JP2524241B2 - ポジ型感光性ポリアミドイミド組成物 - Google Patents
ポジ型感光性ポリアミドイミド組成物Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高感度で、耐熱性、寸法安定性及び貯蔵安
定性に優れたポジ型感光性ポリアミドイミド組成物に関
する。
定性に優れたポジ型感光性ポリアミドイミド組成物に関
する。
半導体、抵抗体等の電子部品のパッシベーション膜、
多層集積回路の層間絶縁膜、プリント回路の半田付け保
護膜、液晶用配向膜、メモリ−素子のα線遮蔽膜、電解
コンデンサーの絶縁膜、エッチングレジスト等の形成材
料として使用することができる感光性樹脂として、耐熱
性の優れた芳香族ポリイミド樹脂を中心に検討されてき
た。
多層集積回路の層間絶縁膜、プリント回路の半田付け保
護膜、液晶用配向膜、メモリ−素子のα線遮蔽膜、電解
コンデンサーの絶縁膜、エッチングレジスト等の形成材
料として使用することができる感光性樹脂として、耐熱
性の優れた芳香族ポリイミド樹脂を中心に検討されてき
た。
この芳香族ポリイミド樹脂に感光性を付与する方法と
して、芳香族ポリイミド樹脂が一般に有機溶媒に難溶で
あるので、感光性を付与するための可溶性前躯体を用い
ることが知られている。例えば、特開昭54-116216号及
び特開昭54-116217号公報に記載されている架橋基を可
溶性前躯体に化学的に結合させる方法や、特開昭54-145
794号及び特開昭57-168942号公報に記載されている架橋
性単量体を混合する方法等が提示されている。しかし、
これらの方法は、紫外線照射後に加熱処理によりイミド
閉環を行う必要があり、その際、イミド閉環に伴う脱水
と架橋性基成分の揮散が体積収縮となって、膜厚の損失
及び寸法精度の低下が起こる欠点がある。更に、加熱処
理工程は、他の電子部品の劣化を招くという問題もあ
る。
して、芳香族ポリイミド樹脂が一般に有機溶媒に難溶で
あるので、感光性を付与するための可溶性前躯体を用い
ることが知られている。例えば、特開昭54-116216号及
び特開昭54-116217号公報に記載されている架橋基を可
溶性前躯体に化学的に結合させる方法や、特開昭54-145
794号及び特開昭57-168942号公報に記載されている架橋
性単量体を混合する方法等が提示されている。しかし、
これらの方法は、紫外線照射後に加熱処理によりイミド
閉環を行う必要があり、その際、イミド閉環に伴う脱水
と架橋性基成分の揮散が体積収縮となって、膜厚の損失
及び寸法精度の低下が起こる欠点がある。更に、加熱処
理工程は、他の電子部品の劣化を招くという問題もあ
る。
前記のイミド閉環に伴う体積収縮を防ぐために、可溶
性ポリイミドに架橋基を化学的に結合した感光性ポリイ
ミド樹脂が特開昭58-29821号及び特開昭61-59334号公報
に提案されているが、高温時における架橋基の揮散によ
る体積収縮が避けられないばかりでなく、架橋基導入に
煩雑な工程を必要とするという欠点がある。
性ポリイミドに架橋基を化学的に結合した感光性ポリイ
ミド樹脂が特開昭58-29821号及び特開昭61-59334号公報
に提案されているが、高温時における架橋基の揮散によ
る体積収縮が避けられないばかりでなく、架橋基導入に
煩雑な工程を必要とするという欠点がある。
更に、この体積収縮を小さくさせるために比較的低分
子の架橋性アルキル基をポリイミドに直接結合させた感
光性ポリイミド樹脂が特開昭58-1917号及び特開昭60-15
5277号公報に開示されているが、光硬化性に劣るという
問題がある。
子の架橋性アルキル基をポリイミドに直接結合させた感
光性ポリイミド樹脂が特開昭58-1917号及び特開昭60-15
5277号公報に開示されているが、光硬化性に劣るという
問題がある。
本発明の目的は、高感度であり、耐熱性及び寸法安定
性に優れ、溶媒溶解性が高いポジ型感光性ポリアミドイ
ミド組成物を提供することである。
性に優れ、溶媒溶解性が高いポジ型感光性ポリアミドイ
ミド組成物を提供することである。
本発明者らは従来技術の欠点を解消するため種々検討
した結果、特定の芳香族ポリアミドイミド樹脂及びオル
トナフトキノンジアジドスルホン酸化合物からなるポジ
型感光性ポリアミドイミド組成物が高い感光性を有し、
前記の目的を達成できることを見出し、本発明を完成し
た。
した結果、特定の芳香族ポリアミドイミド樹脂及びオル
トナフトキノンジアジドスルホン酸化合物からなるポジ
型感光性ポリアミドイミド組成物が高い感光性を有し、
前記の目的を達成できることを見出し、本発明を完成し
た。
本発明は、一般式 〔式中Ｒはフェニレン基または−Ph−Ｏ−Ph−（Phはフ
ェニレン基）を示す〕で表されるフェノール性水酸基含
有ジアミン化合物と、一般式 （式中Arは基 を示す）で表されるテトラカルボン酸二無水物との反応
生成物であるフェノール性水酸基含有ポリアミドイミド
樹脂およびオルトナフトキノンジアジドスルホン酸化合
物を含有することを特徴とするポジ型感光性ポリアミド
イミド組成物である。
ェニレン基）を示す〕で表されるフェノール性水酸基含
有ジアミン化合物と、一般式 （式中Arは基 を示す）で表されるテトラカルボン酸二無水物との反応
生成物であるフェノール性水酸基含有ポリアミドイミド
樹脂およびオルトナフトキノンジアジドスルホン酸化合
物を含有することを特徴とするポジ型感光性ポリアミド
イミド組成物である。
本発明に用いられるフェノール性水酸基含有ポリアミ
ドイミド樹脂は、閉環したイミド構造を有しているた
め、加熱による体積収縮がなく、寸法安定性が著しく高
いばかりでなく、溶媒溶解性が高く、かつ高感度で光硬
化性が優れ、工業的にも容易に合成できるという利点が
ある。
ドイミド樹脂は、閉環したイミド構造を有しているた
め、加熱による体積収縮がなく、寸法安定性が著しく高
いばかりでなく、溶媒溶解性が高く、かつ高感度で光硬
化性が優れ、工業的にも容易に合成できるという利点が
ある。
本発明の組成物を製造するに際しては、まず式Ｉのフ
ェノール性水酸基含有ジアミン化合物を式IIのテトラカ
ルボン酸二無水物と重縮合反応させ、フェノール性水酸
基含有ポリアミドイミドを合成する。
ェノール性水酸基含有ジアミン化合物を式IIのテトラカ
ルボン酸二無水物と重縮合反応させ、フェノール性水酸
基含有ポリアミドイミドを合成する。
こうして得られたフェノール性水酸基含有ポリアミド
イミドをオルトナフトキノンジアジドスルホン酸化合物
と混合することによりポジ型感光性ポリアミドイミド組
成物が得られる。
イミドをオルトナフトキノンジアジドスルホン酸化合物
と混合することによりポジ型感光性ポリアミドイミド組
成物が得られる。
式Ｉのフェノール性水酸基含有ジアミン化合物として
は、例えば下記の化合物が挙げられる。
は、例えば下記の化合物が挙げられる。
N,N′−ビス（２−アミノフェニル）−５−ヒドロキ
シイソフタルアミド、N,N′−ビス（３−アミノフェニ
ル）−５−ヒドロキシイソフタルアミド、N,N′−ビス
（４−アミノフェニル）−５−ヒドロキシイソフタルア
ミド、N,N′−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕−５−ヒドロキシイソフタルアミド、N,N′−
ビス〔３−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕−５−
ヒドロキシイソフタルアミド等。
シイソフタルアミド、N,N′−ビス（３−アミノフェニ
ル）−５−ヒドロキシイソフタルアミド、N,N′−ビス
（４−アミノフェニル）−５−ヒドロキシイソフタルア
ミド、N,N′−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕−５−ヒドロキシイソフタルアミド、N,N′−
ビス〔３−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕−５−
ヒドロキシイソフタルアミド等。
式IIのテトラカルボン酸二無水物としては、例えばピ
ロメリット酸二無水物、3,4,3′,4′−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。
ロメリット酸二無水物、3,4,3′,4′−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。
本発明に用いられる芳香族ポリアミドイミド樹脂にお
いては、テトラカルボン酸無水物と式Ｉで表されるジア
ミン化合物との反応により製造されるポリアミドの繰り
返し部分は50モル％以上であることが感光性の点から好
ましい。これらの樹脂を合成する方法にも制限はなく、
一般的にポリアミドイミドを合成する方法、すなわち、
テトラカルボン酸とジアミン化合物とを等モル混合した
溶液中でポリアミックを合成し、その後加熱してイミド
環形成縮合反応を行うことによりポリアミドイミドを合
成する一般的な合成法を使用することで、フェノール性
水酸基を破壊させることなしに本発明に用いられる芳香
族ポリアミドイミド樹脂を合成することができる。
いては、テトラカルボン酸無水物と式Ｉで表されるジア
ミン化合物との反応により製造されるポリアミドの繰り
返し部分は50モル％以上であることが感光性の点から好
ましい。これらの樹脂を合成する方法にも制限はなく、
一般的にポリアミドイミドを合成する方法、すなわち、
テトラカルボン酸とジアミン化合物とを等モル混合した
溶液中でポリアミックを合成し、その後加熱してイミド
環形成縮合反応を行うことによりポリアミドイミドを合
成する一般的な合成法を使用することで、フェノール性
水酸基を破壊させることなしに本発明に用いられる芳香
族ポリアミドイミド樹脂を合成することができる。
この芳香族ポリアミドイミド樹脂の固有粘度（30℃に
おける0.5g/dl濃度のＮ−メチル−２−ピロリドン溶
液）は0.2〜4dl/gが好ましい。固有粘度がこれより低い
と成膜性が低下し、またこれより高いと加工性が悪くな
るおそれがある。
おける0.5g/dl濃度のＮ−メチル−２−ピロリドン溶
液）は0.2〜4dl/gが好ましい。固有粘度がこれより低い
と成膜性が低下し、またこれより高いと加工性が悪くな
るおそれがある。
本発明に用いられるオルトナフトキノンジアジドスル
ホン酸化合物の例としては、下記の化合物が挙げられ
る。
ホン酸化合物の例としては、下記の化合物が挙げられ
る。
４−〔ナフトキノン−（1,2）−ジアジド−（２）−
４−スルホン酸〕−2,5−ジヒドロキシベンゾフェノン
エステル、ナフトキノン−（1,2）−ジアジド−（２）
−５−スルホン酸エチルエーテル、ナフトキノン−（1,
2）−ジアジド−（２）−５−スルホン酸ナフチルエー
テル、ナフトキノン−（1,2）−ジアジド−（２）−５
−スルホンアミド、ナフトキノン−（1,2）−ジアジド
−（２）−５−スルホン酸シクロヘキシルエステル、Ｎ
−ベンゾイル−Ｎ′−（ナフトキノン−（1,2）−ジア
ジド−（２）−５−スルホニル）−ヒドラジン、N,N−
ビス（ナフトキノン−（1,2）−ジアジド−（２）−５
−スルホニル）−アニリン、ナフトキノン−（1,2）−
ジアジド−（２）−フェニルスルホン−（４）、2,3,4
−トリス〔ナフトキノン（1,2）−ジアジド−（２）−
４−スルホン酸〕ベンゾフェノンエステル、2,2−ビス
〔４−（ナフトキノン−（1,2）−ジアジド−（２）−
スルホン酸〕フェニルエステル〕プロパン等。これらの
２種以上の混合物を使用することもできる。
４−スルホン酸〕−2,5−ジヒドロキシベンゾフェノン
エステル、ナフトキノン−（1,2）−ジアジド−（２）
−５−スルホン酸エチルエーテル、ナフトキノン−（1,
2）−ジアジド−（２）−５−スルホン酸ナフチルエー
テル、ナフトキノン−（1,2）−ジアジド−（２）−５
−スルホンアミド、ナフトキノン−（1,2）−ジアジド
−（２）−５−スルホン酸シクロヘキシルエステル、Ｎ
−ベンゾイル−Ｎ′−（ナフトキノン−（1,2）−ジア
ジド−（２）−５−スルホニル）−ヒドラジン、N,N−
ビス（ナフトキノン−（1,2）−ジアジド−（２）−５
−スルホニル）−アニリン、ナフトキノン−（1,2）−
ジアジド−（２）−フェニルスルホン−（４）、2,3,4
−トリス〔ナフトキノン（1,2）−ジアジド−（２）−
４−スルホン酸〕ベンゾフェノンエステル、2,2−ビス
〔４−（ナフトキノン−（1,2）−ジアジド−（２）−
スルホン酸〕フェニルエステル〕プロパン等。これらの
２種以上の混合物を使用することもできる。
オルトナフトキノンジアジド化合物の配合量は、前記
の芳香族ポリアミドイミド樹脂100重量部に対して、0.2
〜30重量部、特に１〜20重量部が好ましい。この配合量
が少なすぎると組成物の感度が悪くなり、多すぎると形
成される膜の性質が低下する。
の芳香族ポリアミドイミド樹脂100重量部に対して、0.2
〜30重量部、特に１〜20重量部が好ましい。この配合量
が少なすぎると組成物の感度が悪くなり、多すぎると形
成される膜の性質が低下する。
本発明のポジ型感光性ポリアミドイミド組成物の特徴
の一つは有機溶媒に可溶なことである。溶媒としては、
例えば溶解性が高いＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−
ビニル−２−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、ヘキサメチレンホスホアミド、ピリジン、ｍ−クレ
ゾール、エチレンセルソルブ、ジグライム、ジオキサン
等が挙げられる。これらの２種以上の混合物を使用する
こともできる。
の一つは有機溶媒に可溶なことである。溶媒としては、
例えば溶解性が高いＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−
ビニル−２−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、ヘキサメチレンホスホアミド、ピリジン、ｍ−クレ
ゾール、エチレンセルソルブ、ジグライム、ジオキサン
等が挙げられる。これらの２種以上の混合物を使用する
こともできる。
本発明のポジ型感光性ポリアミドイミド組成物には、
必要に応じて、γ−メタクリルオキシプロピルトリメト
キシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−
（２−アミノエチル）アミノプロピルメチルジメトキシ
シラン等の接着助剤、酸化防止剤、紫外線安定剤、着色
剤、難燃剤、充填剤等を添加することもできる。
必要に応じて、γ−メタクリルオキシプロピルトリメト
キシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−
（２−アミノエチル）アミノプロピルメチルジメトキシ
シラン等の接着助剤、酸化防止剤、紫外線安定剤、着色
剤、難燃剤、充填剤等を添加することもできる。
本発明のポジ型感光性ポリアミドイミド組成物の溶液
は、例えば、前記の芳香族ポリアミドイミド樹脂及びオ
ルトキノンジアジド化合物を有機溶媒に溶解させること
により容易に調製することができる。
は、例えば、前記の芳香族ポリアミドイミド樹脂及びオ
ルトキノンジアジド化合物を有機溶媒に溶解させること
により容易に調製することができる。
こうして得られる有機溶媒可溶性ポジ型感光性ポリア
ミドイミド組成物の溶液を使用してポジ型レリーフパタ
ーンを形成するには、該溶液を基板に塗布、乾燥して感
光性樹脂膜を形成する。この基板への塗布は、例えば回
転塗布機で行うことができる。この塗布膜の乾燥は100
℃以下で行うことが好ましい。更に、塗膜にポジ型のホ
トマスクを置き、紫外線、可視光線、Ｘ線等を照射す
る。次いで、露光部を現像液で洗い流すことによりポリ
アミドイミド樹脂のポジ型レリーフパターンを得る。こ
のポジ型レリーフパターン構造物は、半導体、抵抗体等
のパッシベーション膜、蒸着法、イオン注入法、α線遮
蔽等のマスク、メモリー素子、電解コンデンサー、多層
集積回路の層間用、精密回路用等の絶縁層、液晶用配線
膜、エッチングレジスト等として、また印刷板の作製、
平版校正用途、平版転写箔等に使用できる。
ミドイミド組成物の溶液を使用してポジ型レリーフパタ
ーンを形成するには、該溶液を基板に塗布、乾燥して感
光性樹脂膜を形成する。この基板への塗布は、例えば回
転塗布機で行うことができる。この塗布膜の乾燥は100
℃以下で行うことが好ましい。更に、塗膜にポジ型のホ
トマスクを置き、紫外線、可視光線、Ｘ線等を照射す
る。次いで、露光部を現像液で洗い流すことによりポリ
アミドイミド樹脂のポジ型レリーフパターンを得る。こ
のポジ型レリーフパターン構造物は、半導体、抵抗体等
のパッシベーション膜、蒸着法、イオン注入法、α線遮
蔽等のマスク、メモリー素子、電解コンデンサー、多層
集積回路の層間用、精密回路用等の絶縁層、液晶用配線
膜、エッチングレジスト等として、また印刷板の作製、
平版校正用途、平版転写箔等に使用できる。
現像液としては、プロピルアミン、ブチルアミン、モ
ノエタノールアミン等の１級有機アミン化合物、エチレ
ンジアミン、トリメチレンジアミン等の１級有機ジアミ
ン化合物、ヒドラジン等を単独又は混合して使用するこ
とができる。
ノエタノールアミン等の１級有機アミン化合物、エチレ
ンジアミン、トリメチレンジアミン等の１級有機ジアミ
ン化合物、ヒドラジン等を単独又は混合して使用するこ
とができる。
そのほか珪酸ナトリウム、珪酸カリウム、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、リン酸ナト
リウム、リン酸−水素アンモニウム、メタ珪酸ナトリウ
ム、重炭酸ナトリウム、アンモニア等の無機アルカリ性
化合物の水溶液を現像液として使用できる。これら化合
物の好適な濃度は約0.1〜10重量％である。また、前記
のアミン化合物に、メタノール、エタノール、２−プロ
パノール、エチレングリコール、エチレンセルソルブ、
ブチルセロソルブ、ジエチレングリコール、エチルカル
ビトール、ブチルカルビトール、水等の該ポリアミドイ
ミドの非溶媒を混合して使用することもできる。
リウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、リン酸ナト
リウム、リン酸−水素アンモニウム、メタ珪酸ナトリウ
ム、重炭酸ナトリウム、アンモニア等の無機アルカリ性
化合物の水溶液を現像液として使用できる。これら化合
物の好適な濃度は約0.1〜10重量％である。また、前記
のアミン化合物に、メタノール、エタノール、２−プロ
パノール、エチレングリコール、エチレンセルソルブ、
ブチルセロソルブ、ジエチレングリコール、エチルカル
ビトール、ブチルカルビトール、水等の該ポリアミドイ
ミドの非溶媒を混合して使用することもできる。
以下実施例をもって本発明を詳細に説明する。
実施例１ N,N′−ビス（３−アミノフェニル）−５−ヒドロキ
シイソフタルアミド18g（50ミリモル）とピロメリット
酸二無水物11g（50ミリモル）をＮ−メチル−２−ピロ
リドン150mlに溶解し、窒素雰囲気下、室温で６時間反
応させて、ポリアミック酸溶液を得た。このポリアミッ
ク酸溶液を200℃で２時間加熱し、脱水環化反応を行っ
た。放冷後、重合体溶液を大量のメタノール中に注ぎ入
れた。析出した固体を濾取し、洗浄、乾燥して次式 （式中Ｑは基 を示す）で表わされる繰り返し単位を有する淡黄色の芳
香族ポリアミドイミド樹脂を得た。この樹脂の固有粘度
（濃度0.5g/dlのＮ−メチル−２−ピロリドン溶液、30
℃）は0.32dl/gであった。
シイソフタルアミド18g（50ミリモル）とピロメリット
酸二無水物11g（50ミリモル）をＮ−メチル−２−ピロ
リドン150mlに溶解し、窒素雰囲気下、室温で６時間反
応させて、ポリアミック酸溶液を得た。このポリアミッ
ク酸溶液を200℃で２時間加熱し、脱水環化反応を行っ
た。放冷後、重合体溶液を大量のメタノール中に注ぎ入
れた。析出した固体を濾取し、洗浄、乾燥して次式 （式中Ｑは基 を示す）で表わされる繰り返し単位を有する淡黄色の芳
香族ポリアミドイミド樹脂を得た。この樹脂の固有粘度
（濃度0.5g/dlのＮ−メチル−２−ピロリドン溶液、30
℃）は0.32dl/gであった。
式IIIの繰り返し単位を有するポリアミドイミド樹脂
1.4g及び４−〔ナフトキノン−（1,2）−ジアジド−
（２）−４−スルホン酸〕−2,5−ジヒドロキシベンゾ
フェノンエステル0.14gをＮ−メチル−２−ピロリドン
8.6gに溶解した後、１μｍのフィルターにより濾過し、
ポジ型ポリアミドイミド組成物の溶液を得た。
1.4g及び４−〔ナフトキノン−（1,2）−ジアジド−
（２）−４−スルホン酸〕−2,5−ジヒドロキシベンゾ
フェノンエステル0.14gをＮ−メチル−２−ピロリドン
8.6gに溶解した後、１μｍのフィルターにより濾過し、
ポジ型ポリアミドイミド組成物の溶液を得た。
得られた溶液をガラス基板上にスピンナーを使用して
2500rpmで30秒間回転塗布した後、90℃で３分間乾燥し
て、3.0μｍ厚の塗膜を得た。該塗膜にテストマスクを
介して250Wの高圧水銀灯の光を８秒間照射した。これは
露光面での紫外線強度が350nm波長域で約7mW/cm2であっ
たので、露光強度は約50mJ/cm2に相当する。露光後、60
℃のモノメタノールアミンにより現像し、２−プロパノ
ールで洗浄して、シャープな端面を有するポジ型レリー
フパターンを得た。現像後の塗膜の厚さは2.2μｍであ
った。得られたパターンが識別できる最小のマスクパタ
ーンは６μｍであった。このパターンを窒素気流下、30
0℃で30分間加熱後、400℃で20分間加熱したところ、膜
厚は1.8μｍになった。しかし、加熱後でもパターン膜
の変形、ぼやけ等はみられず、良好な耐熱性を示した。
2500rpmで30秒間回転塗布した後、90℃で３分間乾燥し
て、3.0μｍ厚の塗膜を得た。該塗膜にテストマスクを
介して250Wの高圧水銀灯の光を８秒間照射した。これは
露光面での紫外線強度が350nm波長域で約7mW/cm2であっ
たので、露光強度は約50mJ/cm2に相当する。露光後、60
℃のモノメタノールアミンにより現像し、２−プロパノ
ールで洗浄して、シャープな端面を有するポジ型レリー
フパターンを得た。現像後の塗膜の厚さは2.2μｍであ
った。得られたパターンが識別できる最小のマスクパタ
ーンは６μｍであった。このパターンを窒素気流下、30
0℃で30分間加熱後、400℃で20分間加熱したところ、膜
厚は1.8μｍになった。しかし、加熱後でもパターン膜
の変形、ぼやけ等はみられず、良好な耐熱性を示した。
実施例２ N,N′−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕−５−ヒドロキシイソフタルアミド27.3g（50ミリ
モル）と3,4,3′,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物16g（50ミリモル）をＮ−メチル−２−ピロ
リドン150mlに溶解し、窒素雰囲気下、室温で６時間反
応させて、ポリアミック酸溶液を得た。このポリアミッ
ク酸溶液を200℃で２時間、250℃で１時間加熱し、脱水
環化反応を行った。放冷後、重合体溶液を大量のメタノ
ール中に注ぎ入れた。析出した固体を濾取し、洗浄、乾
燥し、次式 （式中Ｑは前記の意味を有する）で表わされる淡黄色の
ポリアミドイミド樹脂を得た。この樹脂の固有粘度は0.
35dl/gであった。
ル〕−５−ヒドロキシイソフタルアミド27.3g（50ミリ
モル）と3,4,3′,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物16g（50ミリモル）をＮ−メチル−２−ピロ
リドン150mlに溶解し、窒素雰囲気下、室温で６時間反
応させて、ポリアミック酸溶液を得た。このポリアミッ
ク酸溶液を200℃で２時間、250℃で１時間加熱し、脱水
環化反応を行った。放冷後、重合体溶液を大量のメタノ
ール中に注ぎ入れた。析出した固体を濾取し、洗浄、乾
燥し、次式 （式中Ｑは前記の意味を有する）で表わされる淡黄色の
ポリアミドイミド樹脂を得た。この樹脂の固有粘度は0.
35dl/gであった。
式IVの繰り返し単位を有するポリアミドイミド樹脂を
用い、その他は実施例１と同様にしてガラス基板上にポ
ジ型レリーフパターンを形成した。得られたパターンの
膜厚は2.0μｍであった。該パターンが識別できる最小
のマスクパターンは６μｍであった。このパターンを窒
素気流下、300℃で30分間加熱後、400℃で20間加熱した
ところ、膜厚は1.6μｍになった。しかし、加熱後でも
パターン膜の変形、ぼやけ等はみられず、良好な耐熱性
を示した。
用い、その他は実施例１と同様にしてガラス基板上にポ
ジ型レリーフパターンを形成した。得られたパターンの
膜厚は2.0μｍであった。該パターンが識別できる最小
のマスクパターンは６μｍであった。このパターンを窒
素気流下、300℃で30分間加熱後、400℃で20間加熱した
ところ、膜厚は1.6μｍになった。しかし、加熱後でも
パターン膜の変形、ぼやけ等はみられず、良好な耐熱性
を示した。
実施例３ N,N′−ビス（３−アミノフェニル）−５−ヒドロキ
シイソフタルアミド18g（50ミリモル）と3,4,3′,4′−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物16g（50ミリ
モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン150mlに溶解し、
窒素雰囲気下、室温で６時間反応させて、ポリアミック
酸溶液を得た。このポリアミック酸溶液を200℃で２時
間、250℃で１時間加熱し、脱水環化反応を行った。放
冷後、重合体溶液を、大量のメタノール中に注ぎ入れ
た。析出した固体を濾取し、洗浄、乾燥して次式 （式中Ｑは前記の意味を有する）で表わされる繰り返し
単位を有する芳香族ポリアミドイミド樹脂を得た。この
樹脂の固有粘度は0.38dl/gであった。
シイソフタルアミド18g（50ミリモル）と3,4,3′,4′−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物16g（50ミリ
モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン150mlに溶解し、
窒素雰囲気下、室温で６時間反応させて、ポリアミック
酸溶液を得た。このポリアミック酸溶液を200℃で２時
間、250℃で１時間加熱し、脱水環化反応を行った。放
冷後、重合体溶液を、大量のメタノール中に注ぎ入れ
た。析出した固体を濾取し、洗浄、乾燥して次式 （式中Ｑは前記の意味を有する）で表わされる繰り返し
単位を有する芳香族ポリアミドイミド樹脂を得た。この
樹脂の固有粘度は0.38dl/gであった。
式Ｖの繰り返し単位を有するポリアミドイミド樹脂を
用い、その他は実施例１と同様にしてガラス基板上にポ
ジ型レリーフパターンを形成した。得られたパターンの
膜厚は2.4μｍであった。該パターンが識別できる最小
のマスクパターンは５μｍであった。このパターンを窒
素気流下、300℃で30分間加熱後、400℃で20分間加熱し
たところ、膜厚は2.0μｍになった。しかし、加熱後で
もパターン膜の変形、ぼやけ等はみられず、良好な耐熱
性を示した。
用い、その他は実施例１と同様にしてガラス基板上にポ
ジ型レリーフパターンを形成した。得られたパターンの
膜厚は2.4μｍであった。該パターンが識別できる最小
のマスクパターンは５μｍであった。このパターンを窒
素気流下、300℃で30分間加熱後、400℃で20分間加熱し
たところ、膜厚は2.0μｍになった。しかし、加熱後で
もパターン膜の変形、ぼやけ等はみられず、良好な耐熱
性を示した。
実施例４ ４−〔ナフトキノン−1,2）−ジアジド−（２）−４
−スルホン酸〕−2,5−ジヒドロキシベンゾフェノンエ
ステルに代えて2,3,4−トリス〔ナフトキノン−（1,2）
−ジアジド−（２）−４−スルホン酸ベンゾフェノンエ
ステルを用い、その他は実施例１と同様にしてガラス基
板上にポジ型レリーフパターンを形成した。得られたパ
ターンの膜厚は2.3μｍ、該パターンが識別できる最小
のマスクパターンは４μｍであった。このパターンを窒
素気流過下、300℃で30分間加熱後、400℃で20分間加熱
したところ、膜厚は1.8μｍとなった。しかし、このパ
ターン膜の変形、ぼやけ等はみられず、良好な耐熱性を
示した。
−スルホン酸〕−2,5−ジヒドロキシベンゾフェノンエ
ステルに代えて2,3,4−トリス〔ナフトキノン−（1,2）
−ジアジド−（２）−４−スルホン酸ベンゾフェノンエ
ステルを用い、その他は実施例１と同様にしてガラス基
板上にポジ型レリーフパターンを形成した。得られたパ
ターンの膜厚は2.3μｍ、該パターンが識別できる最小
のマスクパターンは４μｍであった。このパターンを窒
素気流過下、300℃で30分間加熱後、400℃で20分間加熱
したところ、膜厚は1.8μｍとなった。しかし、このパ
ターン膜の変形、ぼやけ等はみられず、良好な耐熱性を
示した。
実施例５ ４−〔ナフトキノン−（1,2）−ジアジド−（２）−
４−スルホン酸〕−2,5−ジヒドロキシベンゾフェノン
エステルに代えて2,2−ビス〔４−（ナフトキノン（1,
2）−ジアジド（２）−４−スルホン酸）フェニルエス
テル〕プロパンを用い、その他は実施例２と同様にして
ガラス基板上にポジ型レリーフパターンを形成した。得
られたパターンの膜厚は2.0μｍ、該パターンが識別で
きる最小のマスクパターンは４μｍであった。このパタ
ーンを窒素気流下、300℃で30分間加熱後、400℃で20分
間加熱したところ、膜厚は1.6μｍとなったが、パター
ン膜の変形、ぼやけ等はみられなかった。
４−スルホン酸〕−2,5−ジヒドロキシベンゾフェノン
エステルに代えて2,2−ビス〔４−（ナフトキノン（1,
2）−ジアジド（２）−４−スルホン酸）フェニルエス
テル〕プロパンを用い、その他は実施例２と同様にして
ガラス基板上にポジ型レリーフパターンを形成した。得
られたパターンの膜厚は2.0μｍ、該パターンが識別で
きる最小のマスクパターンは４μｍであった。このパタ
ーンを窒素気流下、300℃で30分間加熱後、400℃で20分
間加熱したところ、膜厚は1.6μｍとなったが、パター
ン膜の変形、ぼやけ等はみられなかった。
本発明のポジ型感光性ポリアミドイミド組成物は、架
橋性基を有するポリイミドや架橋性化合物を含まないに
も拘らず高感度であり、かつ架橋性化合物を含まないた
め、耐熱性のよび寸法安定性に優れていると共に貯蔵安
定性にも優れている。本発明の組成物は工業的に製造容
易であり、有機溶媒可溶性なのでパターン形成材料とし
て好適に使用することができる。
橋性基を有するポリイミドや架橋性化合物を含まないに
も拘らず高感度であり、かつ架橋性化合物を含まないた
め、耐熱性のよび寸法安定性に優れていると共に貯蔵安
定性にも優れている。本発明の組成物は工業的に製造容
易であり、有機溶媒可溶性なのでパターン形成材料とし
て好適に使用することができる。
Claims (1)
- 【請求項１】一般式 〔式中Ｒはフェニレン基または−Ph−Ｏ−Ph−（Phはフ
ェニレン基）を示す〕で表されるフェノール性水酸基含
有ジアミン化合物と、一般式 （式中Arは基 を示す）で表されるテトラカルボン酸二無水物との反応
生成物であるフェノール性水酸基含有ポリアミドイミド
樹脂およびオルトナフトキノンジアジドスルホン酸化合
物を含有することを特徴とするポジ型感光性ポリアミド
イミド組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2045719A JP2524241B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | ポジ型感光性ポリアミドイミド組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2045719A JP2524241B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | ポジ型感光性ポリアミドイミド組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03250048A JPH03250048A (ja) | 1991-11-07 |
| JP2524241B2 true JP2524241B2 (ja) | 1996-08-14 |
Family
ID=12727160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2045719A Expired - Fee Related JP2524241B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | ポジ型感光性ポリアミドイミド組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2524241B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4655757B2 (ja) * | 2005-05-19 | 2011-03-23 | 住友電気工業株式会社 | ポジ型感光性接着剤 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03247655A (ja) * | 1990-02-27 | 1991-11-05 | Tomoegawa Paper Co Ltd | ポジ型感光性ポリアミドイミド組成物 |
-
1990
- 1990-02-28 JP JP2045719A patent/JP2524241B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03247655A (ja) * | 1990-02-27 | 1991-11-05 | Tomoegawa Paper Co Ltd | ポジ型感光性ポリアミドイミド組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03250048A (ja) | 1991-11-07 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |