JPS61184895A - 半導体レ−ザ素子 - Google Patents
半導体レ−ザ素子Info
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- JPS61184895A JPS61184895A JP2541685A JP2541685A JPS61184895A JP S61184895 A JPS61184895 A JP S61184895A JP 2541685 A JP2541685 A JP 2541685A JP 2541685 A JP2541685 A JP 2541685A JP S61184895 A JPS61184895 A JP S61184895A
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- super lattice
- semiconductor laser
- layers
- gaas
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- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34313—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs
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- H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure
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- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3211—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities
- H01S5/3216—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities quantum well or superlattice cladding layers
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- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は半導体レーザ素子に関し、特にその性能の向
上に関するものである。
上に関するものである。
第４図は１例えばＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ８９巻（２）１９８１年１８４頁に記載さ
れたＧａＡｓ／ｌ！ＧａＡｓ材料系のＧｒａｄｅｄ−ｉ
ｎｄｅｘ ｗａｖｅ ｇｕｉｄｅ ５ｅｐａｒａｔｅｃ
ｏｎｆｉｎｅｎｔ ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ
（ＧＲＩＮ−８ＣＨ）半導体レーザ素子を示す断面図で
ある。図において、（１）は下部電極、（２）は基板で
１例えばｎ”−ＧａＡｓ基板、（３）はＮ型クラッド層
で、例えばｎ−１ｚＧａｓ−２Ａｓクラッド層、（４）
は第１光とじ込め層で、例えば屈折率を傾斜させるため
にＡｇのモル比をｙからｚまで（ｚ＞ｙ ） 変化さ
せたｎ−Ａ３ＧａＡｓ ｇｒａｄｅｄ −ｉｎｄｅｘｗ
ａｖｅｇｕｉｄｅ層、（５］は活性層で１例えばＧａＡ
ｓ活性層、（６）は第２光とじ込め層で、屈折率を傾斜
させるために例えばＡｅのモル比を２からｙまで変化さ
せたｐ−Ａ３ＧａＡｓ ｇｒａｄｅｄ−ｉｎｄｅｘ ｗ
ａｖｅｇｕｉｄｅ ＠＊（７］はｐ型クラッド層でｓ
ｐ −ＡＪｚ Ｇａ ｔ−Ｚ Ａｓクラツド層、（８）
はコンタクト層で、Ｐ”−ＧａＡｓ コンタクト層、
（９）は上部電極である。
ｅｔｔｅｒｓ８９巻（２）１９８１年１８４頁に記載さ
れたＧａＡｓ／ｌ！ＧａＡｓ材料系のＧｒａｄｅｄ−ｉ
ｎｄｅｘ ｗａｖｅ ｇｕｉｄｅ ５ｅｐａｒａｔｅｃ
ｏｎｆｉｎｅｎｔ ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ
（ＧＲＩＮ−８ＣＨ）半導体レーザ素子を示す断面図で
ある。図において、（１）は下部電極、（２）は基板で
１例えばｎ”−ＧａＡｓ基板、（３）はＮ型クラッド層
で、例えばｎ−１ｚＧａｓ−２Ａｓクラッド層、（４）
は第１光とじ込め層で、例えば屈折率を傾斜させるため
にＡｇのモル比をｙからｚまで（ｚ＞ｙ ） 変化さ
せたｎ−Ａ３ＧａＡｓ ｇｒａｄｅｄ −ｉｎｄｅｘｗ
ａｖｅｇｕｉｄｅ層、（５］は活性層で１例えばＧａＡ
ｓ活性層、（６）は第２光とじ込め層で、屈折率を傾斜
させるために例えばＡｅのモル比を２からｙまで変化さ
せたｐ−Ａ３ＧａＡｓ ｇｒａｄｅｄ−ｉｎｄｅｘ ｗ
ａｖｅｇｕｉｄｅ ＠＊（７］はｐ型クラッド層でｓ
ｐ −ＡＪｚ Ｇａ ｔ−Ｚ Ａｓクラツド層、（８）
はコンタクト層で、Ｐ”−ＧａＡｓ コンタクト層、
（９）は上部電極である。
また、第６図は＠４図（こ示した半導体レーザ素子のク
ラッド層＋３１ 、 ＋７１ 、 ｗａｖｅｇｕｉｄｅ
層（４〕、（６）、及び活性層（５）の屈折率を示す図
、第６図はそのエネルギーダイヤグラムであり、Ａは伝
導帯、Ｂは価電子帯のバンドダイヤグラムを示す。
ラッド層＋３１ 、 ＋７１ 、 ｗａｖｅｇｕｉｄｅ
層（４〕、（６）、及び活性層（５）の屈折率を示す図
、第６図はそのエネルギーダイヤグラムであり、Ａは伝
導帯、Ｂは価電子帯のバンドダイヤグラムを示す。
次に動作について説明する。上部電極（９）と下部電極
（１）の間にしきい値以上の電流を流すと、キャリア（
Ｗ１子及び正孔）は、第６図に示すエネルギ差によって
活性層（５）内でとじ込められ、再結合して発光する。
（１）の間にしきい値以上の電流を流すと、キャリア（
Ｗ１子及び正孔）は、第６図に示すエネルギ差によって
活性層（５）内でとじ込められ、再結合して発光する。
一方、屈折率は第５図に示すような変化があるため、活
性層（５）で発光した光は屈折率の高いｇｒａｄｅｄ−
ｉｎｄｅｘ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ層（４１、（６１及び
活性層（５）の間にとじ込められる。さらにこの光はｇ
ｒａｄｅｄ−ｉｎｄｅｘ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ層（４Ｊ
、＋６１の端面で反射されてこれらの層ｔ４１、（５
） 、 （６１中を往復し、誘導光放出の結果、レーザ
発振する。
性層（５）で発光した光は屈折率の高いｇｒａｄｅｄ−
ｉｎｄｅｘ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ層（４１、（６１及び
活性層（５）の間にとじ込められる。さらにこの光はｇ
ｒａｄｅｄ−ｉｎｄｅｘ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ層（４Ｊ
、＋６１の端面で反射されてこれらの層ｔ４１、（５
） 、 （６１中を往復し、誘導光放出の結果、レーザ
発振する。
ＧＲＩＮ−ＳＣＨレーザ半導体素子は上記のように光と
じ込めとキャリアとじ込めを別の部分、即ち、ｇｒａｄ
ｅｄ−ｉｎｄｅｘ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ層（４）、 ＋
６１と活性層（５）で行うように構成されている。゛ま
た。 ｇｒａｄｅｄ−ｉｎｄｅｘｗａｖｅｇｕｉｄｅ
＠ （４１、（６）はそれぞれその屈折率が活性層（５
）からクラッド層（３１、（７）に向って高から低に傾
斜しているため、光を広い層で有効にとじ込める。
じ込めとキャリアとじ込めを別の部分、即ち、ｇｒａｄ
ｅｄ−ｉｎｄｅｘ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ層（４）、 ＋
６１と活性層（５）で行うように構成されている。゛ま
た。 ｇｒａｄｅｄ−ｉｎｄｅｘｗａｖｅｇｕｉｄｅ
＠ （４１、（６）はそれぞれその屈折率が活性層（５
）からクラッド層（３１、（７）に向って高から低に傾
斜しているため、光を広い層で有効にとじ込める。
このため、しきい値電流が低く、ビーム広がり角が小さ
く、高次モードがおさえられたレーザである。
く、高次モードがおさえられたレーザである。
【発明が解決しようとする問題点フ
従来の半導体レーザ素子は以上のように構成されている
ので、屈折率の傾斜したｇｒａｄｅｄ−ｉｎｄｅｘｗａ
ｖｅｇｕｉｄｅ 層（４）、（６）を形成するために、
例えばＧａＡｓ／ＡｇＧａＡｓ材料系の半導体レーザ素
子では１．１ＧａＡｓのＡｊ？のモル比を徐々に変化さ
せなければならず、 ＡＪのモル比を変化させるとこれ
に伴ってエネルギーレベルも大きく変化してしまい、キ
ャリアをとじ込めるためのエネルギー障壁が小さくなる
。このため％電流のリークが生じ、温度特性が悪くなり
、これを避けるため）こはクラッド層（３）。
ので、屈折率の傾斜したｇｒａｄｅｄ−ｉｎｄｅｘｗａ
ｖｅｇｕｉｄｅ 層（４）、（６）を形成するために、
例えばＧａＡｓ／ＡｇＧａＡｓ材料系の半導体レーザ素
子では１．１ＧａＡｓのＡｊ？のモル比を徐々に変化さ
せなければならず、 ＡＪのモル比を変化させるとこれ
に伴ってエネルギーレベルも大きく変化してしまい、キ
ャリアをとじ込めるためのエネルギー障壁が小さくなる
。このため％電流のリークが生じ、温度特性が悪くなり
、これを避けるため）こはクラッド層（３）。
（７）を形成するｋｇ ２Ｇａ 、−２ＡｓのＡ１モル
比Ｚを大きくしなければならないなどの問題点があった
。またＡＩのモル比を除々に変化させるのは作製する上
で困難であった。
比Ｚを大きくしなければならないなどの問題点があった
。またＡＩのモル比を除々に変化させるのは作製する上
で困難であった。
この発明は上記のような問題点を解消するｔこめになさ
れｔこもので、 ＧＲＩＮ−５ＣＨレーザが有する低い
しきい値電流、小さなビーム広がり角、及び高次モード
が発振しにくいという特徴Ｇこ加えて、電流のリークを
低減し、温度特性の向上及びスムーズな活性層界面かえ
られる半導体レーザ素子を得ることを目的とする。
れｔこもので、 ＧＲＩＮ−５ＣＨレーザが有する低い
しきい値電流、小さなビーム広がり角、及び高次モード
が発振しにくいという特徴Ｇこ加えて、電流のリークを
低減し、温度特性の向上及びスムーズな活性層界面かえ
られる半導体レーザ素子を得ることを目的とする。
し問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体レーザ素子は、光とじ込め層を超
格子層で形成したものである◎（作用） この発明における超格子層、一般に半導体超格子はそれ
と等価なエネルギーレベルをもつ混晶半導体に比べ屈折
率が高いことを利用し、光とじ込め層であるｇｒａｄｅ
ｄ−ｉｎｄｅｘ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ層の１ネルギーレ
ベルの変化を小さくシ、キャリアとじ込めのためのエネ
ルギー障壁を小さくしないで屈折率変化をつけられるこ
と（こ作用し、半導体レーザ素子の低しきい値電流化、
温度特性の向上等に寄与する。
格子層で形成したものである◎（作用） この発明における超格子層、一般に半導体超格子はそれ
と等価なエネルギーレベルをもつ混晶半導体に比べ屈折
率が高いことを利用し、光とじ込め層であるｇｒａｄｅ
ｄ−ｉｎｄｅｘ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ層の１ネルギーレ
ベルの変化を小さくシ、キャリアとじ込めのためのエネ
ルギー障壁を小さくしないで屈折率変化をつけられるこ
と（こ作用し、半導体レーザ素子の低しきい値電流化、
温度特性の向上等に寄与する。
さらにクラッド層と活性層の間Ｇこ超格子層が介在する
ため活性層界面がスムーズになり、質のよい活性層かえ
られる。
ため活性層界面がスムーズになり、質のよい活性層かえ
られる。
【実施例）
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、叫は第１光とじ込め層を形成する超格子層
で１例えばｎ型にドープされたＧａＡｓとＡｌ１Ａｓか
ら成る超格子層、０℃は第２光とじ込め層を形成する超
格子層で、例えばｐ型にドープされｊ；ＧａＡｓとＡｅ
Ａｓから成る超格子層である。第２図はクラッド層（３
）、（７）間の屈折率分布を示す図、第８図はエネルギ
ーダイヤグラムであり、Ａは伝導帯、Ｂは価電子帯のバ
ンドダイヤグラムを示している。また、点線Ｃは超格子
層ＣＬＧ、Ｑυの実効的エネルギーレベルを示す。
図において、叫は第１光とじ込め層を形成する超格子層
で１例えばｎ型にドープされたＧａＡｓとＡｌ１Ａｓか
ら成る超格子層、０℃は第２光とじ込め層を形成する超
格子層で、例えばｐ型にドープされｊ；ＧａＡｓとＡｅ
Ａｓから成る超格子層である。第２図はクラッド層（３
）、（７）間の屈折率分布を示す図、第８図はエネルギ
ーダイヤグラムであり、Ａは伝導帯、Ｂは価電子帯のバ
ンドダイヤグラムを示している。また、点線Ｃは超格子
層ＣＬＧ、Ｑυの実効的エネルギーレベルを示す。
光とじ込め層を形成する超格子層αＯ１αυの屈折率は
第２図に示すようにクラッド層（３１，（７）からそれ
ぞれ活性層（５）に向って低から高に徐々−傾斜してい
る。一方、第８図の点線Ｃに示すように実効的エネルギ
ーレベルはククラッド層（３）、（７）とほとんど同じ
である。このような超格子層は、例えばＧａＡｓ／Ａｇ
ＧａＡｓ系レーザ素子でＡＬ’ＬｓとＧａＡｓを交互に
積層した超格子層を用いる場合、ＧａＡｓ層の厚さを一
定にし、Ａｌ１Ａｓ層の厚さをクラッド層（３）、（７
）からそれぞれ活性層（５月こ向かうに従って薄くすれ
ば得られる。また、Ａ＃ＧａＡｓとＧａＡｓを交互に積
層した超格子層を用いる場合は、ＡＪＧａＡｓバリアの
Ａｅモル比をリーク電流が大きくならない程度にクラッ
ド層（３１、（７）からそれぞれ活性層（５）に向って
徐々に小さくすれば得られる。このように構成された超
格子層σＱ、０℃は、従来と同様に有効に光をとじ込め
るため、低しきい値電流で、ビーム広がりが小さい半導
体レーザ素子が得られる。
第２図に示すようにクラッド層（３１，（７）からそれ
ぞれ活性層（５）に向って低から高に徐々−傾斜してい
る。一方、第８図の点線Ｃに示すように実効的エネルギ
ーレベルはククラッド層（３）、（７）とほとんど同じ
である。このような超格子層は、例えばＧａＡｓ／Ａｇ
ＧａＡｓ系レーザ素子でＡＬ’ＬｓとＧａＡｓを交互に
積層した超格子層を用いる場合、ＧａＡｓ層の厚さを一
定にし、Ａｌ１Ａｓ層の厚さをクラッド層（３）、（７
）からそれぞれ活性層（５月こ向かうに従って薄くすれ
ば得られる。また、Ａ＃ＧａＡｓとＧａＡｓを交互に積
層した超格子層を用いる場合は、ＡＪＧａＡｓバリアの
Ａｅモル比をリーク電流が大きくならない程度にクラッ
ド層（３１、（７）からそれぞれ活性層（５）に向って
徐々に小さくすれば得られる。このように構成された超
格子層σＱ、０℃は、従来と同様に有効に光をとじ込め
るため、低しきい値電流で、ビーム広がりが小さい半導
体レーザ素子が得られる。
同時に、クラッド層（３１、（７）とのエネルギーギャ
ップの変化は小さく、大きなエネルギー差で活性層（５
）内にキャリアをとじ込めるため、従来に比べてリーク
電流が減す、温度特性が向上する。さらに活性層（５）
とクラッド層（３Ｊ、（７Ｊの間に超格子層σａ、Ｃ１
１）が介在した構造になるため、スムーズな活性層（５
）の界面が得られ、活性層（５）の質が向上する。また
、例えばＡＪＡｓとＧａＡｓを積層しｔ二超格子層を用
いて、 ＭＢＥ （Ｍｏ１ｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅ
ｐｉｔａｘｙ ）法などで成長する場合はシャッターの
開閉時間だけでコントロールでき、作製が容易になる。
ップの変化は小さく、大きなエネルギー差で活性層（５
）内にキャリアをとじ込めるため、従来に比べてリーク
電流が減す、温度特性が向上する。さらに活性層（５）
とクラッド層（３Ｊ、（７Ｊの間に超格子層σａ、Ｃ１
１）が介在した構造になるため、スムーズな活性層（５
）の界面が得られ、活性層（５）の質が向上する。また
、例えばＡＪＡｓとＧａＡｓを積層しｔ二超格子層を用
いて、 ＭＢＥ （Ｍｏ１ｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅ
ｐｉｔａｘｙ ）法などで成長する場合はシャッターの
開閉時間だけでコントロールでき、作製が容易になる。
なお、上記実施例では超格子層ＱＧ 、αルの実効的な
エネルギーレベルがクラッド層Ｆ３１ 、 （７）と同
じ場合を示したが、クラッド層（３ン、（７）のエネル
ギーギャップが大きく、多小エネルギーレベルが下がっ
てもリーク電流がなく活性層（５）内にキャリアをとじ
込められる場合には、キャリアの活性層（５）への落ち
込みを良くするために、従来例と同様にエネルギーレベ
ルを傾斜させて構成してもよい。例えばＡｊ！ＡｓとＧ
ａＡｓを積層した超格子層の場合にはＡｅＡＳ層の厚
さを一定にし、 ＧａＡｓ層を活性ｍ（５）側Ｉこ向っ
て徐々Ｅこ厚くする。又はＧａＡｓ 層の厚さを一定に
し、ＡＪＡｓ層を活性層（５）側に向って徐々に薄くす
る、又はその両方で構成するなどが考えられる。また、
Ａ６ＧａＡｓとＧａＡｓの超格子層を用いればさらに
エネルギーレベルと屈折率プロファイルをかなり独立に
変化させられる可能性がある。
エネルギーレベルがクラッド層Ｆ３１ 、 （７）と同
じ場合を示したが、クラッド層（３ン、（７）のエネル
ギーギャップが大きく、多小エネルギーレベルが下がっ
てもリーク電流がなく活性層（５）内にキャリアをとじ
込められる場合には、キャリアの活性層（５）への落ち
込みを良くするために、従来例と同様にエネルギーレベ
ルを傾斜させて構成してもよい。例えばＡｊ！ＡｓとＧ
ａＡｓを積層した超格子層の場合にはＡｅＡＳ層の厚
さを一定にし、 ＧａＡｓ層を活性ｍ（５）側Ｉこ向っ
て徐々Ｅこ厚くする。又はＧａＡｓ 層の厚さを一定に
し、ＡＪＡｓ層を活性層（５）側に向って徐々に薄くす
る、又はその両方で構成するなどが考えられる。また、
Ａ６ＧａＡｓとＧａＡｓの超格子層を用いればさらに
エネルギーレベルと屈折率プロファイルをかなり独立に
変化させられる可能性がある。
この実施例１こおいても上記実施例と同様にクラッド層
と活性層の間に超格子層が介在するため、活性層とクラ
ッド層の界面が改善される効果がある〇〔発明の効果）
０以上のように、
この発明によれば電極間に、Ｎ型クラッド層、このクラ
ッド層に設けた屈折率が傾斜している第１光とじ込め層
、この光とじ込め層に設けた活性層、この活性層に設け
た屈折率が傾斜している第２光とじ込め層、及びこの第
２光とじ込め層に設けたＰ型りラッド層を有する半導体
レーザ素子において、光とじ込め層を超格子層で形成し
たので、エネルギーレベルと屈折率を独立に変化させ得
、低いしきい値電流、小さなビーム広がり角が得られ、
かつ毘次モードが発振しに＜＜、さらをこ温度特性を向
上でき、良質の活性層を有する半導体レーザ素子が得ら
れる効果がある。
と活性層の間に超格子層が介在するため、活性層とクラ
ッド層の界面が改善される効果がある〇〔発明の効果）
０以上のように、
この発明によれば電極間に、Ｎ型クラッド層、このクラ
ッド層に設けた屈折率が傾斜している第１光とじ込め層
、この光とじ込め層に設けた活性層、この活性層に設け
た屈折率が傾斜している第２光とじ込め層、及びこの第
２光とじ込め層に設けたＰ型りラッド層を有する半導体
レーザ素子において、光とじ込め層を超格子層で形成し
たので、エネルギーレベルと屈折率を独立に変化させ得
、低いしきい値電流、小さなビーム広がり角が得られ、
かつ毘次モードが発振しに＜＜、さらをこ温度特性を向
上でき、良質の活性層を有する半導体レーザ素子が得ら
れる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるＧＲＩＮ−５ＣＨ半
導体レーザ素子を示す断面図、第２図及び第８図はそれ
ぞれその屈折率及びエネルギーレベルを示す図、第４図
は従来のＧＲＩＮ−５ＣＨ半導体レーザ素子を示す断面
図、第５図及び第６図はそれぞれその屈折率及びエネル
ギーレベルを示す図である。 （１）、（９）・・・電極、（３１・・・Ｎ型クラッド
層、（５）・・・活性層、（７）・・・Ｐ型りラッド層
、（ＩＱ 、αη・・・第１、第２光とじ込め層。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
導体レーザ素子を示す断面図、第２図及び第８図はそれ
ぞれその屈折率及びエネルギーレベルを示す図、第４図
は従来のＧＲＩＮ−５ＣＨ半導体レーザ素子を示す断面
図、第５図及び第６図はそれぞれその屈折率及びエネル
ギーレベルを示す図である。 （１）、（９）・・・電極、（３１・・・Ｎ型クラッド
層、（５）・・・活性層、（７）・・・Ｐ型りラッド層
、（ＩＱ 、αη・・・第１、第２光とじ込め層。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）電極間に、Ｎ型クラツド層、このクラツド層に設
けた屈折率が傾斜している第１光とじ込め層、この光と
じ込め層に設けた活性層、この活性層に設けた屈折率が
傾斜している第２光とじ込め層、及びこの第２光とじ込
め層に設けたＰ型クラツド層を有する半導体レーザ素子
において、上記光とじ込め層を超格子層で形成したこと
を特徴とする半導体レーザ素子。 - （２）光とじ込め層は、クラツド層と実効的に同じエネ
ルギーレベルを有する超格子層で形成したことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ素子。 - （３）光とじ込め層は、実効的に傾斜したエネルギーレ
ベルを有する超格子層で形成したことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2541685A JPS61184895A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 半導体レ−ザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2541685A JPS61184895A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 半導体レ−ザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61184895A true JPS61184895A (ja) | 1986-08-18 |
Family
ID=12165337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2541685A Pending JPS61184895A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 半導体レ−ザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61184895A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4916708A (en) * | 1989-06-26 | 1990-04-10 | Eastman Kodak Company | Semiconductor light-emitting devices |
| FR2749447A1 (fr) * | 1996-06-04 | 1997-12-05 | France Telecom | Dispositif optique a guide de lumiere semi-conducteur, a faisceau emergent de faible divergence, application aux lasers de fabry-perot et a contre-reaction distribuee |
| JP2005011997A (ja) * | 2003-06-19 | 2005-01-13 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光レーザの検査装置、及び面発光レーザの検査方法 |
| US8556593B2 (en) | 2007-10-29 | 2013-10-15 | Sanyo Denki Co., Ltd. | Method of controlling counter-rotating axial-flow fan |
-
1985
- 1985-02-12 JP JP2541685A patent/JPS61184895A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4916708A (en) * | 1989-06-26 | 1990-04-10 | Eastman Kodak Company | Semiconductor light-emitting devices |
| FR2749447A1 (fr) * | 1996-06-04 | 1997-12-05 | France Telecom | Dispositif optique a guide de lumiere semi-conducteur, a faisceau emergent de faible divergence, application aux lasers de fabry-perot et a contre-reaction distribuee |
| EP0812042A1 (fr) * | 1996-06-04 | 1997-12-10 | France Telecom | Dispositif optique à guide de lumière semiconducteur, à faisceau émergent de faible divergence, application aux lasers de Fabry-Pérot et à contre-réaction distribuée |
| US6141363A (en) * | 1996-06-04 | 2000-10-31 | France Telecom | Optical semiconductor light guide device having a low divergence emergent beam, application to fabry-perot and distributed feedback lasers |
| JP2005011997A (ja) * | 2003-06-19 | 2005-01-13 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光レーザの検査装置、及び面発光レーザの検査方法 |
| US8556593B2 (en) | 2007-10-29 | 2013-10-15 | Sanyo Denki Co., Ltd. | Method of controlling counter-rotating axial-flow fan |
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