JPH01173685A - 半導体レーザ素子およびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ素子およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH01173685A JPH01173685A JP32998987A JP32998987A JPH01173685A JP H01173685 A JPH01173685 A JP H01173685A JP 32998987 A JP32998987 A JP 32998987A JP 32998987 A JP32998987 A JP 32998987A JP H01173685 A JPH01173685 A JP H01173685A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- inas
- inp
- semiconductor laser
- laser device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 241000837181 Andina Species 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体レーザ素子特に光通信用レーザ光の発
振が可能である半導体レーザ素子、およびその製造方法
に関する７ （従来の技術） 光通信用レーザ素子としで、Ｇａ、ＩｎＡｓＰを活性層
としＩｎＰをクラッド層とするダブルへテロ接合レーザ
があり、様々な構造の素子が提案されている。
振が可能である半導体レーザ素子、およびその製造方法
に関する７ （従来の技術） 光通信用レーザ素子としで、Ｇａ、ＩｎＡｓＰを活性層
としＩｎＰをクラッド層とするダブルへテロ接合レーザ
があり、様々な構造の素子が提案されている。
Ｇａ１ｎＡｓＰを活性層としたレーザでは、ＧａＩｎＡ
ｓＰ結晶の組成を変えることにより、ＩｎＰ結晶に格子
整合する範囲内でそのレーザ光の発振波長を０．９２μ
ｍから１．６５μｍまで自由に変化させることができる
。この発振波長内には、光通信用に用いられる光ファイ
バの最も損失の小さい波長である１、５５μｍと、最も
分散の小さい波長である１、３μｍが含まれているため
、光通信用の光源として有望な半導体レーザ素子である
。
ｓＰ結晶の組成を変えることにより、ＩｎＰ結晶に格子
整合する範囲内でそのレーザ光の発振波長を０．９２μ
ｍから１．６５μｍまで自由に変化させることができる
。この発振波長内には、光通信用に用いられる光ファイ
バの最も損失の小さい波長である１、５５μｍと、最も
分散の小さい波長である１、３μｍが含まれているため
、光通信用の光源として有望な半導体レーザ素子である
。
従来、これらの半導体レーザ素子は、主に液相成長法（
ＬＰＥ）を用いて製造されており、最近になって気相成
長法によっても製造されるようになってきた。この様な
半導体レーザ素子では、特にｐ型のＩｎＰにおいて高濃
度にドーピングができないこと、正孔に対するショット
キーバリアの高さが高いこと等の理由で、ｐ型のＩｎＰ
に対してオーミック電極を形成するのが困難であった。
ＬＰＥ）を用いて製造されており、最近になって気相成
長法によっても製造されるようになってきた。この様な
半導体レーザ素子では、特にｐ型のＩｎＰにおいて高濃
度にドーピングができないこと、正孔に対するショット
キーバリアの高さが高いこと等の理由で、ｐ型のＩｎＰ
に対してオーミック電極を形成するのが困難であった。
これらの問題を回避するために、 ｐ型ＩｎＰクラッド
層の上にコンタクト層として、ＩｎＰに格子整合するｐ
型のＧａＩｎＡｓＰ或は、ＧａＩｎＡｓ層を設けこれに
対してオーミック電極を形成する方法が用いられていた
。
層の上にコンタクト層として、ＩｎＰに格子整合するｐ
型のＧａＩｎＡｓＰ或は、ＧａＩｎＡｓ層を設けこれに
対してオーミック電極を形成する方法が用いられていた
。
この様な方法を用いても、オーミック接触の抵抗を充分
に低くすることができないため、半導体レーザ素子の直
列抵抗を低くすることができなかった。
に低くすることができないため、半導体レーザ素子の直
列抵抗を低くすることができなかった。
（発明が解決しようとする問題点）
前記したように、ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系材料を用い
た半導体レーザ素子では、発振波長を０．９２μｍから
１．６５μ膳まで連続的にかつ任意に変化させることが
可能であるという利点はあったが、特にｐ側のオーミッ
ク電極の抵抗を低くすることが困難であるという問題が
あった。
た半導体レーザ素子では、発振波長を０．９２μｍから
１．６５μ膳まで連続的にかつ任意に変化させることが
可能であるという利点はあったが、特にｐ側のオーミッ
ク電極の抵抗を低くすることが困難であるという問題が
あった。
本発明は、この様な問題点を考慮して、ＧａＩｎＡｓＰ
／ＩｎＰ系材料を用いた半導体レーザ素子において、特
にｐ側のオーミック電極を低抵抗にすることにより。
／ＩｎＰ系材料を用いた半導体レーザ素子において、特
にｐ側のオーミック電極を低抵抗にすることにより。
素子の直列抵抗を低くし、高速で動作する半導体レーザ
素子とその製造方法を提供することを目的とする。
素子とその製造方法を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
この発明の第１は、 ＩｎＰ基板上に第１導電型のＩｎ
Ｐバッファ層兼クラッド層、 Ｇａ、−Ｊｎ、Ａｓ１−
ｙＰｙ活性層、第２導電型のＩｎＰクラッド層の少なく
とも３層と、前記第２導電型のＩｎＰクラッド層の上に
積層したＩｎＡｓ１−、ｐｉ層、 ＩｎＡｓ層の少なく
とも２層を具備した半導体レーザ素子である。また、前
記半導体レーザ素子において、ＩｎＡｓ、−、Ｐア層の
組成が第２導電型のＩｎＰクラッド層からＩｎＡｓ層ま
で漸近的に変化させることを特徴とする。次に、この発
明の第２は、ＩｎＰ基板上に第１導電型のＩｎＰバッフ
ァ層兼クラりド層＋ Ｇａ、−、ＩｎＰｘＡｓ、−ｙＰ
ｙ活性層、第２導電型のＩｎＰクラッド層の少なくとも
３層と、前記第２導電型のＩｎＰクラッド層の上に積層
したＩｎＡｓ１−ｚｈ層＋ ＩｎＡｓ層の少なくとも２
層で構成される半導体レーザ素子の製造にあたり、その
構成層の少なくとも一層を有機金属気相成長法によって
形成することを特徴とする半導体レーザ素子のＩ！ｃ！
造方法である。
Ｐバッファ層兼クラッド層、 Ｇａ、−Ｊｎ、Ａｓ１−
ｙＰｙ活性層、第２導電型のＩｎＰクラッド層の少なく
とも３層と、前記第２導電型のＩｎＰクラッド層の上に
積層したＩｎＡｓ１−、ｐｉ層、 ＩｎＡｓ層の少なく
とも２層を具備した半導体レーザ素子である。また、前
記半導体レーザ素子において、ＩｎＡｓ、−、Ｐア層の
組成が第２導電型のＩｎＰクラッド層からＩｎＡｓ層ま
で漸近的に変化させることを特徴とする。次に、この発
明の第２は、ＩｎＰ基板上に第１導電型のＩｎＰバッフ
ァ層兼クラりド層＋ Ｇａ、−、ＩｎＰｘＡｓ、−ｙＰ
ｙ活性層、第２導電型のＩｎＰクラッド層の少なくとも
３層と、前記第２導電型のＩｎＰクラッド層の上に積層
したＩｎＡｓ１−ｚｈ層＋ ＩｎＡｓ層の少なくとも２
層で構成される半導体レーザ素子の製造にあたり、その
構成層の少なくとも一層を有機金属気相成長法によって
形成することを特徴とする半導体レーザ素子のＩ！ｃ！
造方法である。
機上の如く、ＩｎＰクラッド層の上にＩｎＡｓ１−、Ｐ
、、ＩｎＡｓ層を積層形成することにより、低抵抗のオ
ーミック電極が形成できるようにし、半導体レーザ素子
の直列抵抗を低くするようにしたものである。
、、ＩｎＡｓ層を積層形成することにより、低抵抗のオ
ーミック電極が形成できるようにし、半導体レーザ素子
の直列抵抗を低くするようにしたものである。
ＩｎＡｓｚ−ｚＰｚの組成２は１から０まで、すなわち
ＩｎＰからＩｎＡｓまで次第に変化するようにしたもの
である。
ＩｎＰからＩｎＡｓまで次第に変化するようにしたもの
である。
（作 用）
本発明により、バンドギャップの小さいＩｎＡｓをコン
タクト層として用いるため、ショットキーバリアの高さ
を低くすることができ、かつＩｎＰに比べて高濃度に不
純物を添加できるようになる。また、ＩｎＰ層とＩｎＡ
ｓ層の間にＩｎＡｓ１−、Ｐ、層を設け、その組成をＩ
ｎＰからＩｎＡｓまで漸近的に変化させることにより、
ＩｎＰとＩｎＡｓの間でバンドギャップを連続的に変
化させることができ、バンド不連続によるキャリアの移
動の妨害が無くなる。このようにして、ＩｎＰバッファ
層、特に ｐ型に対して、低抵抗の電極が形成でき半導
体レーザ素子の直列抵抗を低くすることができるため、
高速で動作する半導体レーザ素子が得られる。
タクト層として用いるため、ショットキーバリアの高さ
を低くすることができ、かつＩｎＰに比べて高濃度に不
純物を添加できるようになる。また、ＩｎＰ層とＩｎＡ
ｓ層の間にＩｎＡｓ１−、Ｐ、層を設け、その組成をＩ
ｎＰからＩｎＡｓまで漸近的に変化させることにより、
ＩｎＰとＩｎＡｓの間でバンドギャップを連続的に変
化させることができ、バンド不連続によるキャリアの移
動の妨害が無くなる。このようにして、ＩｎＰバッファ
層、特に ｐ型に対して、低抵抗の電極が形成でき半導
体レーザ素子の直列抵抗を低くすることができるため、
高速で動作する半導体レーザ素子が得られる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例につき図面を参照して説明する
。
。
第１図は一実施例にかかる半導体レーザ素子の断面図で
ある。第１図に示すように、ｎ型ＩｎＰ基板１１上に層
厚的１μｍに形成されたバッファ層兼クラッド層のｎ型
ＩｎＰ層１２、このｎ型ＩｎＰ層１２上の一部に層厚的
０．１μｍで幅約１．５μｍに形成された活性層のＧａ
ＩｎＡｓＰＮ１３、および、このＧａＩｎＡｓＰ層１３
上に積層して層厚的１μｍに形成されたクラッド層のｐ
型ＩｎＰ層１４でダブルへテロ接合が形成されている。
ある。第１図に示すように、ｎ型ＩｎＰ基板１１上に層
厚的１μｍに形成されたバッファ層兼クラッド層のｎ型
ＩｎＰ層１２、このｎ型ＩｎＰ層１２上の一部に層厚的
０．１μｍで幅約１．５μｍに形成された活性層のＧａ
ＩｎＡｓＰＮ１３、および、このＧａＩｎＡｓＰ層１３
上に積層して層厚的１μｍに形成されたクラッド層のｐ
型ＩｎＰ層１４でダブルへテロ接合が形成されている。
また、前記ｎ型ＩｎＰ基板１２上の活性層形成域を除く
域はその層厚が低減され、ここに、活性層のＧａＩｎＡ
ｓＰ層１３とクラッド層のｐ型ＩｎＰ層１４に隣接し、
かつ埋込むように形成された埋込層のＰ型ＩｎＰＭ１５
とこのｐ型ＩｎＰ層１５に積層して形成されたｎ型Ｉｎ
ＰＭ１６によって、前記ダブルへテロ接合の一部のｐ型
ＩｎＰ層１４の上面と概ね平面をなしている。次に、前
記平面上に組成遷移層であるＰ型ＩｎＡｓ１−、Ｐ、層
１７が、この２の値がＯ≦２≦１の範囲内で遷位し、か
つこの層の下方から上方に向は漸次小さくなるように形
成され、その上面にコンタクト層のｐ型ＩｎＡｓ層１８
が積層して形成されている。さらに、前記Ｐ型ＩｎＡｓ
層１８上にはｐ側のオーミック電極２０が一例のＡｕ／
ＡｕＺｎで、前記ｎ型ＩｎＰ基板１１にはｎ側のオーミ
ック電極２１が一例のＡｕ／ＡｕＧｅで夫々形成されて
いる。なお、へき開によって共振長が約２５０μｍの半
導体レーザ素子が得られている。
域はその層厚が低減され、ここに、活性層のＧａＩｎＡ
ｓＰ層１３とクラッド層のｐ型ＩｎＰ層１４に隣接し、
かつ埋込むように形成された埋込層のＰ型ＩｎＰＭ１５
とこのｐ型ＩｎＰ層１５に積層して形成されたｎ型Ｉｎ
ＰＭ１６によって、前記ダブルへテロ接合の一部のｐ型
ＩｎＰ層１４の上面と概ね平面をなしている。次に、前
記平面上に組成遷移層であるＰ型ＩｎＡｓ１−、Ｐ、層
１７が、この２の値がＯ≦２≦１の範囲内で遷位し、か
つこの層の下方から上方に向は漸次小さくなるように形
成され、その上面にコンタクト層のｐ型ＩｎＡｓ層１８
が積層して形成されている。さらに、前記Ｐ型ＩｎＡｓ
層１８上にはｐ側のオーミック電極２０が一例のＡｕ／
ＡｕＺｎで、前記ｎ型ＩｎＰ基板１１にはｎ側のオーミ
ック電極２１が一例のＡｕ／ＡｕＧｅで夫々形成されて
いる。なお、へき開によって共振長が約２５０μｍの半
導体レーザ素子が得られている。
次に、前記半導体レーザ素子の製造方法につき第１図を
参照説明する。
参照説明する。
ｎ型ＩｎＰ基板１１を用いて、この上にｎ型ＩｎＰバッ
ファ層兼クラッド層１２を約１μｍ、 ＧａＩｎＡｓＰ
活性層１３を約０．１μａ＋、 ｐ型ＩｎＰクラッド層
１４を約１μＩ１１順に積層成長してダブルへテロ接合
が形成されている。各半導体層は、有機金属気相成長法
（ＭＯＣＶＤ法）によりエピタキシャル成長される。次
に、幅約１．５μｍのＳｉＯ□ストライプ膜をマスクと
してｎ型ＩｎＰクラッド層の途中までエツチングするこ
とにより、活性領域が形成される。次に、前記のＳｉＯ
□ストライプ膜をマスクとして、ｐ型のＩｎＰＪ５１５
、ｎ型のＩｎＰＭ１６を順次成長して活性領域を埋め込
む、この埋め込み成長には、有機金属気相成長法が用い
られる。活性領域及び埋め込み領域を有機金属気相成長
法で成長する場合の原料としては、ＴＭＧａ（トリメチ
ルガリウム）、 ＴＭＩｎ （トリメチルインジウム）
、 ＡｓＨ，、ＰＨ，を用いた。次に、前記５ｉｎ２
ストライプ膜を除去し、組成遷移層であるｐ型ＩｎＡｓ
、−２Ｐ、層１７． ｐ型ＩｎＡｓコンタクト層を順次
成長する。ｐ型ＩｎＡｓ、−、Ｐ、層１０７の組成２は
、１からＯまで格子定数の違いによる歪が緩和されるよ
うにゆっくり変化される必要がある。最後に、活性領域
以外の領域にＳｉＯ□膜１９膜形９し、金属の蒸着によ
りｎ側のオーミックコンタクトとｐ側のオーミックコン
タクトを形成する。ｎ側のオーミック電極２１の形成に
はＡｕ／ＡｕＧｅがｐ側のオーミック電極２０の形成に
はＡｕ／ＡｕＺｎが各々用いられる。
ファ層兼クラッド層１２を約１μｍ、 ＧａＩｎＡｓＰ
活性層１３を約０．１μａ＋、 ｐ型ＩｎＰクラッド層
１４を約１μＩ１１順に積層成長してダブルへテロ接合
が形成されている。各半導体層は、有機金属気相成長法
（ＭＯＣＶＤ法）によりエピタキシャル成長される。次
に、幅約１．５μｍのＳｉＯ□ストライプ膜をマスクと
してｎ型ＩｎＰクラッド層の途中までエツチングするこ
とにより、活性領域が形成される。次に、前記のＳｉＯ
□ストライプ膜をマスクとして、ｐ型のＩｎＰＪ５１５
、ｎ型のＩｎＰＭ１６を順次成長して活性領域を埋め込
む、この埋め込み成長には、有機金属気相成長法が用い
られる。活性領域及び埋め込み領域を有機金属気相成長
法で成長する場合の原料としては、ＴＭＧａ（トリメチ
ルガリウム）、 ＴＭＩｎ （トリメチルインジウム）
、 ＡｓＨ，、ＰＨ，を用いた。次に、前記５ｉｎ２
ストライプ膜を除去し、組成遷移層であるｐ型ＩｎＡｓ
、−２Ｐ、層１７． ｐ型ＩｎＡｓコンタクト層を順次
成長する。ｐ型ＩｎＡｓ、−、Ｐ、層１０７の組成２は
、１からＯまで格子定数の違いによる歪が緩和されるよ
うにゆっくり変化される必要がある。最後に、活性領域
以外の領域にＳｉＯ□膜１９膜形９し、金属の蒸着によ
りｎ側のオーミックコンタクトとｐ側のオーミックコン
タクトを形成する。ｎ側のオーミック電極２１の形成に
はＡｕ／ＡｕＧｅがｐ側のオーミック電極２０の形成に
はＡｕ／ＡｕＺｎが各々用いられる。
この実施例による半導体レーザ素子の発振しきい値電流
密度は、約２０ｍＡで従来製造されているものとほとん
ど同じ値であった。しかし、素子の直列抵抗は、約５Ω
であり、従来の約１０Ωより小さい値であった。これは
、コンタクト層としてバンドギャップの小さいＩｎＡｓ
を用い、キャリア濃度を高くしたこと、ＩｎＡｓコンタ
クト層とＩｎＰクラッド層の間にＩｎＡｓ、−、Ｐｔ組
成遷移層を設けたことによるものである。
密度は、約２０ｍＡで従来製造されているものとほとん
ど同じ値であった。しかし、素子の直列抵抗は、約５Ω
であり、従来の約１０Ωより小さい値であった。これは
、コンタクト層としてバンドギャップの小さいＩｎＡｓ
を用い、キャリア濃度を高くしたこと、ＩｎＡｓコンタ
クト層とＩｎＰクラッド層の間にＩｎＡｓ、−、Ｐｔ組
成遷移層を設けたことによるものである。
本発明は、上記実施例に限られず、特許請求の範囲を逸
脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
以上述べたように本発明によれば、コンタクト層として
バンドギャップの小さいＩｎＡｓ層を、また、ＩｎＡｓ
コンタクト層とＩｎＰクラッド層との間にＩｎＡｓｔ−
ｚＰｚの組成遷移層を備えた構造でダブルへテロ接合半
導体レーザ素子を製造することにより、レーザ素子の直
列抵抗を低減することができ、動作速度の速い半導体レ
ーザ素子が得られる顕著な利点がある。
バンドギャップの小さいＩｎＡｓ層を、また、ＩｎＡｓ
コンタクト層とＩｎＰクラッド層との間にＩｎＡｓｔ−
ｚＰｚの組成遷移層を備えた構造でダブルへテロ接合半
導体レーザ素子を製造することにより、レーザ素子の直
列抵抗を低減することができ、動作速度の速い半導体レ
ーザ素子が得られる顕著な利点がある。
第１図は本発明の一実施例の半導体レーザ素子の断面図
である。 １１−−−− ｎ型ＩｎＰ基板 １２−＝−ｎ型ＩｎＰ層 １３−−−−Ｇａ１−ｙＩｎｘＡｓｉ −ｙＰｙ１４−
−−− ｐ型ＩｎＰ １５−−−− ｐ型ＩｎＰ １６−−−− ｎ型ＩｎＰ １７−−−− ｐ型ＩｎＡｓ、 −、ＬＰ。 １８−−−− Ｐ型ＩｎＡｓ １９−−−−３ｉ０２ ２０−−−−Ａｕ／ＡｕＺｎ電極 ２ｌ−−−−Ａｕ／ＡｕＧｅ電Ｍｉ
である。 １１−−−− ｎ型ＩｎＰ基板 １２−＝−ｎ型ＩｎＰ層 １３−−−−Ｇａ１−ｙＩｎｘＡｓｉ −ｙＰｙ１４−
−−− ｐ型ＩｎＰ １５−−−− ｐ型ＩｎＰ １６−−−− ｎ型ＩｎＰ １７−−−− ｐ型ＩｎＡｓ、 −、ＬＰ。 １８−−−− Ｐ型ＩｎＡｓ １９−−−−３ｉ０２ ２０−−−−Ａｕ／ＡｕＺｎ電極 ２ｌ−−−−Ａｕ／ＡｕＧｅ電Ｍｉ
Claims (5)
- （１）ＩｎＰ基板上に第１導電型のバッファ層兼クラッ
ド層、Ｇａ１＿１＿−＿ｘＩｎ＿ｘＡｓ＿１＿−＿ｙＰ
＿ｙ活性層、第２導電型のＩｎＰクラッド層の少なくと
も３層と、前記第２導電型のＩｎＰクラッド層の上に積
層したＩｎＡｓ＿１＿−＿ｚＰ＿ｚ層、ＩｎＡｓ層の少
なくとも２層を具備した半導体レーザ素子。 - （２）ＩｎＡｓ＿１＿−＿ｚＰ＿ｚ層の組成を第２導電
型のＩｎＰクラッド層からＩｎＡｓ層まで漸近的に変化
させることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
半導体レーザ素子。 - （３）ＩｎＡｓ＿１＿−＿ｚＰ＿ｚ層とＩｎＡｓ層の導
電型が第２導電型になるように不純物をドーピングする
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項に
記載の半導体レーザ素子。 - （４）ＩｎＰ基板上に第１導電型のＩｎＰバッファ層兼
クラッド層、Ｇａ＿１＿−＿ｘＩｎ＿ｘＡｓ＿１＿−＿
ｙＰ＿ｙ活性層、第２導電型のＩｎＰクラッド層の少な
くとも３層と、前記第２導電型のＩｎＰクラッド層の上
に積層したＩｎＡｓ＿１＿−＿ｚＰ＿ｚ層、ＩｎＡｓ層
の少なくとも２層で構成される半導体レーザ素子の製造
にあたり、その構成層の少なくとも一層を有機金属気相
成長法によって形成することを特徴とする半導体レーザ
素子の製造方法。 - （５）第２導電型のＩｎＰクラッド層の上に積層するＩ
ｎＡｓ＿１＿−＿ｚＰ＿ｚ層、ＩｎＡｓ層の少なくとも
１層を有機金属気相成長法によって形成することを特徴
とする特許請求の範囲第４項に記載の半導体レーザ素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62329989A JP2567008B2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62329989A JP2567008B2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01173685A true JPH01173685A (ja) | 1989-07-10 |
| JP2567008B2 JP2567008B2 (ja) | 1996-12-25 |
Family
ID=18227525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62329989A Expired - Fee Related JP2567008B2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2567008B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03224285A (ja) * | 1989-12-21 | 1991-10-03 | Nec Corp | 半導体多層膜 |
| JPH03239386A (ja) * | 1990-02-16 | 1991-10-24 | Nec Corp | 面発光半導体レーザ |
| JPH04333298A (ja) * | 1991-05-08 | 1992-11-20 | Sharp Corp | ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子 |
| US6160829A (en) * | 1997-05-21 | 2000-12-12 | Nec Corporation | Self-sustained pulsation semiconductor laser |
| JP2003051644A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体装置、半導体受光装置、半導体発光装置、半導体レーザ装置および面発光型半導体レーザ装置 |
| JP2008232809A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Anritsu Corp | スペクトラムアナライザ |
| JP2014143327A (ja) * | 2013-01-24 | 2014-08-07 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体積層体および半導体発光素子ならびにその製造方法 |
-
1987
- 1987-12-28 JP JP62329989A patent/JP2567008B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03224285A (ja) * | 1989-12-21 | 1991-10-03 | Nec Corp | 半導体多層膜 |
| JPH03239386A (ja) * | 1990-02-16 | 1991-10-24 | Nec Corp | 面発光半導体レーザ |
| JPH04333298A (ja) * | 1991-05-08 | 1992-11-20 | Sharp Corp | ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子 |
| US6160829A (en) * | 1997-05-21 | 2000-12-12 | Nec Corporation | Self-sustained pulsation semiconductor laser |
| JP2003051644A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体装置、半導体受光装置、半導体発光装置、半導体レーザ装置および面発光型半導体レーザ装置 |
| JP2008232809A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Anritsu Corp | スペクトラムアナライザ |
| JP2014143327A (ja) * | 2013-01-24 | 2014-08-07 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体積層体および半導体発光素子ならびにその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2567008B2 (ja) | 1996-12-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2567008B2 (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| WO2019208697A1 (ja) | 光半導体素子およびその製造方法ならびに光集積半導体素子およびその製造方法 | |
| JPH05110186A (ja) | モノリシツク光素子およびその製造方法 | |
| CN108988124B (zh) | 一种用于微波振荡源的单片集成隧道结激光器 | |
| JP2747080B2 (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JP2940158B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| US5323412A (en) | Semiconductor laser device | |
| JP2716717B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| KR0130066B1 (ko) | 반도체 레이저 및 그 제조방법 | |
| JPH03129892A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2949809B2 (ja) | 半導体レーザの製法 | |
| JPS6124839B2 (ja) | ||
| JPS63169086A (ja) | 埋込型半導体レ−ザの製造方法 | |
| JP2547459B2 (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JPH0710019B2 (ja) | 埋込み構造半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPS62179790A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JP2000004033A (ja) | 半導体導波路型受光素子 | |
| JPH07249575A (ja) | 半導体光素子の製造方法 | |
| JP3522151B2 (ja) | 化合物半導体レーザの製造方法 | |
| JPH05160508A (ja) | 半導体レーザー | |
| JPH08222809A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH0239106B2 (ja) | ||
| JPH01220490A (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JPH10135512A (ja) | 半導体素子および半導体素子の製造方法 | |
| JPH07120832B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |