JPH0324064B2 - - Google Patents

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JPH0324064B2
JPH0324064B2 JP56053469A JP5346981A JPH0324064B2 JP H0324064 B2 JPH0324064 B2 JP H0324064B2 JP 56053469 A JP56053469 A JP 56053469A JP 5346981 A JP5346981 A JP 5346981A JP H0324064 B2 JPH0324064 B2 JP H0324064B2
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JP
Japan
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semiconductor wafer
lens system
magnification
image
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Hitoshi Tanaka
Yoji Hirata
Shuji Mizuno
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Mitsubishi Electric Corp
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体ウエハ表面検査の省力化を目
的とした半導体ウエハ表面の検査装置にかかるも
のである。
半導体ウエハ製造工程では、特に指定された工
程において、その処理結果の良否を判定するため
に半導体ウエハ表面の微細パターンを顕微鏡で拡
大し作業者が目視検査を行なつている。この検査
は半導体ウエハ全面にわたつてなされるのではな
く、第1図に示すように半導体ウエハ1上にある
特定の位置数個所を検査位置として抽出して検査
している。第1図の2,3,4,5は検査位置の
一例である。
従来は顕微鏡下に設置された載物台上に半導体
ウエハ1を載せ、作業者が手動で検査位置を顕微
鏡の視野内に位置決めをし、焦点合わせをした
後、目視検査を行なつていた。このような一連の
目視作業は顕微鏡下での作業であるため著しく疲
労を伴い、また作業能率を悪くしていた。
そこで、半導体ウエハの検査位置のパターンを
自動的に表示器上に表示させて検査の作業能率の
向上が試みられている。第2図は半導体ウエハの
検査位置のパターンを自動的に拡大表示する従来
装置を示すブロツク構成図で、図において6は半
導体ウエハ1を載せ、3軸方向に移動可能な載物
台、7はこの載物台6の位置を制御する数値制御
装置、8は数値制御装置7に制御位置情報を与え
る入力媒体、9は拡大レンズをもつ撮像装置、1
0は撮像装置で得られた映像信号を画像としてブ
ラウン管上に表示する表示器である。
この装置では載物台6上の所定位置に正確に置
かれた被検査半導体ウエハ1について、予め定め
られた検査位置情報をデイジタル情報として入力
媒体8から数値制御装置7に与え、これによつて
数値制御装置7は載物台6の位置制御を行い、撮
像装置9に所望の検査位置のパターンが撮像され
るようになつている。
ところが、上記従来装置はオープンループ制御
系であり、その位置ぎめ精度の上で次のような問
題点があつた。すなわち、第3図は半導体ウエハ
上のパターン位置のばらつき状況を示す平面図
で、図示のように、例えばウエハ1aと1bとの
間には△X,△Yの差異がある。このような状況
では第2図に示した従来装置では所望の検査位置
を撮像装置9の視野内に入れることができない。
第4図は撮像装置9の視野の一例を示す図で、検
査位置2を視野11aに入れるべき位置制御して
も上述のような理由で、第4図Aに示すように検
査位置2が視野11aから外れて、その検査がで
きないことがある。このように、各半導体ウエハ
間でそのウエハ基板に対するウエハパターンの位
置精度が悪いので、検査位置を所望の拡大倍率で
観察するための拡大レンズによる視野の位置ぎめ
精度がよくても、従来装置のような予め定められ
た検査位置情報のみによるオープンループ位置制
御では検査位置を視野内に確実に捕捉することが
できない。
また、半導体ウエハの厚みにもばらつきがあ
り、このばらつきがレンズ系の焦点深度の範囲を
超えているため、前以て与えられる位置情報によ
る位置決めだけでは鮮明な画像を得られない。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたも
ので、自動焦点合わせ機能により焦点合わせが可
能な低倍率のレンズ系のもとで視野を広くした状
態で予め定められた検査位置の情報に従つて、検
査部分が視野内に入るように位置決めをし、パタ
ーン認識によつて検査位置を検出し、検出した位
置情報によつて高倍率のレンズ系の視野の範囲内
に検査位置が入るように位置決めをやりなおし、
同じく自動焦点合わせ機能により焦点合わせが可
能な高倍率のレンズ系に切換えて検査を行なうよ
うにすることによつて、半導体ウエハ表面の検査
位置を高倍率のレンズ系の視野内に自動的に捕捉
して検査をすることのできる装置を提供すること
を目的としている。
以下この発明の一実施例を図に従つて説明す
る。
第5図はこの発明の一実施例としての半導体ウ
エハ表面の検査装置の構成を示すブロツク図であ
る。図において、第2図の従来装置と同等部分は
同一符号で示し、その説明を省略する。9aはこ
の実施例に用いる撮像装置で、後述の計算機から
の指令によつて自動的に低倍率と高倍率に切り換
えが可能で、その倍率に応じて半導体ウエハ1の
表面パターンの一部を拡大する拡大部12とこの
拡大部12からの画像を電気信号に変換する撮像
部13とからなつている。14はこの実施例装置
の各部に動作指令を送り、各種情報を授受し、情
報処理を行い、装置全体の制御を行なう計算機、
15は撮像装置9aからの映像信号を2次微分
し、かつ2値化する2次微分2値化回路、16は
2次微分2値化回路15からの出力信号を入力と
して一走査線上にある黒点の数を計数し、その計
数値を計算機14に送出する黒点計数回路、17
は2次微分2値化回路15の出力信号を受け計算
機14から指定される走査線番号の一走査線の映
像信号部分だけを等分割してサンプリングし、そ
のサンプリング値を計算機14のメモリに送り込
む一走査線情報ラツチ回路、18は計算機14か
らの指令によつて載物台6を駆動し、また、撮像
装置9aの拡大部12の倍率を切替える駆動装
置、19は検査時に必要な情報を検査前に記憶す
る時に使用される教示用操作盤であり、検査され
る半導体ウエハ1とほぼ同じ位置に検査位置をも
つテキストとなるウエハを載物台6に乗せて操作
盤19上のスイツチ類の操作によつて検査位置の
位置決めと座標の記憶を行なう。
本実施例では検査位置を検出するために検査位
置から正確に一定方向に一定距離離れた位置に特
定のパターン(パイロツトマーク)を設けこのパ
イロツトマークの位置を検出しさらに前以て与え
られるパイロツトマークと検査位置の距離情報と
から検査位置を算出する方法を用いている。本実
施例では、パイロツトマークとして第6図の半導
体ウエハ1上の21,22,23,24に示すよ
うなスクライブライン20(後の工程で半導体ウ
エハから各半導体チツプに分割する時に使用され
る分割線)の交点を使用している。検査位置2,
3,4,5と検査位置のあるチツプの角(スクラ
イブラインの交点)は正確な距離関係を持つてい
る。
次に本実施例の動作の説明を行なう。
まず検査作業を行なう前に、スクライブライン
20を拡大部12の低倍率のレンズ系の視野内に
入れるだけの精度をもつ位置決めをするためのス
クライブライン20の位置情報およびスクライブ
ライン20を検出した後検査位置2〜5を拡大部
12の高倍率のレンズ系の視野に位置決めするた
めのスクライブライン20と検査位置2〜5との
距離情報の二種類の情報が、一枚の半導体ウエハ
1上の検査位置の数だけ必要でる。第5図の教示
用操作盤19を用いてスクライブライン20の位
置およびスクライブライン20と検査位置2〜5
との距離の記憶を行なう。第7図は教示用操作盤
19のスイツチの配置を示す平面図で、25,2
6はレンズ倍率切換用スイツチであり、スイツチ
25は低倍率への切換、スイツチ26は高倍率へ
の切換を行なう。27は載物台6の上昇移動用、
28は載物台6の下降移動用スイツチであり、こ
の二つのスイツチ27,28で焦点合せを行な
う。29および30はそれぞれそれぞれ載物台6
の左および右方向への移動用スイツチであり、3
1および32はそれぞれ載物台6の前および後方
向への移動用スイツチである。33は教示操作
〔スクライブライン20の位置とスクライブライ
ン20と検査位置2〜5の距離とを記憶するこ
と〕開始を知らせるスイツチ、34は教示操作が
終了したことを知らせるスイツチである。35は
スクライブライン20の位置教示用スイツチ、3
6はスクライブライン20と検査位置2〜5との
距離教示用スイツチである。
この教示用操作盤6の操方法とスクライブライ
ン20の位置およびスクライブラインと検査位置
との距離の記憶方法を以下(イ)〜(ヘ)に述べる。
(イ) 検査される半導体ウエハ1とほぼ同じ位置に
パイロツトマークと検査位置をもつウエハを載
物台6に設置し、教示開始スイツチ33を押
す。この操作で、位置情報のメモリへの登録が
可能となる。
(ロ) 第7図のスイツチ25〜32を操作して低倍
率のレンズ系の視野内に第6図に示した半導体
ウエハ1上の検査位置2〜5近くのスクライブ
ライン20の交点21〜24のうちの一つ、例
えば交点21を入れる。第8図Aにその様子を
示す。図中cは視野の中心、dはスクライブラ
イン20の交点、aは視野の中心cとスクライ
ブラインの交点dとの距離を表わす。
(ハ) スクライブライン位置教示スイツチ35を押
すと、画面内のスクライブライン20の交点の
位置dを検出し画面の中心cとの距離aを補正
し、スクライブライン20の交点の位置dの座
標を計算機14内のメモリに登録する。第9図
はメモリ内の領域を表わしたもので、その領域
37,38および39にそれぞれn個のスクラ
イブライン20のX座標、Y座標およびZ座標
を順次登録するようになつている。なお領域4
0,41および42は、スクライブライン20
と検査位置2〜5の距離情報をX方向の距離、
Y方向の距離およびZ方向の距離に分けて順次
登録する領域である。
(ニ) 高倍率のレンズ系に切換え視野内の中心付近
に検査位置〔この例では検査位置2)を入れ
る。第8図Bにそのようすを示す。図中、eは
視野の中心である。
(ホ) 第7図のスクライブラインと検査位置の距離
教示用スイツチ36を押すと、視野の中心(第
8図Bのe)の座標から、上記(ハ)の操作で記憶
したスクライブライン20の交点(第8図Aの
d)の座標を減算し結果を上記第9図に示すメ
モリ内の領域40,41および42に記憶す
る。
(ヘ) (ロ)〜(ホ)の操作をテキストウエハ上のすべての
検査位置について繰り返し、完了時に教示終了
スイツチ34を押す。これで自動検査が可能と
なる。
以上の方法で得られたスクライブライン20の
位置情報およびスクライブライン20と検査位置
2〜5との距離情報をもとにして実際に検査され
る半導体ウエハ1について、検査位置の視野内へ
の位置決めを自動的に行なう。以下(ト)〜(ヨ)に
検査位置を高倍率のレンズ系の視野内に自動的に
位置決めする処理手順の概略を示す。
(ト) レンズ系を低倍率にし、スクライブライン2
0の位置情報をもとに載物台6が移動する。視
野内にはスクライブライン20が入つてくる。
(チ) 自動焦点合わせをする。
(リ) スクライブライン20の位置検出を行ない、
この検出値、およびあらかじめ教示されたスク
ライブライン20と例えば検査位置2との距離
情報をもとにして検査位置2を算出する (ヌ) (リ)によつて算出された位置に載物台6を
自動的に位置決めし、高倍率のレンズ系に切換
える。視野内に例えば検査位置2が入つてく
る。
(ル) 自動焦点合わせをする。
(ヲ) 目視検査とした後次の検査位置の位置決
めを(ト)〜(ル)の手順を繰り返して行なう。す
べての検査位置2〜5についてこの手順を繰り
返す。
このようにして、検査位置2〜5を順次高倍率
のレンズ系の視野内に自動的に位置決めすること
が可能でる。
次にこの手順の中の自動焦点合わせの方法と、
スクライブラインの位置検出の方法を図について
説明する。
自動焦点合わせの方法を第10〜14図を用い
て説明する。この処理は2次微分かれた映像信号
を黒レベルに近い値をもつ閾値で2値化して2次
微分2値化信号を得、Z方向(焦点合わせの方
向)に載物台6を寸動させつつそれぞれの位置で
の上記2次微分2値化信号の一画面分の黒領域を
計数し、黒数が最大となる位置を焦点の合つた位
置とする処理である。第10図は半導体ウエハ表
面パターンの一部であり、11は視野の範囲、S
は一走査線を示す。第11図は第10図の走査線
Sにおける映像信号を示す波形図で、第11図A
はレンズ焦点がずれた場合、第11図Bはレンズ
焦点が合つた場合を示す。図示のように、焦点が
合うとパターンの輪郭部分での映像信号の変化率
が大きくなることを示している。第12図は第1
1図の信号を時間的に2次微分した信号に直流分
と同期信号を加えたものであり、第12図Aは焦
点がずれている第11図Aの場合に対応し、第1
2図Bは焦点が合つた第11図Bの場合に対応す
る。第12図に示すように焦点が合つてくる程、
この2次微分信号のパターンの輪郭部分での振巾
は大きくなる。第12図のTに示す電圧レベルで
2次微分信号を2値化し、その信号を画面に表示
すると第13図のようになり、焦点が合つた状態
で第13図Bに示すようにパターンの輪郭が抽出
される。焦点がずれると2次微分信号は閾値を横
切らず第13図Aに示すように真白な画面とな
る。このようなことから、第12図にTで示よう
に焦点が合つた時の2次微分信号の最小値よりも
少し上に閾値を設定して2次微分信号の2値化を
行ない、焦点が合う付近でのみパターンの輪郭を
黒く出力することを利用して、画面上の黒領域の
計数値が最大となる位置を焦点位置とすることが
できる。実施例では、第5図に示した黒点計数回
路16からの出力を一画面分加算することで一画
面上の黒領域の計数値を計算している。
次に検査位置の検出方法を第14図および第1
5図を用いて説明する。
第14図に縦方向と横方向に2次微分された2
値化されたスクライブラインの交点付近の画像を
示す。この画像はパターンの輪郭だけが抽出され
たものである。本実施例ではまずスクライブライ
ン20の交点の左上角dの視野11の中心cから
のずれ量△x,△yを画像の縦,横の投影法を使
つてもとめこの量a→=(△x,△y,0)と検査
位置2とスクライブライン20の交点の左上角d
との距離情報b→とを載物台6の位置座標にベクト
ル的に加算して検査位置の座標を求めている。
第15図Aは第14図と同様の2次微分2値化
されたスクライブラインの交点付近の画面であ
る。第15図を用いてスクライブラインの左上角
の位置の画面中心からのずれ量を求める方法を説
明する。まず。第5図の黒点計数回路16を用い
て各走査線ごとの黒点数を求める(横方向の投影
を求める。)第15図Bにその結果である投影図
を示す。横軸に計数された黒点数、縦軸に査線の
番号を取つている。この投影図の中で黒点数があ
る閾値を越える走査線の位置を2カ所記憶する。
第15図ではUとVの走査線を記憶する。この二
つがスクライブラインの上側の輪郭と下側の輪郭
に当るものとみなす。次に、第5図の一走査線情
報ラツチ回路17を用いて上の処理で求めた走査
線Uから数ライン上の走査線数本(第15図Aに
Yで示す)と走査線Vから数ライン下に走査線数
本(第15図AにZで示す。)の走査線データを
記憶し、この記憶された数本のデータのみを使用
して縦方向に黒点を計数する(縦方向の投影を求
める)。第15図Cにその結果の一例を示す。縦
軸に黒点数,横軸に画面の横方向の画素番号をと
つている。この第15図Cの投影図で黒点数があ
る閾値を越える画素番号2カ所W,およびXをそ
れぞれスクライブラインの左側の輪郭,および右
側の輪郭とみなし、そのうちの左側のものWを記
憶する。最後にスクライブラインの上側の輪郭U
と縦方向の中心との差をとり、またスクライブラ
インの左側の輪郭Wと横方向の中心との差をと
り、それぞれの値を換算して実際の距離に直しス
クライブラインの左上角dと画面中心cからのず
れ量△y,△xとする。
なお、上記実施例では、検査位置の検出の際、
パイロツトマークとしてスクライブラインを使用
した場合について説明したが、ウエハパターン上
に位置検出のための任意のパイロツトマークを設
定してもよい。また投影法を用いてパイロツトマ
ークの位置検出を行つているが、パターンマツチ
ング法など他のパターン認識技術を用いることも
できる。
以上詳述したように、この発明の装置では低倍
率のレンズ系の広い視野で検査位置を検出し、そ
の後倍率のレンズ系で観察を行なう構成とし、か
つ上記両レンズ系を自動焦点合わせ機能により焦
点合わせ可能としたので、最初から高倍率のレン
ズ系で位置決めをする困難性を解消するととも
に、目視検査の為のレンズ系の倍率を従来のもの
よりも高く設定することが可能となり、さらにウ
エハの厚み、そりなどのバラツキが多いものに対
しても自動に焦点を合わせて検査できるという効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は被検査半導体ウエハの一例を示す平面
図、第2図は従来の検査装置の構成を示すブロツ
ク構成図、第3図は半導体ウエハ上のパターン検
査のばらつき状況を示す平面図、第4図は撮像装
置の視野のレンズ倍率による変化を示すパターン
図、第5図はこの発明の一実施例を示すブロツク
構成図、第6図はこの実施例によつて検査される
半導体ウエハの一例を示す平面図、第7図はこの
実施例装置の教示用操作盤のスイツチの配置を示
す平面図、第8図A,Bはその操作を説明するた
めの視野パターン図、第9図は計算機のメモル内
の記憶領域を示す模式図、第10図は半導体ウエ
ハ表面パターンの一部と走査線とを示す図、第1
1図AおよびBは第10図の走査線における映像
信号のレンズ焦点の合つてない場合と合つた場合
とについてそれぞれ示す波形図、第12図Aおよ
びBはそれぞれ第11図AおよびBの映像信号の
2次微分波形を示す波形図、第13図AおよびB
はそれぞれ第12図AおよびBの波形を所定レベ
ルを基準にして2値化して画面に表示した図、第
14図および第15図は検査位置検出方法を説明
するためのパターン図である。 図において、1は被検査半導体ウエハ、2,
3,4,5は検査位置(検査部分)、6は載物台、
9,9aは撮像装置、10は表示器、11,11
a,11bは視野、12は拡大部、13は撮像
部、14は計算機、15は2次微分2値化回路、
19は教示用操作盤、20はスクライブラインで
ある。なお、図中同一符号は同一または相当部分
を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 低倍率のレンズ系と高倍率のレンズ系とこれ
    らの両レンズ系を切換える切換え機構を有し切換
    えられた上記レンズ系の倍率に応じて被検査半導
    体ウエハ表面パターンの一部を拡大する拡大部
    と、 この拡大部から得られる画像を電気映像信号に
    変換する撮像部とからなる撮像装置、 この撮像装置の上記拡大部から得られる画像を
    表示する表示器、 上記半導体ウエハを載せ3次元的に移動可能な
    載物台、 上記電気映像信号を2次微分して2次微分画像
    を得る信号処理回路、 及び上記信号処理回路からの信号を信号処理し
    上記レンズ系の切り換え機構の切換えと上記両レ
    ンズ系の焦点合わせのための、及び上記半導体ウ
    エハの検査部分の検出,観察のための上記載物台
    の移動を制御する計算機を備え、 上記低倍率のレンズ系を用いて上記半導体ウエ
    ハの検査部分の位置を検出し、その後上記高倍率
    のレンズ系を用いて上記検査部分の目視検査を行
    ない、上記レンズ系の焦点合わせは上記2次微分
    画像の白領域または黒領域の大きさに基づいて行
    なうようにしたことを特徴とする半導体ウエハ表
    面の検査装置。 2 低倍率のレンズ系を用いて検査部分の位置を
    検出するために、当該検査部分と所定の位置関係
    にある明確な特定な形状のパイロツトマークの位
    置を検出した後、上記パイロツトマークの位置座
    標と上記所定の位置関係の情報とから上記検査部
    分の位置を導出するようにしたことを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の半導体ウエハ表面の
    検査装置。 3 パイロツトマークに半導体ウエハのスクライ
    ブラインの交点を用いるようにしたことを特徴と
    する特許請求の範囲第2項記載の半導体ウエハ表
    面の検査装置。 4 載物台に被検査半導体ウエハを載置したとき
    のパイロツトマークの標準位置の情報、および検
    査部分と上記パイロツトマークとの所定位置関係
    の情報を入力する手段を計算機に設けたことを特
    徴とする特許請求の範囲第2項または第3項記載
    の半導体ウエハ表面の検査装置。
JP5346981A 1981-04-07 1981-04-07 Inspecting device for surface of semiconductor wafer Granted JPS57167651A (en)

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