JPH03245162A

JPH03245162A - 電子写真装置

Info

Publication number: JPH03245162A
Application number: JP2042780A
Authority: JP
Inventors: Toshiyuki Ebara; 俊幸江原; Koji Yamazaki; 晃司山崎; Toshihito Yoshino; 豪人吉野; Hitoshi Murayama; 仁村山
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1990-02-23
Filing date: 1990-02-23
Publication date: 1991-10-31

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、複数種類の感光体が使用可能な電子写真装置
に関するもので、とくに、使用感光体の種類を検出する
手段を有し、使用感光体に適合する電子写真プロセス設
定を得ることができる電子写真装置に関するものである
。

［従来の技術］従来、電子写真装置には、その用途、情報書き込みの光
源、たとえば、レザー光、コピー速度、コピー総量の大
小等に応じて、Ｓｅ、　０ＰＣＡ−５ｉ、　Ｃｄ５−１
ｎｓ系、ＺｎＯ等の感光体を使いわけ、それぞれの感光
体に適合した帯電器、現像器、クリーナ配置、および帯
電印加電圧、露光光量を設定している。

主な感光体について、その特徴を上げると、以下のよう
になる。

い）　Ａ−５ｉＡ−５ｉ悪感光は、表面硬度が高く（ビッカース硬度１
０００以上）、シかも、繰り返し使用による劣化、静電
潜像電位の変動がなく、ｐｔ５的に安定で、結晶化かな
く、まったくの無害で、長波長にまで高感度などの優れ
た特徴を持つ反面、シランガス（ＳｉＨ４）等の効果な
ガスをプラズマＣＶＤ等で長時間（約５時間）かけて、
堆積成膜していくため、感光体か非常に高価となる欠点
がある。

こうしたＡ−５ｉ悪感光を用いた電子写真装置ならびに
画像形成プロセスは概略以下のとおりである。

第７図は代表的な八−５ｉ悪感光の模式的断面図であっ
て、７０１はＡ４等の導電性支持体、７０２は該導電性
支持体７０１からの電荷の注入を阻止するための電荷注
入阻止層、７０３は少なくとも非単結晶シリコン系の材
料で構成され、光導電性を示す光導電層、７０４は該光
導電層７０３を保護するための表面保護層である。

第６図はＡ−５ｉ悪感光を用いた従来の複写機の画像形
成プロセスを示す概略図であって、矢印の方向に回転す
る感光体６０１の周辺には、主帯電器６０２、静電潜像
形成部位６０３、現像器６１４、転写紙給送系６１８、
帯電器（転写・分動％Ｆ電器）　ｌ１１５　、クリーナ
６１６、搬送系６１９、除電光源６１７などか配設され
ている。そして、ヒータ６２０によって加温された感光
体５０１は主％Ｆ？ａ器６０：ｌによって一様に帯電さ
れ、これにハロケンランプ、蛍光灯等の光源６０６によ
り発（、。

た光をプラテンガラス６０４上の原［６２１に照射し、
その反射光をミラー６０７，６０８　、レンズ系６０９
、ミラー６１２．ａｌｌ、６１０　、赤外カットフィル
ターを介して感光体表面上に導き、投影されて静電潜像
が形成され、この潜像に現像器６１４からトナーが７共
給されてトナー像となる。

一方、転写紙通路６２２、レジストローラ６２３からな
る転写紙供給６ｉａを通って、光受容部材方向に供給さ
れる転写紙Ｐは帯電器６１５と感光体６０１　との間隙
において、背面からトナーとは反対極性の電界か与えら
れ、これによって感光体表面上のトナー像は転写紙Ｐに
転移する。

分離された転写紙Ｐは転写紙搬送系６１９を通って、図
示されていない定着装置に至って、トナー像は定着され
て装置外に排出される。

なお転写部位において転写に寄与しないで、光受容部材
表面に残る残留トナーは、クリーナ６１６に至り、クリ
ーニングブレードによってクリー二二、／グされる。

］二記クリーニングにより更新された光受容部材表面は
、さらに、除電源６１７から除電露光が与えられて、再
び同様のサイクルに供せられる。

（ｉｉ　）　０ＰＣｏｐｃ　　（有機光導電体）感光体は、光キャリアー発
生を役割とする顔料または染料の分子設計の自由度が大
きく、塗工が容易で、ｆＫａ化しやすく、製造コストが
きわめて低廉であるが、表面硬度が低く、光メモリも残
りゃすいうえに、耐剛性に欠ける欠点かある。

第８図は代表的なｏｐｃ感光体の模式的断面図であって
、８０１はＡ２等の導電性支持体、８０２は電荷発生層
（ＣＧＬ）　、　８０３は電荷移送層（ＣＴＬ）　テあ
る。

第９図はｏｐｃ　５光体を用いた従来の複写機の画像形
成プロセスを示す概略図であって、矢印の方向に回転す
る感光体９０１の周辺には、主帯電器９０２、静電Ｉａ
像形成部位９ｏ３、現像器９１４、転写紙給送系９１８
、帯電器（転写・分前＊　Ｎ器）　９ｉ５　、Ｉ　’）
　−ｆ　９１６　、除ｉ５光１９１７　ｆｔどが配設さ
れている。

感光体９０１は主帯電器９０２によって一様に帯電され
、これにハロゲンランプ、蛍光灯等の光源９０６により
発した光をプラテンガラス９０４上の原稿９２１　に照
射し、その反射光をミラー系９０７．９０８　、レンズ
系９０９、ミラー系９１２．９１１９１０を介して感光
体表面上に導き、投影されて静電潜像が形成され、この
潜像に現像器９１４からトナーか供給されてトナー像と
なる。

方、転写紙通路９２２、レジス）・ローラ９２３からｔ
ｊる転写紙供給系９１８を通って光受容部材方向に供給
される転写紙Ｐは一１！Ｆ電器９１５　と感光体９０１
　との間隙において、背面からトナーとは反対極性の電
界か与えられ、これによって感光体表面上のトナー像は
転写紙Ｐに転移する。

分動された転写紙Ｐは転写紙搬送系９１９をとおって図
示ざわない定＠装置に至って、トナ像は定着されて装置
以外に１４１出される。

なお転写部において、転写に寄与しないで、光受容部材
表面に残る残留［・ナーはクリーナ９１６に至り、クリ
ーニングブレードによってクリーニングされる。

上記クリーニングにより更新された光受容部材表面は、
さらに、除電光源９１７から除電露光が与えられて、再
び同様のサイクルに供せられる。

（…）　５ｅＳｅ感光体は電位が安定しており、製造方法も比較的容
易で、かつ、安価なことから、電子写真装置の出現当初
から広く用いられており、いまだに市場の大半をしめて
いる。しかし、Ｓｅ％光体は指でされった所や、４０℃
以上になると、結晶化をはじめ、ｆ電器の低下や、白斑
か出るといった欠点を有していた。現在では、こうした
結晶化をおこし・にくいＡｓＳｅ系のものが用いられて
きている。

第】０図は代表的なＡｓＳｅ感光体の模式的断面図てあ
って、１００１はへ２等の導電性支持体、１００２は光
導電層である、第１１図はＡｓＳｅ感光体を用いた従来の複写機の画像
形成プロセスを示す概略図であって、矢印の方向に回転
する感光体１１０１の周辺には主帯電器１１０２、静電
潜像形成部位１１０３、現像器１１１４、転写紙給送系
１１１８、ｆ電器（転写・分離１！Ｆ電器）　１１１５
、クリーナ１１１６、搬送系１１１９、除電光源１１１
７などが配設されている。

感光体１１０１は主帯電器１１０２によって一様に帯電
され、これにハロゲンランプ、蛍光灯等の光源１１０６
により発した光をプラテンガラス１１ｏ４上の原稿１１
２１に照射し、その反射光をミラー系１１０７．１１０
８　、　　レンズ系１１０９、ミラー系１１１２゜１１
１１．１１１０　、紫外カットフィルター１１２４を介
して感光体表面上に導き、投影されて静電潜像が形成さ
れ、この潜像に現像器１１１４からトナーが供給されて
トナー像となる。

一方、転写紙通路１１２２、レジストローラ１１２３か
らなる転写紙供給系１１１８をとおって光受容部材方向
に供給される転写紙Ｐは、帯電器１１１５と感光体１．
１０１との間隙において、背面からトナーとは反対極性
の電界か与えられ、これによって感光体表面上のトナー
像は転写紙Ｐに転移する。

分離された転写紙Ｐは転写紙搬送系１１１９をとおって
図示されていない定着装置に至って、トナー像は定着さ
れて装置以外に排出される。

なお転写部位において、転写に寄与しないで、光受容部
材表面に残る残留トナーはクリーナ１１１６に至り、ク
リーニングプレートによってクリーニングされる。

上記クリーニングにより更新された光受容部材表面は、
さらに除電光源１１１７から除電露光が与えられて、再
び同様のサイクルに供せられるヶ以上述へたように、感光体により、帯電電流、露光光量
等の設定上の差位は大きいものの、電子写真装置構成上
は類似しており、ハート面での共通化は、ユニットレヘ
ルで進んでいる。

［発明か解決し、ようとする課題］電子写真装置、すなわち、複写機の出現により、きわめ
て容易に書類の複写か可能となり、また複写機の性能同
士、コピーコストの低減といった要因も加わり、一般事
務用、官公テの証明書類、申請書類、また書籍、会議資
料、チラシ、ビラ類に至るまで、複写物（コピー）の需
要は大きく伸ひ、もはやなくてはならないものとなって
いる。

現在、全ザ界で年間１兆枚ものコピーがとられており、
今後も６％程度の伸びを示すと考えられている。

官公庁はしめ、各企業や商店等も、コピー量の増大に対
し、ベーパーレス化を図り、一方、事務機業界も、ベー
パーレス化を提唱し、さまざまな機器を上用してきたか
、現在も前述のように、総複写枚数は増加の一途をたど
っている。

こうした状況下て、もはや生活に密着した複写機に対し
て、より一そうのコピーコストの低減と、メインテナン
スの簡便化、耐久性、安定性の向上か強く求められてい
る。

近年、オフィスパーソナルや家庭向けの超小型複写機が
上布され、大量の台数が市場設置されているにもかかわ
らず、コピーコストは市場で満足されるレベルまで低減
はされていない。

これは消耗材の消費か少ないため、大量生産によるスケ
ールメリットが生かされていないためである。

各ユーザーの使用状況、たとえは、月間複写量、複写速
度、デザインの好み等を尊重しながらも、複写機の本体
、消耗材の共通化、規格化、標準化をおしすすめ、付加
機能はオプション化する等して、総合的なコピーコスト
の大幅低減を達成させることか可能である。

しかしながら、こうした電子写真装置の共通化、規格化
、標準化にとって、従来から最大の障害となっていたの
は、電子写真プロセスの共通化、規格化、標準化、とり
わけ、異なった電子写真用感光体を同一複写機本体て、
いかに使いこなすかといった占にあった。

つまり、現在、電子写真用感光体には、主に、Ｓｅ、　
ＯＰＣ、Ａ−５１が用いられており、それぞれ帯電性、
帯電能か異なり、同一複写機に用いるのは困難であると
いう問題点がある。本発明は、このような問題点を解決
しようとするものである。すなわち、本発明は、異なっ
た電子写真用感光体を同一複写機本体で使用することが
できるようにした電子写真装置を提供することを目的と
するものである。

［課題を解決するための手段］上記目的を達成するために、本発明は、感光体と！電手
段と露光手段と現像手段等を有する電子写真装置におい
て、前記感光体の種類に応じた複数種類の設定をする設
定手段と、該感光体の電位特性を測定する測定手段とを
有し、かつ、該測定手段の測定結果に応じて前記設定を
選択実行するようにした。

［作　　　用］本発明によれは、感光体の種類に応じた複数種類の設定
をする設定手段と、前記感光体の電位特性を測定する測
定手段とを有するので、該測定手段の測定結果により、
前記感光体の種類を識別することかでき、これに応じて
該設定を選択実行する。

したがって、本発明によれは、異なった電子写真感光体
を同一複写機本体で使用することができて、コピーコス
トの−そうの低減が達成できる。

［実　施　例］（１）　ｅＡ−５１感光体本発明に用いられる代表的なｅＡ−５ｉの模式的断面図
を第３図に示す。第３図（ａ）は本発明に用いられる光
受容部材の最も基本的な構成を示すものである。同図に
おいて、３０１はＡ２等の導電性支持体を示している。

３０２は少なくとも非単結晶シリコン系の材料で構成さ
れ、光導電性を示す光導電層である。３０３はシリコン
原子と炭素原子を周期律表第用族に属する原子および必
要により水素原子またはハロゲン原子あるいはその両方
の原子を含み、潜像を保持する機能を有する潜像保持層
である。３０４シリコン原子と炭素原子および必要によ
り水素原子またはハロゲン原子あるいはその両方の原子
を含み、顕像を保持する機能を有する顕像保持層である
。

第３図（ｂ）は本発明に用いられる光受容部材の好まし
い実施態様を示すもので、同図において、３０５は該導
電性支持体３０１　と光導電層３０２の間に必要に応じ
て設けられ、導電性支持体３０１からの電荷のく主人を
阻止するための電荷７主入阻止層である。

第３図（ｃ）は未発明に用いられる光受容部片４の好ま
しいもう１つの実施態様を示すもので、同図において、
３０６は該導電性支持体３０ｉ　と電荷イ主入阻止層３
０５の間に必要に応じて設けられ、電子写真用画像形成
装置の画像量光源に長波長光の半導体レーザ等を用いる
場合に、干渉現象の現出を防止するために長波長光を吸
収する機能を有する長波長光吸収層である。なお必要に
応じて前記長波長光吸収層３０６上に直接光導電層３０
２を設けてもよい。

光導電層３０２は非単結晶シリコンを母体とし、必要に
より水素原子またはハロゲン原子あるいはその両方の原
子を含有し、さらには必要に応じて炭素原子、すず原子
、周期律表第１ＩＩ族に属する原子（以下、「第１Ｉ＋
族原子」と略記する。）、周期律表第■族に族する原子
（以下、「第■族原子」と略記する。）、および周期律
表第■族（属する原子（以下、「第■族原子」と略記す
る。）のうちの少なくとも一種を含有してもよい。

光導電層３０２に含有される水素原子またはハロゲン原
子あるいはその両方の原子の含有量は０．１〜４０原子
％とされるのが望ましい。

またＨ　ＩＩＩ族原子を含有する場合、その含有量は潜
像保持層３０３の第１１１族原子の含有量の１１５以下
とされるのか望ましく、光導電層３０２の層厚は１〜１
００μｍとされるのが望ましい。

潜像保持層３０３はシリコン原子と炭素原子とＭ　ＩＩ
Ｉ族原子および必要により水素原子またはハロゲン原子
あるいはその両方の原子を含有し、さらには、必要に応
じて、ゲルマニウム原子、すず原子、第Ｖ族原子および
第■族原子のうちの少なくとも一種を含有してもよい。

潜像保持層３０３に含有される炭素原子の含有量は１〜
９０原子％とされるのが望ましく、第１ＩＩ族原子の含
有量は１〜５　Ｘ　１０’原子ｐｐｍとされるのが望ま
しく、水素原子またはハロゲン原子あるいはその両方の
原子の含有量は０．１〜７０原子ｐｐｍとされるのが望
ましい。また潜像保持層３０３の層厚は３　Ｘ　１０−
’〜３０μｍとされるのが望ましい。

顕像保持層３０４はシリコン原子と炭素原子および必要
により水素原子またはハロゲン原子あるいはその両方の
原子を含有し、さらには、必要に応じてゲルマニウム原
子、すず原子、第１Ｉ＋族原子、第Ｖ族原子および第ｖ
ｉ族原子のうちの少なくとも一種を含有してもよい。

顕像保持層３０４に含有される炭素原子の含有量は１〜
９０原子％とされるのが望ましく、さらには、潜像保持
層３０３の炭素原子の含有量より多いのか好ましい。水
素原子またはハロゲン原子あるいはその両方の原子の含
有量は０．１〜７０原子ｐｐｍとされるのが望ましく、
またＨ　ＩＩＩ族原子を含有する場合、その含有量は潜
像保持層３０３の第ｉｌｌ族原子の含有量の１７１０以
下とされるのが望ましい。

必要に応じて設ける電荷注入阻止層３０５は非単結晶シ
リコンを母材とし、必要により水素原子またはハロゲン
原子あるいはその両方の原子を含有し、さらに、炭素原
子、第用族原子、第Ｖ族原子および第Ｖｌ族原子のうち
の少なくとも一種を含有し、また電荷注入阻止層３０５
の層厚は３　Ｘ　１０−２〜１５μｍとされるのが望ま
しい。

必要に応じて設ける長波長光吸収層３０６は非単結晶シ
リコンを母材とし、必要により水素原子またはハロケン
原子あるいはその両方の原子を含有し、さらに、ゲルマ
ニウム原子またはずす原子あるいはその両方の原子を含
有する。また必要に応じて炭素原子、第用族原子、第Ｖ
族原子、および第ｖ１族原子のうちの少なくとも一種を
含有してもよい。また長波長光吸収層３０６の層厚は５
　Ｘ　１０−２〜２５μｍとされるのが望ましい。

前記第１ＩＩ族原子としては、具体的には、Ｂ（はう素
）、Ａｌアルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（イ
ンジウム）、Ｔｌタリウム）等があり、とくに、Ｂ、　
ＡＩ、　Ｇａか好適である。第Ｖ族原子としては、具体
的には、Ｎ（窒素）、Ｐ（りん）、Ａｓ（ひ素）、Ｓｂ
（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等かあり、とくに、
Ｎ、Ｐ、Ａｓが好適である。ｓＨｖＩ族原子としては、
具体的には、Ｏ（酸素）、Ｓ（いおう）、Ｓｅ（セレン
）、丁ｅ（テルルり、とくに、Ｏ．　　Ｓ．　Ｓｅ．が好適である。

本発明に用いられる光受容部材は真空堆積膜形成法によ
って所望特性が得られるように適宜成膜パラメータの数
値条件を設定して作成される。前記真空堆積膜形成法と
しては、具体的には、たとえは、グロー放電注ぐ低周波
プラズマＣＶＤ　、高周波プラズマ（：ＶＤ　、または
マイクロ波プラズマＣＶＤ等の交流放電プラズマＣＶＤ
　、あるいは直流放電プラズマＣＶＤ等）　、ＥＣＲ−
プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、真空蒸着法、イ
オンブレーティング法、光ＣＶＤ法、材料の原料ガラス
を分解することにより生成される活性種（＾）と、該活
性種（Ａ）　と化学的相互作用をする成膜用の化学物質
より生成される活性種（Ｂ）　とを、各々別々に堆積膜
を形成するための成膜空間内に導入し、これらを化学反
応させることによって材料を形成する方法（以下、ｒ　
ＨＲＣＶＤ法」と略記する。）、材料の原料ガスと、該
原料ガスに酸化作用をする性質を有するハロゲン系の酸
化ガスを各々別々に堆積膜を形成するための成膜区間内
に導入し、これらを化学反応させることによって材料を
形成する方法（以下ｒ　ＦＯＣＶＤ法」と略記する。）
等の方法が適宜選択使用できる。これらの真空堆積膜形
成法は、製造条件、設備資本投資下の負荷程度、製造規
模、作成される光受容部材に所望される特性等の要因に
よって適宜選択されて採用されるが、所望の特性を有す
る光受容部材を製造するに当たっての条件の制御が比較
的容易に行ない得ることからして、グロー放電法、スパ
ッタリング法、イオンブレーティング法、ＨＲＣＶ　Ｄ
法、ＦＯＣＶＤ法が好適である。そして、これらの方法
を同一装置系内で併用して形成してもよい。

第４図は本発明に用いる光受容部材の形成を行なう際の
代表的な堆積膜形成装置である高周波（以下、ｒＲＦＪ
と略記する。、）プラズマＣＶＤ装置の一例を示してい
る。

同図のガスボンベ４７１．４７２，４７３，４７４，４
７５．４７６４７７には、本発明の光受容部材を形成す
るための原料ガス、たとえは各々ＳｉＨ４，）＋２、Ｃ
Ｈ４ＰＨ５、Ｂ２Ｈ６，ＮＯ，Ａｒ等か密封されており
、あらかしめ、ガスボンベ４７１〜４７７を取り付ける
際に、各々のガスを、バルブ４５１．４５２．４５３，
４５４゜４５５．４５６．４５７から流入バルブ４３１
．４３２，４３３，４３４４３５．４３５，４３７のカ
ス配管内に導入しである。

同図の４０５は支持体、４０６は支持体ホルダてあり、
４１４は該支持体４０５を加熱するためのヒータである
。

まず、たとえは、表面に旋盤を用いて鏡面加工を施した
支持体４０５を支持体ホルダ４０６に挿入し、成膜炉４
０１の上Ｍ４０７を開けて、威膜炉４０１内の加熱ヒー
タ４１４に支持体ホルダ４０６を挿入する。

つぎに、ガスホンへ４１１〜４７７のバルブ４５１〜４
５７、流入バルブ４３１〜４３７、成膜炉４０１のリー
クバルブ４１５か閉じられていることを確認し、また流
出バルブ　４４１，４４２，４４３．４４４，４４５゜
４４６．４４７．補助バルブ４１８が開かれていること
を確認して、ますメインバルブ４１５を開いて図示され
ていない真空ポンプにより、成膜炉４０１およびカス配
管内を排気する。

その後、ガスボンベ４７１〜４７７から各々のガスを、
バルブ４５１〜４５７を開いて導入し、圧力調整器４６
１，４６２．４６３，４６４，４６５，４６６゜４６７
により各ガス圧力を・所望の圧力に調整する。

つきに、流入バルブ４３１〜４３７　を徐々に開けて、
Ｕｌｌの各カスをマスフローコントローラ４２１．４２
２．４２３．４２４，４２５，４２６，４２７内に導入
する。

そして、流出バルブ４４７および補助バルブ４１８を徐
々に開いてＡｒガスをガス導入管４０８のガス放出孔４
０９を通して成膜炉４０１内に流入させる。このとき、
八「ガス流量が所望の流量となるようにマスフローコン
トローラ４２７て調整する。成膜炉４０１内の圧力は、
所望の圧力となるように真空計４１７を見なから、図示
されていない真空排気装置の排気速度を調整する。その
後、図示されていない温度コントローラを作動させて、
支持体４０５を加熱ヒータ４１４により加熱し、支持体
４０５か所望の温度に加熱されたところで、流出バルブ
４４７および補助バルブ４１８を閉して、成膜炉４０１
内へのガス流入を止める。

つきに、各々の層を形成するのに必要な原料ガスの流出
バルブ４４１〜４４７　と補助バルブ４１８を徐々に開
いて、原料ガスを遍入管４０８のガス放出孔４０９を通
して成膜炉４０１内に流入させる。このとき、各原料ガ
スの流量が所望の流量となるように各々のマスフローコ
ントローラ４２１〜４２７で調整する。成膜炉４０１内
の圧力は、所望の圧力となるように真空計４１７を見な
がら、図示されていない真空排気装置の排気速度を調整
する。その後、図示されていないＲＦ電源の電力を所望
の電力に設定し、高周波マツチングボックス４１２を通
して成膜炉４０１内にＲＦＮ力を導入し、ＲＦグロー放
電を生起させ、支持体４０５上またはすでに成膜した層
上に所望の層の形成を開始し、所望の層厚を形成したと
ころで、ＲＦグロー放電を止め、また流出バルブ４４１
〜４４７および補助バルブ４１８を閉じて、成膜炉４０
１内へのガス流入を止め、層の形成を終える。

それぞれの層を形成する際に必要なガス以外の流出バル
ブは完全に閉しられていることはいうまでもなく、また
それぞれのガスが戒膜炉４０１内、流出バルブ４４１〜
４４７から成膜炉４０１に至る配管内に残留することを
避けるために、流出バルブ４４１〜４４１を閉し、補助
バルブ４１８を開き、さらに、メ、インバルブ４１６を
全開にして系内を、−たん、高真空に排気する操作を必
要に応じて行なう。

また必要に応じて、層形成を行なっている間に層形成の
均一化を図るため、支持体４０５および支持体ホルダ４
０６を、図示されていない駆動装置によって所望される
速度で回転させる。

（ｉｉ）■Ａ−５ｉ ■Ａ−５ｉ感光体も上述のｅＡ−５ｉ悪感光と同様に、
グロー放電等の真空堆積膜形成法によって、所望特性が
得られるように適宜成膜パラメータの数値条件を設定し
て作成される。

（川）　　ｅＯＰｃさきに説明した第８図のｅ　ｏｐｃを、本発明に用いる
場合を詳しく説明する。

電荷発生層８０２の膜厚は５μｍ貝下１好ましくは０．
０１〜１μｍかよい６電荷発生層８０２にバインダを用
いる場合、バインダ量が多いと、感度に影響するため、
電荷発生層中に占めるバインダの割合は８０％以下、好
ましくは４０％以下かよい。光吸収により電荷担体を生
しせしめる顔料として、ジスアゾ顔料、銅−フタロシア
ニン、ピリリウム系染料、アゾレニウム系染料等が挙げ
られ、使用されるバインダとしては、ポリビニルブチラ
ール、ポリさく酸ビニル、ポリニスデル、ポリカーホネ
イト、カゼイン、ポリビニルアルコールなど、各種の樹
脂類か用いられる。このようにして設けた電荷発生層８
０２上に電荷移送層８０３を設ける。

電荷移送層８０３とし・ては、電子移送性物質、正孔移
送性物質かあり、この場合、正孔移送性物質を用い、ピ
レン、Ｎ−エチルカルバゾール、Ｎ−イソプロピルカル
バゾール、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等がある。電
荷移送層８０３の膜厚は５〜３０μｍ１好ましくは８〜
２０μｍである。バインダとしてはアクリル系樹脂、ポ
リエステル、ボリカーホネート等を用いることかてきる
。

（１υ）　Ｓｅさきに説明し・た第１０図のｅＡｓｓｅを、本発明に用
いる場合を詳しく説明する。

光導電層１００２の膜厚は４０〜８０μｍが望ましく、
この材料については非晶質Ａｓ２Ｓｅ、あるいは、これ
に近い組成を有する非晶質セレン・ひ素合金を用いた単
一層の感光層からなる感光体が広く採用される。

導電性支持体１００１を、５　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒの
真空にし、支持体温度を１５０℃に制御し、保持しなが
ら、支持体の下方に設けられたひ素濃度３３．５Ｗ％の
セレン・ひ素合金が充てんされた蒸発源を加熱し、膜厚
５５μｍのＡｓＳｅ感光体を作成した。

本発明によれば、感光体にコロナ電流を付与し、その時
の帯Ｎ電位を測定することにより、感光体の電気容量の
違いが検出され、この値の大小により、感光体の種類を
判別できるようにしたものである。

第５図は感光体の種類を判別するシーケンスを示すフロ
ーである。

第６図に示されたような従来の電子写真装置において、
感光体６０１を回転させ、前露光の除電光源６１７を点
灯後、主帯電器６０２にｆ電電流−６００ＪＬＡを付与
した際の表面電位を電位センサ６１３にて測定した。感
光体として第８図に示すようなＯＰＣを使用した場合に
は−１０００Ｖ以上となり、第３図ｆａ）　に示すよう
な９Ａ−５ｉを使用した場合には、＋　１００ＯＶ以上
となり、第７図に示すようなのＡ−５ｉを使用した場合
には、＋３００〜＋５００Ｖであった。

電気容量および暗部放置時電位減衰の違いが、表面電位
の差となり、内部センサにて検出できた。とくに、Ａ−
５ｉ悪感光と他の感光体では、その差が顕著であるため
、この点を感光体種類判別手段として用いることを本発
明者らの検討により見出した。

第１図は本発明の一実施例を示す感光体周辺部の図であ
り、同図において、１０１は感光体、１０２は潜像形成
のための主ｆ電器、１０３は画像形成光線、１０４は原
稿台、１０５は標準白色板、１０６は原稿台照射ランプ
、１０７，１０８は移動式ミラー、１０９はレンズ、１
１０．１１１，１１２は固定ミラー、１１３は電位セン
サ、１１４は現像器（現像スリーブ）　、　１１５は転
写分離帯電器、１１６はクリーナ、１１７は除電光源（
前露光ランプ）　、　１２２は可動式画像露光フィルタ
である。

まず、感光体１０１を装置本体に設置し、設置シーケン
スを開始する。感光体１０１が回転し、主−ＰＦ電器１
０２に基準電流−６００μＡを流す。この時の感光体１
０１の表面電位を電位センサ１１３にて測定し、その値
を第２図と比較することで、感光体１０１の種類を判別
する。

感光体としてはＯＰＣ感光体く有機感光体）とｅＡ−５
ｉ悪感光（負ｉ電非晶質シリコン感光体）を用いた。両
者の特性は大幅に異なり、誘電率が３程度のＯＰＣと１
０程度のｅＡ−５ｉでは、同し％Ｆ電状態における帯電
能力か異なるため、前記のとおり、判別した感光体に合
うように、％Ｆｔ用高圧電源の出力を切換える。また感
光体上に現像された現像剤か転写紙Ｐに転写分離帯電器
１１５で転写され、分離される時の転写帯電量、分離帯
電量も、感光体により異なるため、同時に高圧電源の出
力を各感光体に合わせて切換える。さらに、第１２図に
示すように、感光体の分光感度が異なるため、画像露光
の分光分布を変更するための画像露光フィルタを感光体
に応じて切換える。そして潜像条件の違いによる現像バ
イアスの切換えを感光体に応じて現像バイアス高圧電源
にて行なう。以上のような切換え手段を有し、感光体種
類判別手段により自動的に判別された感光体にマツチす
るように上記の諸々の切換えか行なわれ、通常の制御シ
ーケンスに移る。

制御シーケンスは、キャノン製複写機ＮＰ４０００．５
０００．６０００，７０００，８０００．９０００およ
びＣＬＣ等の従来技術に用いられているもので、電位セ
ンサ１１３によって、暗部電位および標準白色板１０５
からの光による明部電位を制御するシーケンスである。

これによってＯＰＣ、ｅＡ−５ｉそれぞれの潜像条件に
設定され、その後、帯電、露光、現像、転写等の通常の
電子写真プロセスが行なわれるものである。

第１表は電子写真装置として、キャノンＮＰ−７５５０
ヲ改造シテ用い、ｅＡ−５ｊ悪感光トＯＰＣ感光体の場
合の制御例を表わしている。上記感光体の種類の判別は
、測定した電位特性を′ｔＳ２図と比較することで判別
した。

すなわち、上記の電子写真装置に□Ａ−５ｉｅ、光体お
よびＯＰＣ感光体を設置し、設置シーケンスにより感光
体の種類を電子写真装置に自動的に判別させ、画像出し
を行なったところ、従来からのＡ−５ｉ専用機、ＯＰＣ
専用機と全く同様の画像を得ることができた。

第２表は電子写真装置として、第１表と同様に、キャノ
ン製ＮＰ−７５５０を改造して用い、Φへ−５ｉ（正帯
電非晶質シリコン）感光体とＳｅ（非晶質セレン化ひ素
・ＡｓｚＳｅｓ）　６光休の場合の制御例を表わしてい
る。上記感光体の種類の判別は、測定した電位特性を第
２図と比較することで判別した。

すなわち、上記の電子写真装置にｅＡ−５ｉ悪感光およ
びＳｅ（＾５２ｓｅ、）感光体を設置し、設置シーケン
スにより感光体の種類を電子写真装置に自動的に判別さ
せ、画像出しを行なったところ、従来からのＡ−５ｉ専
用機、Ｓｅ専用機と全く同様の画像を得ることができた
。

［発明の効果］以上説明したように、本発明によれば、感光体の種類に
応じた複数ｆ！類の設定をする設定子Ｆ量と、前記感光
体の電位特性を測定する測定手段を有するのて、該測定
手段の測定結果により、前記感光体の種類を識別するこ
とがてき、これに応し、て詠設定を選択実行することが
できる。したがって、本発明によれば、異なった電子写
真感光体を同一複写機本体で使用することができて、コ
ピーコストの−そうの低減が達成できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示した側面断面図、第２図
は各種感光体における表面電位の説明図、第３図（ａ）
　、　（ｂ）　、　（ｃ）はｅＡ−５ｉ悪感光の模式的
断面図、第４図は光受容部材形成のための堆積膜形成装
置の説明図、第５図は感光体の種類を判別するシーケン
スを示す図、第６図は従来の電子写真装置の１つの例を
示した側面断面図、第７図は■Ａ−５ｉ感光体の模式的
断面図、第８図はＯＰＣ感光体の模式的断面図、第９図
は従来のｏｐｃ感光体用電子写真装置の１つの例を示し
た側面断面図、％ｌｏ図は＾５２Ｓｅｌ感光体の模式的
断面図、第１１図は従来のＡｓ２Ｓｅ３感光体用電子写
真装置の１つの例を示した側面断面図、第１２図は各種
感光体における分光感度の説明図である。０１１０２１３１４１５１７・・・感光体・・・主ＩＦ電器・・・電位センサ・・・現像器・・・転写分１ｍ１ｆ電器・・・除電光源第図他４名１０２　、Ｉ”””０３第４図００第図第図第図第８図第１０図第１図１０６１２１０４第図第１２図００００００００００００ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈｉｎｍ）

Claims

【特許請求の範囲】

１　少なくとも感光体と帯電手段と露光手段と現像手段
とを有する電子写真装置において、前記感光体の種類に
応じた複数種類の設定をする設定手段と、該感光体の電
位特性を測定する測定手段とを有し、かつ、該測定手段
の測定結果に応じて前記設定を選択実行するようにした
ことを特徴とする電子写真装置。