶液
0.34部を加えて撹拌混合溶解させ、この溶液1.2
部をメチルイソブチルケトン/シクロヘキサノン(40
/60重量比)338部で希釈したものを塗布し、10
0℃の熱風循環乾燥機中で1時間加熱硬化させた以外は
実施例1と同様にした。
布して硬化させる代わりに弗化アルキル基を一成分とす
るA−B型のアクリルブロック共重合体であるモディパ
ーF100 (日本油脂■製、水酸基価36、固形分3
0%)20部にコロネートEH(日本ポリウレタン工業
■製)のメチルイソブチルケトン/シクロヘキサノン(
40760重量比) 15重量%溶液5.06部とジブ
チル錫ジラウレートのメチルイソブチルケトン/シクロ
ヘキサノン(40/60重量比) 0.0001%溶液
0.34部を加えて撹拌混合溶解させ、この溶液1.2
部をメチルイソブチルケトン/シクロヘキサノン(40
/60重量比)338部で希釈したものを塗布し、10
0℃の熱風循環乾燥機中で1時間加熱硬化させた以外は
実施例1と同様にした。
得られた板の全光線透過率は99.3%であり、接触角
は9rであり、耐汚染性試験の結果は良好で、密着性も
100%であり、反射防止層にクラックの発生は認めら
れなかったが、耐摩耗試験によって最表層が剥離した。
は9rであり、耐汚染性試験の結果は良好で、密着性も
100%であり、反射防止層にクラックの発生は認めら
れなかったが、耐摩耗試験によって最表層が剥離した。
比較例3
反射防止層の表面にアルコキシシラン均一混合溶液を塗
布して硬化させる代わりに両末端にシラノール基を有す
るジメチルポリシロキサン(数平均分子量26,000
) 10部に炭化水素溶媒であるアイソパーEを10部
加えて溶解し、これにエチルトリアセトキシシラン1部
、ジブチル錫ジアセテート0.05部を各々添加混合、
室温に1昼夜放置した後更にトルエン1080部を加え
均一溶液とした後濾過精製したものを2 cm/win
の引き上げ速度で浸漬塗布し、室温で1昼夜放置して硬
化させた以外は実施例1と同様にした。
布して硬化させる代わりに両末端にシラノール基を有す
るジメチルポリシロキサン(数平均分子量26,000
) 10部に炭化水素溶媒であるアイソパーEを10部
加えて溶解し、これにエチルトリアセトキシシラン1部
、ジブチル錫ジアセテート0.05部を各々添加混合、
室温に1昼夜放置した後更にトルエン1080部を加え
均一溶液とした後濾過精製したものを2 cm/win
の引き上げ速度で浸漬塗布し、室温で1昼夜放置して硬
化させた以外は実施例1と同様にした。
得られた板の全光線透過率は99.2%であり、接触角
は96°であり、耐汚染性試験の結果は良好で、密着性
も100%であり、反射防止層にクラックの発生は認め
られなかったが、耐摩耗試験によって最表層が剥離した
。
は96°であり、耐汚染性試験の結果は良好で、密着性
も100%であり、反射防止層にクラックの発生は認め
られなかったが、耐摩耗試験によって最表層が剥離した
。
(発明の効果)
以上述べたように、本発明の方法によればクラックの発
生も少なく、反射防止膜の基板への接着ができるという
優れた特徴を有する。
生も少なく、反射防止膜の基板への接着ができるという
優れた特徴を有する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)有機高分子基板上に多層の反射防止層を形成し、し
かも、該反射防止層の構成が基板側から最外層に隣接す
る層まで順に屈折率が高く、最外層の屈折率が最も低い
ものである反射防止層を形成させる方法において、少な
くとも反射防止層の最外層に隣接する層まではPVD法
で形成し、最外層の少なくとも大気に接する側を珪素ア
ルコキシドと下記一般式(1)で表わされるシラン化合
物とを含む珪素アルコキシド混合物に水と酸とを添加し
たものを塗布、加水分解、共縮合せしめて水に対する接
触角が60度以上であるものとすることを特徴とする反
射防止層の形成方法。 SiR^1_mR^2_n(OR^3)_4_−_m_
−_n(1)(式中、R^1、R^2は各々独立にビニ
ル基、アミノ基、(メタ)アクリロイルオキシ基、メル
カプト基、エポキシ基、塩素及び弗素から選ばれる置換
基を有していてもよい炭素数1〜20のアルキル基、炭
素数1〜20のアルケニル基又は炭素数6〜12のアリ
ール基であり、R^3は炭素数1〜4の炭化水素基を示
し、m及びnは0、1又は2であって、但し、m+nは
1又は2を満足するものである。) 2)有機高分子基板上にPVD法により多層の反射防止
層を形成し、しかも、該反射防止層の構成が基板側から
最外層に隣接する層まで順に屈折率が高く、最外層の屈
折率が最も低いものである反射防止層を形成させ、その
最外層の表面に珪素アルコキシドと下記一般式(1)で
表わされるシラン化合物とを含む珪素アルコキシド混合
物に水と酸とを添加したものを塗布、加水分解、共縮合
せしめて水に対する接触角が60度以上である薄層を形
成することを特徴とする反射防止層の形成方法。 SiR^1_mR^2_n(OR^3)_4_−_m_
−_n(1)(式中、R^1、R^2、R^3、m及び
nは前述の意味を表す。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2055767A JPH03256004A (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | 反射防止層の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2055767A JPH03256004A (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | 反射防止層の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03256004A true JPH03256004A (ja) | 1991-11-14 |
Family
ID=13008017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2055767A Pending JPH03256004A (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | 反射防止層の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03256004A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007078780A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Seiko Epson Corp | 光学物品およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-03-07 JP JP2055767A patent/JPH03256004A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007078780A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Seiko Epson Corp | 光学物品およびその製造方法 |
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