JPH03247655A - ポジ型感光性ポリアミドイミド組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高感度で、耐熱性、寸法安定性及び貯蔵安定
性に優れたポジ型感光性ポリアミドイミド組成物に関す
る。

〔従来の技術〕

半導体、抵抗体等の電子部品のパッシベーション膜、多
層集積回路の層間絶縁膜、プリント回路の半田付は保護
膜、液晶用配向膜、メモリー素子のα線遮蔽膜、電解コ
ンデンサーの絶縁膜、エツチングレジスト等の形成材料
として使用することができる感光性樹脂として、耐熱性
の優れた芳香族ポリイミド樹脂を中心に検討されてきた
。

〔発明が解決しようとする課題〕

この芳香族ポリイミド樹脂に感光性を付与する方法とし
て、芳香族ポリイミド樹脂が一般に有機溶媒に難溶であ
るので、感光性を付与するための可溶性前駆体を用いる
ことが知られている。例えば、特開昭５４−１１６２１
６号及び特開昭５４−１１６２１７号公報に記載されて
いる架橋基を可溶性前駆体に化学的に結合させる方法や
、特開昭５４−１４５７９４号及び特開昭５７−１６８
９４２号公報に記載されている架橋性単量体を混合する
方法等が提示されている。しかし、これらの方法は、い
ずれも紫外線を照射した後、加熱処理によりイミド閉環
を行う必要があり、その際、イミド閉環に伴う脱水と架
橋性基成分の揮散が体積収縮となって、膜厚の損失及び
寸法精度の低下が起こる欠点がある。更に、加熱処理工
程は、他の電子部品の劣化を招くという問題もある。

前記のイミド閉環に伴う体積収縮を防ぐために、可溶性
ポリイミド樹脂に架橋基を化学的に結合した感光性ポリ
イミド樹脂が特開昭５８−２９８２１号及び特開昭６１
−５９３３４号公報に提案されているが、高温時におけ
る架橋基の揮散による体積収縮が避けられないばかりで
なく、架橋基導入に煩雑な工程を必要とするいう欠点が
ある。

更に、この体積収縮を小さくさせるために比較的低分子
の架橋性アルキル基をポリイミドに直接結合させた感光
性ポリイミド樹脂が特開昭５８−１９１７号及び特開昭
６０−１５５２７７号公報に開示されているが、光硬化
性に劣るという問題がある。

本発明の目的は、高感度であり、耐熱性及び寸法安定性
に優れ、溶媒溶解性が高いポジ型感光性ポリアミドイミ
ド組成物を捉供することである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明者らは従来技術の欠点を解消するため接種検討し
た結果、−数式 ） （但し、式中のＡｒは４価の芳香族有機基であり、４個
のカルボニル基が各々別の炭素原子に直接結合し、かつ
各対のカルボニル基はＡｒ基中における隣接炭素原子に
結合している。Ｒは脂肪族、芳香族、脂環式の二価の有
機基、ｎは整数を示す）で表わされる繰り返し単位を含
む芳香族ポリアミドイミド樹脂と、オルトキノンジアジ
ド化合物とからなるポジ型感光性ポリアミドイミド組成
物が高い感光性を有し、前記目的を達成し得るものであ
ることを見出し本発明を完結した。

すなわち、本発明で用いる（１）式の芳香族ポリアミド
イミド樹脂は、閉環したイミド構造を有しているため、
加熱による体積収縮がなく、寸法安定性が著しく高いば
かりでなく、溶媒溶解性が高く、かつ高感度で、工業的
にも容易に合成し得ると云う利点がある。

有する置換および非置換ヘンゼン核、ナフタレン核、ポ
リフェニル核であり、Ｚは直接結合、＼ 、Ｃ＝Ｏ。

− ＳＯ□−等で表わさ れるテトラカルボン酸二無水物である。

本発明に用いられる芳香族ポリアミドイミド樹脂はフェ
ノール性水酸基含有ジカルボン酸化合物を使用して合成
される。すなわち、フェノール性水酸基含有ジカルボン
酸化合物とジアミン化合物と、更に必要に応じて他のジ
カルボン酸化合物とを混合、反応させてフェノール性水
酸基含有ポリアミドオリゴマーを合成した後、更に、こ
のオリゴマーとテトラカルボン酸二無水物とのイミド化
反応で合成し得るものである。

本発明の（Ｉ）式に示される繰り返し単位を含む芳香族
ポリアミドイミド樹脂を合成するために使用するフェノ
ール性水酸基含有ジカルボン酸化合物として、例えば５
−ヒドロキシイソフタル酸、４−ヒドロキシイソフタル
酸、２−ヒドロキシイソフタル酸、２−ヒドロキシテレ
フタル酸等があるが、本発明ではこれらに限定されるも
のではない。

本発明の（１）式に示される繰り返し単位を含む芳香族
ポリアミドイミド樹脂を得るために必要なジアミン化合
物としては、例えば下記の化合物があげられる。

１．２−ビス（３−アミノプロポキシ）エタン、ビス（
４−アミノシクロヘキシル）メタン、ヘキサメチレンジ
アミン、オクタメチレンジアミン、１．４−シクロヘキ
サジアミン、等の脂肪族ジアミン、トフェニレンジアミ
ン、ｐ−フェニレンジアミン、４，４′ジアミノビフエ
ニル、３，４′−ジアミノフェニルエーテル、３，３′
−メチレンジアニリン、４，４′メチレンジアニリン、
４８４′−エチレンジアニリン、４，４′−イソプロピ
リデンジアニリン、３．４′オキシジアニリン、４，４
′−オキシジアニリン、４４′−チオジアニリン、３．
３′−カルボニルジアニリン、４，４′−カルボニルジ
アニリン、３．３′スルホニルジアニリン、４．４’−
スルホニルジアニリン、１，４−ナフタレンジアニリン
、１，５−ナフタレンジアニリン、２，６−ナフタレン
ジアニリン、１゜３−ビス（ｍ−アミノフェニル）−１
，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、２，２−ビ
ス（４−アミノフェニル）へキサフルオロプロパン、２
．２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）へキサフ
ルオロプロパン、２゜２−ビス（３−アミノ−４−メチ
ルフェニル）へキサフルオロプロパン等の芳香族ジアミ
ン。

これらジアミン化合物の２種以上の混合物を使用するこ
ともできる。

本発明の式（Ｉ）に示される繰り返し単位を含む芳香族
ポリアミドイミド樹脂を得るために用いられるテトラカ
ルボン酸二無水物として、例えば下記の化合物があげら
れる。

ピロメリット酸二無水物、２，３，６．７−ナフタリン
テトラカルボン酸二無水物、３，４．３　’　、４　’
−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３．２’
、３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（
３，４−ジカルボキシフェニル）メタンニ無水物、１．
１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタンニ無
水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）
プロパンニ無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）エーテルニ無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）スルホンニ無水物、ビス（２，３−’；カルボ
キシフェニル）スルホンニ無水物、３．４．３　’　、
４　’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、４
，４′−ビフタル酸二無水物、１，２．５．６−ナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６．７ナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）へキサフルオロプロパンニ無
水物等。

これらテトラカルボン酸二無水物の２種以上の混合物を
使用することもできる。

更に、式（１）で示される繰り返し単位を有する芳香族
ポリアミドイミド樹脂を得るために必要に応じて共用さ
れるジカルボン酸化合物としては、例えば下記の化合物
があげられる。

脂肪族ジカルボン酸、イソフタル酸、テレフタル酸、４
，４′〜ビフエニルジカルボン酸、３．３′メチレンニ
安息香酸、４．４′−メチレンニ安息香酸、４，４′−
オキシニ安息香酸、４，４′−チオニ安息香酸、３，３
′−カルボニルニ安息香酸、４，４′−カルボニルニ安
息香酸、４．４′−スルホニルニ安息香酸、１，４−ナ
フタレンジカルボン酸、１，５−ナフタレンジカルボン
酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸およびその誘導体
等。これらジカルボン酸化合物の２種以上の混合物を使
用することができる。

これらの化合物を目的に応じて使用することにより、本
発明でいう芳香族ポリアミドイミド樹脂に含まれるフェ
ノール性水酸基の数や特性を変えることが出来る。

また、これらの芳香族ポリアミドイミド樹脂を合成する
方法は、ジカルボン酸化合物と過剰量のジアミン化合物
とを溶媒中で混合後、縮合剤を使用して脱水重縮合反応
をおこさせ、両末端がアミノ基を持つフェノール性水酸
基含有芳香族アミドオリゴマーを合成した後、テトラカ
ルボン酸二無水物とイミド環形成反応させて合成するこ
とが出来る。

例えば、両末端にアミノ基を有するポリアミドオリゴマ
ーとテトラカルボン酸二無水物誘導体と不活性有機溶媒
中で、−２０〜１５０℃好ましくは０〜６０℃の温度で
数十分間ないし数日間反応させ、ポリアミック酸を生成
させ、更にイミド化することにより芳香族ポリアミドイ
ミド樹脂を合成できる。

不活性極性有機溶媒としては、例えばＮ、Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン、Ｎ−メチルカプロラクタム、ジ
メチルスルホキシド、テトラメチル尿素、ピリジン、ジ
メチルスルホン、ヘキサメチルリン酸トリアミド等があ
げられる。

イミド化の方法としては、加熱により脱水閉環させる方
法及び脱水閉環触媒を用いて化学的に閉環させる方法が
あげられる。

加熱により脱水閉環させる場合、反応温度は１５０〜４
００℃、好ましくは１８０〜３５０℃であり、反応時間
は３０秒間ないし１０時間好ましくは５分間ないし５時
間である。

また、脱水閉環触媒を用いる場合、反応温度は０〜１８
０℃好ましくは１０〜８０℃であり、反応時間は数十分
間ないし数日間好ましくは２時間〜１２時間である。脱
水閉環触媒としては、酢酸、プロピオン酸、酪酸、安息
香酸等の酸無水物があげられる。環化反応を促進する化
合物としてピリジン等を併用することが好ましい。脱水
閉環触媒の使用量は、ジアミンの総量に対して２００モ
ル％以上好ましくは３００〜１０００モル％である。

環化反応を促進する化合物の使用量は、ジアミンの総量
に対して１５０〜５００モル％である。

本発明に用いられるオルトキノンジアジド化合物として
は、分子中にオルトキノンジアジド基を１個又は２個以
上含有する化合物であれば良く、例えば、オルトベンゾ
キノンジアジド化合物、オルトナフトキノンジアジド化
合物、オルトキノリンキノンジアジド化合物等があり、
又、これらのスルホン酸エステル或はスルホン酸アミド
化合物であっても良い。これらの化合物の例は、■総合
化学研究所の出版「感光性樹脂のデーター集」（昭和４
３年発行）やＪ、　Ｋｏｓａｒ著ｒ　ＬｉｇｈｔＳｅｎ
ｓｉｔｉｖｅ　ＳｙｓｔｅｍｓＪ　Ｊｏｈｎ　Ｗｉｌｅ
ｙ　＆　５ｏｎｓ、　ＮｅｗＹｏｒｋ　（１９６５）に
非常に多く化合物が記載されている。これらの化合物の
例として、下記の化合物があげられる。

ベンゾキノン−（１，２）−ジアジド−（２）−４−ス
ルホン酸フェニルエステル、ベンゾキノン−（１，２）
−ジアジド−（２）−４〜スルホン酸−ｐ−トリルエス
テル、ベンゾキノン−（１，２）−ジアジド−（２）−
４−（Ｎ−エチル−Ｎ−β−ナフチル）−スルホンアミ
ド、ベンゾキノン−（１，２）−ジアジド−（２）−４
−クロロ−６−（Ｎ−β−ナフチル）−スルホンアミド
、０．０′−ビス（ベンゾキノン−（１，２）−ジアジ
ド−（２）−４−スルホニル）４．４′−ジヒドロキシ
ジフェニル、ナフトキノン−（１，２）−ジアジド−（
２）−５−スルホン酸エチルエーテル、ナフトキノン−
（１，２）−ジアジド−（２）−５−スルホン酸ナフチ
ルエーテル、ナフトキノン−（１，２）−ジアジド−（
２）−５−スルホンアミド、ナフトキノン−（１，２）
−ジアジド−（２）−５−スルホン酸シクロヘキシルエ
ーテル、Ｎ−ベンゾイル−Ｎ’−（Ｊ−フトキノン−（
１，２）−ジアジド−（２）−５−スルホニル）−ドラ
ジン゛、Ｎ、Ｎ−ビス（ナフトキノン−（１，２）ジア
ジド＝（２Ｌ５−スルホニル）−アニリン、ナフトキノ
ン−（１，２）−ジアジド−（２）−フェニルスルホン
−（４）、キノリン−キノン−（３，４）−ジアジド＝
（３）、６−クロロ−キラリン−キノン−（３，４）−
ジアジド−（３）　、６．８−ジメトオキシーキノリン
ーキノンー（３゜４）−ジアジド−（３）、７−フェニ
ル−キラリン−キノン−（３，４）−ジアジド−（３）
、６．７−ベンゾ−キノリンキノン−（３，４）−ジア
ジド（３）、６−フエツキシキノリンーキノンー（３，
４）−ジアジド−（３）−、キノリン−キノン−（３，
４）−ジアジド＝（３）−６−スルホニルオキシフェニ
ルエステル、４−〔ナフトキノン（１，２）−ジアジド
−（２）−４−スルホン酸）　−２，５−ジヒドロキシ
ベンゾフェノンエステル等。これらの２種以上の混合物
を使用することもできる。

オルトキノンジアジド化合物の配合量は、前記芳香族ポ
リアミドイミド樹脂１００重量部に対して、０．２−３
０重量部、特に１−２０重量部が好ましい。この配合量
が少なすぎると組成物の感度が悪くなり、多すぎるとこ
の組成により形成される膜の性質が低下する。

本発明のポジ型感光性ポリアミドイミド組成物の特徴の
１つは有機溶媒可溶性であることにある。

その場合の溶媒としては、例えば、溶解性が高いＮ−／
チルー２−ピロリドン、Ｎ−ビニル−２ピロリドン、Ｎ
、Ｎ−’ジメチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチレンホス
ホアミド、ピリジン、ｍ−クレゾール、エチレンセルソ
ルブ、ジグライム、ジオキサン等があげられる。これら
の２種以上の混合物を使用することもできる。

本発明の有機溶媒可溶性ポジ型感光性ポリアミドイミド
組成物には、必要に応じて、Ｔ−メタクリルオキシプロ
ピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエト
キシシラン、Ｔ−グリシドキシプロビルトリメトキシシ
ラン、γ−（２−アミノエチル）アミノプロピルメチル
ジメトキシシラン等接着助剤の他に、酸化防止剤、紫外
線安定剤、着色剤、難燃剤、充填剤等の添加も可能であ
る。

本発明の有機溶媒可溶性ポジ型感光性ポリアミドイミド
組成物の溶液は、例えば、上記フェノール性水酸基含有
ポリアミドイミド樹脂を合成する際、合成反応終了後の
溶媒中に前記オルトキノンジアジド化合物と共に溶解さ
せることにより容易に作成することが出来る。

この様にして得られる本発明の有機溶媒可溶性ポジ型感
光性ポリアミドイミド組成物の溶液を使用してポジ型レ
リーフパターンを形成するには、該溶液を基板に塗布、
乾燥して感光性樹脂膜を形成する。この基板への塗布は
、例えば回転塗布機で行なうことが出来る。この塗布膜
の乾燥は１００℃以下で行うのが好ましい。更に、塗膜
にポジ型のフォトマスクを置き、紫外線、可視光線、電
子線、Ｘ線等を照射する。次に、露光部を現像液で洗い
流すことによりポリアミドイミドのポジ型レリーフパタ
ーンを得る。このポジ型レリーフパターン構造物は、半
導体、抵抗体等のバンシベーション膜、蒸着法、イオウ
注入法、α線遮蔽等のマスクとして、メモリー素子、電
解コンデンサー多層集積回路の層間用、精密回路用等の
絶縁層、液晶用配線膜、エツチングレジストとして、又
印刷板の作製、平版校正用途、平版転写箔等に使用でき
る。

この現像液としては、プロピルアミン、ブチルアミン、
モノエタノールアミン等の１級有機アミン化合物、エチ
レンジアミン、トリメチレンジアミン等の１級有機ジア
ミン化合物、ヒドラジン等を単独又は混合して使用する
ことが出来る。

その他に、珪酸ナトリウム、珪酸カリウム、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、リン酸ナト
リウム、リン酸−水素アンモニウム、メタ珪酸ナトリウ
ム、重炭酸ナトリウム、アンモニア等の無機アルカリ性
化合物の水溶液が現像液として使用できる。

これら化合物の好適な濃度は約０．１−１０重量％であ
る。又、これらのアミン化合物に、メタノール、エタノ
ール、２−プロパツール、エチレングリコール、エチレ
ンセルソルブ、ブチルセロソルブ、ジエチレングリコー
ル、エチルカルピトール、ブチルカルピトール、水等の
前記ポリアミドイミド樹脂の非溶媒を混合して使用する
ことも出来る。

〔実施例〕

以下実施例をもって本発明の詳細な説明する。

実施例１ ｍ−フェニレンジアミン１６．２ｇ（１５０ミリモル）
、５−ヒドロキシイソフタル酸１８．２　ｇ（１００ミ
リモル）、ピリジン２５０ｓｊ！、亜リン酸トリフェニ
ル６２ｇ（２００ミリモル）、塩化リチウム１０．６ｇ
（２５０ミリモル）の混合溶液を１００℃で４時間撹拌
した。放冷後、重合体溶液をメタノール３０００＋ｎｊ
！中に注入し、室温で１時間撹拌し、析出した固形物を
濾別後、乾燥した。得られた固形物と３．４，３　．４
　’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物１６ｇ
（５０ミリモル）をＮ−メチル−２−ピロリドン２００
ｅｌｌに溶解し、窒素雰囲気下、室温で６時間反応させ
て、ポリアミック酸溶液を得た。このポリアミック酸溶
液を２００℃で２時間、２５０℃で１時間加熱し、脱水
環化反応を行った。放冷後、重合体溶液を、大量のメタ
ノール中に注ぎ入れた。析出した固体を濾別し、濾過物
を洗浄、乾燥して、式（） ＼／ で表わされる繰り返し単位をもつ芳香族ポリアミドイミ
ド樹脂を得た。得られたこの樹脂の固有粘度（３０℃に
おける０、５ｇ／ｄｌｓ度１７）Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン溶液）は０．６３ｄｊ！／ｇであった。

式（ｎ）の繰り返し単位を有する芳香族ポリアミドイミ
ド樹脂１．４ｇ及び４−〔ナフトキノン（１，２）−ジ
アジド−（２）−４−スルホン酸〕２．５−ジヒドロキ
シベンゾフェノンエステル０．１４ｇをＮ−メチル−２
−ピロリドン８．６ｇに溶解した後、１μｍのフィルタ
ーにより濾過し、本発明のポジ型感光性ポリアミドイミ
ド組成物の溶液を得た。得られた溶液をガラス基板上に
スピンナーを使用して２５００ｒ、ｐ、ｔで３０秒間回
転塗布した後、該塗膜を９０℃で３０分間乾燥して、３
．２μｍ厚の塗膜を得た。この塗膜にテストマスクを介
して２５０Ｗの高圧水銀灯の光を８秒間照射した。これ
は露光面での紫外線強度が３５０ｎｍ波長域で約７ｓＷ
／ａｎ”であったので、露光強度は約５０１１Ｊ／ｅ１
ｍ”に相当する。露光後、６０℃のモノエタノールアミ
ンにより現像し、２〜プロパツールで洗浄して、シャー
プな端面を持つポジ型レリーフパターンを得た。現像後
の塗布の厚さは２．４μｍであった。得られたパターン
が識別出来る最小のマスクパターンは６μｍであった。

このパターンを窒素気流下で２００℃で３０分間加熱後
、３００℃で２０分間加熱したところ、膜厚は２．２μ
ｍになった。しかし、この加熱後でもパターン膜の変形
、ぼやけ等は見られず、良好な耐熱性を示した。

実施例２ ｍ−フェニレンジアミン１６．２ｇ（１５０ミリモル）
を３，４′−ジアミノフェニルエーテル３０ｇ（１５０
ミリモル）に代えた以外は、実施例１と全く同様に操作
して式＜ｍ＞で示される繰り返し単位を有する芳香族ポ
リアミドイミド樹脂を得た。得られたこの樹脂の固有粘
度（３０℃における０、５ｇ／ｄｆ濃度のＮ−メチル−
２−ピロリドン溶液）は０．７０ｄｌ／ｇであった。

＼／ 式（ＩＩＩ）ので示される繰り返し単位を有する芳香族
ポリアミドイミド樹脂を使用して、実施例１と全（同じ
方法と条件でガラス基板上にポジ型パターンを形成した
。得られたパターンの膜厚は２．５μｍであった。該パ
ターンが識別出来る最小のマスクパターンは６μｍであ
り、このパターンを窒素気流下で２００℃で３０分間加
熱後、３００℃で２０分間加熱したところ、膜厚は１．
９μｍになった。しかし、この加熱後でも該パターン膜
の変形、ぼやけ等は見られず、良好な耐熱性を示した。

実施例３ ｍ−フェニレンジアミン１６．２ｇ（１５０ミリモル）
を３，４′−ジアミノフェニルエーテル３０ｇ（１５０
ミリモル）に、３，４．３　’　、４　’−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物１６ｇ（５０ミリモル）
を３．４．３　’　、４　’−ビフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物１４．７ｇ（５０ミリモル）に代えた他は
実施例１と全く同様に操作して、式（ＩＶ）で示される
繰り返し単位を有する芳香族ポリアミドイミド樹脂を得
た。得られたこの樹脂の固有粘度（３ ０℃における０、５ｇ／ｄｌ：ａ度（７）Ｎ−メチル−
２−ピロリ ドン溶液） は０．６ ６１７ｇであ った。

式（ＩＶ）の繰り返し単位を有する芳香族ポリアミドイ
ミド樹脂を使用して、実施例１と全く同じ方法と条件で
ガラス基板上にポジ型パターンを形成した。得られたパ
ターンの膜厚は２．２μｍであった。このパターンが識
別出来る最小のマスクパターンは５μｍであり、該パタ
ーンを窒素気流下で２００℃で３０分間加熱後、３００
°Ｃで２０分間加熱したところ、膜厚は１．８μｍにな
った。しかし、この加熱後でも該パターン膜の変形、ぼ
やけ等は見られず、良好な耐熱性を示した。

実施例４ 実施例１で使用した４−〔ナフトキノン−（Ｌ２）ジア
ジド−（２）−４−スルホン酸）　−２，５−ジヒドロ
キシベンゾフェノンエステルを２．３．４トリス（ナフ
トキノン−（１，２）　−ジアジド−（２）＝４−スル
ホン酸）ベンゾフェノンエステルに代えた以外は全〈実
施例１と同じ方法と条件でガラス基板上にポジ型レリー
フパターンを形成した。

得られたパターンの膜厚は２．３μｍで、該パターンが
識別できる最小のマスクパターンは４μｍであった、こ
のパターンを窒素気流下、３００℃で３０分間加熱後、
４００°Ｃで２０分間加熱したところ、膜厚は１．８μ
ｍとなった。しかし、このパターン膜の変形、ぼやけ等
はみられず、良好な耐熱性を示した。

実施例５ 実施例２で使用した４−〔ナフトキノン−（１、２）〜
ジアジドー（２）−４−スルホン酸）　−２，５−ジヒ
ドロキシベンゾフェノンエステルを２．２−ビス〔４−
（ナフトキノン−（Ｌ２）−ジアジド−（２）−４−ス
ルホン酸）フェニルエステル〕プロパンに代えた以外は
全〈実施例２と同じ方法と条件でガラス基板上にポジ型
レリーフパターンを形成した。得られたパターンの膜厚
は２．０μｍで、該パターンが識別できる最小のマスク
パターンは４μｍであった。このパターンを窒素気流下
、３００℃で３０分間加熱後、４００℃で２０分間加熱
したところ、膜厚は１．６μｍとなったが、パターン膜
の変形、ぼやけ等はみられなかった。

〔発明の効果〕

本発明のポジ型感光性ポリアミドイミド組成物は、架橋
性基を有するポリイミドや架橋性化合物を含まないため
に高感度であり、かつ、耐熱性、寸法安定性、および貯
蔵安定性にも優れている。

本発明の組成物は工業的に容易に製造でき、かつ、有機
溶媒可溶性であるのでパターン形成材料として好適に使
用することができる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （但し、式中のＡｒは４価の芳香族有機基であり、４個
   のカルボニル基が各々別の炭素原子に直接結合し、かつ
   各対のカルボニル基はＡｒ基中における隣接炭素原子に
   結合している。Ｒは脂肪族、芳香族、脂環式の二価の有
   機基、ｎは整数を示す）で表わされる繰り返し単位を含
   む芳香族ポリアミドイミド樹脂と、オルトキノンジアジ
   ド化合物とからなるポジ型感光性ポリアミドイミド組成
   物。