JPH03245161A - 電子写真装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

［産業上の利用分野］ 本発明は、複数ｆ！類の感光体が使用可能な電子写真装
置に関するもので、とくに、使用感光体の種類を検出す
る手段を有し、使用感光体に適合する電子写真プロセス
設定を得ることができる電子写真装置に関するものであ
る。 ［従来の技術］ 従来、電子写真装置には、その用途、情報書き込みの光
源、たとえは、レザー光、コピー速度、コピー総量の大
小等に応して、Ｓｅ、　ＯＰＣ。 Ａ−５ｉ、　Ｃｄ５−１ｎｓ系、　ＺｎＯ等の感光体を
使いわけ、それぞれの感光体に適合した帯電器、現像器
、クリーナ配置、およびｆ電印加電圧、露光光量を設定
している。 主な感光体について、その特徴を上げると、以下のよう
になる。 （ｉ　）　Ａ−５ｉ Ａ−５ｉ悪感光は、表面硬度が高く（ビッカース硬度１
０００以上）、シかも、繰り返し使用による劣化、静１
ｔＷＪ像電位の変動がなく、熱的に安定で、結晶化かな
く、まったくの無害で、長波長にまで高感度などの優れ
た特徴を持つ反面、シランガス　（ＳｉＬ）等の高価な
ガスをプラズマＣＶＤ等で長時間（約５時間）かけて、
堆積成膜していくため、感光体が非常（高価となる欠点
がある。 こうした八−５ｔ悪感光を用いた電子写真装置ならびに
画像形成プロセスは概略以下のとおりである。 第９図は代表的なＡ−５ｉ悪感光の模式的断面図であっ
て、９０１はへ２等の導電性支持体、９０２は該導電性
支持体９０１からの電荷の注入を阻止するための電荷注
入阻止層、９０３は少なくとも非単結晶シリコン系の材
料で構成され、光導電性を示す光導電層、９０４は該光
導電層９０３を保護するための表面保護層である。 第５図は＾−５ｉ感光体を用いた従来の複写機の画像形
成プロセスを示す概略図であって、矢印の方向に回転す
る感光体５０１の周辺には、生Ｖ電器５０２、静Ｉｉｔ
潜像形成部位５０３、現像器５１４、転写紙給送系５１
８、帯電器（転写・分離ｉｉ器）　５１５　、クリーナ
５１６、搬送系５１９、除電光源５１７などが配設され
ている。そして、ヒータ５２０によって加温された感光
体５０１は主帯電器５０２によって一様に一１！：電さ
れ、これにハロゲンランプ、蛍光灯等の光源５０６によ
り発した光をプラテンガラス５０４上の原［５２１に照
射し、その反射光をミラー５０７，５０８　、　レンズ
系５０９、ミラー５１２，５１１，５１０　、赤外カッ
トフィルターを介して感光体表面上に導き、投影されて
静電潜像が形成され、この潜像に現像器５１４からトナ
ーがｆ共給されてトナー像となる。 一方、転写紙通路５２２、レジストローラ６２３からな
る転写紙供給５１８を通って、光受容部材方向に供給さ
れる転写紙Ｐは帯電器５１５と感光体５０１との間隙に
おいて、背面からトナーとは反対極性の電界か与えられ
、これによって感光体表面上のトナー像は転写紙Ｐに転
移する。 分離された転写紙Ｐは転写紙搬送系５１９を通って、図
示されていない定着装置に至って、トナー像は定着され
て装置外に排出される。 なお転写部位において転写に寄与しないで、光受容部材
表面に残る残留トナーは、クリーナ５１６に至り、クリ
ーニングブレードによってクリーニングされる。 上記クリーニングにより更新された光受容部材表面は、
さらに、除電光源５１７から除電露光が与えられて、再
び同様のサイクルに供せられる。 （ｉｉ　）　０ＰＣ ＯＰＣ（有機光導電体）感光体は、光キャリアー発生を
役割とする顔料または染料の分子設計の自由度が大きく
、塗工が容易で、量産化しやすく、製造コストがきわめ
て低廉であるが、表面硬度が低く、光メモリも残りやす
いうえに、耐刷性に欠ける欠点がある。 第１０図は代表的なｏｐｃ　ｇ光体の模式的断面図であ
って、１００１はＡｉ等の導電性支持体、１００２は電
荷発生層（ＣＧＬ）　、　１００３は電荷移送層（ＣＴ
Ｌ）である。 Ｍ／２図はＯＰＣ感光体を用いた従来の複写機の画像形
成プロセスを示す概略図であって、矢印の方向に回転す
る感光体１２０１の周辺には、主１Ｆｉｔ！！！１００
２、静電潜像形成部位１２０３、現像器１２１４、転写
紙給送系１２１８、帯電器（転写・分離帯電器）　１２
１５、クリーナ１２１６、除電光源１２１７などが配設
されている。 感光体１００１は主−Ｉ電器１００２によって一様に帯
電され、これにハロケンランプ、蛍光灯等の光源１２０
６により発した光をプラテンガラス１２０４上の原稿１
２２１に照射し、その反射光をミラー系＋２０７．１２
０８　、　　レンズ系１２０９、ミラー系１２１２１２
１１．１２１０を介して感光体表面上に導き、投影され
て静Ｔ＝　ｉ”Ｊ像か形成され、この潜像に現像器１２
１４からトナーか供給されてトナー像となる。 一方、転写紙通路１２２２、レジストローラ１２２３か
らなる転写紙供給系１２１８を通って光受容部材方向に
供給される転写紙Ｐは帯電器１２１５と感光体１２０１
との間隙において、背面からトナーとは反対極性の電界
か与えられ、これによって感光体表面上のトナー像は転
写紙Ｐに転移する。 分離された転写紙Ｐは転写Ｍｍ送系（２１９をとおって
図示されない定着装置に至って、トナー像は定着されて
装置外に排出される。 なお転写部において、転写に寄与しないで、光受容部材
表面に残る残留トナーはクリーナ１２１６に至り、クリ
ーニングブレードによってクリーニングされる。 上記クリーニングにより更新された光受容部材表面は、
さらに、除電光源１２１７から除電露光が与えられて、
再び同様のサイクルに供せられる。 ｆｉｉｉ）Ｓｅ ＳｅＦｇ光体は電位が安定しており、製造方法も比較的
容易で、かつ、安価なことから、電子写真装置の出現当
初から広く用いられており、いまだに市場の大半をしめ
ている。しかし、Ｓｅ感光体は指でされった所や、４０
℃以上になると、結晶化をはじめ、ｌｌｌ’電能の低下
や、白斑が出るといった欠点を有していた。現在では、
こうした結晶化をおこしにくいＡｓ５ｅｉのものが用い
られてきている。 第１１図は代表的なＡｓＳｅ感光体の模式的断面図であ
って、１１０１はへｎ等の導電性支持体、１１０２は光
導電層である。 第１３図は＾５５ｐｆｉ４光体を用いた従来の複写機の
画像形成プロセスを示す概略図であって、矢印の方向に
回転する感光体１３０１の周辺には主’ｔｉｉ器１３０
２、静電潜像形成部位１３０３、現像器１３１４、転写
紙給送系１３１８、−１Ｆ電器（転写・分離！ＦＩＥ器
）　１３１５、クリーナ１３１６、搬送系１３１９、除
電光源１３１７などが配設されている。 感光体１３０１は主帯電器１３０２によって一様に帯電
され、これにハロゲンランプ、蛍光灯等の光源１３０６
ｅより発した光をプラテンガラス１３０４上の原ｇ４１
３２１に照射し、その反射光をミラー系１３０７．１３
０８　、　レンズ系１３０９、ミラー系１３１２゜１３
１１．１３１０　、紫外カットフィルター１３２４を介
して感光体表面上に導き、投影されて静ＩＥ潜像が形成
され、この潜像（現像器１３１４からトナーが供給され
てトナー像となる。 一方、転写紙通路１３２２、レジストローラ１３２３か
らなる転写紙供給系１３１８をとおって光受容部材方向
に供給される転写紙Ｐは、帯電器１３１５と感光体１３
０１との間隙において、背面からトナーとは反対極性の
電界が与えられ、これによって感光体表面上のトナー像
は転写紙Ｐに転移する。 分離された転写紙Ｐは転写紙搬送系１３１９をとおって
図示されていない定着装置に至って、トナー像は定着さ
れて装置外に排出される。 なお転写部位において、転写に寄与しないで、光受容部
材表面に残る残留トナーはクリーナ１３１６に至り、ク
リーニングブレードによってクリーニングされる。 上記クリーニングにより更新された光受容部材表面は、
さらに除電光源１３１７から除電露光が与えられて、再
び同様のサイクルに供せられる。 以上述べたように、感光体により、ｆ電電流、露光光量
等の設定上の差位は大きいものの、電子写真装置構成上
は類似しており、ハード面での共通化は、ユニットレベ
ルで進んでいる。 ［発明が解決しようとする課題］ 電子写真装置、すなわち、複写機の出現により、きわめ
て容易に書類の複写が可能となり、また複写機の性能向
上、コピーコストの低減といった要因も加わり、−１ｉ
１２事務用、官公庁の証明書類、申請書類、また書籍、
会議資料、チラシ、ビラ類に至るまて、複写物（コピー
）の需要は大きく伸び、もはやなくてはならないものと
なっている。 現在、全世界で年間１兆枚ものコピーがとられており、
今後も６％程度の伸びを示すと考えられている。 官公庁はじめ、各企業や商店等も、コピー量の増大に対
し、ベーパーレス化を図り、一方、事務機業界も、ベー
パーレス化を提唱し、さまざまな機器を上布してきたが
、現在も前述のように、総複写枚数は増加の一途をたど
っている。 こうした状況下で５もはや生活に密着した複写機に対し
て、より一そうのコピーコストの低減と、メインテナン
スの簡便化、耐久性、安定性の向上が強く求められてい
る。 近年、オフィスパーソナルや家庭向けの超小型複写機が
上桁され、大量の台数が市場設置されているにもかかわ
らず、コピーコストは市場で満足されるレベルまで低減
はされていない。 これは消耗材の消費が少ないため、大量生産によるスケ
ールメリットが生かされていないためである。 各ユーザーの使用状況、たとえば、月間複写量、複写速
度、デザインの好み等を尊重しながらも、複写機の本体
、消耗材の共通化、規格化、標準化をおしすすめ、付加
機能はオプション化する等して、総合的なコピーコスト
の大幅低減を達成させることが可能である。 しかしながら、こうした電子写真装置の共通化、規格化
、標準化にとって、従来から最大の障害となっていたの
は、電子写真プロセスの共通化、規格化、標準化、とり
わけ、異なった電子写真用感光体を同一複写機本体で、
いかに使いこなすかといった点にあった。 つまり、現在、電子写真用感光体には、主に、Ｓｅ、　
ＯＰＣ，Ａ−５ｉが用いられており、それぞれｆ電性、
帯電能が異なり、同一複写機に用いるのは困難であると
いう問題点がある。 本発明は、このような問題点を解決しようとするもので
ある。すなわち、本発明は、異なった電子写真用感光体
を同一複写機本体で使用することができるようにした電
子写真装置を提供することを目的とするものである。 ［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するために、本発明は、感光体と帯電手
段と露光手段と現像手段等を有する電子写真装置におい
て、前記感光体の種類に応じた複数種類の設定をする設
定手段と、該感光体の表面反射率を測定する測定手段と
を有し、かつ、該測定手段の測定結果に応じて前記設定
を選択実行するようにした。 ［作　　　用コ 本発明によれは、感光体の種類に応じた複数種類の設定
をする設定手段と、前記感光体の表面反射率を測定する
測定手段とを有するので、該測定手段の測定結果により
、前記感光体の種類を識別することができ、これに応し
て該設定を選択実行する。 したがって、本発明によれば、異なった電子写真感光体
を同一複写機本体で使用することができて、コピーコス
トの−そうの低減が達成できる。 ［実　施　例］ （１）　ｅＡ−５ｉ悪感光 本発明に用いられる代表的な　ｅＡ−５ｉの模式的断面
図を第７図に示す。′ｆＪ７図（ａ）は本発明に用いら
れる光受容部材の最も基本的な構成を示すものである。 同図において、７０１は＾２等の導電性支持体を示して
いる。７０２は少なくとも非単結晶シリコン系の材料で
構成され、光導電性を示す光導電層である。７０３はシ
リコン原子と炭素原子を周期律表第ｍ族に属する原子お
よび必要により水素原子またはハロゲン原子あるいはそ
の両方の原子を含み、潜像を保持する機能を有する潜像
保持層である。３０４シリコン原子と炭素原子および必
要により水素原子またはハロゲン原子あるいはその両方
の原子を含み、顕像を保持する機能を有する顕像保持層
である。 第７図（ｂ）は本発明に用いられる光受容部材の好まし
い実施態様を示すもので、同図において、７０５は該導
電性支持体７０１　と光導電層７０２の間に必要に応し
て設けられ、導電性支持体７０】からの電荷の１主人を
阻止するための電荷７主人阻止層である。 第７図（ｃ）は本発明に用いられる光受容部材の好まし
いもう１つの実施態様を示すもので、同図において、７
０６は該導電性支持体７０１　と電荷７１入阻止層７０
５の開に必要に応して設けられ、電子写真用画像形成装
置の画像露光源に長波長光の半導体レーザ等を用いる場
合に、干渉現象の現出を防止するために長波長光を吸収
する機能を有する長波長光吸収層である。なお必要に応
して前記長波長光吸収層７０６上に直接光導電層７０２
を設けてもよい。 光導電層７０２は非単結晶シリコンを母体とし、必要に
より水素原子またはハロゲン原子あるいはその両方の原
子を含有し、さら（は必要に応じて炭素原子、すず原子
、周期律表第１１１族に属する原子（以下、’Ｓｍ族原
子」と略記する。）周期律表第■族に族する原子（以下
、「第ｖ族原子」と略記する。）、および周期律表第■
族に属する原子（以下、ｒ　Ｎ　Ｖｌ族原子」と略記す
る。）のうちの少なくとも一種を含有してもよい。 光導電層７０２に含有される水素原子またはハロゲン原
子あるいはその両方の原子の含有量は０．１〜４０原子
％とされるのが望ましい。 またｙ＜　ｏ＋族原子を含有する場合、その含有量は潜
像保持層７０３の第１ＩＩ族原子の含有量の１７５以下
とされるのか望ましく、光導電層７０２の層厚は１〜１
００μｍとされるのが望ましい。 ｄ（像保持層７０３はシリコン原子と炭素原子とＨＩＩ
ｔ族原子および必要により水素原子またはハロゲン原子
あるいはその両方の原子を含有し、さらには、必要に応
じて、ゲルマニウム原子、すず原子、第■族原子および
第■族原子のうちの少なくとも一種を含有してもよい。 潜像保持層７０３に含有される炭素原子の含有量は１〜
９０原子％とされるのが望ましく、第１ＩＩ族原子の含
有量は１〜５　Ｘ　１０’原子ｐｐｍとされるのが望ま
しく、水素原子まｋはハロゲン原子あるいはその両方の
原子の含有量は０．１〜７０原子ｐｐｍとされるのが望
ましい。また潜像保持層７０３の層厚は３　Ｘ　１０−
’〜３０ｐｍとされるのが望ましい。 顕像保持層７０４はシリコン原子と炭素原子および必要
により水素原子またはハロゲン原子あるいはその両方の
原子を含有し、さらには、必要に応じてゲルマニウム原
子、すず原子、Ｈｍ族原子、第Ｖ族原子および第Ｖ

【族
原子のうちの少なくとも一種を含有してもよい。 顕像保持層７０４に含有される炭素原子の含有量は１〜
９０原子％とされるのが望ましく、さらには、潜像保持
層７０３の炭素原子の含有量より多いのが好ましい。水
素原子またはハロゲン原子あるいはその両方の原子の含
有量は０．１〜７０原子ｐｐｍとされるのが望ましく、
また第１ＩＩ族原子を含有する場合、その含有量は潜像
保持層７０３の第用族原子の含有量の１／１０以下とさ
れるのが望ましい。 必要に応じて設ける電荷注入阻止層７０５は非単結晶シ
リコンを母材とし、必要により水素原子またはハロゲン
原子あるいはその両方の原子を含有し、さらに、炭素原
子、第１ＩＩ族原子、第■族原子および第Ｖｌ族原子の
うちの少なくとも一種を含有し、また電荷注入阻止１１
７０５の層厚は３　Ｘ　１０−’〜１５μｍとされるの
が望ましい。 必要に応して設ける長波長光吸収層７０６は非単結晶シ
リコンを母材とし、必要により水素原子またはハロゲン
原子あるいはその両方の原子を含有し、さらに、ゲルマ
ニウム原子またはずす原子あるいはその両方の原子を含
有する。また必要に応じて炭素原子、第１ＩＩ族原子、
第Ｖ族原子、および第ｖ１族原子のうちの少なくとも一
種を含有してもよい。また長波長光吸収層７０６の層厚
は５　Ｘ　１０−２〜２５μｍとされるのが望ましい。 前記Ｍ　ＩＩＩ族原子としては、具体的には、Ｂ（はう
素）、ＡＲ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ
（インジウム〉、丁２（タリウム）等があり、とくに、
Ｂ、　ＡＰ、　Ｇａが好適であ６．　’ｉ＠Ｖ族原子と
しては、具体的には、Ｎ（窒素）、Ｐ（りん）、＾Ｓ（
ひ素）、ｓｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス〉等かあ
り、とくに、Ｎ、Ｐ、＾Ｓが好適である。第Ｖｌ族原子
としては、具体的には、Ｏ（酸素）、Ｓ（いおう）、Ｓ
ｅ（セレン）、Ｔｅ（テルル）、Ｐｏ（ボロニウム）等
があり、とくに、Ｏ，Ｓ、Ｓｅが好適である。 本発明に用いられる光受容部材は真空堆積膜形Ｆｌｉ、
法によって所望特性が得られるように適宜成膜パラメー
タの数値条件を設定して作成される。前記真空堆積膜形
成法としては、具体的には、たとえば、グロー放電法（
低周波プラズマＣＶＯ、高周波プラズマＣＶＤ　、また
はマイクロ波プラズマＣｖＤ等の交流放電プラズマＣＶ
Ｄ　、あるいは直流放電プラズマＣＶＤ等）、　ＥＣＲ
−プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、真空蒸着法、
イオンブレーティング法、光ＣＶＤ法、材料の原料ガラ
スを分解することにより生成される活性種（＾）と、該
活性ｆ！（＾）と化学的相互作用をする成膜用の化学物
質より生成される活性種（Ｂ）とを、各々別々に堆積膜
を形成するためのＦ＆膜空間内に導入し、これらを化学
反応させることによって材料を形成する方法（以下、ｒ
　ＨＲＣＶＤ法」と略記する。）、材料の原料ガスと、
該原料ガスに酸化作用をする性質を有するハロゲン系の
酸化ガスを各々別々に堆積膜を形成するための成膜区間
内に導入し、これらを化学反応させることによって材料
を形成する方法（以下ｒ　ＦＯＣＶＤ法」と略記する。 ）等の方法が適宜選択使用できる。これらの真空堆積膜
形ＴＩｉ法は、製造条件、設備資本投資下の負荷程度、
製造規模、作成される光受容部材に所望される特性等の
要因によって適宜選択されて採用されるが、所望の特性
を有する光受容部材を製造するに当たっての条件の制御
か比較的容易に行ない得ることからして、グロー放電法
、スパッタリング法、イオンブレーティング法、）ＩＲ
ＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ　Ｓが好適である。そして、これ
らの方法を同一装置系内で併用して形成してもよい。 ＶＳＢ図は本発明に用いる光受容部材の形成を行なう際
の代表的な堆積膜形成装置である高周波（以下、ｒＲＦ
Ｊと略記する。）プラズマＣＶＤ　’Ｉｔ置の一例を示
している。 同図のガスボンベ８７１，８７２，８７３，８７４，８
７５，８７６゜８７７には、本発明の光受容部材を形成
するための原料ガス、たとえば各ｈ　５ＩＨ４，Ｈ２−
ＣＨａＰＨ３，８２Ｈ６，ＮＯ，Ａｒ等が密封されてお
り、あらかじめ、ガスボンへ８７１〜８７７を取り付け
る際に、各々のカスを、バルブ８５１．８５２．８５３
．８５４゜８５５．８５６．８５７から流入バルブ８３
１，８３２．８３：ｌ　８３４゜８３５．８３６．８３
７のガス配管内に導入しである。 同図の８０５は支持体、８０６は支持体ホルダであり、
８１４は該支持体８０５を加熱するためのヒータである
。 まず、たとえば、表面に旋盤を用いて鏡面加工を施した
支持体８０５を支持体ホルダ８０６に挿入し、成膜炉８
０１の上Ｍ８０７を開けて、戒膜炉８０１内の加納ヒー
タ８１４に支持体ホルダ８０６を挿入する。 つぎに、ガスボンベ８７１〜８７７のバルブ４５１〜４
５７、流入バルブ８３１〜８３７、成膜炉４０１のリー
クバルブ４１５が閉しられていることを確認し、また流
出バルブ　８４１，８４２，８４３．８４４．８４５Ｂ
４６，８４７．補助バルブ８１８が開かれていることを
確認して、まずメインバルブ４１６を開いて図示されて
いない真空ポンプにより、成膜炉８０１およびガス配管
内を排気する。 その後、ガスボンベ８７１〜８７７から各々のガスを、
バルブ８５１〜８５７を開いて導入し、圧力調整器８６
１，８６２．８６３，８６４．８６５．８６６．８６７
により各ガス圧力を所望の圧力に調整する。 つぎに、流入バルブ８３１〜８３７を徐々に開けて、以
上の各カスをマスフローコントローラ８２１．８２２，
８２３．８２４．８２５．８２６，８２７内に導入する
。 そして、流出バルブ８４７および補助バルブ８１８を徐
々に開いてＡｒガスをガス導入管８０８のガス放出孔８
０９を通して成膜炉８０１内に流入させる。このとき、
Ａｒガス流量が所望の流量となるようにマスフローコン
トローラ８２フて調整スる。戒膜炉８０１内の圧力は、
所望の圧力となるように真空計８１７を見ながら、図示
されていない真空ｔ４Ｆ気装置の排気速度を調整する。 その後、図示されていない温度コントローラを作動させ
て、支持体８０５を加熱ヒータ８１４により加熱し、支
持体８０５か所望の温度に加熱されたところて、流出バ
ルブ８４７および補助バルブ８１８を閉して、成膜炉８
０１内へのガス流入を止める。 つぎに、各々の層を形成するのに必要な原料ガスの流出
バルブ８４１〜８４７　と補助バルブ８１８を徐々に開
いて、原料ガスを導入管８０８のガス放出孔８０９を通
じて成膜炉８０１内に流入させる。このとき、各原料ガ
スの流量が所望の流量となるように各々のマスフローコ
ントローラ８２１〜８２７で調整する。成膜炉８０】内
の圧力は、所望の圧力となるように真空計８１７を見な
がら、図示されていない真空排気装置の排気速度を調整
する。その後、図示されていないＲＦ電源の電力を所望
の電力に設定し、高周波マツチングボックス８１２を通
じて戒膜炉８０１内にＲＦｉ力を導入し、ＲＦグロー放
電を生起させ、支持体８０５上またはすでに成膜した層
上に所望の層の形成を開始し、所望の層厚を形成したと
ころで、ＲＦグロー放電を止め、また流出バルブ８４１
〜８４７および補助バルブ８１８を閉して、成膜炉８０
１内へのガス流入を止め、層の形成を終える。 それぞれの層を形成する際に必要なガス以外の流出バル
ブは完全に閉しられていることはいうまでもなく、また
それぞれのガスが威膜炉８０１内、流出バルブ８４１〜
８４７から成膜炉８０１に至る配管内に残留することを
避けるために、流出バルブ８４１〜８４７を閉じ、補助
バルブ８１Ｂを開き、さらに、メインバルブ８１６を全
開にして系内を、−たん、高真空に排気する操作を必要
に応じて行なう。 また必要に応して、層形成を行なっている間に層形成の
均一化を図るため、支持体８０５および支持体ホルダ８
０６を、図示されていない駆動装置によって所望される
速度で回転させる。 （１１）■Ａ−５ｉ ■Ａ−５ｉ感光体も上述のｅＡ−５ｉ悪感光と同様に、
グロー放電等の真空堆積膜形成法によって、所望特性が
得られるように適宜成膜パラメータの数値条件を設定し
て作成される。 （川）ｅＯＰｃ さきに説明した％１ｏ図の（ＩＰＣを、本発明に用いる
場合を詳しく説明する。 電荷発生層１００２の膜厚は５ｇｍ以下、好ましくは０
．０１〜１μｍがよい。電荷発生層１００２にバインダ
を用いる場合、バインダ量が多いと、感度に影響するた
め、電荷発生層中に占めるバインダの割合は８０％以下
、好ましくは４０％以下がよい、光吸収により電荷担体
を生しせしめる顔料として、ジスアゾ顔料、銅−フタロ
シアニン、ビリリウム系染料、アゾレニウム系染料等が
挙げられ、使用されるバインダとしては、ポリビニルブ
チラール、ポリさく酸ビニル、ポリエステル、ポリカー
ホネイト、カゼイン、ポリビニルアルコールなど、各種
の樹脂類が用いられる。このようにして設けた電荷発生
層１００２上に電荷移送層１００３を設ける。 電荷移送層１００３としては、電子移送性物質、正孔移
送性物質かあり、この場合、正孔移送性物質を用い、ピ
レン、Ｎ−エチルカルバゾール、Ｎ−イソフロビルカル
バゾール、ポリーＮ−ヒニルカルハゾール等がある。電
荷移送層１００３の膜厚は５〜３０μｍ、好ましくは８
〜２０μｍである。バインダとし５てはアクリル１１脂
、ポリエステル、ボリヵーホネート等を用いることがて
きる。 （ｉｖ）Ｓｅ さきに説明した第１１図の■ＡｓＳｅを、本発明に用い
る場合を詳しく説明する。 光導電層１１０２の膜厚は４０〜８０μｍが望ましく、
この材料については非晶質Ａｓ２　Ｓｅｓあるいは、こ
れに近い組成を有する非晶質セレン・ひ素合金を用いた
単一層の感光層からなる感光体が広く採用される。 導電性支持体１１０１を、５　Ｘ　１０”’　Ｔｏｒｒ
の真空にし、支持体塩度を１５０℃に制御し、保持しな
がら、支持体の下方に設けられたひ素濃度３３．５Ｗ％
のセレン・ひ素合金か充てんされた蒸発源を加熱し、膜
厚５５μｍのＡｓＳｅ感光体を作成した。 第６図は感光体の表面反射率を測定する測定手段、つま
り感光体ｆｉ類識別装置の具体例を示したものて、同図
において６０１は感光体、６１８は表面反射率測定用光
源、６１９はハーフミラ−６２０はリファレンス光用分
光測定器、６２１は感光体反射光用分光測定器である。 前記光源６１８から発せられた光は、ハーフミラ−６１
９により、２つの経路に分岐され、透過光はリファレン
ス光用分光測定器６２０に入射し、内部のグレーティン
グて分光され、２５５ｃｈの検出素子により分光分布を
測定し、記憶される。反射光は感光体６０１でその表面
反射率に応じて反射し、その一部がハーフミラ−６１９
を透過し、感光体反射光用分光測定器８２１に入射し、
リファレンス光と同様にして分光特性が記憶される。前
記両側定器６２０．６２１で記憶されたデータは、図示
されていない演算部で処理され、該感光体６０１の表面
反射率が得られる。 上記の手段により、第２図に示すＡ−５ｉ悪感光の表面
反射率測定結果が得られた。 また第３図はｏｐｃ感光体、第４図はＡｓ２Ｓｅ３感光
体の測定結果である。 装着感光体の種類の識別は、前記演算部で行なわれ、識
別結果を基に、該演算部と接続された図示されていない
コントローラにより、該感光体の種類に応じ７た設定に
切換えられる。装着感光体の種類の識別は、表面反射率
の測定結果を基に、極大値と極小値の数による識別、極
大値平均と極小値平均の差の大きさにより識別、表面分
光反射率の平均による識別等、各種感光体間の表面反射
率の相違に基いて行なう。本実験例においては、５００
ｎｍ〜７００ｎｍの光波長範囲における表面分光反射率
の極大値、極小値の数による識別と極大値平均と極小値
平均の比の大きさによる識別を併せて行なう方式とした
。 すなわち、５００ｎｍ〜７００ｎｍの光波長範囲におい
て、表面分光反射率の極大値と極小値の数が２個以上４
個以下てあり、かつ、極大値の平均値と極小値の平均値
の比かａ％５以上である場合には、Ａ−５ｉ悪感光と識
別する。一方、棒犬価と極小値の数が１個以下または５
個以上であり、かつ、極大値の平均値と極小値の平均値
の比がｍｌ以下である場合には、ＯＰＣ感光体またはＡ
ｓ２Ｓｅ３感光体と識別する。どちらの条件も満たさな
い場合には、再度、表面分光反射率の測定から行なう。 該感光体識別装置の性能試験として、　Ａ−５ｉ悪感光
、Ｑｐ（：　、　Ａｓ２Ｓｅ３感光体、各５０本を用意
し、無作為な順番て装着し、感光体の種類の識別結果と
設定切換えの確認を行なったところ、全ての感光体に関
して、Ａ−５ｉ悪感光であるか、ＯＰＣまたＡｓ２Ｓｅ
、感光体であるかを、正しく識別し、各々に応じた設定
となっていることか確かめられ、該感光体識別装置が有
効に動作することが確認された。 第１図は本発明の一実施例を示している。 同図において、１０１は感光体、１０２は潜像形成のた
めの主帯電器、１０３は画像形成光線、１０４は原稿台
、１０５は標準白色板１０６は原稿台照明ランプ、１０
７．１０８は移動式ミラー、１０９はレンズ、１１０，
１１１．１１２は固定式ミラー、１１３は電位センサ、
１１４は現像器（現像スリーブ）、１１５は転写分ａ’
＊電器、１１６はクリーナ、１１７は除電光源（前露光
照明ランプ）、１１８は該感光体１０１の表面反射率を
測定するための照射ランフ、１１９は該照射ランプ１１
８からの光を反射して感光体１０１からの反射光を透過
するハーフミラ−１１２０，１２１はリファレンス光お
よび感光体１０１からの反射光を測定するフォトディテ
クタ、１２２は可動式画像只光フィルタであり、前記フ
ォトディテクタ１２０．１２１は内部のグレーティング
により分光反射率を測定するものである。また１２３は
クリーニングブート、１２４は原稿である。 まず、感光体１０１を装置本体に設置し、設置シーケン
スを開始する６感光体１０１が回転し、感光体１０１の
表面反射率を測定するため、照射ランプ１１８か点灯し
、ハーフミラ−１１９で反射した光を感光体１０１て反
射し、フォトディテクタ１２１の内部のグレーティング
で分光され、２４６　ｃｈの検出素子により分光分布を
測定する。 一方、照射ランプ１１８を発した光の一部はハーフミラ
−１１９を透過し、フォトディテクタ１２０に入光し、
リファレンス光の分光分布を測定し、感光体１０１から
の反射光との比率をとって分光反射率を測定する１本体
中にメモリされている感光体の分光反射率と比較するこ
とによｅＡ−５ｉ悪感光く負％！：電非晶質シリコン感
光体〉を用いた。両者の特性は大幅に異なり、誘電率が
３程度のＯＰＣと１０程度のｆ９Ａ−５ｊでは、同じ帯
電状態におけるｖｉ−電能力が異なるため、前記のとお
り、判別した感光体に合うように、帯電用高圧電源の出
力を切換える。また感光体上に現像された現像剤が転写
紙Ｐに転写分路ＩＦ電器１１５で転写され、分離される
時の転写帯電量、分１１ｉｌ［ｆ電量も、感光体により
異なるため、同時に高圧電源の出力を各感光体に合わせ
て切換える。さらに、感光体の分光感度が異なるため、
画像露光の分光分布を変更するための画像露光フィルタ
を感光体に応して切換える。そして潜像条件の違いによ
る現像バイアスの切換えを感光体に応じて現像バイアス
高圧電源にて行なう。以上のような切換え手段を有し、
感光体種類判別手段により自動的に判別された感光体に
マツチするように上記の諸々の切換えが行なわれ、通常
の制御シーケンスに移る。 制御シーケンスは、キャノン製複写機ＮＰ４０００．５
０００，６０００，７０００．８０００．９０００およ
びＣＬＣ等の従来技術に用いられているもので、電位セ
ンサ１１３によって、暗部電位および標準白色板１０５
からの光による明部電位を制御するシーケンスである。 これによってｏｐｃ　ｒ５光体、＄Ａ−５ｉそれぞれの
潜像条件に設定され、その後、’ｔｒＮ、ｎ光、現像、
転写等の通常の電子写真プロセスが行なわれるものであ
る。 画像形成方法については、感光体１０１を矢印の方向に
回転させ、感光体１０１上に、主ｆ電器１０２によって
−様なコロナ帯電を行ない、これに公知のように、光源
により発した光をプラテンガラス上の原稿に囮射し、そ
の反射光をミラー系、レンズ系およびフィルタを介して
画像形成光線１０３を感光体１０１の表面上に導き、投
影させて静電潜像を形成し、この潜像に現像器１１４か
らトナーを供給してＦ−ナー像を形成する。 方、転写紙通路１２６、レジストローラ１２５からなる
転写紙供給系１２７を通って光受容部材方向に供給され
る転写紙Ｐは転写−ｉ：電器１１５と感光体１０１の間
隙において、背面からトナーとは反射極性の電界が与え
られ、これによって光受容部材表面のトナー像は転写紙
Ｐに転移する。 分離された転写紙Ｐは搬送系１２８をとおって図示され
ていない定着装置に至って、トナー像は定着され、転写
紙Ｐは装置外に排出される。 なお転写部位において、転写に寄与しないで光受容部材
表面に残る残留トナーはクリーナー１１６に至り、クリ
ーニングブレード１２３によってクリーニングされる。 上記クリーニングにより更新された光受容部材表面は、
さらに、除電光源１１７から除電露光が与えられて、再
び同様のサイクルに供せられる。 第１表 第１表は電子写真装置として、キャノンＮＰ−７５５０
を改造して用い、ｅＡ−５１感光体とｏｐｃ　５光比較
することて判別した。 す々わち、上記の電子写真装置にｅＡ−５ｊ５光体およ
びＯＰＣ５光体を設置し、第１４図のブロック図に従い
設置シーケンスにより感光体の種類を電子写真装置に自
動的に判別させ、画像出しを行なったところ、従来から
の＾−５ｉ専用機、ＯＰＣ専用機と全く同様の画像を得
ることができた。 第 ２ 表 第２表は電子写真装置として、第１表と同様に、キャノ
ン製ＮＰ−７５５０を改造して用い、ｅＡ−５ｉ（正ｉ
ｔ非晶貿シリコン）感光体とＳｅ（非晶質セレン化ひ素
・Ａｓ、　Ｓｅｓ　）感光体の場合の制御例を表わして
いる。上記感光体の種類の判別は、測定した分光反射率
を第２図とｉＳ４図の波形と比較することにより判別し
た。 すなわち、上記の電子写真装置に■＾−５ｉ感光体およ
びＳｅ　（Ａｓ２Ｓｅ３　）感光体を設置し、ｌｉ＠１
５図のブロック図に従い設置シーケンスにより感光体の
種類を量子写真装置に自動的に判別させ、画像出しを行
なったところ、従来からのＡ−５ｉ専用機、Ａｓ２Ｓｅ
３専用機と全く同様の画像を得ることができた。 ［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、感光体の種類に
応じた複数種類の設定をする設定手段と、前記感光体の
　表面反射率を測定する測定手段を有するのて、該測定
手段の測定結果により、前記感光体の種類を識別するこ
とができ、これに応じて該設定を選択実行することがで
きる。したがって、本発明によれば、異なった電子写真
感光体を同一複写機本体で使用することができて、コピ
ーコストの−そうの低減か達成できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示した側面断面図、第２図
はＡ−５ｉの分光反射率の説明図、第３図はｏｐｃの分
光反射率の説明図、第４図は＾５２ｓｅ、の分光反射率
の説明図、第５図は従来のＡ−５ｉ悪感光用電子写真装
置の一例を示した側面断面図、第６図は実験に用いた装
置の断面図、第７図（ａ）　、　（ｂ）　、　（ｃ）は
９Ａ−５ｉ悪感光の模式的断面図、第８図は光受容部材
形成のための堆積膜形成装置の説明図、第９図は■Ａ−
５ｉ感光体の模式的断面図、第１０図はｏｐｃ感光体の
模式的断面図、第１１図はＡｓ２Ｓｅ３感光体の模式的
断面図、第１２図は従来のＯＰＣ感光体用電子写真装置
の一例を示した側面断面図、第１３図は従来のＡｓ２Ｓ
ｅ、感光体用電子写真装置の一例を示した側面断面図、
第１４図および第１５図は電子写真装置の作動ブロック
図である。 １０１・・・感光体 １０２・・・主帯電器 １０３・・・電位センサ １０４・・・現像器 １０５・・・転写分ｍ帯電器 １０７・・・除電光源 第１図 他４名 第 ２ 図 第 図 し３ｖｅｌａｎ（ｔｙ　　（ｎ和） ６８１ 第 図 Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｙ （ｎｉ） 第 Ｓ 図 追隘ヒ８５ ノ ロ８２− 第 図 第 １０図 第 １３図 第 １２図 ２０６ ２２１ ２０４ ２１９ ２１５ ２２２ ２１８ 第 ４ 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １　少なくとも感光体と帯電手段と露光手段と現像手段
   とを有する電子写真装置において、前記感光体の種類に
   応じた複数種類の設定をする設定手段と、該感光体の表
   面反射率を測定する測定手段とを有し、かつ、該測定手
   段の測定結果に応じて前記設定を選択実行するようにし
   たことを特徴とする電子写真装置。