JPH03252178A - 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子Info
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- JPH03252178A JPH03252178A JP2050212A JP5021290A JPH03252178A JP H03252178 A JPH03252178 A JP H03252178A JP 2050212 A JP2050212 A JP 2050212A JP 5021290 A JP5021290 A JP 5021290A JP H03252178 A JPH03252178 A JP H03252178A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は青色発光の窒化ガリウム系化合物半導体発光素
子に関する。
子に関する。
従来、青色の発光ダイオードとしてＧａＮ系の化合物半
導体を用いたものが知られている。そのＧａＮ系の化合
物半導体は直接遷移であることから発光効率が高いこと
、光の３原色の１つである青色を発光色とすること等か
ら注目されている。 このようなＧａＮ系の化合物半導体を用いた発光ダイオ
ードは、サファイア基板上に直接又は窒化アルミニウム
から成るバッファ層を介在させて、Ｎ導電型のＧａＮ系
の化合物半導体から成るＮ層を成長させ、そのＮ層の上
にＰ型不純物を添加してＩ型のＧａＮ系の化合物半導体
から成る１層を成長させた構造をとっている（特開昭６
２−１１９１９６号公報、特開昭６３−１８８９７７号
公報）。
導体を用いたものが知られている。そのＧａＮ系の化合
物半導体は直接遷移であることから発光効率が高いこと
、光の３原色の１つである青色を発光色とすること等か
ら注目されている。 このようなＧａＮ系の化合物半導体を用いた発光ダイオ
ードは、サファイア基板上に直接又は窒化アルミニウム
から成るバッファ層を介在させて、Ｎ導電型のＧａＮ系
の化合物半導体から成るＮ層を成長させ、そのＮ層の上
にＰ型不純物を添加してＩ型のＧａＮ系の化合物半導体
から成る１層を成長させた構造をとっている（特開昭６
２−１１９１９６号公報、特開昭６３−１８８９７７号
公報）。
しかし、上記構造の発光ダイオードの発光強度は未だ十
分ではなく、改良が望まれている。 そこで、本発明の目的は、ＧａＮ系の化合物半導体の発
光ダイオードの青色の発光強度を向上させることである
。
分ではなく、改良が望まれている。 そこで、本発明の目的は、ＧａＮ系の化合物半導体の発
光ダイオードの青色の発光強度を向上させることである
。
本発明は、Ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（Ａｊ！
ｘＧａ＋−Ｊ：Ｘ＝０を含む）からなるＮ層と、Ｐ型不
純物を添加したＩ型の窒化ガリウム系化合物半導体（Ａ
ｌｘＧａ１−ｘＮ；Ｘ＝Ｏを含む）からなる１層とを有
する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、１
層を、Ｎ層と接合する側から順に、Ｐ型不純物が比較的
低濃度の低不純物濃度ＩＬ層とＰ型不純物が比較的高濃
度の高不純物濃度ＩＨ層との一重層構造としたことを特
徴とする。 尚、上記低不純物濃度ＩＬ層の不純物濃度はｌＸ１０１
′〜５×１０１ｓ／ｃｆｆ！で膜厚はＯ−０１〜１ ｕ
ｓが望ましい。不純物濃度が５Ｘ１０”／ｃｎｆ以上と
なると発光ダイオードの直列抵抗が増大したり、立上が
り電圧が上昇するので望ましくなく、ｌＸｌ０”／ｃａ
ｔ以下となるとＮ導電型となるので望ましくない。 又、膜厚が１μｓ以上となると発光ダイオードの直列抵
抗が増大したり、立上がり電圧が上昇するので望ましく
なく、膜厚が０．０ｂａｎ以下となると従来構造と等し
くなるので望ましくない。 更に、高不純物濃度■８層の不純物濃度は１×ｌＯ””
５ｘ １０”／ ｃｕｔで膜厚は０．０２〜０．３μ
ｓが望ましい。不純物濃度が５ｘｌＱ”／ｃａ！ｃｕｔ
なると結晶性が悪化するので望ましくなく、ｌＸｌ０”
／ｃｏ！ｃｕｔなると発光強度が低下するので望ましく
ない。 又、膜厚が０．３層ｍ以上きなると発光ダイオードの直
列抵抗が増大したり、立上がり電圧が上昇するので望ま
しくなく、膜厚が０． Ｏ２Ａｍ以下となると１層が破
壊されるので望ましくない。
ｘＧａ＋−Ｊ：Ｘ＝０を含む）からなるＮ層と、Ｐ型不
純物を添加したＩ型の窒化ガリウム系化合物半導体（Ａ
ｌｘＧａ１−ｘＮ；Ｘ＝Ｏを含む）からなる１層とを有
する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、１
層を、Ｎ層と接合する側から順に、Ｐ型不純物が比較的
低濃度の低不純物濃度ＩＬ層とＰ型不純物が比較的高濃
度の高不純物濃度ＩＨ層との一重層構造としたことを特
徴とする。 尚、上記低不純物濃度ＩＬ層の不純物濃度はｌＸ１０１
′〜５×１０１ｓ／ｃｆｆ！で膜厚はＯ−０１〜１ ｕ
ｓが望ましい。不純物濃度が５Ｘ１０”／ｃｎｆ以上と
なると発光ダイオードの直列抵抗が増大したり、立上が
り電圧が上昇するので望ましくなく、ｌＸｌ０”／ｃａ
ｔ以下となるとＮ導電型となるので望ましくない。 又、膜厚が１μｓ以上となると発光ダイオードの直列抵
抗が増大したり、立上がり電圧が上昇するので望ましく
なく、膜厚が０．０ｂａｎ以下となると従来構造と等し
くなるので望ましくない。 更に、高不純物濃度■８層の不純物濃度は１×ｌＯ””
５ｘ １０”／ ｃｕｔで膜厚は０．０２〜０．３μ
ｓが望ましい。不純物濃度が５ｘｌＱ”／ｃａ！ｃｕｔ
なると結晶性が悪化するので望ましくなく、ｌＸｌ０”
／ｃｏ！ｃｕｔなると発光強度が低下するので望ましく
ない。 又、膜厚が０．３層ｍ以上きなると発光ダイオードの直
列抵抗が増大したり、立上がり電圧が上昇するので望ま
しくなく、膜厚が０． Ｏ２Ａｍ以下となると１層が破
壊されるので望ましくない。
本発明は、１層を、Ｎ層と接合する側から順に、Ｐ型不
純物が比較的低濃度の低不純物濃度ＩＬ層とＰ型不純物
が比較的高濃度の高不純物濃度１１１層との二重層構造
としたことで、発光ダイオードの青色の発光強度を増加
させることができた。 即ち、Ｎ層から電子が注入されるとき、Ｎ層に接合する
１層を低不純物濃度ＩＬ層とすることで、電子はその低
不純物濃度ＩＬ層及びその近傍でトラップされることな
く、次の高不純物濃度１□層に注入される。このため、
電子は発光効率の悪いＮ層に接合した低不純物濃度１１
層を通過して、高不純物濃度Ｉ＠層に至り、その高不純
物濃度１１層において、高効率で発光することになる。
純物が比較的低濃度の低不純物濃度ＩＬ層とＰ型不純物
が比較的高濃度の高不純物濃度１１１層との二重層構造
としたことで、発光ダイオードの青色の発光強度を増加
させることができた。 即ち、Ｎ層から電子が注入されるとき、Ｎ層に接合する
１層を低不純物濃度ＩＬ層とすることで、電子はその低
不純物濃度ＩＬ層及びその近傍でトラップされることな
く、次の高不純物濃度１□層に注入される。このため、
電子は発光効率の悪いＮ層に接合した低不純物濃度１１
層を通過して、高不純物濃度Ｉ＠層に至り、その高不純
物濃度１１層において、高効率で発光することになる。
以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
第１図において、発光ダイオード１０は、サファイア基
板１を有しており、そのサファイア基板１に５００人の
ＡＩＮのバッファ層２が形成されている。そのバッファ
層２の上には、順に、膜厚的２２μｓのＧａＮから成る
８層３と、Ｚｎ濃度５Ｘ１０”／ ｃｕｔの低不純物濃
度ＩＬ層５、Ｚｎ濃度２Ｘ １０”／ ｃｒｌの高不純
物濃度Ｉｇ層６とが形成されている。そして、高不純物
濃度Ｉ８層６に接続するアルミニウムで形成された電極
７と８層３に接続するアルミニウムで形成された電極８
とが形成されている。 次に、この構造の発光ダイオード１０の製造方法につい
て説明する。 上記発光ダイオード１０は、有機金属化合物気相成長法
（以下ｒＭＯＶＰＥ Ｊと記す）による気相成長により
製造された。 用いられたガスは、ＮＨ５とキャリアガスＨ２とトリメ
チルガリウム（Ｇａ （ＣＬ） ａ） （以下ｒＴＭＧ
Ｊと記す）とトリメチルアルミニウム（ＡＩ（Ｃ）１
３）ａ） （以下ｒＴＭＡ」と記す）とジエチル亜鉛（
以下ｒＤＥＺＪと記す）である。 まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄した６面を主面と
する単結晶のサファイア基板１をＭＯＶＰＥ装置の反応
室に載置されたサセプタに装着する。 次に、常圧でＨ２を流速２１７分で反応室に流しながら
温度１１００℃でサファイア基板１を気相エツチングし
た。 次に、温度を４００℃まで低下させて、Ｈ２を流速２０
１／分、ＮＨ３を流速１０１／分、ＴＭＡをＩＨ８Ｘ
１０−Ｓモル７分で供給してＡＩＮのバッファ層２が約
５００人の厚さに形成された。 次に、ＴＭＡの供給を停止して、サファイア基板１の温
度を１１５０℃に保持し、Ｈ２を２０１／分、ＮＨ８を
１０１／分、ＴＭＧをＩＨ７Ｘ １０−’モルフ分、膜
厚的４μｓ、キャリア濃度５Ｘ１０”／ ｃｒｌのＧａ
Ｎから成る８層３を形成した。 次に、サファイア基板１を１０００℃にして、Ｈ２を２
０１／分、ＮＨ３を１０１／分、ＴＭＧをＩＨ７Ｘ １
０−’モル／分、ＤＥＺをＩＨ５Ｘ １０−’モル／分
の割合で供給して、膜厚０．２Ｉｆｆｉ、ＧａＮから戊
るＺｎ濃度５Ｘ１０”／−の低不純物濃度１１層５を形
成した。 続いて、サファイア基板１を９００℃にして、Ｈ２を２
０１／分、Ｎ１ＩＨを１０１／分、ＴＭＧをＩＨ７ Ｘ
ｌ０−’モル／分、ＤＥＺをＩＨ５Ｘ １０−’モル／
分の割合で供給して、膜厚０．２虜、ＧａＮから成るＺ
ｎ濃度２Ｘ １０”／ｄの高不純物濃度■。層６を形成
した。 このようにして、第２図に示すような多層構造が得られ
た。 次に、第３図に示すように、高不純物濃度ＩＬ層６の上
に、スパッタリングにより５１０２層１１を２０００人
の厚さに形成した。次に、その８１０２層１１上ニフオ
トレジスト１２を塗布して、フォトリソグラフにより、
そのフォトレジスト１２を８層３に対する電極形成部位
のフォトレジストを除去したパターンに形成した。 次に、第４図に示すように、フォトレジスト１２によっ
て覆われていない５層０２層１１をフッ酸系エツチング
液で除去した。 次に、第５図に示すように、フォトレジスト１２及び５
１０２層１１によって覆われていない部位の高不純物濃
度１８層６とその下の低不純物濃度Ｉ、層５と８層３の
上面一部を、真空度０．０４Ｔｏｒｒ。 高周波電力０．４４Ｗ／ｃｏ！、ＣＣｊ！ａｈガスを１
０ｃｃ／分供給してドライエツチングした後、Ａｒでド
ライエツチングした。 次に、第６図に示すように、Ｉｎ層６上に残っているＳ
＋Ｏａ層１１をフッ酸で除去した。 次に、第７図に示すように、試料の上全面にＡ１１３を
蒸着により形成した。そして、そのＡ１層１３の上にフ
ォトレジスト１４を塗布して、フォトリソグラフにより
、そのフォトレジスト１４が８層３及び高不純物濃度Ｉ
下層６に対する電極部が残るように、所定形状にパター
ン形成した。 次に、第７図に示すようにそのフォトレジスト１４をマ
スクとして下層のＡＩ層１３の露出部を硝酸系エツチン
グ液でエツチングし、フォトレジスト１４をアセトンで
除去し、８層３の電極８、ＩＨＮ層の電極７を形成した
。 このようにして、第１図に示す構造の旧Ｓ （Ｍｅｔａ
］−１ｎｓｕ ｌａｔｏｒ−５層ｍ １ｃｏｎｄｕｃｔ
ｏｒ）構造の窒化ガリウム系発光素を製造することがで
きる。 このようにして製造された発光ダイオード１０の発光強
度を測定したところ、０．２ｎ＋ｃｄであった。 これは、単純にキャリア濃度２Ｘ １０”／ ｃｒｌ、
厚さ０．２即の１層とキャリア濃度５ｘ １０１７／
ｃａｔ、厚さ４ｕｎのＮ層とを接続した従来の発光ダイ
オードに比べて、発光強度が４倍に向上した。 又、発光面を観察した所、発光点の数が増加しているこ
とも観察された。 尚、高不純物濃度Ｉ□層６の不純物濃度を各種変化させ
た上記構造の試料を製造して、不純物濃度と発光強度及
び発光スペクトラムとの関係を測定した。その結果を、
第８図に示す。 不純物濃度が増加するに連れて、発光強度が増加する。 しかし、発光波長は幾分、赤色側に変位するが約４８５
０人で安定することが分かる。
板１を有しており、そのサファイア基板１に５００人の
ＡＩＮのバッファ層２が形成されている。そのバッファ
層２の上には、順に、膜厚的２２μｓのＧａＮから成る
８層３と、Ｚｎ濃度５Ｘ１０”／ ｃｕｔの低不純物濃
度ＩＬ層５、Ｚｎ濃度２Ｘ １０”／ ｃｒｌの高不純
物濃度Ｉｇ層６とが形成されている。そして、高不純物
濃度Ｉ８層６に接続するアルミニウムで形成された電極
７と８層３に接続するアルミニウムで形成された電極８
とが形成されている。 次に、この構造の発光ダイオード１０の製造方法につい
て説明する。 上記発光ダイオード１０は、有機金属化合物気相成長法
（以下ｒＭＯＶＰＥ Ｊと記す）による気相成長により
製造された。 用いられたガスは、ＮＨ５とキャリアガスＨ２とトリメ
チルガリウム（Ｇａ （ＣＬ） ａ） （以下ｒＴＭＧ
Ｊと記す）とトリメチルアルミニウム（ＡＩ（Ｃ）１
３）ａ） （以下ｒＴＭＡ」と記す）とジエチル亜鉛（
以下ｒＤＥＺＪと記す）である。 まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄した６面を主面と
する単結晶のサファイア基板１をＭＯＶＰＥ装置の反応
室に載置されたサセプタに装着する。 次に、常圧でＨ２を流速２１７分で反応室に流しながら
温度１１００℃でサファイア基板１を気相エツチングし
た。 次に、温度を４００℃まで低下させて、Ｈ２を流速２０
１／分、ＮＨ３を流速１０１／分、ＴＭＡをＩＨ８Ｘ
１０−Ｓモル７分で供給してＡＩＮのバッファ層２が約
５００人の厚さに形成された。 次に、ＴＭＡの供給を停止して、サファイア基板１の温
度を１１５０℃に保持し、Ｈ２を２０１／分、ＮＨ８を
１０１／分、ＴＭＧをＩＨ７Ｘ １０−’モルフ分、膜
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Ｎから成る８層３を形成した。 次に、サファイア基板１を１０００℃にして、Ｈ２を２
０１／分、ＮＨ３を１０１／分、ＴＭＧをＩＨ７Ｘ １
０−’モル／分、ＤＥＺをＩＨ５Ｘ １０−’モル／分
の割合で供給して、膜厚０．２Ｉｆｆｉ、ＧａＮから戊
るＺｎ濃度５Ｘ１０”／−の低不純物濃度１１層５を形
成した。 続いて、サファイア基板１を９００℃にして、Ｈ２を２
０１／分、Ｎ１ＩＨを１０１／分、ＴＭＧをＩＨ７ Ｘ
ｌ０−’モル／分、ＤＥＺをＩＨ５Ｘ １０−’モル／
分の割合で供給して、膜厚０．２虜、ＧａＮから成るＺ
ｎ濃度２Ｘ １０”／ｄの高不純物濃度■。層６を形成
した。 このようにして、第２図に示すような多層構造が得られ
た。 次に、第３図に示すように、高不純物濃度ＩＬ層６の上
に、スパッタリングにより５１０２層１１を２０００人
の厚さに形成した。次に、その８１０２層１１上ニフオ
トレジスト１２を塗布して、フォトリソグラフにより、
そのフォトレジスト１２を８層３に対する電極形成部位
のフォトレジストを除去したパターンに形成した。 次に、第４図に示すように、フォトレジスト１２によっ
て覆われていない５層０２層１１をフッ酸系エツチング
液で除去した。 次に、第５図に示すように、フォトレジスト１２及び５
１０２層１１によって覆われていない部位の高不純物濃
度１８層６とその下の低不純物濃度Ｉ、層５と８層３の
上面一部を、真空度０．０４Ｔｏｒｒ。 高周波電力０．４４Ｗ／ｃｏ！、ＣＣｊ！ａｈガスを１
０ｃｃ／分供給してドライエツチングした後、Ａｒでド
ライエツチングした。 次に、第６図に示すように、Ｉｎ層６上に残っているＳ
＋Ｏａ層１１をフッ酸で除去した。 次に、第７図に示すように、試料の上全面にＡ１１３を
蒸着により形成した。そして、そのＡ１層１３の上にフ
ォトレジスト１４を塗布して、フォトリソグラフにより
、そのフォトレジスト１４が８層３及び高不純物濃度Ｉ
下層６に対する電極部が残るように、所定形状にパター
ン形成した。 次に、第７図に示すようにそのフォトレジスト１４をマ
スクとして下層のＡＩ層１３の露出部を硝酸系エツチン
グ液でエツチングし、フォトレジスト１４をアセトンで
除去し、８層３の電極８、ＩＨＮ層の電極７を形成した
。 このようにして、第１図に示す構造の旧Ｓ （Ｍｅｔａ
］−１ｎｓｕ ｌａｔｏｒ−５層ｍ １ｃｏｎｄｕｃｔ
ｏｒ）構造の窒化ガリウム系発光素を製造することがで
きる。 このようにして製造された発光ダイオード１０の発光強
度を測定したところ、０．２ｎ＋ｃｄであった。 これは、単純にキャリア濃度２Ｘ １０”／ ｃｒｌ、
厚さ０．２即の１層とキャリア濃度５ｘ １０１７／
ｃａｔ、厚さ４ｕｎのＮ層とを接続した従来の発光ダイ
オードに比べて、発光強度が４倍に向上した。 又、発光面を観察した所、発光点の数が増加しているこ
とも観察された。 尚、高不純物濃度Ｉ□層６の不純物濃度を各種変化させ
た上記構造の試料を製造して、不純物濃度と発光強度及
び発光スペクトラムとの関係を測定した。その結果を、
第８図に示す。 不純物濃度が増加するに連れて、発光強度が増加する。 しかし、発光波長は幾分、赤色側に変位するが約４８５
０人で安定することが分かる。
第１図は本発明の具体的な一実施例に係る発光ダイオー
ドの構成を示した構成図、第２図乃至第７図は同実施例
の発光ダイオードの製造工程を示した断面図、第８図は
高不純物濃度１８層の不純物濃度と発光強度及び発光波
長との関係を示した測定図である。 １０ 発光ダイオード １ サファイア基板２ バッフ
ァ層 ・３ Ｎ層 ５ 低不純物濃度Ｉ４層
ドの構成を示した構成図、第２図乃至第７図は同実施例
の発光ダイオードの製造工程を示した断面図、第８図は
高不純物濃度１８層の不純物濃度と発光強度及び発光波
長との関係を示した測定図である。 １０ 発光ダイオード １ サファイア基板２ バッフ
ァ層 ・３ Ｎ層 ５ 低不純物濃度Ｉ４層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（Ａｌ＿ｘＧａ＿１
＿−＿ｘＮ；Ｘ＝０を含む）からなるＮ層と、Ｐ型不純
物を添加したＩ型の窒化ガリウム系化合物半導体（Ａｌ
＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＮ；Ｘ＝０を含む）からなるＩ層
とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子におい
て、 前記Ｉ層を、前記Ｎ層と接合する側から順に、前記Ｐ型
不純物が比較的低濃度の低不純物濃度Ｉ＿Ｌ層と前記Ｐ
型不純物が比較的高濃度の高不純物濃度Ｉ＿Ｈ層との二
重層構造としたことを特徴とする発光素子。
Priority Applications (14)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5021290A JP2681094B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| EP91102921A EP0444630B1 (en) | 1990-02-28 | 1991-02-27 | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound |
| CA002037198A CA2037198C (en) | 1990-02-28 | 1991-02-27 | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound |
| DE69126152T DE69126152T2 (de) | 1990-02-28 | 1991-02-27 | Lichtemittierende Halbleitervorrichtung mit Gallium-Nitrid-Verbindung |
| US07/926,022 US5278433A (en) | 1990-02-28 | 1992-08-07 | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound with double layer structures for the n-layer and/or the i-layer |
| US08/556,232 US5733796A (en) | 1990-02-28 | 1995-11-09 | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound |
| US08/956,950 US6249012B1 (en) | 1990-02-28 | 1997-10-23 | Light emitting semiconductor device using gallium nitride group compound |
| US09/417,778 US6593599B1 (en) | 1990-02-28 | 1999-10-14 | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound |
| US09/586,607 US6362017B1 (en) | 1990-02-28 | 2000-06-02 | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound |
| US09/677,781 US6830992B1 (en) | 1990-02-28 | 2000-10-02 | Method for manufacturing a gallium nitride group compound semiconductor |
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| US09/677,788 US6607595B1 (en) | 1990-02-28 | 2000-10-02 | Method for producing a light-emitting semiconductor device |
| US09/677,787 US6472689B1 (en) | 1990-02-28 | 2000-10-02 | Light emitting device |
| US10/052,347 US6984536B2 (en) | 1990-02-28 | 2002-01-23 | Method for manufacturing a gallium nitride group compound semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5021290A JP2681094B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03252178A true JPH03252178A (ja) | 1991-11-11 |
| JP2681094B2 JP2681094B2 (ja) | 1997-11-19 |
Family
ID=12852787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5021290A Expired - Lifetime JP2681094B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2681094B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05308154A (ja) * | 1992-04-28 | 1993-11-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JPH06268259A (ja) † | 1993-03-12 | 1994-09-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| US8934513B2 (en) | 1994-09-14 | 2015-01-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
-
1990
- 1990-02-28 JP JP5021290A patent/JP2681094B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05308154A (ja) * | 1992-04-28 | 1993-11-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JPH06268259A (ja) † | 1993-03-12 | 1994-09-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| US8934513B2 (en) | 1994-09-14 | 2015-01-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2681094B2 (ja) | 1997-11-19 |
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