JPH03239386A - 面発光半導体レーザ - Google Patents
面発光半導体レーザInfo
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- JPH03239386A JPH03239386A JP3519490A JP3519490A JPH03239386A JP H03239386 A JPH03239386 A JP H03239386A JP 3519490 A JP3519490 A JP 3519490A JP 3519490 A JP3519490 A JP 3519490A JP H03239386 A JPH03239386 A JP H03239386A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18344—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] characterized by the mesa, e.g. dimensions or shape of the mesa
- H01S5/18347—Mesa comprising active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
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- H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3211—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光交換ないしは光情報処理装置等で利用され
る半導体レーザに関し、特に半導体基板に垂直方向にレ
ーザ発振光が出射される面発光レーザに関する。
る半導体レーザに関し、特に半導体基板に垂直方向にレ
ーザ発振光が出射される面発光レーザに関する。
（従来の技術）
光交換あるいは光情報処理等の分野に用いるために、二
次元集積が可能な面発光レーザが必要とされており、そ
の−例がＪ、 Ｌ、 Ｊｅｗｅｌｌ等によって報告され
ている。アイオーオーシーテクニカルダイジェストに記
載されているる（１００Ｃ’８９ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ
Ｄｉｇｅｓｔ １８Ｂ２−６（ＦＤ））。
次元集積が可能な面発光レーザが必要とされており、そ
の−例がＪ、 Ｌ、 Ｊｅｗｅｌｌ等によって報告され
ている。アイオーオーシーテクニカルダイジェストに記
載されているる（１００Ｃ’８９ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ
Ｄｉｇｅｓｔ １８Ｂ２−６（ＦＤ））。
この面発光レーザは、Ｉｎｏ、２Ｇａｏ、ｓＡｓ量子井
戸活性層の両側にＧａＡｓとＡｌＡｓを交互に約２０周
動程度積層したＰ型及びｎ型の半導体多層膜反射鏡及び
各電極を形成した構造で、電流注入によりレーザ発振を
得ている。
戸活性層の両側にＧａＡｓとＡｌＡｓを交互に約２０周
動程度積層したＰ型及びｎ型の半導体多層膜反射鏡及び
各電極を形成した構造で、電流注入によりレーザ発振を
得ている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、」二連した従来の面発光レーザにおいて
は、半導体多層反射膜を通してキャリアが活性層に注入
されるが、半導体多層反射膜を形成している半導体層の
組成が大きくことなるため、各半導体層間にヘテロ障壁
が形成され、キャリアが注入されにくい。第２図に伝導
帯のエネルギー構造を示した。そのため素子の直列抵抗
が数にΩと大きく、ＤＣ駆動時に発熱によって閾値電流
増大する、高速変調がかかりにくいなどの問題点があっ
た。
は、半導体多層反射膜を通してキャリアが活性層に注入
されるが、半導体多層反射膜を形成している半導体層の
組成が大きくことなるため、各半導体層間にヘテロ障壁
が形成され、キャリアが注入されにくい。第２図に伝導
帯のエネルギー構造を示した。そのため素子の直列抵抗
が数にΩと大きく、ＤＣ駆動時に発熱によって閾値電流
増大する、高速変調がかかりにくいなどの問題点があっ
た。
本発明の目的は、キャリア注入が容易で素子の直列抵抗
が小さく、そのため素子特性が良好な面発光半導体レー
ザを提供することにある。
が小さく、そのため素子特性が良好な面発光半導体レー
ザを提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明の面発光半導体レーザは第一導電型の半導体基板
と、この半導体基板の上に形成された第一導電型で高屈
折率の半導体層と低屈折率の半導体層を交互に積層させ
た半導体多層反射膜と、この上に形成された活性層と、
この活性層の上に形成された前記第一導電型と反対の第
二導電型を有する半導体多層反射膜とを含む面発光半導
体レーザにおいて、前記半導体多層反射膜を形成する半
導体各層の禁止帯幅が活性層を形成する半導体層の禁止
帯幅より大きく、かつ少なくとも一つの半導体層の禁止
帯幅が連続的に変化するように形成された半導体多層反
射膜を備えることを特徴とする。
と、この半導体基板の上に形成された第一導電型で高屈
折率の半導体層と低屈折率の半導体層を交互に積層させ
た半導体多層反射膜と、この上に形成された活性層と、
この活性層の上に形成された前記第一導電型と反対の第
二導電型を有する半導体多層反射膜とを含む面発光半導
体レーザにおいて、前記半導体多層反射膜を形成する半
導体各層の禁止帯幅が活性層を形成する半導体層の禁止
帯幅より大きく、かつ少なくとも一つの半導体層の禁止
帯幅が連続的に変化するように形成された半導体多層反
射膜を備えることを特徴とする。
あるいは、第一導電型の半導体基板と、この半導体基板
の」−に形成された第一導電型で高屈折率の半導体層と
低屈折率の半導体層を交互に積層さぜた半導体多層反射
膜と、この上に形成された活性層と、この活性層の上に
形成された前記第一導電型と反対の第二導電型を有する
半導体多層反射膜とを含む面発光半導体レーザにおいて
、前記半導体多層反射膜を形成する半導体各層の禁止帯
幅が活性層を形成する半導体層の禁止帯幅より大きく、
かつ高屈折率の半導体層と低屈折率の半導体層との少な
くとも一つの間に、上記二層の禁止帯幅の中間的な禁止
帯幅をもつ中間層が形成されている半導体多層反射膜を
有することを特徴とする。
の」−に形成された第一導電型で高屈折率の半導体層と
低屈折率の半導体層を交互に積層さぜた半導体多層反射
膜と、この上に形成された活性層と、この活性層の上に
形成された前記第一導電型と反対の第二導電型を有する
半導体多層反射膜とを含む面発光半導体レーザにおいて
、前記半導体多層反射膜を形成する半導体各層の禁止帯
幅が活性層を形成する半導体層の禁止帯幅より大きく、
かつ高屈折率の半導体層と低屈折率の半導体層との少な
くとも一つの間に、上記二層の禁止帯幅の中間的な禁止
帯幅をもつ中間層が形成されている半導体多層反射膜を
有することを特徴とする。
（作用）
半導体多層反射膜は高屈折率の半導体層と低屈折率の半
導体層を交互に積層することによって形成されるが、各
半導体層の禁止帯幅が異なることから各半導体層間に禁
止帯幅差に応じて、ヘテロ障壁が存在する。このとき請
求範囲の第１項に示すように、反則膜の半導体層の一部
の禁止帯幅を連続的に変化させることによって、上記へ
テロ障壁のエネルギーを低減することが出来る。また、
請求範囲の第２項に示すように、高屈折率の半導体層と
低屈折率の半導体層の間に両者の中間的な禁止帯幅をも
つ中間層を形成することによっても上記のへテロ障壁の
エネルギーを低減できる。そのため、キャリアの注入が
容易となり、素子の直列抵抗を低減することができる。
導体層を交互に積層することによって形成されるが、各
半導体層の禁止帯幅が異なることから各半導体層間に禁
止帯幅差に応じて、ヘテロ障壁が存在する。このとき請
求範囲の第１項に示すように、反則膜の半導体層の一部
の禁止帯幅を連続的に変化させることによって、上記へ
テロ障壁のエネルギーを低減することが出来る。また、
請求範囲の第２項に示すように、高屈折率の半導体層と
低屈折率の半導体層の間に両者の中間的な禁止帯幅をも
つ中間層を形成することによっても上記のへテロ障壁の
エネルギーを低減できる。そのため、キャリアの注入が
容易となり、素子の直列抵抗を低減することができる。
なお、上記へテロ障壁は狭禁止帯幅の半導体層から広禁
止帯幅の半導体層へ向かうキャリアに対してより顕著で
あるためこのキャリア注入方向の半導体層に対して本特
許を適用するとより有効である。
止帯幅の半導体層へ向かうキャリアに対してより顕著で
あるためこのキャリア注入方向の半導体層に対して本特
許を適用するとより有効である。
（実施例）
次に本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。第工図（ａ）、 （ｂ）は、本発明の特許請求の
範囲第１項による一実施例を説明するための（ａ）素子
断面図及び（ｂ）は素子の伝導帯のポテンシャル構造図
である。また第１図（Ｃ）は本発明の特許請求の範囲第
２項による一実施例を説明するための伝導帯のポテンシ
ャル構造図である。
する。第工図（ａ）、 （ｂ）は、本発明の特許請求の
範囲第１項による一実施例を説明するための（ａ）素子
断面図及び（ｂ）は素子の伝導帯のポテンシャル構造図
である。また第１図（Ｃ）は本発明の特許請求の範囲第
２項による一実施例を説明するための伝導帯のポテンシ
ャル構造図である。
はじめに本発明の特許請求の範囲第一項による実施例を
示す。まず、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＡｌｘＧａ１
−ｘＡｓグレーディト層１５をＡ１混晶組成比Ｘを例え
ばＯから１まど徐々に太きくしながら少なくともＩＯＡ
以上以上形石。この後にｎ型ＡｌＡｓ低屈折率層２を厚
さλ／４ｎＡ（λ；活性層の禁止帯幅でほぼ決まるレー
ザ発振波長、ｎＡＨＡｌＡｓ層の屈折率）だけ形成する
。次にｎ型Ａ１．Ｇａ １□Ａｓ層をＡ１混晶組成比ｙ
を１から０まで徐々に小さくしながら少なくともＩＯＡ
以上の層厚のグレーディト層１５を形成する。このグレ
ーディト層１５の上にｎ型高屈折率層３としてＧａＡｓ
層を厚さ）Ｊ４ｎｃ（ｎａ； ＧａＡｓ層の屈折率）だ
け形成する。この後に上記工程を繰り返すことによりｎ
型半導体多層反射膜４を形成する。ここで、上記構造を
２０周期動程積層することにより反射率として９０％以
上が得られる。
示す。まず、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＡｌｘＧａ１
−ｘＡｓグレーディト層１５をＡ１混晶組成比Ｘを例え
ばＯから１まど徐々に太きくしながら少なくともＩＯＡ
以上以上形石。この後にｎ型ＡｌＡｓ低屈折率層２を厚
さλ／４ｎＡ（λ；活性層の禁止帯幅でほぼ決まるレー
ザ発振波長、ｎＡＨＡｌＡｓ層の屈折率）だけ形成する
。次にｎ型Ａ１．Ｇａ １□Ａｓ層をＡ１混晶組成比ｙ
を１から０まで徐々に小さくしながら少なくともＩＯＡ
以上の層厚のグレーディト層１５を形成する。このグレ
ーディト層１５の上にｎ型高屈折率層３としてＧａＡｓ
層を厚さ）Ｊ４ｎｃ（ｎａ； ＧａＡｓ層の屈折率）だ
け形成する。この後に上記工程を繰り返すことによりｎ
型半導体多層反射膜４を形成する。ここで、上記構造を
２０周期動程積層することにより反射率として９０％以
上が得られる。
このとき、ｎ型低屈折率層２とｎ型高屈折率３との各層
間のグレーディト層１５の禁止帯幅が徐々に変化してい
るため、ヘテロ接合障壁のエネルギーは小さく、キャリ
ア注入が容易となる。次にこのｎ型半導体多層反射膜４
の上にｎ型クラッド層５として例えばｎ型ＧａＡｓ層を
約１０００Ａ〜ｌｐｍ形成する。
間のグレーディト層１５の禁止帯幅が徐々に変化してい
るため、ヘテロ接合障壁のエネルギーは小さく、キャリ
ア注入が容易となる。次にこのｎ型半導体多層反射膜４
の上にｎ型クラッド層５として例えばｎ型ＧａＡｓ層を
約１０００Ａ〜ｌｐｍ形成する。
このｎ型クラッド層５の上に活性層６として例えばＩｎ
。２Ｇａｏ、ｓＡｓ層を約１００Ａ形戒する。この活性
層６の上にＰ型りラッド層７としてＰ型ＧａＡｓ層を約
１０００Ａ〜ｌｐｍ形成する。このＰ型りラッド層７の
上にＰ型低屈折率層８としてＰ型ＡｌＡｓ層をｎ型低屈
折率層２と同様にＡｌ混晶組成比を徐々に変化させたＰ
型ブレ−１４ト層１５を介して形成する。
。２Ｇａｏ、ｓＡｓ層を約１００Ａ形戒する。この活性
層６の上にＰ型りラッド層７としてＰ型ＧａＡｓ層を約
１０００Ａ〜ｌｐｍ形成する。このＰ型りラッド層７の
上にＰ型低屈折率層８としてＰ型ＡｌＡｓ層をｎ型低屈
折率層２と同様にＡｌ混晶組成比を徐々に変化させたＰ
型ブレ−１４ト層１５を介して形成する。
次にＰ型窩屈折率層９としてＰ型ＧａＡｓを形成する。
この後に各層を交互に約２０周動程度積層し、Ｐ型半導
体多層反射膜１０を形成する。ここでＰ型低屈折率層８
及びＰ型窩屈折率層９の層厚はそれぞれＶ４ｎ（λ：レ
ーザ発振波長、ｎ；各層の屈折率）とする。
体多層反射膜１０を形成する。ここでＰ型低屈折率層８
及びＰ型窩屈折率層９の層厚はそれぞれＶ４ｎ（λ：レ
ーザ発振波長、ｎ；各層の屈折率）とする。
この場合にも、Ｐ型低屈折率層８とＰ型窩屈折率層９と
の各層間のＰ型ブレ−１４ト層１５の禁止帯幅が徐々に
変化しているため、ヘテロ接合障壁のエネルギーが小さ
くなり、そのためキャリア注入が容易となる。
の各層間のＰ型ブレ−１４ト層１５の禁止帯幅が徐々に
変化しているため、ヘテロ接合障壁のエネルギーが小さ
くなり、そのためキャリア注入が容易となる。
このＰ型半導体多層反射膜１０の上にキャップ層１１と
してＰ型ＧａＡｓを約１０〜１００ＯＡ形成する。最後
に成長表面にＰ型電極１２を、基板裏面にｎ型電極１３
を形成して素子が完成する。
してＰ型ＧａＡｓを約１０〜１００ＯＡ形成する。最後
に成長表面にＰ型電極１２を、基板裏面にｎ型電極１３
を形成して素子が完成する。
この面発光レーザ素子では、キャリア注入が容易となり
素子の直列抵抗が１にΩ以下となり連続発振しきい値電
流が低くなるとともに、ＩＧｂ／ｓ以上の高速変調が可
能となった。
素子の直列抵抗が１にΩ以下となり連続発振しきい値電
流が低くなるとともに、ＩＧｂ／ｓ以上の高速変調が可
能となった。
次に本発明の特許請求の範囲第２項による第２の実施例
ついて説明する第１図（Ｃ）。まずｎ型ＧａＡｓ基板工
上に中間層１４として例えばｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ
層（ｘ＝０．３〜０．７）を約１０Å以上形成する。そ
の後にｎ型低屈折率層としてｎ型ＡｌＡｓを厚さｕ４ｎ
Ａ（（λ：発振波長、ｎＡ； ＡｌＡｓ層の屈折率）だ
け形成する。この後に中間層１４としてｎ型Ａｌ、Ｇａ
１−ｙＡｓ層（ｙ＝０．３〜０．７）を約１０Ａ以上形
戒する。次にｎ型高屈折率層としてｎ型ＧａＡｓを厚さ
Ａ／４ｎａ（（λ：発振波長、ｎｏＨＧａＡｓ層の屈折
率）だけ形成する。この後に上記工程を２０周期動程繰
り返すことによりｎ型半導体多層反射膜４を形成する。
ついて説明する第１図（Ｃ）。まずｎ型ＧａＡｓ基板工
上に中間層１４として例えばｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ
層（ｘ＝０．３〜０．７）を約１０Å以上形成する。そ
の後にｎ型低屈折率層としてｎ型ＡｌＡｓを厚さｕ４ｎ
Ａ（（λ：発振波長、ｎＡ； ＡｌＡｓ層の屈折率）だ
け形成する。この後に中間層１４としてｎ型Ａｌ、Ｇａ
１−ｙＡｓ層（ｙ＝０．３〜０．７）を約１０Ａ以上形
戒する。次にｎ型高屈折率層としてｎ型ＧａＡｓを厚さ
Ａ／４ｎａ（（λ：発振波長、ｎｏＨＧａＡｓ層の屈折
率）だけ形成する。この後に上記工程を２０周期動程繰
り返すことによりｎ型半導体多層反射膜４を形成する。
このとき、ｎ型高屈折率層３とｎ型低屈折率層２の間に
禁止帯幅が前記２層の中間的な中間層１４が形威されて
いるため、ｎ型高屈折率層３とｎ型低屈折率層２の間に
出来るヘテロ障壁のエネルギーは小さくなり、キャリア
注入が容易となる。また、Ｐ型半導体多層反射膜１０も
同様に、Ｐ型低屈折率層８、Ｐ型窩屈折率層９、中間層
１４を用いて形成する。他の工程は特許請求の範囲第１
項による実施例と同様に形威し第１図（ａ）の構造の素
子を完成する。この構造でも第一の実施例と同等の効果
が得られた。
禁止帯幅が前記２層の中間的な中間層１４が形威されて
いるため、ｎ型高屈折率層３とｎ型低屈折率層２の間に
出来るヘテロ障壁のエネルギーは小さくなり、キャリア
注入が容易となる。また、Ｐ型半導体多層反射膜１０も
同様に、Ｐ型低屈折率層８、Ｐ型窩屈折率層９、中間層
１４を用いて形成する。他の工程は特許請求の範囲第１
項による実施例と同様に形威し第１図（ａ）の構造の素
子を完成する。この構造でも第一の実施例と同等の効果
が得られた。
上記実施例においては、材料系はＡｌＧａＡｓ／ＧａＡ
ｓ系としたが、これにかぎらず他の材料系例えばＩｎＧ
ａＡｓＰ／ＩｎＰ系でも本発明は適用出来る。
ｓ系としたが、これにかぎらず他の材料系例えばＩｎＧ
ａＡｓＰ／ＩｎＰ系でも本発明は適用出来る。
上記実施例においては、活性層はＩｎ。２Ｇａｏ、８Ａ
ｓ単一量子井戸としたが、これにかぎらず、他の組成で
あっても、また多重量子井戸構造及びバルク半導体であ
っても本発明は適用出来る。
ｓ単一量子井戸としたが、これにかぎらず、他の組成で
あっても、また多重量子井戸構造及びバルク半導体であ
っても本発明は適用出来る。
上記実施例においては、低屈折率層としてＡｌＡｓ。
高屈折率層としてＧａＡｓとしたが、これにかぎらず、
活性層の禁止帯幅より大きい禁止帯幅をもつ半導体層で
あれば他の組成でも本発明は適用出来る。
活性層の禁止帯幅より大きい禁止帯幅をもつ半導体層で
あれば他の組成でも本発明は適用出来る。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、半導体多層反射膜
を形成する各半導体層間のへテロ接合障壁のエネルギー
が小さく出来る。そのためキャリア注入が容易となり、
素子の直列抵抗を低減することができる。これにより低
しきい値化、高速化が容易に実現できる。
を形成する各半導体層間のへテロ接合障壁のエネルギー
が小さく出来る。そのためキャリア注入が容易となり、
素子の直列抵抗を低減することができる。これにより低
しきい値化、高速化が容易に実現できる。
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明の特許請求の範囲第１
項による実施例を説明するための（ａ）断面構造図、（
ｂ）ポテンシャル構造図である。第１図（ｃ）は特許請
求の範囲第２項による実施例を説明するためのポテンシ
ャル構造図である。 第２図は従来技術による面発光半導体レーザのポテンシ
ャル構造図である。 図ずにおいて、１・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、２・・・ｎ
型低屈折率層、３・・・ｎ型高屈折率層、４・・・ｎ型
半導体多層反射膜、５・・・ｎ型クラッド層、６・・・
活性層、７・・・Ｐ型クラッド、８・・・Ｐ型低屈折率
層、９・・・Ｐ型窩屈折率層、１０・・・Ｐ型半導体多
層反射膜、１１・・・キャップ層、１２・・・Ｐ型電極
、１３・・・ｎ型電極、１４・・・中間層、１５・・・
グレーディト層である。
項による実施例を説明するための（ａ）断面構造図、（
ｂ）ポテンシャル構造図である。第１図（ｃ）は特許請
求の範囲第２項による実施例を説明するためのポテンシ
ャル構造図である。 第２図は従来技術による面発光半導体レーザのポテンシ
ャル構造図である。 図ずにおいて、１・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、２・・・ｎ
型低屈折率層、３・・・ｎ型高屈折率層、４・・・ｎ型
半導体多層反射膜、５・・・ｎ型クラッド層、６・・・
活性層、７・・・Ｐ型クラッド、８・・・Ｐ型低屈折率
層、９・・・Ｐ型窩屈折率層、１０・・・Ｐ型半導体多
層反射膜、１１・・・キャップ層、１２・・・Ｐ型電極
、１３・・・ｎ型電極、１４・・・中間層、１５・・・
グレーディト層である。
Claims (2)
- （１）第一導電型の半導体基板と、この半導体基板の上
に形成された第一導電型で高屈折率の半導体層と低屈折
率の半導体層を交互に積層させた半導体多層反射膜と、
この上に形成された活性層と、この活性層の上に形成さ
れた前記第一導電型と反対の第二導電型を有する半導体
多層反射膜とを含む面発光半導体レーザにおいて、前記
半導体多層反射膜を形成する半導体各層の禁止帯幅が活
性層を形成する半導体層の禁止帯幅より大きく、かつ半
導体層の禁止帯幅が連続的に変化するように形成された
半導体多層反射膜を少なくとも一つ備えることを特徴と
する面発光半導体レーザ。 - （２）第一導電型の半導体基板と、この半導体基板の上
に形成された第一導電型で高屈折率の半導体層と低屈折
率の半導体層を交互に積層させた半導体多層反射膜と、
この上に形成された活性層と、この活性層の上に形成さ
れた前記第一導電型と反対の第二導電型を有する半導体
多層反射膜とを含む面発光半導体レーザにおいて、前記
半導体多層反射膜を形成する半導体各層の禁止帯幅が活
性層を形成する半導体層の禁止帯幅より大きく、かつ高
屈折率の半導体層と低屈折率の半導体層との少なくとも
一つの間に、上記二層の禁止帯幅の中間的な禁止帯幅を
もつ中間層が形成されている半導体多層反射膜を有する
ことを特徴とする面発光半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3519490A JPH03239386A (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 面発光半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3519490A JPH03239386A (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 面発光半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03239386A true JPH03239386A (ja) | 1991-10-24 |
Family
ID=12435052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3519490A Pending JPH03239386A (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 面発光半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03239386A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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- 1990-02-16 JP JP3519490A patent/JPH03239386A/ja active Pending
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