JP4164676B2 - 力学量センサ素子構造及びその製造方法 - Google Patents
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Description
2 受圧面側絶縁体
3 感圧体
3a 露出部
4 支持側絶縁体
5 金属端子
6 ワイヤボンディング
10 セラミックスケース
11 ターミナル
12 回路チップ
20 締結部品
100 センサ装置
Claims (16)
- 印加された力学量に基づいて電気信号を変化させて出力する検出部と絶縁体とが密着して形成された構造を有する力学量センサ素子構造であって、
前記絶縁体と前記検出部とは力学量印加方向に積層されてなるとともに、前記検出部は、前記絶縁体との密着面側の主表面の外縁部に、該絶縁体に覆われない露出した電気接続面を有し、
前記外縁部に形成された前記電気接続面は、前記密着面に対し所定の角度で傾斜し、かつ前記密着面側に対して露出していることを特徴と力学量センサ素子構造。 - 前記電気接続面は、少なくとも2以上形成されていることを特徴とする請求項1に記載の力学量センサ素子構造。
- 前記電気接続面は、前記検出部の前記主表面において、対称性を有するように配されてなることを特徴とする請求項1または2に記載の力学量センサ素子構造。
- 前記検出部の前記絶縁体側の主表面は四角形形状をなすとともに、該主表面には、その頂点部が三角形形状をなして露出するように、前記絶縁体の八角形形状の主表面が密着して形成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の力学量センサ素子構造。
- 前記電気接続面には、前記検出部と電気的接続を行うための端子が少なくとも2以上形成されてなることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の力学量センサ素子構造。
- 前記検出部は、セラミックスと圧力抵抗効果を有する材料とを主材料としてなるものであり、前記絶縁体は、セラミックスを主材料としてなるものであることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の力学量センサ素子構造。
- 前記セラミックスは、ジルコニアであることを特徴とする請求項6に記載の力学量センサ素子構造。
- 前記圧力抵抗効果を有する材料は、La1−xSrxMnO3(0≦x≦1)であることを特徴とする請求項6または7に記載の力学量センサ素子構造。
- 前記検出部は、印加された圧力に基づいてオーム抵抗が変化するものであり、該オーム抵抗の変化によって荷重検出を可能とすることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか1項に記載の力学量センサ素子構造。
- 前記検出部は、前記力学量印加方向における前記力学量の印加側に前記絶縁部を密着して有する一方で、当該絶縁部とは逆側が、密着する前記検出部及び前記絶縁部を有した力学量センサ素子を支持し、かつ前記電気接続面と電気的に接続される回路チップが搭載される支持部が設けられる側とされている請求項1ないし請求項9のいずれか1項に記載の力学量センサ素子構造。
- 請求項1ないし10のいずれか1項に記載の力学量センサ素子構造の製造方法であって、
前記絶縁体と前記検出部とが力学量印加方向に積層されてなる積層体を形成し、該積層体を形成した後に、前記検出部の前記電気接続面を露出させるために前記絶縁体の所定部分を除去することを特徴とする力学量センサ素子構造の製造方法。 - 請求項1ないし10のいずれか1項に記載の力学量センサ素子構造の製造方法であって、
前記検出部の前記電気接続面を露出させるために予め所定部分が除去された前記絶縁体と前記検出部とが力学量印加方向に積層されてなる積層体を形成することを特徴とする力学量センサ素子構造の製造方法。 - 請求項1ないし10のいずれか1項に記載の力学量センサ素子構造の製造方法であって、
前記検出部の前記電気接続面を露出させるために予め所定部分に枠体を配した前記絶縁体と前記検出部とが力学量印加方向に積層されてなる積層体を形成し、該積層体を形成した後に、前記枠体を除去することを特徴とする力学量センサ素子構造の製造方法。 - 前記積層体は、前記絶縁体と前記検出部とを積層する際に、接着剤を介して接合しつつ積層することを特徴とする請求項11ないし13のいずれか1項に記載の力学量センサ素子構造の製造方法。
- 前記積層体は、前記絶縁体と前記検出部とを積層する際に、熱圧着により接合して形成することを特徴とする請求項11ないし13のいずれか1項に記載の力学量センサ素子構造の製造方法。
- 前記積層体は、前記絶縁体と前記検出部とを同時に加圧焼結して形成することを特徴とする請求項11ないし13のいずれか1項に記載の力学量センサ素子構造の製造方法。
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