JPH03243965A

JPH03243965A - 電子写真装置

Info

Publication number: JPH03243965A
Application number: JP2040765A
Authority: JP
Inventors: Toshiyuki Ebara; 俊幸江原; Koji Yamazaki; 晃司山崎; Toshihito Yoshino; 豪人吉野; Hitoshi Murayama; 仁村山
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1990-02-21
Filing date: 1990-02-21
Publication date: 1991-10-30

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、摩擦係数の差を利用して、感光体の種類を検
知し、自動的に感光体に応じた設定に切換わる電子写真
装置に関するものである。

〔従来の技術〕

従来、電子写真装置には、その用途、情報書き込み光源
、たとえば、レザー光、コピー速度、コピー総量の大小
等に応じて、Ｓｅ、　０ＰＣ１Ａ−５ｉ％Ｃｄ５−１ｎ
ｓ系、ＺｎＯ等の感光体を使いわけ、それぞれの感光体
に適合した帯電器、現像器、クリーナ配置、および帯電
印加電圧、露光光量を設定している。

主な感光体について、その特徴を挙げると、以下のよう
になる。

（ｉ）　Ａ−５ｉＡ−５ｉ悪感光は、表面硬度が高く（ビッカース硬度１
０００以上）、シかも、繰り返し使用による劣化、静電
潜像電位の変動がなく、熱的に安定で、結晶化がなく、
まったくの無害で、長波長にまで高感度などの優れた特
徴を持つ反面、シランガス（ＳｉＨ４）等の高価なガス
をプラズマＣＶＤ等で長時間（約５時間）かけて、堆積
成膜していくため、感光体が非常に高価となる欠点があ
る。

こうした＾−５ｉ感光体を用いた電子写真装置ならびに
画像形成プロセスは概略以下のとおりである。

第７図は代表的な＾−５ｉ／！５光体の模式的断面図で
あって、７０１はＡｌ等の導電性支持体、７０２は該導
電性支持体７０１からの電荷の注入を阻止するための電
荷注入阻止層、７０３は少なくとも非単結晶シリコン系
の材料で構成され、光導電性を示す光導電層、７０４は
該光導電層７０３を保護するための表面保護層である。

第６図はＡ−５ｔ悪感光を用いた従来の複写機の画像形
成プロセスを示す概略図であって、矢印の方向に回転す
る感光体６０１の周辺には、主帯電器６０２、静電潜像
形成部位６０３、現像器６１４、転写紙給送系６１８、
帯電器（転写・分１ＩＩＦ電器）　６１５　、クリーナ
６１６、搬送系６１９、除電光源６１７などが配設され
ている。そして、ヒータ６２０によって加温された感光
体６０１は主帯電器６０２によフて一様に帯電され、こ
れにハロゲンランプ、蛍光灯等の光源６０６により発し
た光をプラテンガラス６０４上の原ｆ４８２１に照射し
、その反射光をミラー６０７．８０８、レンズ系６０９
、ミラー６１２．６１１．６１０　、赤外カットフィル
ターを介して感光体表面上に導き、投影されて静電潜像
が形成され、この潜像に現像器８１４からトナーが供給
されてトナー像となる。

一方、転写紙通路６２２、レジストローラ６２３からな
る転写紙供給６Ｈｌを通って、光受容部材方向に供給さ
れる転写紙Ｐは帯電器６１５と感光体６０１との間隙に
おいて、背面からトナーとは反対極性の電界が与えられ
、これによって感光体表面上のトナー像は転写紙Ｐに転
移する。

分離された転写紙Ｐは転写紙搬送系６１９をとおって、
図示されていない定着装置に至って、トナー像は定着さ
れて装置外に排出される。

なお転写部位において転写に寄与しないで、光受容部材
表面に残る残留トナーは、クリーナ６１６　に至り、ク
リーニングブレードによってクリーニングされる。

上記クリーニングにより更新された光受容部材表面は、
さらに、除電源６１７から除電露光が与えられ、再び同
様のサイクルに供せられる。

（ｉｆ）　　０ＰＣｏｐｃ　　（有機光導電体）感光体は、光キャリアー発
生を役割とする顔料または染料の分子設計の自由度が大
きく、塗工が容易で、量産化しやすく、製造コストがき
わめて低廉であるが、表面硬度が低く、光メモリも残り
やすいうえに、耐刷性に欠ける欠点がある。

第８図は代表的なｏｐｃ感光体の模式的断面図であって
、８０１はＡｌ等の導電性支持体、８０２は電荷発生層
（ＣＧＬ）、８０３は電荷容送層（ＣＴＬ）である。

第９図はｏｐｃ感光体を用いた従来の複写機の画像形成
プロセスを示す概略図でって、矢印の方向に回転する感
光体９０１の周辺には、主帯電器９０２、静電潜像形成
部位９０３、現像器９１４、転写紙給送系９１８、帯電
器（転写・分離帯電器）　９１５　、クリーナ９１６、
除電光源９１７などが配設されている。

感光体９０１は主帯電器９０２によって一様に帯電され
、これにハロゲンランプ、蛍光灯等の光源９０６により
発した光をプラテンガラス９０４上の原稿９２１に照射
し、その反射光をミラー系９０７、　’ＪＯＢ、レンズ
系９０９、ミラー系９１２．９１１゜９１０を介して感
光体表面上に導き、投影されて静電潜像が形成され、こ
の潜像に現像器９１４からトナーが供給されてトナー像
となる。

一方、転写紙通路９２２、レジストローラ９２３からな
る転写紙供給系９１８を通って光受容部材方向に供給さ
れる転写紙Ｐは帯電器９１５と感光体９０１との間隙に
おいて、背面からトナーとは反対極性の電界が与えられ
、これによって感光体表面上のトナー像は転写紙Ｐに転
移する。

分離された転写紙Ｐは転写紙搬送系９１９をとおって図
示されない定着装置に至って、トナー像は定着されて装
置外に排出される。

なお転写部において、転写に寄与しないで、光受容部材
表面に残る残留トナーはクリーナ９１６に至り、クリー
ニングブレードによってりリーニングされる。

上記クリーニングにより更新された光受容部材表面は、
さらに、除電光源９１７から除電露光が与えられて、再
び同様のサイクルに供せられる。

（ｉｆｆ）　　５ｅＳｅ感光体は電位が安定しており、製造方法も比較的容
易で、かつ、安価なことから、電子写真装置の出現当初
から広く用いられており、いまだに市場の大半をしめて
いる。しかし、Ｓｅ５光体は指でされった所や、４０℃
以上になると、結晶化をはじめ、帯電能の低下や、白斑
が出るといった欠点を有していた。現在では、こうした
結晶化をおこしにくいＡｓＳｅ系のものが用いられてき
ている。

第１０図は代表的なＡｓＳｅ感光体の模式的断面図であ
って、１００１はＡｎ等の導電性支持体、１００２は光
導電層である。

第１１図はＡｓＳｅ感光体を用いた従来の複写機の画像
形成プロセスを示す概略図であって、矢印の方向に回転
する感光体１１０１の周辺には、主帯電器１１０２、静
電潜像形成部位１１０３、現像器１１１４、転写紙給送
系１１１８、帯電器（転写・分離帯電器）　１１１５、
クリーナ１１１６、搬送系１１１９、除電光源１１１７
などが配設されている。

感光体１１０１は主帯電器１１０２によって一様に帯電
され、これにハロゲンランプ、蛍光灯等の光源１１０６
により発した光をプラテンガラス１１０４上の原稿１１
２１に照射し、その反射光をミラー系１１０７、１１０
８、レンズ系１１０９、ミラー系１１１２．１１１１．
１１１０、紫外カットフィルター１１２４を介して感光
体表面上に導き、投影されて静電潜像が形成され、この
潜像に現像器１１１４からトナーが供給されてトナー像
となる。

一方、転写紙通路１１２２、レジストローラ１１２３か
うなる転写紙供給系１１１８をとおって光受容部材方向
に供給される転写紙Ｐは、帯電器１１１５と感光体１１
０１との間隙において、背面からトナーとは反対極性の
電界が与えられ、これによって感光体表面上のトナー像
は転写紙Ｐに転移する。

分離された転写紙Ｐは転写紙搬送系１１１９をとおって
、図示されていない定着装置に至って、トナー像は定着
されて装置外に排出される。

なお転写部位において、転写に寄与しないで、光受容部
材表面に残る残留トナーはクリーナ１１１６に至り、ク
リーニングブレードによってクリーニングされる。

上記クリーニングにより更新された光受容部材表面は、
さらに除電光源１１１７から除電露光が与えられて、再
び同様のサイクルに供せられる。

以上述べたように、感光体により、帯電電流、露光光量
等の設定上の差異は大きいものの、電子写真装置構成上
は類似しており、ハード面での共通化は、ユニットレベ
ルで進んでいる。

〔発明が解決しようとするＨ題〕

電子写真装置、すなわち、複写機の出現により、きわめ
て容易に書類の複写が可能となり、また複写機の性能向
上、コピーコストの低減といった要因も加わり、一般事
務用、官公庁の証明書類、申請書類、また書籍、会議賃
料、チラシ、ビラ類に至るまで、複写物（コピー）の需
要は大きく伸び、もはやなくてはならないものとなって
いる。

現在、全世界で年間１兆枚ものコピーがとられており、
今後も６％程度の伸びを示すと考えられている。

官公庁はじめ、各企業や商店等も、コピー量の増大に対
し、ペーパーレス化を図り、一方、事務機業界も、ベー
パーレス化を提唱し、さまざまな機器を上市してきたが
、現在も前述のように、総複写枚数は増加の一途をたど
っている。

こうした状況下で、もはや生活に密着した複写機に対し
て、より一そうのコピーコストの低減と、メインテナン
スの簡便化、耐久性、安定性の向上が強く求められてい
る。

近年、オフィスパーソナルや家庭向けの超小型複写機が
上布され、大量の台数が市場設置されているにもかかわ
らず、コピーコストは市場で満足されるレベルまて低減
はされていない。

これは消耗材の消費が少ないため、大量生産によるスケ
ールメリットが生かされていないためである。

各ユーザの使用状況、たとえば、月間複写量、複写速度
、デザインの好み等を尊重しながらも、複写機の本体、
消耗材の共通化、規格化、標準化をおしすすめ、付加機
能はオプション化する等して、総合的なコピーコストの
大幅達成させることが可能である。

しかしながら、こうした電子写真装置の共通化、規格化
、標準化にとフて、従来から最大の障害となっていたの
は、電子写真プロセスの共通化、規格化、標準化、とり
わけ、異なった電子写真用感光体を同一複写機本体で、
いかに使いこなすかといった点にあった。

つまり、現在、電子写真用感光体には、主に、Ｓ　ｅ　
ｓ　ＯＰ　Ｃ％Ａ−５ｊが用いられており、それぞれ、
帯電能感度が異なり、同一複写機に用いるのは困難であ
るという問題点がある。

本発明は、このような問題点を解決しようとするもので
ある。すなわち、本発明は、異なった電子写真用感光体
を同一複写機本体で使用することができるようにした電
子写真装置を提供することを目的とするものである。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するために、本発明は、感光体と帯電手
段と露光手段と現像手段等を有する電子写真装置におい
て、前記感光体の種類に応じた複数種類の設定をする設
定手段と、該感光体の表面摩擦係数を測定する測定手段
とを有し、かつ、該測定手段の測定結果に応じて前記設
定を選択実行するようにした。

〔作　　　用〕

本発明によれば、感光体の種類に応じた複数種類の設定
をする設定手段と、前記感光体の表面摩擦係数を測定す
る測定手段とを有するので、該測定手段の測定結果によ
り、前記感光体の種類を識別することができ、これに応
じて該設定を選択実行する。

したがって、本発明によれば、異なった電子写真感光体
を同一複写機本体で使用することができて、コピーコス
トの−そうの低減が達成できる。

（実　施　例）第１図は本発明の一実施例の電子写真装置の画像形成プ
ロセスを示す概略図であって、矢印の方向に回転する感
光体１０１の周辺には、主帯電器１０２、現像器１１４
、帯電器（転写・分離帯電器）　１１５　、クリー−１
−１１６、除電光源１１７などが配設されている。また
１１Ｂは該感光体１０１の表面摩擦係数を測定するため
の板プレー、ド、１１９は該板ブレード１１８に荷重を
かけるための３０ｇの重りである。そして、１２１は変
位量を検出する圧電素子であり、１２０は該板ブレード
１１８と圧電素子１２１を接続するバーである。

本発明の電子写真装置の基本的な電子写真プロセスは従
来の電子写真と同様であるが、感光体１０１の表面摩擦
係数を測定する測定手段を有し、さらに、その測定手段
の測定結果に応じて感光体１０１の種類を判定し、その
感光体１０１の種類に応じた最適な電子写真プロセス上
の設定を行なうことができる。

まず、装置本体の電源を入れ、設置シーケンスを開始す
る。該感光体１０１が回転し、感光体１０１の表面摩擦
係数を測定するため、板ブレード１１８が感光体１０１
に接触する。３０ｇの重り１１９の荷重がかかった状態
での動摩擦係数を、バー１２０の変位量を圧電素子１２
１で測定することにより行ない、簡単な演算処理の後に
測定された摩擦係数を、電子写真装置内のメモリに記憶
されている摩擦係数と比較することにより、感光体１０
１の種類を判定する。

つぎに、判定された感光体１０１の種類に応じて電子写
真プロセス上、最適な設定を行なう。

たとえば、＾−５ｉｓ　ＯＰＣ、＾−５ｅ感光体を考え
るとき、各々の材料の該電車が異なるため、感光体によ
り受容電位に差がある。したがって、すべての感光体に
対して同じ表面電位となるように、主帯電用高圧電源の
出力設定を行なう。また転写帯電器、分＊；ｉ電器に対
しても同様の設定を行なう。つぎに、感光体の種類によ
り分光感度が異なるため、画像露光の分光分布を変更す
るための画像露光フィルタを切換える。さらに、感光体
の種類に応じて現像バイアスの切換えを前述と同様に高
圧電源によって行なう。

以上で、設置時シーケンスが終了する。

設置時シーケンスが終了した時点で、通常の制御シーケ
ンスに移る。通常の制御シーケンスにおける電子写真プ
ロセスは従来の方法と同様である。

（ｉ）　（Ｉ　Ａ−５ｉ悪感光本発明に用いられる代表的な□Ａ−５ｔの模式的断面図
を第３図に示す、第３図（ａ）は本発明に用いられる光
受容部材の最も基本的な構成を示すものである。同図に
おいて、３０１はＡ４等の導電性支持体を示している。

３０２は少なくとも非単結晶シリコン系の材料で構成さ
れ、光導電性を示す光導電層である。３０３はシリコン
原子と炭素原子を周期律表第１ＩＩ族に属する原子およ
び必要により水素原子またはハロゲン原子あるいはその
両方の原子を含み、潜像を保持する機能を有する潜像保
持層である。３０４シリコン原子と炭素原子および必要
により水素原子またはハロゲン原子あるいはその両方の
原子を含み、顕像を保持する機能を有する顕像保持層で
ある。

第３図（ｂ）は本発明に用いられる光受容部材の好まし
い実施態様を示すもので、同図において、３０５は該導
電性支持体３０１と光導電層３０２の間に必要に応して
設けられ、導電性支持体３０１からの電荷の注入を阻止
するための電荷注入阻止層である。

ｉ３図（ｃ）は本発明に用いられる光受容部材の好まし
いもう１つの実施態様を示すもので、同図において、３
０６は該導電性支持体３０１と電荷注入阻止層３０５の
間に必要に応じて設けられ、電子写真用画像形成装置の
画像露光源に長波長光の半導体レーザ等を用いる場合に
、干渉現像の現出を防止するために長波長光を吸収する
機能を有する長波長光吸収層である。なお必要に応じて
前記長波長光吸収層３０Ｂ上に直接光導電層３０２を設
けてもよい。

光導電層３０２は非単結晶シリコンを母体とし、必要に
より水素原子またはハロゲン原子あるいはその両方の原
子を含有し、さらには、必要に応じて炭素原子、すず原
子、周期律表第■族に属する原子（以下、「第ｔｎ族原
子」と略記する。）、周期律表第Ｖ族に属する原子（以
下、ｒｉｙ族原子」と略記する。）、および周期律表第
■族に属する原子（以下、「第■族原子」と略記する。

）のうちの少なくとも一種を含有してもよい。

光導電層３０２に含有される水素原子またはハロゲン原
子あるいはその両方の原子の含有量は０．１〜４０原子
％とされるのが望ましい。

また第１ＩＩ族原子を含有する場合、その含有量は潜像
保持層３０３の第１ｆｆ族原子の含有量の１７５以下と
されるのが望ましく、光導電層３０２の層厚は１〜１０
０μｍとされるのが望ましい。

潜像保持層３０３はシリコン原子と炭素原子と第１ＩＩ
族原子および必要により水素原子またはハロゲン原子あ
るいはその両方の原子を含有し、さらには、必要に応じ
て、ゲルマニウム原子、すず原子、第Ｖ族原子および第
■原子のうちの少なくとも一種を含有してもよい。

潜像保持層３０３に含有される炭素原子の含有量は１〜
９０原子％とされるのが望ましく、第■族原子の含有量
は１〜５　Ｘ　１０４原子ｐｐＩとされるのが望ましく
、水素原子またはハロゲン原子あるいはその両方の原子
の含有量は０．１〜フ０原子ｐｐｍとされるのが望まし
い。また潜像保持層３０３の層厚は３ｘｌＯ−”−３０
ｕｍとされるのが望ましい。

顕像保持層３０４はシリコン原子と炭素原子および必要
により水素原子またはハロゲン原子あるいはその両方の
原子を含有し、さらには、必要に応じてゲルマニウム原
子、すず原子、第■族原子、第Ｖ族原子および第■族原
子のうちの少なくとも一種を含有してもよい。

顕像保持層３０４に含有される炭素原子の含有量は１〜
９０原子％とされるのが望ましく、さらには、潜像保持
層３０３の炭素原子の含有量より多いのが好ましい、水
素原子またはハロゲン原子あるいはその両方の原子の含
有量は０．１〜７０原子ｐｐｍとされるのが望ましく、
また第１ＩＩ族原子を含有する場合、その含有量は潜像
保持層３０３のＨＩＩＩ族原子の含有量の１７１０以下
とされるのが望ましい。

必要に応じて設ける電荷注入阻止層３０５は非単結晶シ
リコンを母材とし、必要により水素原子またはハロゲン
原子あるいはその両方の原子を含有し、さらに、炭素原
子、第１ＩＩ族原子、第Ｖ族原子および第■族原子のう
ちの少なくとも一種を含有し、また電荷注入阻止層３０
５の層厚は３　Ｘ　１０−”〜１５μｍとされるのが望
ましい。

必要に応じて設ける長波長光吸収層３０６は非単結晶シ
リコンを母材とし、必要により水素原子またはハロゲン
原子あるいはその両方の原子を含有し、さらに、ゲルマ
ニウム原子またはすず原子あるいはその両方の原子を含
有する。また必要に応じて炭素原子、第１ＩＩ族原子、
第Ｖ族原子および第■族原子のうちの少なくとも一種を
含有してもよい。また長波長光吸収層３０６の層厚は５
　Ｘ　１０−２〜２５μｍとされるのが望ましい。

前記第１ＩＩ族原子としては、具体的には、Ｂ（はう素
）、＾！（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（
インジウム）、ＴＪｌ（タリウム）等があり、とくに、
Ｂ１＾文、Ｇａが好適である。第Ｖ族原子としては、具
体的には、Ｎ（窒素）、Ｐ（りん）、＾Ｓ（ひ素）、ｓ
ｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等があり、とくに
、Ｎ、Ｐ、＾Ｓが好適である。第■族原子としては、具
体的には、０（酸素）、Ｓ（いおう）、Ｓｅ（セレン）
、Ｔｅ（テルル）、Ｐａ（ポロニウム）等があり、とく
に、０％Ｓ％Ｓｅが好適である。

本発明に用いられる光受容部材は真空堆積膜形成法によ
って所望特性が得られるように適宜成膜パラメータの数
値条件を設定して作成される。前記真空堆積膜形成法と
しては、具体的には、たとえば、グロー放電法（低周波
プラズマＣＶＤ高周波プラズマＣＶＤ　、またはマイク
ロ波プラズマＣＶＤ等の交流放電プラズマＣＶＯ、ある
いは直流放電プラズマＣＶＤ等）　ＥＣＲ−プラズマＣ
ＶＤ法、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンブレー
ティング法、光ＣＶＤ法、材料の原料ガラスを分解する
ことにより生成される活性種Ａと、該活性種Ａと化学的
相互作用をする成膜用の化学物置より生成される活性種
Ｂとを、各々別々に堆積膜を形成するための成膜空間内
に導入し、これらを化学反応させることによって材料を
形成する方法（以下、ｒ　ＨＲＣＶＤ法」と略記する。

）、材料の原料ガスと、該原料ガスに酸化作用をする性
買を有するハロゲン系の酸化ガスを各々別々に堆積膜を
形成するための成膜区間内に導入し、これらを化学反応
させることによって材料を形成する方法（以下ｒ　ＦＯ
ＣＶＤ法」と略記する。）等の方法が適宜選択使用でき
る。これらの真空堆積膜形成法は、製造条件、設備資本
投資下の負荷程度、製造規模、作成される光受容部材に
所望される特性等の要因によって適宜選択されて採用さ
れるが、所望の特性を有する光受容部材を製造するに当
たっての条件の制御が比較的容易に行ない得ることから
して、グロー放電法、スパッタリング法、イオンブレー
ティング法、ＨＲＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法が好適である
。そして、これらの方法を同一装置系内で併用して形成
してもよい。

′ｓ４図は本発明に用いる光受容部材の形成を行なう際
の代表的な堆積膜形成装置である高周波（以下、ｒＲＦ
Ｊと略記する。）プラズマＣＶＤ装置の一例を示してい
る。

同図のガスボンベ４７１．４７２．４７３．４７４．４
７５゜４７６、４７７には、本発明の光受容部材を形成
するための原料ガス、たとえば、各々５ｆＨ４、Ｈ２、
ＣＨ２、Ｂ２Ｈ６、Ｎ０１Ａ「等が密封されており、あ
らかじめ、ガスボンベ４７１〜４７７を取り付ける際に
、各々のガスを、バルブ４５１．４５２．４５３゜４５
４、４５５．４５６．４５７から流入バルブ４３１．４
３２゜４３３．４３４．４３５．４３６．４３７のガス
配管内に導入しである。

同図の４０５は支持体、４０６は支持体ホルダであり、
４１４は該支持体４０５を加熱するためのヒータである
。

まず、たとえば、表面に旋盤を用いて鏡面加工を施した
支持体４０５を支持体ホルダ４０６に挿入し、成膜炉４
０１の上蓋４０７を開けて、成膜炉４０１内の加熱ヒー
タ４１４に支持体ホルダ４０６を挿入する。

つぎに、ガスボンベ４７１〜４７７のバルブ４５１〜４
５７、流入バルブ４３１〜４３７、成膜炉４０１のリー
クバルブ４１５が閉じられていることを確認し、また流
出バルブ４４１．４４２．４４３．４４４．４４５゜４
４８、４４７　、補助バルブ４１８が開かれていること
を確認して、まず、メインバルブ４１６を開いて図示さ
れていない真空ポンプにより、成膜炉４０１およびガス
配管内を排気する。

その後、ガスボンベ４７１〜４７７から各々のガスを、
バルブ４５１〜４５７を開て導入し、圧力調整器４６１
．４６２．４６３．４６４．４６５．４６６、４６７に
より各ガス圧力を所望の圧力に調整する。

つぎに、流入バルブ４３１〜４３７を徐々に開けて、以
上の各ガスをマスフローコントローラ４２１、４２２．
４２３．４２４．４２５．４２６．４２７内に導入する
。

そして、流出バルブ４４７および補助バルブ４１８を徐
々に開いてＡ「ガスをガス導入管４０８のガス放出孔４
０９を通じて成膜炉４０１内に流入させる。このとき、
Ａｒガス流量が所望の流量となるようにマスフローコン
トローラ４２７で調整する。成膜炉４０１内の圧力は、
所望の圧力となるように真空計４１７を見ながら、図示
されていない真空排気装置の排気速度を調整する。その
後、図示されていない温度コントローラを作１１１Ｊさ
せて、支持体４０５を加熱ヒータ４１４により加熱し、
支持体４０５が所望の温度に加熱されたところで、流出
バルブ４４７および補助バルブ４１８を閉じて、成膜炉
４０１内へのガス流入を止める。

つぎに、各々の層を形成するのに必要な原料ガスの流出
バルブ４４１〜４４７と補助バルブ４１８を徐々に開い
て、原料ガスを導入管４０８のガス放出孔４０９を通じ
て成膜炉４０１内に流入させる。このとき、各原料ガス
の流量が所望の流量となるように各々のマスフローコン
トローラ４２１〜４２７で調整する。成膜炉４０１内の
圧力は、所望の圧力となるように真空計４１７を見なが
ら、図示されていない真空排気装置の排気速度を調整す
る。その後、図示されていないＲＦ電源の電力を所望の
電力に設定し、高周波マツチングボックス４１２を通じ
て成膜炉４０１内にＲＦ電力を導入し、ＲＦグロー放電
を生起させ、支持体４０５上またはすでに成膜した層上
に所望の層の形成を開始し、所望の層厚を形成したとこ
ろで、ＲＦグロー放電を止め、また流出バルブ４４１〜
４４７および補助バルブ４１８を閉じて、成膜炉４０１
内へのガス流入を止め、層の形成を終える。

それぞれの層を形成する際に必要なガス以外の流出バル
ブは完全に閉じられていることは言うまでもなく、また
それぞれのガスが成膜炉４０１内、流出バルブ４４１〜
４４７から成膜炉４０１に至る配管内に残留することを
避けるために、流出バルブ４４１〜４４フを閉じ、補助
バルブ４１８を開き、さらに、メインバルブ４１６を全
開にして系内を、−たん、高真空に排気する操作を必要
に応じて行なう。

また必要に応じて、層形成を行なっている間に層形成の
均一化を図るため、支持体４０５および支持体ホルダ４
０６を、図示されていない駆動装置によって所望される
速度で回転させる。

（ｉｉ）　　Φ＾−５ｉ ■＾−５ｉ感光体も上述のｅ＾−５１ｒｆＡ光体と同様
に、グロー放電等の真空堆積膜形成法によって、所望特
性が得られるように適宜成膜パラメータの数値条件を設
定して作成される。

（ｉｉｉ）　ｅ　ＯＰＣさきに説明した第８図の６　ｏｐｃを、本発明に用いる
場合を詳しく説明する。

電荷発生層８０２の膜厚は５μｍ以下、好ましくは０６
０１〜１μｍがよい。電荷発生層８０２にバインダを用
いる場合、バインダ量が多いと、感度に影響するため、
電荷発生層中に占めるバインダの割合は８０％以下、好
ましくは４０％以下がよい、光吸収により電荷担体を生
じせしめる顔料として、ジスアゾ顔料、銅−フタロシア
ニン、ビリリウム系染料、アゾレニウム系染料等が挙げ
られ、使用されるバインダとしては、ポリビニルブチラ
ール、ポリさく酸ビニル、ポリエステル、ポリカーボネ
ート、カゼイン、ポリビニルアルコールなど、各種の樹
脂類が用いられる。このようにして設けた電荷発生層８
０２上に電・荷移送層８０３を設ける。

電荷移送層８０３としては、電子移送性物質、正孔移送
性物質があり、この場合、正孔移送性物置を用い、ピレ
ン、Ｎ−エチルカルバゾール、Ｎ−イソプロピルカルバ
ゾール、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等がある。電荷
移送層８０３の膜厚は５〜３０μｍ１好ましくは８〜２
０μｍである。バインダとしてはアクリル系樹脂、ポリ
エステル、ポリカーボネート等を用いることができる。

（ｉｖ）　Ｓｅさきに説明した第１０図の■＾ｓＳｅを、本発明に用い
る場合を詳しく説明する。

光導電層１００２の膜厚は４０〜８０μｍが望ましく、
この材料については、非晶質Ａｓ２５＠、あるいは、こ
れに近い組成を有する非晶質セレン・ひ素合金を用いた
単一層の感光層からなる感光体が広く採用される。

導電性支持体１００１を、５　ｘ　１０−’　Ｔｏｒｒ
の真空にし、支持体温度を１５０℃に制御し、保持しな
がら、支持体の下方に設けられたひ素濃度３３．５Ｗ％
のセレン・ひ素合金が充てんされた蒸発源を加熱し、膜
厚５５μ０のＡｓＳｅ感光体を作製した。

第５図は感光体の摩擦係数を測定する装置を示す模式図
である。

同図において、５０１は感光体、５１８は該感光体５０
１の摩擦係数を測定するための板ブレード、５１９は該
板ブレード５１８に荷重をかけるための３０ｇの重り、
５２１は変位量を検出する圧電素子、５２０は該板ブレ
ド５１８と圧電素子５２１を接続するバーである。

第５図の摩擦係数測定装置を用いてＡ−５ｉ悪感光、ｏ
ｐｃ　５光体、＾−５ｅ感光体の順に各々の摩擦係数を
測定した。

いずれの感光体においても、導電性支持体としては、ア
ルミニウム製円筒状支持体（φ＝１０８）を用いた。

また感光体の表面形状による摩擦係数の違いを測定する
ために、アルミニウム製支持体の表面粗さを変えて摩擦
係数を測定した０表面粗さの程度の評価はＲＺにより行
ない、各々の感光体ごとに表面粗さ０．２＜　Ｒｚ＜　
０．６における摩擦係数を測定した。

１つの種類の感光体について、ある特定の表面粗さをも
つ支持体上の摩擦係数を、１０−か所を計り、その平均
値を用いた。

第２図は上記による測定結果を示したもので、摩擦係数
の大きさは、ＱＰＣ感光体＞　Ａ−５ｅ悪感光〉＾−５
ｔ感光体であった。

１ｉ４８図に示したとおり、各々の感光体で摩擦係数が
異なり、八−５ｔ悪感光、＾−５ｅ感光体、ｏｐｃ感光
体の順で大きくなっている。また各々の感光体の中では
、表面粗さＲｚが大きくなるに従って摩擦係数が低下し
ているが、別種の感光体と同じ摩擦係数となることはな
い。

すなわち、０．２＜　Ｒｚ＜　０．６の範囲内で支持体
の表面粗さを変更しても、各種感光体で摩擦係数の相違
があり、摩擦係数と感光体との明確な対応づけが可能で
ある。

以上の結果、摩擦係数を測定することにより、感光体の
種類を判別し、その感光体に最適な設定をする電子写真
装置の有効性が明らかである。

前述した３４１図について、さらに、詳しく説明する。

１０１は感光体、１０２は主帯電器、１０３は画像形成
光線、１０４は原稿台、１０５は標準白板、１０６は原
稿台照明ランプ、１０７．１０８は移動式ミラー、１０
９はレンズ、１１０．１１１．１１２は固定ミラー　１
１３は電位センサ、１１４は現像器（現像スリーブ）、
１１５は転写分離帯電器、１１６はクリーナ、１１７は
除電光源（前露光ランプ）、１１８は該感光体１０１の
摩擦係数を測定するための板ブレード、１１９は該板ブ
レード１１８に荷重をかけるための３０ｇの重り、１２
０は重力と垂直方向の力を検出するための検出素子に接
続するバー　１２１は変位量を検出する圧電素子、１２
２は可動式画像露光フィルタである。

まず、感光体１０１を装置本体に設置し、設置シーケン
スを開始する。第１２図のブロック図に従い感光体１０
１が回転し、感光体１０１の摩擦係数を測定するため、
板ブレート１１８が感光体１０１に接触し、３０ｇの重
り１１９の荷重がかかった状態の動摩擦係数を測定する
。すなわち、バー１２０の変位量を圧電素子１２１で測
定し、簡単な演算処理の後に測定された摩擦係数を、電
子写真装置本体内にメモリされている摩擦係数と比較す
ることにより、感光体１０１の種類を判別する。

感光体としては、ｏｐｃ　　＜有機感光体）とｅＡ−５
ｉ　（負帯電非晶質シリコン感光体）を用いた。両者の
特性は大幅に異なり、銹電率が３程度のｏｐｃと１０程
度のｅＡ−５ｔでは、同じ帯電状態における帯電能力が
異なるため、前述のとおり、判別した感光体に合うよう
に帯電用高圧電源の出力を切換える。また感光体上に現
像され゛た現像剤が転写紙Ｐに転写分離帯電器１１５で
転写され、分離される時の転写帯電量、分離帯電量も、
感光体１０１の種類により異なるため、同時に高圧電源
の出力を各感光体に合わせて切換える。さらに、分光感
度が異なるため、画像露光の分光分布を変更するための
画像露光フィルタを感光体に応して切換える。そして、
潜像条件の違いによる現像バイアスの切換えを感光体に
応じて現像バイアス高圧電源にて行なう６以上のような
切換え手段を有し、感光体種類判別手段により自動的に
判別された感光体にマツチするように上記の諸々の切換
えが行なわれ、通常の制御シーケンスに移る。

制御シーケンスは、キャノン製複写機ＮＰ４０００、５
０００．６０００．７０００．８０００．９０００およ
びＣＬＣ等の従来技術に用いられているもので、電位セ
ンサ１１３によって、暗部電位および標準白色板１０５
、デジタル式の場合は、直接レーザーからの光による明
部電位を制御するシーケンスである。これによってＯＰ
Ｃ、ｅＡ−５１それぞれの潜像条件に設定され、その後
、帯電、露光、現像、転写等の通常の電子写真プロセス
が行なわれるものである。

画像形成方法については、感光体１０１を矢印の方向に
回転させ、感光体１０１上に、主帯電器１０２によって
−様なコロナ帯電を行ない、これに公知のように、アナ
ログ式の場合光源により発した光をプラテンガラス上の
原稿に照射し、その反射光をミラー系、レンズ系および
フィルタを介して画像形成光源１０３を感光体１０１の
表面上に導き、投影させて静電潜像を形成し、この潜像
に現像器１１４からトナーを供給してトナー像を形成す
る。また、デジタル式の場合、光源により発した光をプ
ラテンガラス上の原稿に照射し、その反射光を電気信号
に変換し、さらにその信号に応じて、レーザー光で感光
体１０１の表面上に導き静電潜像を形成し、この潜像に
現像器１１４からトナーを供給してトナー像を形成する
。

一方、転写紙通路１４１、レジストローラ１４２からな
る転写紙供給系１４３を通って光受容部材方向に供給さ
れる転写紙Ｐは転写帯電器１１５と感光体１０１の間隙
において、背面からトナーとは反対極性の電界が与えら
れ、これによって光受容部材表面のトナー像は転写紙Ｐ
に転移する。

分離された転写紙Ｐは搬送系１４４をとおって図示され
ていない定着装置に至って、トナー像は定着され、転写
紙Ｐは装置外に排出される。

なお転写部位において、転写に寄与しないで光受容部材
表面に残る残留トナーはクリーナ１１Ｂに至り、クリー
ニングブレードによってクリーニングされる。

上記クリーニングにより更新された光受容部材表面は、
さらに、除電光源としてのランプ１１７から除電露光が
与えられて、再び同様のサイクルに供せられる。

第１表は電子写真装置として、キャノンＮＰ−７５５０
を改造して用い、ｅ＾−５ｉ悪感光とｏｐｃ感光体の場
合の制御例を表わしている。上記感光体の種類の判別は
、測定した摩擦係数を第２図と比較することで判別した
。

すなわち、第１２図のブロック図に従い上記の電子写真
装置にθＡ−５ｔ感光体およびｏｐｃ感光体を設置し、
設置シーキンスにより感光体の種類を電子写真装置に自
動的に判別させ、画像出しを行なったところ、従来から
のＡ−５ｔ専用機、ＯＰＣ専用機と全く同様の画像を得
ることができた。

第２表は電子写真装置として、第１表と同様に、キャノ
ン製Ｎ　Ｐ　−７５５０を改造して用い、■＾−５ｉ（
正帯電非晶質シリコン）／！５光体とＳｅ（非晶買セレ
ン化ひ素・Ａｇ３　Ｓｅ３　）感光体の場合の制御例を
表わしている。上記感光体の種類の判別は、測定した摩
擦係数を′ｓ２図と比較することで判別した。

すなわち、第１３図のブロック図に従い上記の電子写真
装置に０Ａ−５ｔ悪感光およびＳｅ（Ａｓｚｓｅｓ）　
Ｗ光体を設置し、設置シーケンスにより感光体の種類を
電子写真装置に自動的に判別させ、画像出しを行なった
ところ、従来からのＡ−５ｉ専用機、Ｓｅ専用機と全く
同様の画像を得ることができた。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、感光体の種類に
応じた複数種類の設定をする設定手段と、前記感光体の
表面摩擦係数を測定する測定手段を有するので、該測定
手段の測定結果により、前記感光体の種類を識別するこ
とができ、これに応じて該設定を選択実行することがで
きる。したがって、本発明によれば、異なった電子写真
感光体を同一複写機本体で使用することができて、コピ
ーコストの−そうの低減が達成できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示した側面断面図、第２図
は各種感光体における表面摩擦係数の説明図、第３図（
ａ）　、　（ｂ）　、　（ｃ）はｅ＾−５ｔ悪感光の模
式的断面図、第４図は光受容部材形成のための堆積膜形
成装置の説明図、′ｓ５図は実験に用いた装置の側面断
面図、′ｓ６図は従来の電子写真装置の１つの例を示し
た側面断面図、第７図はｅ＾−５ｉ悪感光の模式的断面
図、′ｔＳａ図はＯＰＣ感光体の模式的断面図、第９図
は従来のｏｐｃ　６光体用電子写真装置の１つの例を示
した側面断面図、第１０図はＡｓ＊Ｓｅｓ感光体の模式
的断面図、第１１図は従来のＡｓ２Ｓｅ、感光体用電子
写真装置の１つの例を示した側面断面図、第１２図およ
び第１３図は電子写真装置の作動ブロック図である。１０１・・・感光体１１４・・・現像器１１８・・・板ブレード１２Ｇ・・・バー・・・主帯電器・・・転写分離帯電器・・・重り・・・圧電素子他４名第２図第５図第６図第１２図第３図

Claims

【特許請求の範囲】

１　少なくとも感光体と帯電手段と露光手段と現像手段
とを有する電子写真装置において、前記感光体の種類に
応じた複数種類の設定をする設定手段と、該感光体の表
面摩擦係数を測定する測定手段とを有し、かつ、該測定
手段の測定結果に応じて前記設定を選択実行するように
したことを特徴とする電子写真装置。