JPH0324089A - 有機ケイ素化合物の精製方法 - Google Patents
有機ケイ素化合物の精製方法Info
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- JPH0324089A JPH0324089A JP15860989A JP15860989A JPH0324089A JP H0324089 A JPH0324089 A JP H0324089A JP 15860989 A JP15860989 A JP 15860989A JP 15860989 A JP15860989 A JP 15860989A JP H0324089 A JPH0324089 A JP H0324089A
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Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は有機ケイ素化合物の精製方法に関するもので、
詳しくは、シリカI!造用原料、シランカツプリング剤
、シリル化剤、シリコーン樹脂用原利、シリコーンゴム
用原料、として好適である、特に不純金属含有成分の少
ない高純度の有機ケイ素化合物を効率的に得るための方
法に関するものである。
詳しくは、シリカI!造用原料、シランカツプリング剤
、シリル化剤、シリコーン樹脂用原利、シリコーンゴム
用原料、として好適である、特に不純金属含有成分の少
ない高純度の有機ケイ素化合物を効率的に得るための方
法に関するものである。
[従来の技術]
近年、高純度化ざれた有機ケイ素化合物は多くの用途に
あいて需要が増加しているが、その純度は更に高いもの
が望まれている。例えば、ケイ素アルコキシドを加水分
解して得た、シリカをクロマトグラフィー用充填剤とし
て利用する場合、鉄などの微量金属不純物が混在すると
シリカ表面の荷電が増加し、それに起因して極性物質の
ピークテーリングが生じたり、塩基性物質が吸着しやす
くなり、目的物質の回収率や純度が悪くなる。また、こ
のシリカを半導体封止剤フィラーの原料として用いる場
合には、Naなとのアルカリ金属の混入は配線の腐蝕を
起こし、そして、U及びThなとの放射性元素の混入は
、ソフトエラーの原因となる。更に、触媒担体として、
シリカを利用する場合、各種不純成分の混入による純度
の低下は対象触媒反応の副反応が起こりやすくなり、目
的生戒物の収率、純度に悪L−響を及ぼす。
あいて需要が増加しているが、その純度は更に高いもの
が望まれている。例えば、ケイ素アルコキシドを加水分
解して得た、シリカをクロマトグラフィー用充填剤とし
て利用する場合、鉄などの微量金属不純物が混在すると
シリカ表面の荷電が増加し、それに起因して極性物質の
ピークテーリングが生じたり、塩基性物質が吸着しやす
くなり、目的物質の回収率や純度が悪くなる。また、こ
のシリカを半導体封止剤フィラーの原料として用いる場
合には、Naなとのアルカリ金属の混入は配線の腐蝕を
起こし、そして、U及びThなとの放射性元素の混入は
、ソフトエラーの原因となる。更に、触媒担体として、
シリカを利用する場合、各種不純成分の混入による純度
の低下は対象触媒反応の副反応が起こりやすくなり、目
的生戒物の収率、純度に悪L−響を及ぼす。
一方、その他、有機ケイ素化合物をシランカツプリング
剤、すなわち、シリカ等の表面処理剤、や無機質を補強
剤として有機樹脂をマトリックスとする複合材料の改質
剤などに利用する場合も微量金属不純物の混在は悪影響
がある。例えば、シリカ等の表面処理剤の場合、金属不
純物によって有機ケイ素化合物自身が、重合や分解を起
しシリ力の表面改質がうまく行なわれない。また、複合
材料の改質剤の場合、例えば、半導体製造におけるIC
上の配線用絶縁あるいは表面保護用として利用する時、
金属不純物が膜形式時に必要以上の熱を出し、クラック
が生じ充分な機能が発揮できない。他方、シリル化剤と
して、有機ケイ素化合物を利用した場合.、各種不純或
分の混在や異性体及び炭素数の異なる有機ケイ素化合物
の混在は、目的の活性基を置換保護できないだけでなく
、目的外の活性基の置換保護を引き起し悪影響を及ぼす
。
剤、すなわち、シリカ等の表面処理剤、や無機質を補強
剤として有機樹脂をマトリックスとする複合材料の改質
剤などに利用する場合も微量金属不純物の混在は悪影響
がある。例えば、シリカ等の表面処理剤の場合、金属不
純物によって有機ケイ素化合物自身が、重合や分解を起
しシリ力の表面改質がうまく行なわれない。また、複合
材料の改質剤の場合、例えば、半導体製造におけるIC
上の配線用絶縁あるいは表面保護用として利用する時、
金属不純物が膜形式時に必要以上の熱を出し、クラック
が生じ充分な機能が発揮できない。他方、シリル化剤と
して、有機ケイ素化合物を利用した場合.、各種不純或
分の混在や異性体及び炭素数の異なる有機ケイ素化合物
の混在は、目的の活性基を置換保護できないだけでなく
、目的外の活性基の置換保護を引き起し悪影響を及ぼす
。
このような各分野の需要に応ずるためには、各種の微量
金属不純物が少ない高純度の有機ケイ素化合物が要求さ
れる。そこで、従来からケイ素化合物の高純度品を得る
方法が検討されており、例えば、高純度シワ力の製造法
としては下記のものが知られている。
金属不純物が少ない高純度の有機ケイ素化合物が要求さ
れる。そこで、従来からケイ素化合物の高純度品を得る
方法が検討されており、例えば、高純度シワ力の製造法
としては下記のものが知られている。
■ 四塩化ケイ素に代表されるハロゲン化ケイ素を火炎
と共に耐火性の標的上に吹きつけて、付着溶融成長させ
、粉砕することによる高純度シリカの製法。(特開昭5
8 − 1 40. 3 1 3@)■ ハロゲン化ケ
イ素の火炎中、気相加水分解によって生或する高純度超
微粒子状シリカを更に火炎中で溶融することにより高純
度シリカを製造する方法。(特開昭59 − 1 5
2, 2 1 5@)■ ケイ酸ソーダ水溶液をカチオ
ン交換樹脂で処理して得られた酸性シリカゾルを、アン
モニアによりアルカリ性シリカゾルとし、この溶液を硝
酸アンモニウムと接触させて凝集沈澱シリカゲルを製造
し、酸処理、水洗、乾燥、溶融を至で高純度シリカゲル
を得る方法。(特開昭60180,911号)。
と共に耐火性の標的上に吹きつけて、付着溶融成長させ
、粉砕することによる高純度シリカの製法。(特開昭5
8 − 1 40. 3 1 3@)■ ハロゲン化ケ
イ素の火炎中、気相加水分解によって生或する高純度超
微粒子状シリカを更に火炎中で溶融することにより高純
度シリカを製造する方法。(特開昭59 − 1 5
2, 2 1 5@)■ ケイ酸ソーダ水溶液をカチオ
ン交換樹脂で処理して得られた酸性シリカゾルを、アン
モニアによりアルカリ性シリカゾルとし、この溶液を硝
酸アンモニウムと接触させて凝集沈澱シリカゲルを製造
し、酸処理、水洗、乾燥、溶融を至で高純度シリカゲル
を得る方法。(特開昭60180,911号)。
■ 硝酸水溶液にケイ酸ソーダ水溶液を徐々に、添加し
、沈澱シリカゲルを製造し、酸処理,水洗、乾燥、焼成
を至で高IIi度シリカを得る方法。(特開昭61−4
8,422M) ■ テトラメトキシシランを炭酸アンモニウムの存在下
に塩基性条件下で加水分解し、ろ過、水洗、乾燥を至で
高純度シリカを得る方法(特開昭62−87409号) ところが、■,■の場合、次のような問題点が挙げられ
る。
、沈澱シリカゲルを製造し、酸処理,水洗、乾燥、焼成
を至で高IIi度シリカを得る方法。(特開昭61−4
8,422M) ■ テトラメトキシシランを炭酸アンモニウムの存在下
に塩基性条件下で加水分解し、ろ過、水洗、乾燥を至で
高純度シリカを得る方法(特開昭62−87409号) ところが、■,■の場合、次のような問題点が挙げられ
る。
■ ハロゲン化ケイ素等のシリカ原料が高価である。
■ ハロゲン化ケイ素としてクロロシラン系の原料を使
用した場合、製品にクロルが残留しやすく低クロル化が
困難である。
用した場合、製品にクロルが残留しやすく低クロル化が
困難である。
■ クロロシラン系の場合、腐蝕性及び可燃性である為
、取扱難い。
、取扱難い。
また、■,■の方法では、いずれもケイ酸アルカリを原
料として用いるが、一般的に、ケイ酸アルカリ中には種
々の金属不純物を含むため、最終的に得られるシリカ中
にもこれら不純物が若干、含有ざれ真に高純度品を製造
することは難しかった。一方、■の方法では、ケイ素ア
ルコキシドを原料として用いるが、一般的に、ケイ酸ア
ルカリを原料としたものより比較的高純度のシリカが、
得られるものの、ケイ素アルコキシドを製造する時の原
料に含まれる塩素や、金属触媒などが残留し、必ずしも
高純度であるとは言い難いものであった。
料として用いるが、一般的に、ケイ酸アルカリ中には種
々の金属不純物を含むため、最終的に得られるシリカ中
にもこれら不純物が若干、含有ざれ真に高純度品を製造
することは難しかった。一方、■の方法では、ケイ素ア
ルコキシドを原料として用いるが、一般的に、ケイ酸ア
ルカリを原料としたものより比較的高純度のシリカが、
得られるものの、ケイ素アルコキシドを製造する時の原
料に含まれる塩素や、金属触媒などが残留し、必ずしも
高純度であるとは言い難いものであった。
また、有機ケイ素化合物の製造法としては、例えば、ケ
イ石(S i 02 )を炭材とともに、電気炉で高温
還元して金属ケイ素を製造し、これに有機ハロゲン化合
物を金属触媒下250〜5 0 0 ’Cで反応させ有
機ハロゲンケイ素化合物を作り、これを出発原料として
加水分解、重合等の後、蒸留を行ない有機ケイ素化合物
を得る方法が知られているが、この方法では原料に含ま
れる塩素や、金属触媒などが残留し、必ずしも高純度の
ものを得ることは難しかった。
イ石(S i 02 )を炭材とともに、電気炉で高温
還元して金属ケイ素を製造し、これに有機ハロゲン化合
物を金属触媒下250〜5 0 0 ’Cで反応させ有
機ハロゲンケイ素化合物を作り、これを出発原料として
加水分解、重合等の後、蒸留を行ない有機ケイ素化合物
を得る方法が知られているが、この方法では原料に含ま
れる塩素や、金属触媒などが残留し、必ずしも高純度の
ものを得ることは難しかった。
[発明の課題と解決手段]
本発明者等は上記実情に鑑み、高純度シソ力などを製造
するための原料となる有機ケイ素化合物の精製法につき
検討を行なった結果、有機ケイ素化合物をキレート剤と
接触させることにより各種の微量金属不純物が極めて良
好に除去され、この有機ケイ素化合物を用いてシリカな
どを裂造すると高純度製品が得られることを見い出し本
発明を完成した。即ち、本発明の要旨は、有機ケイ素化
合物の溶液をキレート剤と接触させ、次いで、これを蒸
留することにより高純度有機ケイ素化合物を回収するこ
とを特徴とする高純度有機ケイ素化合物の精製方法に存
する。
するための原料となる有機ケイ素化合物の精製法につき
検討を行なった結果、有機ケイ素化合物をキレート剤と
接触させることにより各種の微量金属不純物が極めて良
好に除去され、この有機ケイ素化合物を用いてシリカな
どを裂造すると高純度製品が得られることを見い出し本
発明を完成した。即ち、本発明の要旨は、有機ケイ素化
合物の溶液をキレート剤と接触させ、次いで、これを蒸
留することにより高純度有機ケイ素化合物を回収するこ
とを特徴とする高純度有機ケイ素化合物の精製方法に存
する。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明で対象とする有機ケイ素化合物としては、通常、
トリエチルシラン、ジシランなどの含水素化合物、トリ
フルオルシラン、トリクロルシラン、プロムシラン、ト
リョードシランなどの含ハロゲン化合物、トリメチルシ
ラノール,テトラエトキシシラン,オクタメチルシクロ
テトラシロキサンなどの含酸素化合物、シラザンなどの
含窒素化合物、または、これら化合物の多量体などが挙
げられる。これらの有機ケイ素化合物は通常、多少の不
純金属或分を含有しており、例えばテトラエトキシシラ
ンの場合、一般的に、AIが300〜3oppb .
caが1500 〜300ppb .Crが500〜1
0ppb,Vが500〜50ppb程度含まれている。
トリエチルシラン、ジシランなどの含水素化合物、トリ
フルオルシラン、トリクロルシラン、プロムシラン、ト
リョードシランなどの含ハロゲン化合物、トリメチルシ
ラノール,テトラエトキシシラン,オクタメチルシクロ
テトラシロキサンなどの含酸素化合物、シラザンなどの
含窒素化合物、または、これら化合物の多量体などが挙
げられる。これらの有機ケイ素化合物は通常、多少の不
純金属或分を含有しており、例えばテトラエトキシシラ
ンの場合、一般的に、AIが300〜3oppb .
caが1500 〜300ppb .Crが500〜1
0ppb,Vが500〜50ppb程度含まれている。
これらの有機ケイ素化合物は通常、常温では固体,液体
,気体のいずれもあるが、固体の場合、熱を加えて液体
に、気体のものは冷却して液体状態にするのが好ましい
。
,気体のいずれもあるが、固体の場合、熱を加えて液体
に、気体のものは冷却して液体状態にするのが好ましい
。
本発明においては、上述の如き有機ケイ素化合物液をキ
レート剤と接触させることを必須の要件とするものであ
る。即ち、この本発明の処理により従来の精製法では十
分に除去できなかった各種の金属不純物を効果的に除去
できるのである。
レート剤と接触させることを必須の要件とするものであ
る。即ち、この本発明の処理により従来の精製法では十
分に除去できなかった各種の金属不純物を効果的に除去
できるのである。
本発明で用いるキレート剤はカルボキシル基,水酸基な
どの親水性官能基を持つキレート剤化合物で、親水性溶
媒や液状の有機ケイ素化合物に溶解するものであれば特
に限定ざれない。また、これらのキレート剤は2種以上
併用してもよい。このキレート剤の具体例としては、例
えば、酒石酸、蓚酸、オキシンなどが代表的に挙げられ
る。キレート剤は常態で固体のものが多いので、通常、
有機ケイ素化合物と相溶性のある有機溶媒で溶解して用
いるのが望ましい。そして、ここで用いる有機溶媒は後
工程での蒸留分離を考え、有機ケイ素化合物との沸点差
が30’C以上、好ましくは50゜C以上のものが好ま
しい。例えば、有機ケイ素化合物としてテトラエトキシ
シラン(沸点168℃)を用いる場合には、通常、メタ
ノール、エタノールなどの低級脂肪族アルコールが好ま
しい。また、有機溶媒の使用量としてはキレート剤を溶
解する最小量でよく、必要以上の使用量はコスト的に経
済的ではない。
どの親水性官能基を持つキレート剤化合物で、親水性溶
媒や液状の有機ケイ素化合物に溶解するものであれば特
に限定ざれない。また、これらのキレート剤は2種以上
併用してもよい。このキレート剤の具体例としては、例
えば、酒石酸、蓚酸、オキシンなどが代表的に挙げられ
る。キレート剤は常態で固体のものが多いので、通常、
有機ケイ素化合物と相溶性のある有機溶媒で溶解して用
いるのが望ましい。そして、ここで用いる有機溶媒は後
工程での蒸留分離を考え、有機ケイ素化合物との沸点差
が30’C以上、好ましくは50゜C以上のものが好ま
しい。例えば、有機ケイ素化合物としてテトラエトキシ
シラン(沸点168℃)を用いる場合には、通常、メタ
ノール、エタノールなどの低級脂肪族アルコールが好ま
しい。また、有機溶媒の使用量としてはキレート剤を溶
解する最小量でよく、必要以上の使用量はコスト的に経
済的ではない。
次に、この混合物を蒸留するが、通常、先ず、キレート
剤の溶媒として使用した有機溶媒が留出し、続いて、精
製された有機ケイ素化合物が留出する。そして、不純金
属成分を保持したキレート剤は蒸留残渣として残留する
ことになる。例えば、有機ケイ素化合物としてテトラエ
トキシシラン、w機溶媒としてエタノールを用いた堀合
には、初めにエタノールが留出し、次にテトラエトキシ
シランが留出する。一方、原料テトラエトキシシラン中
に含まれていた金属不純物はキレート剤とともに蒸留残
渣として留まるので、極めて純度の高いテトラエトキシ
シランを回収することができる。
剤の溶媒として使用した有機溶媒が留出し、続いて、精
製された有機ケイ素化合物が留出する。そして、不純金
属成分を保持したキレート剤は蒸留残渣として残留する
ことになる。例えば、有機ケイ素化合物としてテトラエ
トキシシラン、w機溶媒としてエタノールを用いた堀合
には、初めにエタノールが留出し、次にテトラエトキシ
シランが留出する。一方、原料テトラエトキシシラン中
に含まれていた金属不純物はキレート剤とともに蒸留残
渣として留まるので、極めて純度の高いテトラエトキシ
シランを回収することができる。
[発明の効果]
本発明によれば、有機ケイ素化合物をキレ−1〜剤と接
触させることにより、結果的に、各種の金属不純物含有
量の極めて低い高純度有機ケイ素化合物を得ることがで
きる。そのため、本発明で得られる有機ケイ素化合物は
、高品位のシリカ製造用原料、シランカツプリング剤、
シリル化剤シリコーン樹脂用原料、シリコーンゴム用原
料等として各々幅広く利用することができる。
触させることにより、結果的に、各種の金属不純物含有
量の極めて低い高純度有機ケイ素化合物を得ることがで
きる。そのため、本発明で得られる有機ケイ素化合物は
、高品位のシリカ製造用原料、シランカツプリング剤、
シリル化剤シリコーン樹脂用原料、シリコーンゴム用原
料等として各々幅広く利用することができる。
[実施例J
次に、本発明を更に具体的に説明するが、本発明はその
要旨を超えない限り以下の実施例の記述に限定されるも
のではない。
要旨を超えない限り以下の実施例の記述に限定されるも
のではない。
実施例1
エチルアルコール(米山薬品、試薬特級>50dに、酒
石酸(米山薬品、試薬特級>2.0570gを溶解した
溶液を室温下、テトラエトキシシラン(信越化学製LS
−2430)500mlと混合し、均一攪拌して30分
間保持した。
石酸(米山薬品、試薬特級>2.0570gを溶解した
溶液を室温下、テトラエトキシシラン(信越化学製LS
−2430)500mlと混合し、均一攪拌して30分
間保持した。
次いで、この場合溶液を蒸留装置(分留管としてウィグ
リュークライゼン型とスニダー型を組み合わせたもの)
を取付けた1000m丸フラスコに入れ、常圧下、加熱
して単蒸留を行なったところ、78゜Cでエチルアルコ
ールが、また、168℃でテトラエトキシシランが留出
した。
リュークライゼン型とスニダー型を組み合わせたもの)
を取付けた1000m丸フラスコに入れ、常圧下、加熱
して単蒸留を行なったところ、78゜Cでエチルアルコ
ールが、また、168℃でテトラエトキシシランが留出
した。
ここで回収したテトラエトキシシラン留分150一を取
り、イオン交換水130d、エチルアルコール130m
、硝酸0.3−を加え、約1時間攪拌し、次いで、この
溶液を約48時間60℃に保持し、ゲル化した。このシ
リカヒド口ゲルを熱風乾燥機にて12時間180℃で乾
燥し、更に、その後2時間900℃で焼或してシリカゲ
ルを得、このシリカ中の不純物含有量を測定したところ
、AI 0.1ppb以下、Ca 1 20ppb
, Cr7. 9ppb、「e o. ’+ppb
以下、Mg 19ppb, Ti 0. 4ppb,
V 0. 2ppb, Zr O. ippb以
下であり、しかも、U,Thも各々o.1ppb以下で
あり、極めて低放射性の高純度シリカが得られた。
り、イオン交換水130d、エチルアルコール130m
、硝酸0.3−を加え、約1時間攪拌し、次いで、この
溶液を約48時間60℃に保持し、ゲル化した。このシ
リカヒド口ゲルを熱風乾燥機にて12時間180℃で乾
燥し、更に、その後2時間900℃で焼或してシリカゲ
ルを得、このシリカ中の不純物含有量を測定したところ
、AI 0.1ppb以下、Ca 1 20ppb
, Cr7. 9ppb、「e o. ’+ppb
以下、Mg 19ppb, Ti 0. 4ppb,
V 0. 2ppb, Zr O. ippb以
下であり、しかも、U,Thも各々o.1ppb以下で
あり、極めて低放射性の高純度シリカが得られた。
実施例2
実施例1において、酒石酸に代えて、蓚酸二水和物(米
山薬品,試薬特級>1.7230qを用いた以外は実施
例1と全く同様な方法でテトラエトキシシランの精製を
行ない、次いで、これを用いたシリカの製造を行なった
ところ、得られたシリカ中の不純物含有量はAl o
.1ppb以下、Ca 5sppb , Cr 7
. 7ppb , Fe o.1 ppb以下、Mg
12ppb,Ti 0.1ppb以下、V 1.
1ppb,Zr 0. 1ppb以下であった。
山薬品,試薬特級>1.7230qを用いた以外は実施
例1と全く同様な方法でテトラエトキシシランの精製を
行ない、次いで、これを用いたシリカの製造を行なった
ところ、得られたシリカ中の不純物含有量はAl o
.1ppb以下、Ca 5sppb , Cr 7
. 7ppb , Fe o.1 ppb以下、Mg
12ppb,Ti 0.1ppb以下、V 1.
1ppb,Zr 0. 1ppb以下であった。
実施例3
実施例1において、酒石酸に代えて、オキシン(米山薬
品,試薬特級>1.9956gを用いた以外は実施例1
と全く同様な方法でテトラエトキシシランの精袈を行な
い、次いで、これを用いたシリカの製造を行なったとこ
ろ、得られたシリカ中の不純物含有量はAI 0.1
ppb以下、Casappb , Cr 1. 1p
pb , Fe 0. 1ppb以下、MQ 15
1)Db,Ti O.1pl)b以下、V O.
appb , Zr 0. 1ppb以下であった
。
品,試薬特級>1.9956gを用いた以外は実施例1
と全く同様な方法でテトラエトキシシランの精袈を行な
い、次いで、これを用いたシリカの製造を行なったとこ
ろ、得られたシリカ中の不純物含有量はAI 0.1
ppb以下、Casappb , Cr 1. 1p
pb , Fe 0. 1ppb以下、MQ 15
1)Db,Ti O.1pl)b以下、V O.
appb , Zr 0. 1ppb以下であった
。
実施例4
実施例1において、キレート剤として酒石酸だけでなく
、酒石’ti 2.0513gと蓚酸二水和物1.7
230CIの混合物を用いた以外は実施例1と全く同様
な方法でテトラエトキシシランの精製、次いで、これを
用いたシリカの製造を行なったところ、}qられたシリ
カ中の不純物含有量は八〇.1ppb以下、Ca 1
7oppb , Cr4.lppb,Fe 12p
pb,Mg 11ppb、Ti 0.3ppb,V
0.4ppb,Zr 0.1 ppb以下であった
。
、酒石’ti 2.0513gと蓚酸二水和物1.7
230CIの混合物を用いた以外は実施例1と全く同様
な方法でテトラエトキシシランの精製、次いで、これを
用いたシリカの製造を行なったところ、}qられたシリ
カ中の不純物含有量は八〇.1ppb以下、Ca 1
7oppb , Cr4.lppb,Fe 12p
pb,Mg 11ppb、Ti 0.3ppb,V
0.4ppb,Zr 0.1 ppb以下であった
。
比較例1
実施例1において、精製処理を省略したテトラエトキシ
シラン(信越化学 LS−2430>150mを用いて
全く同様の方法でシリカゲルの製造を行なったところ、
得られたシリカ中の不純物含有量はA I 250p
l)b , Ca 1 270!)I)b、Cr
8. 5ppb , Fe 67ppb , Mg4
6ppb.Ti 21ppb,V 1. 1ppb
.ZrQ.1pI)bであった。
シラン(信越化学 LS−2430>150mを用いて
全く同様の方法でシリカゲルの製造を行なったところ、
得られたシリカ中の不純物含有量はA I 250p
l)b , Ca 1 270!)I)b、Cr
8. 5ppb , Fe 67ppb , Mg4
6ppb.Ti 21ppb,V 1. 1ppb
.ZrQ.1pI)bであった。
比較例2
実施例1において、酒石酸を溶解していないエチルアル
コール50dをテトラエトキシシラン500dと混合し
、同様に蒸留して精製処理を行ない、次いで、これを用
いてシリカの製造を行なったところ、得られたシリカ中
の不純物含有量はΔ84DDb , Ca 270p
pb , Cr 8. 2ppb , Fe 90
1)l)b , Mg441)pb , T i22p
pb , V 6. 3ppb , Zr 4.
8ppb テあった。
コール50dをテトラエトキシシラン500dと混合し
、同様に蒸留して精製処理を行ない、次いで、これを用
いてシリカの製造を行なったところ、得られたシリカ中
の不純物含有量はΔ84DDb , Ca 270p
pb , Cr 8. 2ppb , Fe 90
1)l)b , Mg441)pb , T i22p
pb , V 6. 3ppb , Zr 4.
8ppb テあった。
実施例5
トリエチルシラン(信越化学製、LS−1320)[不
純物含有量はA I 58ppb , Ca, 45
ppb , Cr, 1 4ppb , Fe 39
ppb , MQ121)l)b.Ti 5.Opp
b,V 11ppb]200dに、室温下でオキシン
0.9744gを溶解したエタノール50mと混合し、
均一滑拌した後、実施例1と同条件で蒸留(トリエチル
シランの留出温度107℃)を行ない、精製されたトリ
エチルシランを得た。この不純物含有量はAO、1po
b ,ca 3. oppb , Cr 0.
1DDb以下、Fe 1. appb , Mg
0. 5opb ,Ti O.1DI)b以下と極め
て高純度のものであった。 なお、この方法でオキシン
を省略したエタノールを混合して同様の処理を行なった
ところ、トリエチルシラン中の不純物含有量はA1 2
8ppb , Ca 3. oppb , Cr
6. oppb , Fe 4.Clpb,Mq
1.Oppb,Ti 0.1 ppb 以下、V
6. oppb テアッた。
純物含有量はA I 58ppb , Ca, 45
ppb , Cr, 1 4ppb , Fe 39
ppb , MQ121)l)b.Ti 5.Opp
b,V 11ppb]200dに、室温下でオキシン
0.9744gを溶解したエタノール50mと混合し、
均一滑拌した後、実施例1と同条件で蒸留(トリエチル
シランの留出温度107℃)を行ない、精製されたトリ
エチルシランを得た。この不純物含有量はAO、1po
b ,ca 3. oppb , Cr 0.
1DDb以下、Fe 1. appb , Mg
0. 5opb ,Ti O.1DI)b以下と極め
て高純度のものであった。 なお、この方法でオキシン
を省略したエタノールを混合して同様の処理を行なった
ところ、トリエチルシラン中の不純物含有量はA1 2
8ppb , Ca 3. oppb , Cr
6. oppb , Fe 4.Clpb,Mq
1.Oppb,Ti 0.1 ppb 以下、V
6. oppb テアッた。
実施例6
オクタメチルシクロテドラシロキサン(信越化学製、L
S−8620)[不純物含有量は、A164ppb ,
Ca 1 2ppb , Cr 4. Oppb
,Fe 261)pblylg 3.opDb,T
i 7.Qppb , V 2. Qppb .
Zr 2. Qppb , Na 1 8ppb
] 200−に室温下でオキシン1、7796Clを溶
解したエタノール50dを均一混合した後、実施例1と
同条件で蒸留(オクタメチルシクロテトラシロキサンの
留出温度100℃)を行ない、精製されたオクタメチル
シクロテトラ?ロキサンを得た。この不純物含有量は、
A113ppb,Ca 5.Oppb,Cr 2.
Oppb、Fe 2.Oppb,Mq 0.1pp
b以下、T■.”+ppb以下、V 1.Oppb,
Zr O.1 ppb以下、Na 5.oppbと
極めて高純度のものであった。
S−8620)[不純物含有量は、A164ppb ,
Ca 1 2ppb , Cr 4. Oppb
,Fe 261)pblylg 3.opDb,T
i 7.Qppb , V 2. Qppb .
Zr 2. Qppb , Na 1 8ppb
] 200−に室温下でオキシン1、7796Clを溶
解したエタノール50dを均一混合した後、実施例1と
同条件で蒸留(オクタメチルシクロテトラシロキサンの
留出温度100℃)を行ない、精製されたオクタメチル
シクロテトラ?ロキサンを得た。この不純物含有量は、
A113ppb,Ca 5.Oppb,Cr 2.
Oppb、Fe 2.Oppb,Mq 0.1pp
b以下、T■.”+ppb以下、V 1.Oppb,
Zr O.1 ppb以下、Na 5.oppbと
極めて高純度のものであった。
なお、この方法でオキシンを省略したエタノールを混合
して同様の処理を行なったところ、オクタメチルシクロ
テトラシロキサン中の不純物含有量はA I 20p
pb , Ca 6. Oppb , Cr3. O
ppb , Fe 29ppb , Mq 0.
1ppbJ,4下、Ti 0.1pl)bJX下、
V0.1pI)b以下、Zr 1.OpI)b,Na
151)l)bであった。
して同様の処理を行なったところ、オクタメチルシクロ
テトラシロキサン中の不純物含有量はA I 20p
pb , Ca 6. Oppb , Cr3. O
ppb , Fe 29ppb , Mq 0.
1ppbJ,4下、Ti 0.1pl)bJX下、
V0.1pI)b以下、Zr 1.OpI)b,Na
151)l)bであった。
Claims (1)
- (1)有機ケイ素化合物をキレート剤と接触させ、次い
で、これを蒸留することにより高純度ケイ素化合物を回
収することを特徴とする有機ケイ素化合物の精製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1158609A JP2787067B2 (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | 有機ケイ素化合物の精製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1158609A JP2787067B2 (ja) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | 有機ケイ素化合物の精製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0324089A true JPH0324089A (ja) | 1991-02-01 |
JP2787067B2 JP2787067B2 (ja) | 1998-08-13 |
Family
ID=15675448
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP2787067B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103113401A (zh) * | 2013-03-20 | 2013-05-22 | 上海中科高等研究院 | 生产高纯有机硅的方法及装置 |
CN103145752A (zh) * | 2013-03-20 | 2013-06-12 | 上海中科高等研究院 | 去除有机硅中金属离子的方法 |
CN103788124A (zh) * | 2014-01-16 | 2014-05-14 | 上海爱默金山药业有限公司 | 一种电子级八甲基环四硅氧烷的提纯方法 |
CN103896980A (zh) * | 2014-04-23 | 2014-07-02 | 中国科学院上海高等研究院 | 有机硅化合物的提纯方法 |
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