JPH03237753A - ハイブリッドｉｃ、その製造方法およびリードフレーム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、複数のハイブリッドＩＣ回路基板を所定間隔
を離して保持し一体化して多重積層構造としたハイブリ
ッドＩＣと、このハイブリッドＩＣの製造方法と、この
製造に用いるリードフレームとに関するものである。

（発明の背景） 従来のハイブリッドＩＣは一枚の回路基板を用いていた
。すなわちこの基板の一方または両面に回路パターンを
形成し、これにモノリシックＩＣチップ、チップコンデ
ンサ、ミニモールドトランジスタなどを固定してワイヤ
ボンディングやハンダを使って接続する一方、リード端
子を付けてから必要に応じて抵抗をレーザーで切込んで
トリミングし、パッケージングしていた。

このように従来のハイブリッドＩＣは一枚の基板を用い
ているため、部品数が多く回路が複雑な場合には基板面
積が大きくなり、パッケージ後のＩＣが大型化するとい
う問題があった。

（発明の目的） 本発明はこのような事情に鑑みなされたものであり、基
板に取付けるチップなどの部品数が増えて回路が複雑化
する場合に６小型化できるようにしたハイブリッドＩＣ
を提供することを第１の目的とする。

またこのハイブリッドＩＣの製造方法を提供することを
第２の目的とする。

さらにこの製造に用いるリードフレームを提供すること
を第３の目的とする。

（発明の構成） 本発明によればこの第１の目的は、複数のハイブリッド
ＩＣ回路基板と、これらの回路基板の縁を挟み各回路基
板を一定間隔離して保持するリードと、前記複数の回路
基板を封止するパッケージとを備え、前記回路基板を多
重に積層したことを特徴とするハイブリッドＩＣにより
達成される。

また第２の目的は、複数のハイブリッドＩＣ回路基板に
予め回路部品を取付けてハンダ付けする一方、リードフ
レームの各リードに所定間隔ごとに形成された複数のク
リップでこれら回路基板の縁のランドを挟持し、これら
回路基板をパッケージングした後各リードをリードフレ
ームから切離すことを特徴とするハイブリッドＩＣの製
造方法により達成される。

さらに第３の目的は、板状支持体と、これに−体に形成
されこれから平行に起立する複数のリードと、各リード
に所定間隔をちって形成された複数のクリップとを備え
、前記各クリップはハイブリッドＩＣ回路基板の縁を挟
んで回路基板を所定間隔離して保持可能にしたことを特
徴とするり一ドフレームにより達成される。

（実施例） 第１図は本発明の一実施例を一部破断して示す側面図、
第２図はそのＩＩ　＝　ＩＩ線断面図、第３図はそのリ
ードフレームの斜視図、第４図は製造過程におけるパッ
ケージング前の状態を示す斜視図、第５図はその製造工
程を示す図である。

これらの図で符号１Ｏ１ＩＯは回路基板であり、この回
路基板１０．１０には回路パターンや抵抗などがプリン
ト印刷、エツチングなどの公知の手法により形成される
（第５図のステップ１００）、この回路パターン上には
種々の部品１２が実装されている（ステップ１０２）。

例えばモノリシックＩＣ１２ａ　（第４図参照）は接着
により基板１０に固定された後、ワイヤボンディングに
より接続される。またコンデンサチップ、ミニモールド
トランジスタなどのチップ部品１２ｂは、例えばハンダ
ペーストやこれを接着剤を併用することにより仮止めし
た後、全体をホットプレートにより加熱することにより
ハンダ付けされる（リフロー法）。いずれにしても種々
の方法により基板１０上には部品が実装されてハイブリ
ッドＩＣ１４が形成される。

このようにして予め部品１２を実装した２つのハイブリ
ッドＩＣ１４，１４を用意しておき、これらを積層して
リードフレーム１６に取付ける（ステップ１０４）、こ
こにリードフレーム１６は、第１．３図に示すように、
板状支持体１８と、この板状支持体１８に一体に形成さ
れ平行に起立する複数のリード２０と、各リードに所定
間隔をもって形成されたクリップ２２とを有する。

全てのクリップ２２は、基板１０の縁を挟んで保持する
一方、全部または一部のクリップ２２は基板１０のラン
ド（電極）に接触している。そしてクリップ２２は適宜
の方法によってこのランドにハンダ付けされる０例えば
ランドに予めハンダ層を形成しておいたり、ハンダペー
ストを塗布しておき、ここを挟持するクリップ２２をレ
ーザ法やエアヒータ法などにより再加熱することにより
ハンダ付けすることが可能である（リフロー法）。

このようにして２枚の回路基板１０．１０を左右一対の
リードフレーム１６．１６に積層した状態で保持すれば
、第４図の状態となる。これを洗浄してフラックスなど
の不純物を除去しくステップ１０６）、パッケージング
を行う（ステップ１０８）。

パッケージングは、例えば全体を液状樹脂中に浸漬して
樹脂を付けた後引き上げて加熱硬化する浸漬法を用いて
樹脂封止のパッケージ２４（第１図）とすることができ
る、また型枠あるいは樹脂ケースや金属ケース内に第４
図のＩＣ１４およびリードフレーム１６を入れた液状樹
脂を注入し加熱硬化させる注型法を用いてちよい。さら
に樹脂封止に代えて、金属やセラミックのケース内に密
封する気密封止としてちよい。

このように種々の方法によりパッケージングが行われる
と、次にリードフレームをカットして製品が完成する（
ステップ１１０）。

なお第１図では一部のり−ド２０ａは、基板１０．１０
同志間の接続が断たれ、また一部のリード２０ｂはパッ
ケージ２４から外へ突出しないように切断されて、単に
周基板１０．１０の保持あるいは周基板１０．１０の電
気接続として用いられている。これらのリード２０ａ、
２０ｂはパッケージングの前に加工しておく必要がある
のは勿論である。

第６図はリードフレームの他の実施例を示す斜視図であ
る。このリードフレーム１６Ａはリード２ＯＡに設けた
クリップ２２Ａの構造が前記第１〜３図のちのと異なる
。

第７図はさらにリードフレームの他の実施例を示す斜視
図である。このリードフレーム１６Ｂは、枠型の板状支
持体１８Ｂに基板１０の対向する２片を挟むリード２０
Ｂが一体に形成されている。従ってこのリードフレーム
１６Ｂはその板状支持体１８Ｂを矢印方向に折るように
湾曲させて対向するリード２０Ｂのクリップ２２Ｂを互
いに離隔させ、一定間隔に保持した２枚の基板に各クツ
ツブ２２Ｂを位置合せしつつ支持体１８Ｂを元に戻し各
クリップ２２Ｂを２枚の基板１０．１０に嵌め込めばよ
い。

以上の各実施例は２枚の基板１０、ｌＯを積層するが、
本発明は３層以上に積層したものも包含する。

（発明の効果） 以上のように請求項（１）に記載した発明によれば、基
板を積層して多重積層構造としたバイブＪツドＩＣが得
られるから、基板面積を小さくして全体の小型化が図れ
る。

また請求項（３）に記載した発明によれば、この多重積
層構造のハイブリッドＩＣの製造方法が得られる。

さらに請求項（５）に記載した発明によれば、このハイ
ブリッドＩＣの製造に用いるリードフレームが得られる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を一部破断して示す側面図、
第２図はそのＩＩ　−ＩＩ線断面図、第３図はそのリー
ドフレームの斜視図、第４図は製造過程におけるパッケ
ージング前の状態を示す斜視図、第５図はその製造工程
を示す図である。また第６．７図はそれぞれリードフレ
ームの他の実施例を示す斜視図である。 １０・・・回路基板、１２・・・実装部品、１４・・・
ハイブリッドＩＣ１ １６，１６Ａ、１６Ｂ・・・リードフレーム、１８．１
８Ａ、１８Ｂ・・・板状支持体、２０．２ＯＡ、２０Ｂ
・・・リード、 ２２．２２Ａ、２２Ｂ・・・クリップ、２４・・・パッ
ケージ。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）複数のハイブリッドＩＣ回路基板と、これらの回
   路基板の縁を挟み各回路基板を一定間隔離して保持する
   リードと、前記複数の回路基板を封止するパッケージと
   を備え、前記回路基板を多重に積層したことを特徴とす
   るハイブリッドＩＣ。
2. （２）前記リードには所定間隔離隔したクリップが形成
   され、前記各回路基板はこれらのクリップに挟持されて
   いる請求項１に記載のハイブリッドＩＣ。
3. （３）複数のハイブリッドＩＣ回路基板に予め回路部品
   を取付けてハンダ付けする一方、リードフレームの各リ
   ードに所定間隔ごとに形成された複数のクリップでこれ
   ら回路基板の縁のランドを挟持し、これら回路基板をパ
   ッケージングした後各リードをリードフレームから切離
   すことを特徴とするハイブリッドＩＣの製造方法。
4. （４）パッケージングは樹脂封止法で行われる請求項３
   のハイブリッドＩＣの製造方法。
5. （５）板状支持体と、これに一体に形成されこれから平
   行に起立する複数のリードと、各リードに所定間隔をも
   って形成された複数のクリップとを備え、前記各クリッ
   プはハイブリッドＩＣ回路基板の縁を挟んで回路基板を
   所定間隔離して保持可能にしたことを特徴とするリード
   フレーム。