JPH03252519A - ミクロン変位計 - Google Patents
ミクロン変位計Info
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- JPH03252519A JPH03252519A JP5092790A JP5092790A JPH03252519A JP H03252519 A JPH03252519 A JP H03252519A JP 5092790 A JP5092790 A JP 5092790A JP 5092790 A JP5092790 A JP 5092790A JP H03252519 A JPH03252519 A JP H03252519A
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- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ミクロン変位計、特に、レーザを用いたミク
ロン変位計に関する。
ロン変位計に関する。
従来のミクロン変位計は、
（Ａ）半導体レーザ駆動回路、
（Ｂ）前記駆動回路により駆動される半導体レーザ、
（Ｃ）前記半導体レーザにより発光されたレーザを測定
対象物に対し投光する投光レンズ、（Ｄ）前記投光され
たレーザ光が測定対象物で反射した反射光を受光する受
光レンズ、（Ｅ）前記受光レンズを透過したレーザ光の
位置を検出する光位置検出素子、 （Ｆ）前記光位置検出素子の出力から変位量を求める制
御部、 とを含んで構成される。
対象物に対し投光する投光レンズ、（Ｄ）前記投光され
たレーザ光が測定対象物で反射した反射光を受光する受
光レンズ、（Ｅ）前記受光レンズを透過したレーザ光の
位置を検出する光位置検出素子、 （Ｆ）前記光位置検出素子の出力から変位量を求める制
御部、 とを含んで構成される。
次に従来のミクロン変位計について図面を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
第２図は従来の一例を示すブロック図である。
第２図に示すミクロン変位計は、
（Ａ）半導体レーザ駆動回路１、
（Ｂ）前記駆動回路１により駆動される半導体レーザ２
、 （Ｃ）前記半導体レーザ２により発光されたレーザ光を
測定対象物に対し投光する投光レンズ３、 （Ｄ）前記投光レンズ３を透過し測定対象物に投光され
更に反射した反射光を受光する受光レンズ４、 （Ｅ）前記受光レンズ４を透過したレーザ光の位置を検
出する光位置検出素子７、 （Ｆ）前記光位置検出素子７の出力から変位量を求める
制御部６、 からなっている。
、 （Ｃ）前記半導体レーザ２により発光されたレーザ光を
測定対象物に対し投光する投光レンズ３、 （Ｄ）前記投光レンズ３を透過し測定対象物に投光され
更に反射した反射光を受光する受光レンズ４、 （Ｅ）前記受光レンズ４を透過したレーザ光の位置を検
出する光位置検出素子７、 （Ｆ）前記光位置検出素子７の出力から変位量を求める
制御部６、 からなっている。
半導体レーザ駆動回路１により駆動された半導体レーザ
２は、レーザ光を発光する。
２は、レーザ光を発光する。
このレーザ光は投光レンズ３を透過し測定対象物に投光
される。
される。
測定対象物の表面と裏面で反射したレーザ光は共に受光
レンズ４に入光し、光位置検出素子７上に像を結ぶ。
レンズ４に入光し、光位置検出素子７上に像を結ぶ。
ここでの光検出素子は、例えばＰＳＤが用いられており
、とのＰＳＤは入光したレーザ光の強度比で光位置を一
つだけ出力する。前記光位置検出素子７が出力した結果
から制御部６が変位量を求める。
、とのＰＳＤは入光したレーザ光の強度比で光位置を一
つだけ出力する。前記光位置検出素子７が出力した結果
から制御部６が変位量を求める。
測定対象物の反射率が低い場合、測定対象物の表面で反
射する表面反射光と、−度測定対象物内に屈折して入光
し、裏面で反射する裏面反射光が生じる。
射する表面反射光と、−度測定対象物内に屈折して入光
し、裏面で反射する裏面反射光が生じる。
この２つの反射光が共に光位置検出素子上に像を結ぶと
、光位置検出素子はその重心位置を出力する。
、光位置検出素子はその重心位置を出力する。
上述した従来のミクロン変位計は、光位置検出素子に２
つの光が入光した場合、その重心位置を出力するため、
測定対象物の反射率が低い場合、表面反射光と裏面反射
光が共に光位置検出素子に入光すると、それぞれの位置
を別個にとらえることが出来ないため、正しい変位量が
測定できないという欠点があった。
つの光が入光した場合、その重心位置を出力するため、
測定対象物の反射率が低い場合、表面反射光と裏面反射
光が共に光位置検出素子に入光すると、それぞれの位置
を別個にとらえることが出来ないため、正しい変位量が
測定できないという欠点があった。
本発明のミクロン変位計は、
（Ａ）半導体レーザ駆動回路、
ＣＢ）前記駆動回路により駆動される半導体レーザ、
（Ｃ）前記半導体レーザにより発光されたレーザを測定
対象物に対し投光する投光レンズ、（Ｄ）前記投光され
たレーザ光が測定対象物で反射した反射光を受光する受
光レンズ、（Ｅ）前記受光レンズを透過したレーザ光の
位置を検出する１次元ラインセンサ、 （Ｆ）前記１次元ラインセンサが検出した表面反射光及
び裏面反射光の位置から測定対象物の変位量を求める制
御部、 とを含んで構成される。
対象物に対し投光する投光レンズ、（Ｄ）前記投光され
たレーザ光が測定対象物で反射した反射光を受光する受
光レンズ、（Ｅ）前記受光レンズを透過したレーザ光の
位置を検出する１次元ラインセンサ、 （Ｆ）前記１次元ラインセンサが検出した表面反射光及
び裏面反射光の位置から測定対象物の変位量を求める制
御部、 とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について、図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図である。
第１図に示すミクロン変位計は、
（Ａ）半導体レーザ駆動回路１、
（Ｂ）前記駆動回路１により駆動される半導体レーザ２
、 （Ｃ）前記半導体レーザ２により発光されたレーザ光を
測定対象物に対し投光する投光レンズ３、 ＣＤ）前記投光レンズ３を透過し測定対象物に投光され
更に反射した反射光を受光する受光レンズ４、 （Ｅ）前記受光レンズ４を透過したレーザ光の位置を検
出する１次元ラインセンサ５、（Ｆ）前記１次元ライン
センサ５が検出した表面反射光及び裏面反射光の位置か
ら測定対象物の変位量を求める制御部６、 とを含んで構成される。
、 （Ｃ）前記半導体レーザ２により発光されたレーザ光を
測定対象物に対し投光する投光レンズ３、 ＣＤ）前記投光レンズ３を透過し測定対象物に投光され
更に反射した反射光を受光する受光レンズ４、 （Ｅ）前記受光レンズ４を透過したレーザ光の位置を検
出する１次元ラインセンサ５、（Ｆ）前記１次元ライン
センサ５が検出した表面反射光及び裏面反射光の位置か
ら測定対象物の変位量を求める制御部６、 とを含んで構成される。
半導体レーザ駆動回路１により駆動された半導体レーザ
２は、レーザ光を発する。
２は、レーザ光を発する。
このレーザ光は投光レンズ３を透過し測定対象物に投光
される。
される。
測定対象物の表面と裏面で反射したレーザ光は共に受光
レンズ４に入光し、更に１次元ラインセンサ５に入光す
る。
レンズ４に入光し、更に１次元ラインセンサ５に入光す
る。
１次元ラインセンサ５は、表面反射光の位置と、裏面反
射光の位置を２つとも出力することが出来るため、容易
に表面反射光と裏面反射光を分離することができる。
射光の位置を２つとも出力することが出来るため、容易
に表面反射光と裏面反射光を分離することができる。
制御部６は、１次元ラインセンサ５の出力である表面反
射光の位置あるいは裏面反射光の位置を用い、測定対象
物の表面の変位量あるいは裏面の変位量を求め外部に出
力する。
射光の位置あるいは裏面反射光の位置を用い、測定対象
物の表面の変位量あるいは裏面の変位量を求め外部に出
力する。
以上のように本発明のミクロン変位計は、光位置検出素
子に１次元ラインセンサを用いることにより、測定対象
物からの表面反射光と裏面反射光をそれぞれ別個にとら
えることが出来るため、測定対象物の表面の変位を測定
する場合は表面反射光の位置を、裏面の変位を測定する
場合は裏面反射光の位置を用いて正しい変位量が測定で
きるという効果がある。
子に１次元ラインセンサを用いることにより、測定対象
物からの表面反射光と裏面反射光をそれぞれ別個にとら
えることが出来るため、測定対象物の表面の変位を測定
する場合は表面反射光の位置を、裏面の変位を測定する
場合は裏面反射光の位置を用いて正しい変位量が測定で
きるという効果がある。
第１図は、本発明の一実施例を示すブロック図、第２図
は従来の一例を示すブロック図である。 ２・・・半導体レーザ、３・・・投光レンズ、４・・・
受光レンズ、５・・・１次元ラインセンサ、７・・・光
位置検出素子。
は従来の一例を示すブロック図である。 ２・・・半導体レーザ、３・・・投光レンズ、４・・・
受光レンズ、５・・・１次元ラインセンサ、７・・・光
位置検出素子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （Ａ）半導体レーザ駆動回路、 （Ｂ）前記駆動回路により駆動される半導体レーザ、 （Ｃ）前記半導体レーザにより発光されたレーザを測定
対象物に対し投光する投光レンズ、 （Ｄ）前記投光されたレーザ光が測定対象物で反射した
反射光を受光する受光レンズ、 （Ｅ）前記受光レンズを透過したレーザ光の位置を検出
する１次元ラインセンサ、 （Ｆ）前記１次元ラインセンサが検出した表面反射光及
び裏面反射光の位置から測定対象物の変位量を求める制
御部、 とを含むことを特徴とするミクロン変位計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5092790A JPH03252519A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | ミクロン変位計 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5092790A JPH03252519A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | ミクロン変位計 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03252519A true JPH03252519A (ja) | 1991-11-11 |
Family
ID=12872446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5092790A Pending JPH03252519A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | ミクロン変位計 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03252519A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001159516A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-12 | Keyence Corp | 光学式変位計 |
-
1990
- 1990-03-02 JP JP5092790A patent/JPH03252519A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001159516A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-12 | Keyence Corp | 光学式変位計 |
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