JPH03233334A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JPH03233334A JPH03233334A JP2030139A JP3013990A JPH03233334A JP H03233334 A JPH03233334 A JP H03233334A JP 2030139 A JP2030139 A JP 2030139A JP 3013990 A JP3013990 A JP 3013990A JP H03233334 A JPH03233334 A JP H03233334A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 68
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0061—Electrical connection means
- G01L19/0084—Electrical connection means to the outside of the housing
-
- G—PHYSICS
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- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/147—Details about the mounting of the sensor to support or covering means
-
- G—PHYSICS
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- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P1/00—Details of instruments
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-
- G—PHYSICS
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- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体圧力センサに関し、特に温度補償及び圧
力感度校正などの機能を有する半導体圧力センサに関す
る。
力感度校正などの機能を有する半導体圧力センサに関す
る。
従来、この種の半導体圧力センサは温度補償及び圧力感
度校正などの回路を形成した絶縁基板上にセンサチップ
がマウントされている。
度校正などの回路を形成した絶縁基板上にセンサチップ
がマウントされている。
第３図はかかる従来の一例を示す半導体圧力センサの構
造断面図である。
造断面図である。
第３図に示すように、従来の半導体圧力センサは温度補
償及び圧力感度校正などの回路と圧力導入穴３１ｄを形
成した絶縁基板３１の第２の面３１ｃ側に且つ圧力導入
穴３１ｄ上に、センサチップ３４がマウント側３９によ
り気密接着されている。このセンサチップ３４と絶縁基
板３１の回路とは、Ａｕ線等のボンディングワイヤ３５
により接続され、しかも絶縁基板３１は外部との入出力
のために必要な端子３６が接続されている。更に、この
絶縁基板３１の第２面３１ｃには、大気開放式３７ａを
形成したチップカバー３７が接着剤３３により接合され
ている。一方、この絶縁基板３１の第１の面３１ｂには
圧力導入用ボート３８ａを形成したボートカバー３８が
接着剤３３により気密接合されている。
償及び圧力感度校正などの回路と圧力導入穴３１ｄを形
成した絶縁基板３１の第２の面３１ｃ側に且つ圧力導入
穴３１ｄ上に、センサチップ３４がマウント側３９によ
り気密接着されている。このセンサチップ３４と絶縁基
板３１の回路とは、Ａｕ線等のボンディングワイヤ３５
により接続され、しかも絶縁基板３１は外部との入出力
のために必要な端子３６が接続されている。更に、この
絶縁基板３１の第２面３１ｃには、大気開放式３７ａを
形成したチップカバー３７が接着剤３３により接合され
ている。一方、この絶縁基板３１の第１の面３１ｂには
圧力導入用ボート３８ａを形成したボートカバー３８が
接着剤３３により気密接合されている。
上述した従来の半導体圧力センサは、絶縁基板に直接セ
ンサチップをマウントする構造となっている。従って、
ワイヤーボンディングの高さは、センサチップ側の方が
センサチップの厚さ分高くなり、ワイヤーボンディング
の距離が長くなるという欠点がある。その上、絶縁基板
とセンサチップとの熱膨張差によってセンサチップの熱
歪みを生じるという欠点がある。
ンサチップをマウントする構造となっている。従って、
ワイヤーボンディングの高さは、センサチップ側の方が
センサチップの厚さ分高くなり、ワイヤーボンディング
の距離が長くなるという欠点がある。その上、絶縁基板
とセンサチップとの熱膨張差によってセンサチップの熱
歪みを生じるという欠点がある。
本発明の目的は、かかるワイヤボンディングの距離を短
縮しセンサを小型化するとともに、センサチップと絶縁
基板との熱膨張差によって生ずる熱歪を低減することの
できる半導体圧力センサを提供することにある。
縮しセンサを小型化するとともに、センサチップと絶縁
基板との熱膨張差によって生ずる熱歪を低減することの
できる半導体圧力センサを提供することにある。
本発明の半導体圧力センサは、温度補償及び圧力感度校
正などの回路とセンサチップよりも大きな貫通領域を形
成した絶縁基板の第１の面に前記貫通領域を覆う形状を
有し、且つ前記絶縁基板とは異種の第２の基板を接合さ
せ、前記絶縁基板の第２の面より前記貫通領域を通して
前記第２の基板にセンサチップをマウントして構成され
る。
正などの回路とセンサチップよりも大きな貫通領域を形
成した絶縁基板の第１の面に前記貫通領域を覆う形状を
有し、且つ前記絶縁基板とは異種の第２の基板を接合さ
せ、前記絶縁基板の第２の面より前記貫通領域を通して
前記第２の基板にセンサチップをマウントして構成され
る。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第一の実施例を示す半導体圧力センサ
の構造断面図である。
の構造断面図である。
第１図に示すように、本実施例は温度補償及び圧力感度
校正などの回路およびセンサチップ４よりも大きな貫通
領域１ａを形成した絶縁基板１の第１の面１ｂに貫通領
域１ａを覆う形状を有し且つ絶縁基板１とは異種の第２
の基板２を接合させ、絶縁基板１の第２の面より貫通領
域１ａを通して第２の基板２にセンサチップ４をマウン
トして構成される。
校正などの回路およびセンサチップ４よりも大きな貫通
領域１ａを形成した絶縁基板１の第１の面１ｂに貫通領
域１ａを覆う形状を有し且つ絶縁基板１とは異種の第２
の基板２を接合させ、絶縁基板１の第２の面より貫通領
域１ａを通して第２の基板２にセンサチップ４をマウン
トして構成される。
すなわち、温度補償及び圧力感度校正などの回路および
センサチップ４よりも大きな貫通領域１ａを有する絶縁
基板１の第１の面１ｂには貫通領域１ａを覆い且つ圧力
導入穴２ａを形成するとともに絶縁基板１とは異種の基
板、例えばシリコン製の第２の基板２を接着剤３により
接合している。この絶縁基板１の第２の面ＩＣより貫通
領域１ａを通して第２の基板２のチップ搭載部２ｂにセ
ンサチップ４をマウント剤９により気密接着する。これ
らセンサチップ４と絶縁基板１の回路とは、ＡＵ線等の
ボンディングワイヤ５により接続されている。また、絶
縁基板１には外部との入出力接続のために必要な端子６
が接続される。さらに、絶縁基板１の第２の面２Ｃには
、大気開放穴７ａを形成したチップカバー７が接着剤３
により接合され、更に第２の基板２のチップ搭載部２ｂ
の対面２Ｃには、圧力導入用ボート８ａを形成したボー
トカバー８が接着剤３により気密接合される。
センサチップ４よりも大きな貫通領域１ａを有する絶縁
基板１の第１の面１ｂには貫通領域１ａを覆い且つ圧力
導入穴２ａを形成するとともに絶縁基板１とは異種の基
板、例えばシリコン製の第２の基板２を接着剤３により
接合している。この絶縁基板１の第２の面ＩＣより貫通
領域１ａを通して第２の基板２のチップ搭載部２ｂにセ
ンサチップ４をマウント剤９により気密接着する。これ
らセンサチップ４と絶縁基板１の回路とは、ＡＵ線等の
ボンディングワイヤ５により接続されている。また、絶
縁基板１には外部との入出力接続のために必要な端子６
が接続される。さらに、絶縁基板１の第２の面２Ｃには
、大気開放穴７ａを形成したチップカバー７が接着剤３
により接合され、更に第２の基板２のチップ搭載部２ｂ
の対面２Ｃには、圧力導入用ボート８ａを形成したボー
トカバー８が接着剤３により気密接合される。
かかる構成の半導体圧力センサとすることにより、絶縁
基板１とセンサチップ４の高低差を無くすことができる
ので、ボンディングワイヤ５を短縮でき、またセンサチ
ップ４が搭載される第２の基板２の材質をセンサチップ
４の材質に近く選択することができるので、熱膨張差に
よって生じる熱歪をも低減することができる。
基板１とセンサチップ４の高低差を無くすことができる
ので、ボンディングワイヤ５を短縮でき、またセンサチ
ップ４が搭載される第２の基板２の材質をセンサチップ
４の材質に近く選択することができるので、熱膨張差に
よって生じる熱歪をも低減することができる。
第２図は本発明の第二の実施例を示す半導体圧力センサ
の構造断面図である。
の構造断面図である。
第２図に示すように、本実施例は前述した第１の実施例
と同様に温度補償及び圧力感度校正などの回路およびセ
ンサチップ２４より大きな貫通領域２１ａを形成した絶
縁基板２１の第１の面２１ｂには、貫通領域２１ａを覆
い且つ圧力導入穴２２ａを形成するとともに、絶縁基板
２１とは異種の基板、例えばシリコン製の第２の基板２
２を接着剤２３により接合している。また、絶縁基板２
１の第２の面２１ｃより貫通領域２１ａを通して第２の
基板２２のチップ搭載部２２ｂにセンサチップ２４がマ
ウント剤２９により気密接着され、センサチップ２４と
絶縁基板２１の回路とは、Ａｕ線等のボンディングワイ
ヤ２５により接続され、しかも絶縁基板２１には外部と
の入出力接続に必要な端子２６を接続することも同様で
ある。
と同様に温度補償及び圧力感度校正などの回路およびセ
ンサチップ２４より大きな貫通領域２１ａを形成した絶
縁基板２１の第１の面２１ｂには、貫通領域２１ａを覆
い且つ圧力導入穴２２ａを形成するとともに、絶縁基板
２１とは異種の基板、例えばシリコン製の第２の基板２
２を接着剤２３により接合している。また、絶縁基板２
１の第２の面２１ｃより貫通領域２１ａを通して第２の
基板２２のチップ搭載部２２ｂにセンサチップ２４がマ
ウント剤２９により気密接着され、センサチップ２４と
絶縁基板２１の回路とは、Ａｕ線等のボンディングワイ
ヤ２５により接続され、しかも絶縁基板２１には外部と
の入出力接続に必要な端子２６を接続することも同様で
ある。
かかる第二の実施例においては、第２の基板２２のチッ
プ搭載部２２ｂの対面２２ｃに、センサチップ２４のダ
イアフラム部２４ａに間接的に圧力を加えるためのゲル
シリコーン２１０を充填するに必要なゲルケース２１１
を接着剤２３により気密接合する。このゲルケース２１
１は圧力媒体を導入するに必要な導入路２１２ａを形式
したハウジング２１２が接着剤２３により接合されてい
る。さらに、このハウジング２１２には大気開放穴２１
３ａを形式したハウジングキャップ２１３が接着剤２３
により接合されている。
プ搭載部２２ｂの対面２２ｃに、センサチップ２４のダ
イアフラム部２４ａに間接的に圧力を加えるためのゲル
シリコーン２１０を充填するに必要なゲルケース２１１
を接着剤２３により気密接合する。このゲルケース２１
１は圧力媒体を導入するに必要な導入路２１２ａを形式
したハウジング２１２が接着剤２３により接合されてい
る。さらに、このハウジング２１２には大気開放穴２１
３ａを形式したハウジングキャップ２１３が接着剤２３
により接合されている。
かかる構成の半導体圧力センサにおいても、前述した第
一の実施例と同様にボンディングワイヤ５の短縮および
熱膨張差による熱歪の発生を防止することができる。
一の実施例と同様にボンディングワイヤ５の短縮および
熱膨張差による熱歪の発生を防止することができる。
以上説明したように、本発明の半導体圧力センサは、温
度補償及び圧力感度校正などの回路及びセンサチップよ
りも大きな貫通領域を形式した絶縁基板の第１の面に、
前記貫通領域を覆う形状を形式するとともに絶縁基板と
は異種の第２の基板を接合させ、前記絶縁基板の第２の
面より前記貫通領域を通して前記第２の基板にセンサチ
ップをマウントすることにより、絶縁基板の厚さとセン
サチップの厚さを調整できるので、ボンディングワイヤ
の距離を短縮できるという効果がある。これは絶縁基板
を小さくすることになり、センサ自体も小型化できると
いう効果がある。また、本発明はセンサチップがマウン
トされる部分の材質を選択することが可能になるので、
熱膨張差によって生じる熱歪を低減することができると
いう効果もある。
度補償及び圧力感度校正などの回路及びセンサチップよ
りも大きな貫通領域を形式した絶縁基板の第１の面に、
前記貫通領域を覆う形状を形式するとともに絶縁基板と
は異種の第２の基板を接合させ、前記絶縁基板の第２の
面より前記貫通領域を通して前記第２の基板にセンサチ
ップをマウントすることにより、絶縁基板の厚さとセン
サチップの厚さを調整できるので、ボンディングワイヤ
の距離を短縮できるという効果がある。これは絶縁基板
を小さくすることになり、センサ自体も小型化できると
いう効果がある。また、本発明はセンサチップがマウン
トされる部分の材質を選択することが可能になるので、
熱膨張差によって生じる熱歪を低減することができると
いう効果もある。
第１図は本発明の第一の実施例を示す半導体圧力センサ
の構造断面図、第２図は本発明の第二の実施例を示す半
導体圧力センサの構造断面図、第３図は従来の一例を示
す半導体圧力センサの構造断面図である。 １．２１．３１・・・絶縁基板、２．２２・・・第２の
基板、３，２３．３３・・・接着剤、４，２４．３４・
・・センサチップ、５．２５．３５・・・Ａｕ線、６゜
２６．３６・・・端子、７，３７・・・チップカバー、
８．３８・・・ボートカバー、９，２９．３９・・・マ
ウント剤、２１０・・・ゲルシリコーン、２１１・・・
ゲルケース、２１２・・・ハウジング、２１３・・・ハ
ウジングキャップ。
の構造断面図、第２図は本発明の第二の実施例を示す半
導体圧力センサの構造断面図、第３図は従来の一例を示
す半導体圧力センサの構造断面図である。 １．２１．３１・・・絶縁基板、２．２２・・・第２の
基板、３，２３．３３・・・接着剤、４，２４．３４・
・・センサチップ、５．２５．３５・・・Ａｕ線、６゜
２６．３６・・・端子、７，３７・・・チップカバー、
８．３８・・・ボートカバー、９，２９．３９・・・マ
ウント剤、２１０・・・ゲルシリコーン、２１１・・・
ゲルケース、２１２・・・ハウジング、２１３・・・ハ
ウジングキャップ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、温度補償及び圧力感度校正などの回路とセンサチッ
プよりも大きな貫通領域を形成した絶縁基板の第１の面
に前記貫通領域を覆う形状を有し、且つ前記絶縁基板と
は異種の第２の基板を接合させ、前記絶縁基板の第２の
面より前記貫通領域を通して前記第２の基板にセンサチ
ップをマウントしたことを特徴とする半導体圧力センサ
。 ２、請求項１記載の半導体圧力センサにおいて、センサ
チップの下部や第２の基板の圧力導入穴およびそれに続
くケース内部にゲルシリコーンを充填することを特徴と
する半導体圧力センサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2030139A JPH03233334A (ja) | 1990-02-08 | 1990-02-08 | 半導体圧力センサ |
| US07/652,824 US5193394A (en) | 1990-02-08 | 1991-02-08 | Transducing device for accurately transducing a physical quantity into an electric signal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2030139A JPH03233334A (ja) | 1990-02-08 | 1990-02-08 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03233334A true JPH03233334A (ja) | 1991-10-17 |
Family
ID=12295435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2030139A Pending JPH03233334A (ja) | 1990-02-08 | 1990-02-08 | 半導体圧力センサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5193394A (ja) |
| JP (1) | JPH03233334A (ja) |
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| JP2007003449A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Denso Corp | 圧力センサ |
| JP2010256187A (ja) * | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 圧力センサ |
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| DE19644830C1 (de) * | 1996-10-29 | 1998-02-19 | Daimler Benz Ag | Membran-Drucksensorchip |
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| TWI325958B (en) * | 2007-04-26 | 2010-06-11 | Ind Tech Res Inst | Inertial sensor and producing method thereof |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5112437B2 (ja) * | 1971-10-01 | 1976-04-19 | ||
| JPS5524423A (en) * | 1978-08-10 | 1980-02-21 | Nissan Motor Co Ltd | Semiconductor pressure sensor |
| JPS59217375A (ja) * | 1983-05-26 | 1984-12-07 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 半導体機械−電気変換装置 |
| US4576181A (en) * | 1984-05-09 | 1986-03-18 | Utah Medical Products | Disposable pressure transducer apparatus for medical use |
| JPS62226029A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-05 | Tokyo Electric Co Ltd | ロ−ドセルの温度補正方法 |
-
1990
- 1990-02-08 JP JP2030139A patent/JPH03233334A/ja active Pending
-
1991
- 1991-02-08 US US07/652,824 patent/US5193394A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5193394A (en) | 1993-03-16 |
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| JPH0119528B2 (ja) | ||
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