JPH03256004A - 反射防止層の形成方法 - Google Patents

反射防止層の形成方法

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JPH03256004A
JPH03256004A JP2055767A JP5576790A JPH03256004A JP H03256004 A JPH03256004 A JP H03256004A JP 2055767 A JP2055767 A JP 2055767A JP 5576790 A JP5576790 A JP 5576790A JP H03256004 A JPH03256004 A JP H03256004A
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JP
Japan
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layer
refractive index
antireflection layer
antireflection
outermost layer
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Pending
Application number
JP2055767A
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English (en)
Inventor
Yasuko Hayashi
泰子 林
Kazumi Nakamura
中村 一己
Yuichiro Kishimoto
祐一郎 岸本
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Mitsubishi Rayon Co Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Rayon Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は有機高分子基板上に耐汚染性に優れた反射防止
層を形成する方法に関する。有機高分子基板上に反射防
止層を有するものは眼鏡用レンズ、カメラ用レンズ等の
光学用レンズ、デイスプレーの前面板、計器類の前面板
、自動車用窓ガラス等への使用を目的としている。
(従来の技術) 透明な材料を通して物を見る場合、その材料表面で反射
した光が強いと反射像が明確になってみたい物を良く見
ようとするのに障害となる。このような現象を避けるた
めに屈折率が基材とは異なる物質を基材表面に被覆して
反射防止層とすることが知られている。この反射防止層
としては、単層のものも、2層以上の層から形成される
多層の反射防止層も知られている。
この反射防止層は金属酸化物や金属弗化物等を真空蒸着
することにより形成されているが、真空蒸着以外にスパ
ッタ蒸着、イオンブレーティング等のPVD法や各種の
CVD等によってち形成できる。
これらには、反射防止層を有する積層体の基板として、
ガラスの他にプラスチック材料も用い得ることが記載さ
れており、このプラスチック材料は軽量、安全性、取扱
い性等の長所を有するものである。
耐汚染性を考慮したものとしては、特開昭62−148
902号公報に無機物からなる単層又は多層の反射防止
膜の表面に末端シラノール有機ポリシロキサンからなる
物質による水に対する接触角が60@以上である層を形
成させたものが提案されている。
(発明が解決しようとする課題) しかし、真空蒸着法によって形成された反射防止膜は主
として金属酸化物や金属弗化物からなるため高い表面硬
度を有するが、指紋、手垢、汗等によって汚染され易く
、又、−旦付着した汚れの除去が困難であるという問題
があった。
又、特開昭62−148902号公報に開示された方法
によれば優れた耐汚染性のものが得られるが、汚染防止
層の耐摩耗性が充分とは言えないという問題があり、し
かもこれらの反射防止層は塩水に浸漬するとクラックが
生じるという問題があった。
(課題を解決するための手段) 本発明者らは、このような状況に鑑み鋭意検討した結果
、反射防止層の最外層の少なくとも表面あるいは反射防
止層の外側に珪素アルコキシドと特定のシラン化合物と
からなる組成物を加水分解、共縮合させてなる層を形成
させると反射防止性能を維持しつつ、汚染防止性を有し
、しかも耐摩耗性、耐塩水性を有するものとすることが
できることを見出し、本発明に到達した。
即ち、本発明の要旨は有機高分子基板上に多層の反射防
止層を形成し、しかも、該反射防止層の構成が基板側か
ら最外層に隣接する層まで順に屈折率が高く、最外層の
屈折率が最も低いものである反射防止層を形成させる方
法において、少なくとも反射防止層の最外層に隣接する
層まではPVD法で形成し、最外層の少なくとも大気に
接する側を珪素アルコキシドと一般式(1) %式%(1) (式中、R1,R2は各々独立にビニル基、アミノ基、
(メタ)アクリロイルオキシ基、メルカプト基、エポキ
シ基、塩素及び弗素から選ばれる置換基を有していても
よい炭素数l〜20のアルキル基、炭素数1〜20のア
ルケニル基又アルキル基、炭素数1〜12のアルケニル
基又は炭素数1〜4のアリール基であり、R3はOll
又は2であって、但し、m+nは1又は2を満足するも
のである。)で表わされるシラン化合物とを含む珪素ア
ルコキシド混合物に水と酸とを添加したものを塗布、加
水分解、共縮合せしめて水に対する接触角が60度以上
であるものとすることを特徴とする反射防止層の形成方
法にあり、更に、有機高分子基板上にPVD法により多
層の反射防止層を形成し、しかも、該反射防止層の構成
が基板側から最外層に隣接する層まで順に屈折率が高く
、最外層の屈折率が最も低いものである反射防止層を形
成させ、その最外層の表面に珪素アルコキシドと一般式
(1)で表わされるシラン化合物とを含む珪素アルコキ
シド混合物に水と酸とを添加したものを塗布、加水分解
、共縮合せしめて水に対する接触角が60度以上である
ものとすることを特徴とする反射防止層の形成方法にあ
る。
S i R’mR”n (OR”L−s+−n ・・・
 (1)(式中、R1、R2、R3、m及びnは上述の
意味を示す。) 本発明において用いられる有機高分子基板としては、そ
の主要用途が光学用途であることを勘案すると透明性、
屈折率、分散等の光学特性の適切なものであることが好
ましく、このような有機高分子としてはポリメチルメタ
クリレート及びその共重合体、ポリカーボネート、ジエ
チレングリコールビスアリルカーボネート、ポリスチレ
ン、AS樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリエチレンテレフタ
レート等のポリエステル樹脂等を例示できる。
本発明における多層の反射防止層が機能を果たすために
は各層の膜厚と屈折率とが一定の条件の範囲内に制御さ
れていることが好ましい1反射防止層の層の数は、多い
ほど広い波長範囲で反射率を下げることが可能になるが
、暦数が多ければ多いほど製造工程が煩雑となり、あま
りに多い工程は実際的でなくなる。好ましい層の数とし
ては2〜8層であり、2〜6層であることがより好まし
い。層の数が3層以上である場合は基板側から最外層に
隣接する層まで順に屈折率が高くなっていることが好ま
しい。
以下、n、を基板側からi層目の層の屈折率、dlを基
板側からi層目の層の厚さ、aを正の整数、b、c、e
を正の奇数、λを可視周辺領域内で選ばれる任意の基準
波長(単位nm) 、好ましくは500〜600nmの
範囲内の任意の波長として、2〜4層の場合を例に取り
各層の膜厚と屈折率の好ましい条件を示すと、 反射防止層が2層の場合: 1.55<n l  <2.25.  n lX dr
  崎b Xえ/4.1.38<n= <1.50. 
 nl  X da hIa Xλ/4の条件を満足す
ることが好ましく、 3層の場合: 1.55<nI <1.85. nr X dt ”F
t)Xλ/4.1.65<nx <2.25. n= 
X dt &、 a Xλ/4.1.38< ns <
1.50.  ns  X ds &F CXえ/4、
nI  <nx の条件を満足することが好ましく、 4層の場合: 1、38< n +  < 1.65゜1、55< n
 z < 1.85゜ 1、65< n s < 2.40゜ 1.38<n、 <1.50゜ nI<nl< n s の条件を満足することが好ましい。
なお、ここで「岬」は±15%の範囲内、好ましくは±
10%の範囲内にあることを示す。
このような構成の反射防止層において最外層の組成の少
なくとも大気に接する層が珪素アルコキシドと上記−紋
穴(1)で表わされるシラン化合物とからなるか、ある
いは反射防止層の外側に珪岬bXλ/4、 →C×λ/4、 ユa×λ/4、 崎e×λ/4、 Xd。
Xd。
ds Xd4 素アルコキシドと上記−紋穴(1)で表わされるシラン
化合物とからなる汚染防止層が形成されている必要があ
る。後者の場合の汚染防止層は当然、反射防止機能に寄
与しない程度の膜厚のものであって、100Å以下であ
ることが好ましい。本発明においてこの汚染防止層は水
に対する接触角が60”以上である必要があり、60”
未満であると指紋等で表面が汚れやすく、かつ汚れた場
合にエタノール等で拭き取っても充分除去できなくなる
傾向にある。
上記の珪素アルコキシドのアルコキシドとしては炭素数
1〜5のアルコキシドであることが好ましく、この範囲
内であれば単一のアルコキシドであっても複数種のアル
コキシドの混合物であってもよい。炭素数6以上のアル
コキシドを用いた珪素アルコキシドを用いると水との相
溶性が不充分でかつ粘度も高くなる傾向にあり、外観の
優れた薄膜が得られ難くなる傾向にある。このような珪
素アルコキシ ドの具体例としてテトラメチルオルソシリケート、テト
ラエチルオルソシリケート、テトラミープロピルオルソ
シリケート、テトラn−ブチルオルソシリケート、テト
ラS−ブチルオルソシリケート、テトラt−ブチルオル
ソシリケート、テトラアミルオルソシリケート等を例示
できる。
式(1)で示されるシラン化合物としてはメチルトリメ
トキシシラン、エチルトリメトキシシラン等のアルキル
トリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチ
ルトリエトキシシラン等のアルキルトリエトキシシラン
、メチルトリブトキシシラン等のアルキルトリブトキシ
シラン、メチルトリアセトキシシラン等のアルキルトリ
アセトキシシラン、メチルトリ(メトキシエトキシ)シ
ラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシ
シラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリ(メ
トキシエトキシ)シラン、フェニルトリメトキシシラン
、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリアセトキ
シシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ
−クロロプロピルトリエトキシシラン、γ−クロロプロ
ピルトリアセトキシシラン、3,3.3−)リフルオロ
プロピルトリメトキシシラン、2,2.2−トリフルオ
ロエチルトリメトキシシラン、パーフルオロメチルトリ
メトキシシラン、パーフルオロメチルトリエトキシシラ
ン等のパーフルオロアルキル基を有するトリアルコキシ
シラン、γ−メタクリロイルオキシプロピルトリメトキ
シシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ
−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプト
プロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピル
トリエトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−
アミノプロピルトリメトキシシラン、β−シアノエチル
トリエトキシシラン、メチルトリフエノキシシラン、ク
ロロメチルトリメトキシシラン、クロロメチルトリエト
キシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジェ
トキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、フェ
ニルメチルジェトキシシラン、γ−クロロプロピルメチ
ルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジェト
キシシラン、ジメチルジアセトキシシラン、γ−メタク
リロイルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−
メタクリロイルオキシプロピルメチルジェトキシシラン
、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、5
−メルカプトプロピルメチルジェトキシシラン、γ−ア
ミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロ
ピルメチルジェトキシシラン、メチルビニルジメトキシ
シラン、メチルビニルジェトキシシラン、グリシジルオ
キシメチルトリメトキシシラン、グリシジルオキシメチ
ルトリエトキシシラン、β−グリシジルオキシエチルト
リメトキシシラン、β−グリシジルオキシエチルトリエ
トキシシラン、γ−グリシジルオキシブロビルトリメト
キシシラン、γ−グリシジルオキシブロビルトリエトキ
シシラン、γ−グリシジルオキシブロビルトリ(メトキ
シエトキシ)シラン、γ−グリシジルオキシブロビルト
リアセトキシシラン、δ−グリシジルオキシブチルトリ
メトキシシラン、δ−グリシジルオキジプチルトリエト
キシシラン、グリシジルオキシメチル(メチル)ジメト
キシシラン、グリシジルオキシメチル(メチル)ジェト
キシシラン、グリシジルオキシメチル(エチル)ジメト
キシシラン、グリシジルオキシメチル(フェニル)ジメ
トキシシラン、グリシジルオキシメチル(ビニル)ジメ
トキシシラン、グリシジルオキシメチル(ジメチル)メ
トキシシラン、β−グリシジルオキシエチル(メチル)
ジメトキシシラン、β−グリシジルオキシエチル(エチ
ル)ジメトキシシラン、β−グリシジルオキシエチル(
ジメチル)メトキシシラン、γ−グリシジルオキシブロ
ビル(メチル)ジメトキシシラン、γ−グリシジルオキ
シプロビル(エチル)ジメトキシシラン、γ−グリシジ
ルオキシブロビル(ジメチル)メトキシシラン、δ−グ
リシジルオキシブチル(メチル)ジメトキシシラン、δ
−グリシジルオキジプチル(エチル)ジメトキシシラン
、δ−グリシジルオキシブチル(ジメチル)メトキシシ
ラン、ビス(グリシジルオキシメチル)ジメトキ・ジシ
ラン、ビス(グリシジルオキシメチル)ジェトキシシラ
ン、ビス(β−グリシジルオキシエチル)ジメトキシシ
ラン、ビス(γ−グリシジルオキシブロピル)ジェトキ
シシラン、トリス(グリシジルオキシメチル)メトキシ
シラン、トリス(グリシジルオキシメチル)エトキシシ
ラン、トリス(β−グリシジルオキシエチル)メトキシ
シラン、トリス(β−グリシジルオキシエチル)エトキ
シシラン、トリス(γ−グリシジルオキシブロビル)メ
トキシシラン、トリス(γ−グリシジルオキシブロビル
)エトキシシラン、グリシジルメチルトリメトキシシラ
ン、グリシジルメチルトリエトキシシラン、β−グリシ
ジルエチルトリメトキシシラン、β−グリシジルエチル
トリエトキシシラン、γ−グリシジルプロビルトリメト
キシシラン、γ−グリシジルプロビルトリエトキシシラ
ン、γグリシジルプロビルトリ(メトキシエトキシ)シ
ラン、γ−グリシジルプロビルトリアセトキシシラン、
3,4−エポキシシクロヘキシルメチルトリメトキシシ
ラン、3,4−エポキシシクロヘキシルメチルトリエト
キシシラン、3,4−エポキシシクロヘキシルエチルト
リメトキシシラン、3,4−エボキシシクロへキシルプ
ロピルトリメトキシシラン、3.4−エポキシシクロへ
キシルブチルトリメトキシシラン等を例示できる。
最表層の少なくとも大気に接する側あるいは汚染防止層
を形成させるための組成物中の珪素アルコキシドと式(
1)で示されるシラン化合物のモル比は珪素アルコキシ
ド1モルあたり0.005〜0.5モルであることが好
ましい。式(1)で示されるシラン化合物のモル比が上
記上限を越えると耐摩耗性及び外観が不良となる傾向に
あり、上記下限以下であると汚染防止効果が不充分とな
る傾向にある。
反射防止層の最表層の膜厚はその光学的膜厚が対象とす
る光波長の1/4あるいはその奇数倍の前後10%程度
であることが好ましい。
反射防止層の最表層以外の層は真空蒸着法、スパッタリ
ング、イオンブレーティング等各種PVD法を用いて形
成されていることが好ましい。PVD法で中・高屈折率
の層を形成するのに適した物質としては、TfOi、 
Zr0i、 Ce0g、 InzOa、 Hf0a、 
Y2ks。
Pr5O+ r 、 Ta5ks、 NdOs、 5b
zOs、 Snow、 ZnO,A11as、 Bi 
20m 。
EuzOs、La1es、CeF、MoOs+MgO,
SmzOs、5cans、NOx。
YbzOa、 LaFa、 LiF、 NdFs、 P
bFa、 SmFs等を挙げることができる。
低屈折率の層を形成するのに適した物質としてはAIF
x、 BaF、 CaFx、 CaF、 LaFs、 
LiF、 MgFi、 Na1A1sFs。
Na5AlsFz、NaF、SrF、SiO,SiO等
を挙げることができる。
又、これらの物質は混合して用いることもできる。
本発明の方法においては、上述の屈折率になるように選
択した物質を用いて平板あるいは適切な形状の基板に、
真空蒸着法、スパッタリングあるいはイオンブレーティ
ング等のPVD法で上述の膜厚の反射防止層を形成する
この際、反射防止層の最外層を上述の珪素アルコキシド
と一般式(1)で示されるシラン化合物とを溶媒に溶解
し、水と酸とを添加したものを塗布し、加水分解、共縮
合させることにより形成させる。この組成物に添加する
水と酸とは上記組成物を加水分解重縮合させるために添
加するもので、水の添加量は水と酸とを添加してなる混
合物中3〜10重量%であることが好ましく、酸の添加
量は0.3〜1重量%であることが好ましい。この酸と
しては有機酸であっても無機酸であってもよく、無機酸
としては塩酸、硫酸、硝酸、炭酸等を例示でき、有機酸
としては酢酸、乳酸等を例示できる。酸や水の添加量が
上記の下限より少ない場合は形成される層が不透明にな
り易く、水の量が上記上限より多いとこの溶液を基板に
塗布したときにはじきが生じて均質な厚みの塗膜が得難
くなる傾向にあり、酸の量が上記上限より多いとこの層
がもろくなる傾向にある。
ここで用いられる溶媒としてはメタノール、エタノール
、プロパツール、ブタノール等のアルコール;n−ペン
タン、n−ヘキサン、n−へブタン、n−オクタン等の
炭水化物;アセトン、メチルアセトン、メチルエチルケ
トン等のケトン類;エチルエーテル、イソプロピルエー
テル、n−ブチルエーテル等のエーテル類;酢酸エチル
、酢酸ブチル等のエステル類;メチルセロソルブ、エチ
ルセロソルブ、ブチルセロソルブ等のセロソルブ類;塩
化メチル、塩化メチレン、クロロホルム、1,1.1−
)リクロロエタン等のハロゲン化炭化水素:th!酸、
酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸類;トルエン、キシ
レン等の芳香族化合物を用いることができる。
これらの中ではメタノール、エタノール、プロパツール
、ブタノール等の低級アルコール、メチルセロソルブ、
エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、蟻酸、酢酸、プ
ロピオン酸、トルエン、キシレン、酢酸エチル、酢酸ブ
チル類はこれらの混合物を好ましいものとして挙げるこ
とができる。
この溶液の粘度は塗布のし易さ、塗布された塗膜の均質
性の観点から20センチポアズ以下であることが好まし
く、10センチポアズ以下であることがより好ましい。
この溶液には必要に応じてキレート剤、界面活性剤、染
料等を添加してもよい。
上述の基板上への塗布後の加水分解・共縮合は、塗布後
に溶剤を蒸発させ、次いで焼成あるいは活性エネルギー
照射による加熱硬化により行われる。
焼成の温度条件は60℃以上、かつ基板の熱変形温度よ
り低い温度であることが好ましい。
反射防止層の最外層全体をこのような方法で形成させる
代わりに、上述の珪素アルコキシドとシラン化合物の加
水分解・共縮合物とほぼ同じ屈折率となる物質を用いて
PVD法を用いて最外層の一部を形成し、その上に上述
のようにして珪素アルコキシドとシラン化合物の加水分
解・共縮合物からなる層を形成させてこの2つを合わせ
て最外層となるようにしてもよい。
又、反射防止層を形成する全ての層を真空蒸着法、スパ
ッタリング、イオンブレーティング等各種PVD法を用
いて形成し、その上に反射防止性能に関与しない程度の
厚さ、例えば100六以下の厚さになるように上述の珪
素アルコキシドと一般式(1)で示されるシラン化合物
とを溶媒に溶解し、水と酸とを添加したものを塗布し、
加水分解、共縮合させてもよい。
この加水分解物からなる層の厚みのコントロールは塗布
法が浸漬法であれば引き上げ速度で、スピンコード法で
あれば回転数等を調節することにより行うことができる
(実施例〉 以下に実施例を用いて本発明を説明する。
なお、実施例において下記の各評価項目は下記に従って
評価した。
接触角:接触角計(協和科学社製)を用い、液滴法で測
定した。(測定温度24℃) 耐汚染性:珪素アルコキシドとシラン化合物の共縮合層
の上に水道水2mβを滴下し、室温で24時間放置した
後、乾燥した布でこれを拭き取り、水垢が実質的に除去
可能であった場合を良好、困難であった場合を不良とし
た。
密着性二反射防止層をカミソリでクロスカットして1f
fII11×111fl+の升目を100個作り、その
上に市販のセロハン粘着テープにチバン405)を充分
密着させた後、これを剥離することを3回繰り返し、剥
離しないで残った反射防止層の升目の数を密着性の尺度
c%)とした。
膜厚:エリプソメーター(溝尻光学工業所製)を用いて
測定した。
粘度二回転粘度計(東京計器社製)を用いて測定した。
クラック二反射防止層におけるクラックの存在の有無を
光学顕微鏡(倍率400倍)で観察した。
全光線透過率:JIS  K  7105にしたがって
測定した。
耐塩水性二反射防止層を形成した基板を24℃で5%の
水に24時間浸漬した後の外観を観察し、クラック発生
の有無を観察した。
耐摩耗性:積層体をビロード布(406枚重ね、加重0
.28kg/cm”、30往復/分、5000回)で摩
擦し、傷の発生の有無を調べた。
実施例1 テトラエチルオルソシリケート18.8g 、オクチル
トリメトキシシラン2.0g及びi−プロピルアルコー
ル62.5mlの混合溶液に水9g、塩酸1g及びi−
プロピルアルコールの混合物を添加し、室温で1時間撹
拌混合して更にi−プロピルアルコール300m1を加
えて撹拌して均一混合溶液を得た。この溶液の粘度は1
.42センチポアズであった。
別途、ポリメチルメタクリレート板R板(三菱レイヨン
■製、全光線透過率92%、屈折率1.49)に電子ビ
ーム法を用いてYaks、zro□、 SiO□を順に
蒸着し、これに浸漬法を用いて上述の均一混合液を塗布
しく引き上げ速度2.0cm/lll1n)、室温で5
分間、更に80℃で1時間加熱して硬化させ、膜厚82
0人のY2O3層、膜厚1350人のZrO□層及び蒸
着による膜厚900人とアルコキシドの加水分解重縮合
による膜厚100人の合計1000人の膜厚のSlO□
層の3層からなる反射防止層を形成した。
Y2O3層の屈折率は1.68、Zroa層の屈折率は
2.03、蒸着によるSi0g層の屈折率は1.40、
シランアルコキシドの加水分解・重縮合によるSlO□
層の屈折率は1.44であった。
こうして得られた板の全光線透過率は98.8%であり
、接触角は88°、反射防止層にクラックは認められず
、反射防止層の密着性は100%であり、耐汚染性試験
の結果は良好であった。又、耐塩水性テストでクラック
の発生はなく、耐摩耗試験によって傷もつかなかった。
実施例2 テトラエチルオルソシリケートの量を19.8g、オク
チルトリメトキシシランの量を1.Og、1時間撹拌混
合後に加えるイソプロピルアルコールの量を250m1
とした以外は実施例1と同様にして珪素アルコキシド混
合液を得た。
一方、実施例1で用いたと同様のポリメチルメタクリレ
ート板に電子ビーム法を用いてY2O3及びZrO□を
順に蒸着し、これを上述のようにして準備した珪素アル
コキシド混合液に浸漬し、引き上げ速度6.5cm/w
inで引き上げ、室温下で5分、更に80℃で1時間加
熱して硬化させることにより、合計3層からなる反射防
止層を形成させた。
Y2O3層の屈折率は1.68、膜厚は820人、Zr
O2層の屈折率は2.03、膜厚は1350入、珪素ア
ルコキシドを加水分解・縮合させてなる層の屈折率は1
.44、膜厚は955人であった。又、基板の屈折率は
1.49であった。
こうして得られた板の全光線透過率は99,1%であり
、接触角は98°、反射防止層にクラックは認められず
、反射防止層の密着性は100%であり、耐汚染性試験
の結果は良好であった。又、耐塩水性テストでクラック
の発生はなく、耐摩耗試験によって傷もつかなかった。
実施例3 実施例1で用いたと同様のポリメチルメタクリレート板
に電子ビーム法を用いてY2O3、ZrO2及びSiO
□をこの順に蒸着した。次いで、実施例2で用いたと同
様の珪素アルコキシド混合液に浸漬し、引き上げ速度2
.2cm/winで塗布した後、室温で5分、更に80
℃で1時間加熱して硬化させ、膜厚820人のY2O3
層、膜厚1350人のZroz層及び蒸着による膜厚4
90人とアルコキシドの加水分解重縮合による膜厚47
5人の合計965人の膜厚のSlO□層の3層からなる
反射防止層を得た。Y2O3層の屈折率は1.68、−
Zroa層の屈折率は2.03、蒸着による5IO2層
の屈折率は1.40、アルコキシドの加水分解重縮合に
よる8、0層層の屈折率は1.44であった。こうして
得られた反射防止層を有する板の全光線透過率は99.
2%であり、接触角は98°、反射防止層にクラックは
認められず、反射防止層の密着性は100%であり、耐
汚染性試験の結果は良好であった。
又、耐塩水性テストでクラックの発生はなく、耐摩耗試
験によって傷もつかなかった。
実施例4 実施例1で用いたと同様のポリメチルメタクリレート板
に電子ビーム法を用いて5iOz、A1□03、ZrO
□及び5i(hをこの順に蒸着した。次いで、実施例1
で用いたと同様の珪素アルコキシド均一混合溶液に浸漬
し、引き上げ速度2.0cm/winで塗布した後、室
温下で5分、更に80℃で1時間加熱して硬化させ、膜
厚980人のSi0g層、膜厚860人のA1201層
、膜厚1350人のZroz層及び蒸着による膜厚90
0人とアルコキシドの加水分解重縮合による膜厚100
人の合計1000人の膜厚のSlO□層の4層からなる
反射防止層を得た。Altos層の屈折率は1.60、
Zroi層の屈折率は2.03、蒸着による310a層
の屈折率は1.40、アルコキシドの加水分解重縮合に
よるS+Oa層の屈折率は1.44であった。こうして
得られた反射防止層を有する板の全光線透過率は98.
8%であり、接触角は89°、反射防止層にクラックは
認められず、反射防止層の密着性は100%であり、耐
汚染性試験の結果は良好であった。又、耐塩水性テスト
でクラックの発生はなく、耐摩耗試験によって傷もつか
なかった。
実施例5 実施例1で用いたと同様のポリメチルメタクリレート板
に電子ビーム法を用いてSiO□、A11as及びZr
O□をこの順に蒸着した。次いで、実施例2で用いたと
同様の珪素アルコキシド混合液に浸漬し、引き上げ速度
6.5cm/winで塗布した後、室温下で5分、更に
80℃で1時間加熱して硬化させ、膜厚980人のSi
O□層、膜厚860人のAizos層、膜厚1350A
のZrO□層及び膜厚955人のアルコキシドの加水分
解重縮合によるSiO□層からなる4層の反射防止層が
設けられた板を得た。AhOm層の屈折率は1.60、
Zroa層の屈折率は2,03、蒸着によるS、O。
層の屈折率は1.40、アルコキシドの加水分解重縮合
による8、02層の屈折率は1.44であった。こうし
て得られた反射防止層を有する板の全光線透過率は98
.6%であり、接触角は98°、反射防止層にクラック
は認められず、反射防止層の密着性は100%であり、
耐汚染性試験の結果は良好であった。
又、耐塩水性テストでクラックの発生はなく、耐摩耗試
験によって傷もつかなかった。
実施例6 実施例1で用いたと同様のポリメチルメタクリレート板
に電子ビーム法を用いてWO2を蒸着した。
次いで、実施例2で用いたと同様の珪素アルコキシド混
合液に浸漬し、引き上げ速度6.5cm/winで塗布
した後、室温で5分、更に80℃で1時間加熱して硬化
させ、2層からなる反射防止層を形成させた。WO2層
の膜厚は785人、屈折率は1.75であり、SiO□
層の膜厚は955λ、屈折率は1.44であった。こう
して得られた反射防止層を有する板の全光線透過率は9
7.5%であり、接触角は98°、反射防止層にクラッ
クは認められず、反射防止層の密着性は100%であり
、耐汚染性試験の結果は良好であった。又、耐塩水性テ
ストでクラックの発生はなく、耐摩耗試験によって傷も
つがなかった。
実施例7〜18 オクチルトリメトキシシランの代わりに同量の第1表に
示したアルコキシシランを用いた以外は実施例2と同様
にした。
こうして得られた板はいずれもYio、層の屈折率は1
.68、膜厚は820人、Zroz層の屈折率は2.o
3、膜厚は1350入、珪素アルコキシドを加水分解・
縮合させてなる層の屈折率は1.44、膜厚は955人
であった。得られた板の接触角は82°、反射防止層に
クラックは認められず、反射防止層の密着性は100%
であり、耐汚染性試験の結果は良好であった。又、耐塩
水性テストでクラックの発生はなく、耐摩耗試験によっ
て傷つかなかった。得られた板の全光線透過率及び接触
角を第1表に示す。
(以下余白) 第1表 実施例19 テトラエチルオルソシリケートの量を18.7g、オク
チルトリメトキシシランの量を2.1gとした以外は実
施例2と同様にした。得られた反射防止層を有する板の
全光線透過率は99.1%であり、反射防止層の最表層
(SiO□層)の屈折率は1.44、膜厚は955人で
あり、接触角は98°であり、反射防止層にクラックは
認められず、反射防止層の密着性は100%であり、耐
汚染性試験の結果は良好であった。又、耐塩水性テスト
でクラックの発生はなく、耐摩耗試験によって傷つかな
かった。
実施例20 テトラエチルオルソシリケートの量を20.7g、オク
チルトリメトキシシランの量を061gとした以外は実
施例2と同様にした。得られた反射防止層を有する板の
全光線透過率は99.1%であり、反射防止層の最表層
(Si0g層)の屈折率は1.44、膜厚は955人で
あり、接触角は85°であり、反射防止層にクラックは
認められず、反射防止層の密着性は100%であり、耐
汚染性試験の結果は良好であった。又、耐塩水性テスト
でクラックの発生はなく、耐摩耗試験によって傷つかな
かった。
実施例21 ポリメチルメタクリレート板の代わりにポリカーボネー
トAR板(三菱レイヨン■製、全光線透過率87%、屈
折率1.59)を用いた以外は実施例2と同様にした。
得られた板の全光線透過率は95%であり、反射防止層
の最表層(SiO□層)の屈折率は1.44、膜厚は9
55人であり、接触角は98°であり、反射防止層にク
ラックは認められず、反射防止層の密着性は100%で
あり、耐汚染性試験の結果は良好であった。又、耐塩水
性テストでクラックの発生はなく、耐摩耗試験によって
傷つかなかった。
実施例22 実施例1で用いたと同様のポリメチルメタクリレート板
に電子ビーム法を用いてY2O3、ZrO□及びMgF
zをこの順に蒸着した。次いで、実施例1で用いたと同
様のアルコキシシランの均一混合溶液を浸漬法を用いて
引き上げ速度2.0cm/minで塗布した後、室温で
5分、更に80℃で1時間加熱して硬化させた。得られ
た板の全光線透過率は98.9%であった。
Y2O3層の屈折率は1.68、膜厚は820人、Zr
oz層の屈折率は2.03、膜厚は1350人、MgF
 z層の屈折率は1.38、膜厚は995人であり、5
iOa層の屈折率は1.44、膜厚は100人であった
。得られた板の接触角は88°であり、反射防止層にク
ラックは認められず、反射防止層の密着性は100%で
あり、耐汚染性試験の結果は良好であり、耐塩水性テス
トでクラックの発生はなく、耐摩耗試験によって傷つか
なかった。
実施例23 実施例1で用いたと同様のポリメチルメタクリレート板
に電子ビーム法を用いてSiO□、AIJa、ZrOa
及びMgF2をこの順に蒸着した。次いで、実施例1で
用いたと同様のアルコキシシランの均一混合溶液を浸漬
法を用いて引き上げ速度2.0cm10Iinで塗布し
た後、室温で5分、更に80℃で1時間加熱して硬化さ
せた。得られた板の全光線透過率は98.9%であった
蒸着によるSin、層の屈折率は1.40、膜厚は98
0人、AIxos層の屈折率は1.60、膜厚は860
人、Zroz層の屈折率は2.03、膜厚は1350入
、MgF 2層の屈折率は1.38、膜厚は995人で
あり、アルコキシシランの加水分解・重縮合によるSi
O□層の屈折率は1.44、膜厚は100人であった。
得られた板の接触角は89°であり、反射防止層にクラ
ックは認められず、反射防止層の密着性は100%であ
り、耐汚染性試験の結果は良好であり、耐塩水性テスト
でクラックの発生はなく、耐摩耗試験によって傷つかな
かった。
比較例1 実施例1と同様にしてポリメチルメタクリレート板R板
(三菱レイヨン■製、全光線透過率92%、屈折率1.
49)に電子ビーム法を用いてYzOs、 Zr0i。
SiO□を順に蒸着して3層からなる反射防止層を形成
した。(yzos層の屈折率1,68、膜厚820人、
ZrO□層の屈折率2.03、膜厚1350人、SiO
□層の屈折率1.40、膜厚980人) 得られた板の反射防止層にクラックは認められず、反射
防止層の密着性は100%であり、耐摩耗試験によって
傷つかなかったが、接触角は16°と小さく、このため
、耐汚染性試験の結果は不良であった。
比較例2 反射防止層の表面にアルコキシシラン均一混合溶液を塗
布して硬化させる代わりに弗化アルキル基を一成分とす
るA−B型のアクリルブロック共重合体であるモディパ
ーF100 (日本油脂■製、水酸基価36、固形分3
0%)20部にコロネートEH(日本ポリウレタン工業
■製)のメチルイソブチルケトン/シクロヘキサノン(
40760重量比) 15重量%溶液5.06部とジブ
チル錫ジラウレートのメチルイソブチルケトン/シクロ
ヘキサノン(40/60重量比) 0.0001%溶液
0.34部を加えて撹拌混合溶解させ、この溶液1.2
部をメチルイソブチルケトン/シクロヘキサノン(40
/60重量比)338部で希釈したものを塗布し、10
0℃の熱風循環乾燥機中で1時間加熱硬化させた以外は
実施例1と同様にした。
得られた板の全光線透過率は99.3%であり、接触角
は9rであり、耐汚染性試験の結果は良好で、密着性も
100%であり、反射防止層にクラックの発生は認めら
れなかったが、耐摩耗試験によって最表層が剥離した。
比較例3 反射防止層の表面にアルコキシシラン均一混合溶液を塗
布して硬化させる代わりに両末端にシラノール基を有す
るジメチルポリシロキサン(数平均分子量26,000
) 10部に炭化水素溶媒であるアイソパーEを10部
加えて溶解し、これにエチルトリアセトキシシラン1部
、ジブチル錫ジアセテート0.05部を各々添加混合、
室温に1昼夜放置した後更にトルエン1080部を加え
均一溶液とした後濾過精製したものを2 cm/win
の引き上げ速度で浸漬塗布し、室温で1昼夜放置して硬
化させた以外は実施例1と同様にした。
得られた板の全光線透過率は99.2%であり、接触角
は96°であり、耐汚染性試験の結果は良好で、密着性
も100%であり、反射防止層にクラックの発生は認め
られなかったが、耐摩耗試験によって最表層が剥離した
(発明の効果) 以上述べたように、本発明の方法によればクラックの発
生も少なく、反射防止膜の基板への接着ができるという
優れた特徴を有する。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)有機高分子基板上に多層の反射防止層を形成し、し
    かも、該反射防止層の構成が基板側から最外層に隣接す
    る層まで順に屈折率が高く、最外層の屈折率が最も低い
    ものである反射防止層を形成させる方法において、少な
    くとも反射防止層の最外層に隣接する層まではPVD法
    で形成し、最外層の少なくとも大気に接する側を珪素ア
    ルコキシドと下記一般式(1)で表わされるシラン化合
    物とを含む珪素アルコキシド混合物に水と酸とを添加し
    たものを塗布、加水分解、共縮合せしめて水に対する接
    触角が60度以上であるものとすることを特徴とする反
    射防止層の形成方法。 SiR^1_mR^2_n(OR^3)_4_−_m_
    −_n(1)(式中、R^1、R^2は各々独立にビニ
    ル基、アミノ基、(メタ)アクリロイルオキシ基、メル
    カプト基、エポキシ基、塩素及び弗素から選ばれる置換
    基を有していてもよい炭素数1〜20のアルキル基、炭
    素数1〜20のアルケニル基又は炭素数6〜12のアリ
    ール基であり、R^3は炭素数1〜4の炭化水素基を示
    し、m及びnは0、1又は2であって、但し、m+nは
    1又は2を満足するものである。) 2)有機高分子基板上にPVD法により多層の反射防止
    層を形成し、しかも、該反射防止層の構成が基板側から
    最外層に隣接する層まで順に屈折率が高く、最外層の屈
    折率が最も低いものである反射防止層を形成させ、その
    最外層の表面に珪素アルコキシドと下記一般式(1)で
    表わされるシラン化合物とを含む珪素アルコキシド混合
    物に水と酸とを添加したものを塗布、加水分解、共縮合
    せしめて水に対する接触角が60度以上である薄層を形
    成することを特徴とする反射防止層の形成方法。 SiR^1_mR^2_n(OR^3)_4_−_m_
    −_n(1)(式中、R^1、R^2、R^3、m及び
    nは前述の意味を表す。)
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007078780A (ja) * 2005-09-12 2007-03-29 Seiko Epson Corp 光学物品およびその製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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