JPH03232873A

JPH03232873A - 光学活性シス―４―ヒドロキシ―３―置換テトラヒドロフラン誘導体およびその製造方法

Info

Publication number: JPH03232873A
Application number: JP2831190A
Authority: JP
Inventors: Yuuki Takuma; 詫摩　勇樹
Original assignee: Mitsubishi Kasei Corp
Current assignee: Mitsubishi Kasei Corp
Priority date: 1990-02-09
Filing date: 1990-02-09
Publication date: 1991-10-16

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、液晶の原料、医薬および農薬等の中間体とし
て利用が期待される新規な光学活性シス−４−ヒドロキ
シ−３−置換テトラヒドロフラン誘導体及びその製造方
法に関する。

〔従来の技術〕

従来より、光学活性な化合物を得る方法は種々知られて
おり、例えばラセミ体の光学分割法、不斉合成法、生化
学的方法、キラルなカラムによる直接分離法等が知られ
ている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、光学活性シス−４−ヒドロキシ−３−置
換テトラヒドロフラン誘導体に関しては、従来公知の方
法によって得ようとする試みは、いずれも成功しなかっ
た。例えば、シス−３，４−ジヒドロキシテトラヒドロ
フランのジアセテート或いはジベンゾエート誘導体を酵
素によって部分加水分解する方法では、目的とする光学
活性化合物は得られない。また、シス−４−ヒドロキシ
−３−置換テトラヒドロフラン誘導体のラセミ体の直接
分割による方法でも目的の光学活性化合物は得られない
。

そこで、本発明者は、従来の技術における上記のような
問題点を解決するべく鋭意検討した結果、特定の化合物
を利用することにより、従来の技術における上記の問題
点が解消され、光学活性な新規な化合物が容易に得られ
ることを見出たし、本発明を完成するに至った。

したがって、本発明の目的は、新規な光学活性シス−４
−ヒドロキシ−３−置換テトラヒドロフラン誘導体及び
その製造方法を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の、光学活性シス−４−ヒドロキシ−３−置換テ
トラヒドロフラン誘導体は、下記の構造式（１）（式中、Ｒは、アリール基で置換されていてもよい炭素
数１〜１０個のアルキル基、又は置換もしくは非置換の
アリール基を表し、＊はキラル中心を意味する。）で表される。

本発明の上記構造式（Ｉ）で表される光学活性シス−４
−ヒドロキシ−３−置換テトラヒドロフラン誘導体は、
シス−４−ヒドロキシ−３−置換テトラヒドロフラン誘
導体のラセミ体に、光学活性カルボン酸クロライドを反
応させ、シス−４−アシロキシ３−置換テトラヒドロフ
ラン誘導体のジアステレオマー混合物を合成した後、該
ジアステレオマ混合物から各ジアステレオマーを単離し
、加水分解することにより、容易に製造することができ
る。

以下、本発明の詳細な説明する本発明で用いるシス−４−ヒドロキシ−３−置換テトラ
ヒドロフラン誘導体のラセミ体は、下記の構造式（ｎ）
及び（ｍ）で表されるものより構成される。

（ｎ）　　　　　　　　　　　（ＩＩＩ）（式中、Ｒは
、アリール基で置換されていてもよい炭素数１〜１０個
のアルキル基、又は置換もしくは非置換のアリール基を
表す。）式中、Ｒで示される非置換のアルキル基としては、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、オクチル基、
デシル基等の炭素数１〜１０個のアルキル基があげられ
、これらの基は、フェニル基、ナフチル基等のアリール
基で置換されていてもよい。また、Ｒとしては、フェニ
ル基、ナフチル基等のアリール基もあげられる。これら
の中では、特にベンジル基が好ましい。

本発明においては、まず、上記のシス−４−ヒドロキシ
−３−置換テトラヒドロフラン誘導体のラセミ体に、光
学活性カルボン酸クロライドを縮合反応させる。

使用する光学活性カルボン酸クロライドは、光学活性カ
ルボン酸を酸クロライド法により処理して得られるもの
であって、特に限定されるものではない。使用できる光
学活性カルボン酸クロライドの具体的としては、Ｒ−（
＋）−２−ブロモプロピオン酸、Ｒ−（−）−メトキシ
フェニル酢酸、（−）−メントキシフェニル酢酸、（＋
）−２−フェニルブタン酸、Ｓ−（＋）−２−メチルブ
タン酸及びこれらの置換体等をあげることかできるが、
特に、α−メトキシ−α（トリフルオロメチル）フェニ
ル酢酸等を用いるのが好ましい。

光学活性カルボン酸クロライドを製造するための酸クロ
ライド法は、公知の方法に基づき実施されるが、例えば
、不活性溶媒中で酸クロライド化剤を作用することによ
り行うことができる。使用可能な酸クロライド化剤とし
ては、塩化チオニル、塩化ホスホリル、ホスゲン等があ
げられる。

本発明におけるこれらの光学活性カルボン酸クロライド
と上記ラセミ体との縮合反応は、シス−４−ヒドロキシ
−３−置換テトラヒドロフラン誘導体のラセミ体１モル
に対して、光学活性カルボン酸クロライド１〜２０モル
、好ましくは、１〜２モルを用い、反応温度０〜１００
℃、好ましくは、０〜５０℃で実施される。

縮合反応は、溶媒の存在下で行ってもよい。用いる溶媒
としては、ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル等
のエーテル類、テトラヒドロフラン等の環状エーテル類
等の極性溶媒、ベンゼン、トルエン等の非極性溶媒等が
あげられる。

また、縮合反応は、アミンの存在下で行うのが好ましい
。アミンとしては、トリエチルアミン、ピリジン等が用
いられ、それらを前記テトラヒドロフラン誘導体１モル
に対して１〜２０モル、好ましくは１〜２モルの範囲で
存在させればよい。

上記の縮合反応の結果、シス−４−アシロキシ３−置換
テトラヒドロフラン誘導体のジアステレオマー混合物が
形成される。

次いで、得られたジアステレオマー混合物から、各ジア
ステレオマーを単離するが、単離するための分離方法と
しては、“不斉反応の化学“（化学総説Ｎｏ、４，１９
７４　Ｐ２４０　）に記載されているように、ジアステ
レオマーの物理的性質の差を利用して分離する方法が採
用され、そして、再結晶による分離、シリカゲルクロマ
トグラフィーによる分離等の方法が適用できる。

次いで、得られたシス−４−アシロキシ−３−置換テト
ラヒドロフラン誘導体の各ジアステレオマーを加水分解
するが、この加水分解は常法により行われる。具体的に
は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ性
化合物を、得られたジアステレオマー１モルに対して１
〜２０モル、好ましくは、１〜５モルの範囲で使用する
。加水分解温度は通常０〜１００℃、好ましくは、０〜
５０℃である。

このようにして得られた本発明の光学活性シス−４−ヒ
ドロキシ−３−置換テトラヒドロフラン誘導体は、上記
の構造式（１）で表され、未だ得ることができなかった
新規な化合物であって、その具体例としては、次のもの
をあげることができる。

シス−（＋）−４−ヒドロキシ−３−ベンジロキシテト
ラヒドロフランシス〜（−）−４−ヒドロキシ−３−ベンジロキシテト
ラヒドロフランシス−（＋）−４−ヒドロキシ−３−メトキシテトラヒ
ドロフランシス−（−）−４−ヒドロキシ−３−メトキシテトラヒ
ドロフランシス−（＋）−４−ヒドロキシ−３−エトキシテトラヒ
ドロフランシス−（−）−４−ヒドロキシ−３−エトキシテトラヒ
ドロフランシス−（＋）−４−ヒドロキシ−８−ブトキシテトラヒ
ドロフランシス−（−）−４−ヒドロキシ−３−ブトキシテトラヒ
ドロフランシス−（＋）−４−ヒドロキシ−３−フェノキシテトラ
ヒドロフランシス−（−）−４−ヒドロキシ−３−フェノキシテトラ
ヒドロフランシス−（＋）−４−ヒドロキシ−３−ナフトキシテトラ
ヒドロフランシス−（−）−４−ヒドロキシ−３−ナフトキシテトラ
ヒドロフランこれらの化合物は光学活性を有しているため、液晶の原
料として、或いは医薬、農薬等の合成中間体等として利
用することができる。

〔実施例〕

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明はその要旨を越えないかぎり下記の実０施例に限定されるものではない。

６０％水素化ナトリウム２．３１ｇをヘキサンで洗浄し
、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド４０ｍ１に懸濁させた
。

Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド１０ｍ１に溶解したシス
−３，４−ジヒドロキシテトラヒドロフラン８．０ｇを
滴下し、室温で１時間撹拌した。

続いて、ベンジルクロライド４．５−を滴下し、室温で
６時間撹拌した。反応終了後、氷水１５ｍ、Ｑを加え、
酢酸エチルエステルで抽出した。（２０ｍ、１！ｘ３）
有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去し、減圧
蒸留によりシス−（±）−４−ヒドロキシ−３−ベンジ
ルオキシテトラヒドロフラン４．３８ｇ　（収率−５８
％）を得た。（沸点７１０５−１０６℃７０．２ｍｍｌ
１ｇ）シス−（±）−４−ヒドロキシ−８−ベンジロキ
シテトラヒドロフラン２１４ｎ＋ｇと、ピリジン０゛、
■−を１ＣＣ１４３ｍｌ’に加え、水冷下で、蒸留した。（＋）
−α−メトキシ−α−（トリフルオロメチル）フェニル
酢酸クロライド３３１ｍｇを滴下し、室温にて、２．５
時間撹拌した。

反応終了後、水５ｍＭを加え、エーテルで抽出した。（
２０＋ｎｆｘ２）有機層を希塩酸と飽和炭酸水素ナトリ
ウムで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。

溶媒を留去し目的物であるシス−（±）−４−（２−メ
トキシ−２−トリフルオロメチル−２−フェニル）アセ
チルオキシ−３−ベンジロキシテトラヒドロフランを得
た。

３）　ジアステレオマーの単離シス−（±）−４−（２−メトキシ−２−トリフルオロ
メチル−２−フェニル）アセチルオキシ−３−ベンジロ
キシテトラヒドロフラン１６０ｍｇをシリカゲル・カラ
ム（Ｐｒｅｐａｒａｔｉｖｅ　ＴＬＣ：展開溶媒：ベン
ゼン：アセトンー１００：１）で処理して、光学活性シ
ス−４−（２メトキシ−２−トリフルオロメチル−２−
フェニル）アセチルオキシ−８−ベンジロキシテトラヒ
ドロフランを単離した。シリカゲル・カラム上の、上層
２スポットは１１０　ｍｇ、下層スポットは４３．６ｍｇ
であった。

上層：　　〔α〕。＝＋１０．５　（ＣＯ，６７ＣＣｌ
４　）’ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ２　’）　　：　３．５５
（ｄ、３Ｈ）、３．７０（ｔ。

Ｊ　ＡＢ−９Ｈ２，ｌＨ）、３．８４（ｄｄ、Ｌｃ　ｒ
−３１ｉｚｊＡ−ｎ□−１ＩＨｚ、ＬＨ）、３．９８（
ｄｄ、　ＪＢＸ−７Ｈ２，ＪＢＡ−９Ｈ２゜ＬＨ）、　
４．０８（ｄｄ、、ＬＢ−ｘ・−５１１ｚ、Ｊ＋ｒｃ−
１１Ｈｚ。

ＩＨ）、　４．２８（ｎ＋、ＩＨ）、　４．５９（ｑ、
Ｊ−１３Ｈｚ、２Ｈ）。

５．５４（ｍ、ＩＨ）、　７．８１（ｍ、８Ｈ）、　７
．５９（ｄ、２Ｈ）下層：　　［α］　ｏ　＝　＋８４
．８　（ＣＯ，３４ＣＣｌ４　）’ＨＮＭＲ（ＣＤＣ１
３’）　　：　３．５１（ｄ、３Ｈ）　３．６６（ｔ。

ＪＡＢ−９Ｈ２，ＬＨ）　３．９６（ｄｄ、　Ｊｏｘ−
７Ｈｚ＋ＪＢＡ−９Ｈｚ、　ＬＨ）　、３．９４（ｄｄ
、　ＪＡ□　ｒ　−３１１ｚ、Ｊ、　ｓ□　−１１Ｈｚ
、ＬＨ）、　４．１４（ｄｄ、Ｊ　Ａ−Ｘ−−５Ｈ２，
ＪＲ−、−１１Ｈｚ、ＬＨ）、　４．２２（ｍ、ＩＨ）
、　４．５０（ｑ、Ｊ−１８Ｈｚ。

２）１）、　５．５１（ｍ、ＩＨ）、　７．３［１（ｍ
、８Ｈ）、　７．５７（ｄ。

２Ｈ）４）加水分解１）上層スポット由来の生成物：上層スポット由来の光学活性シス−４−（２−メトキ３シー２−トリフルオロメチル−２−フェニル）アセチル
オキシ−３−ベンジロキシテトラヒドロフラン１１０ｍ
ｇを、５％ＮａＯＨ水溶液：エタノールーｔｉｔ混合液
４＋ｄに加え、室温で３時間撹拌した。反応終了後、希
塩酸で中和し、溶媒を留去した。残渣に水を加え、濃塩
酸でｐＨ４に調整し、酢酸エチルエステルで抽出した。

さらに、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄
し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去したとこ
ろシス−（＋）−４−ヒドロキシ−８−ベンジロキシテ
トラヒドロフラン４８．４ｍｇが得られた。〔α）　ｎ
　＝　＋　７．２３　（Ｃ＝０゜３４　ＣＣｌ４　）　
、光学純度二６６％ｅｅ。

２）下層スポット由来の生成物：下層スポット由来の光学活性シス−４−（２−メトキシ
−２−トリフルオロメチル−２−フェニル）アセチルオ
キシ−３−ベンジロキシテトラヒドロフラン４３．６■
を、上記と同様の操作により処理して、シス−（−）−
４−ヒドロキシ−３−ベンジロキシテトラヒドロフラン
１５．１ｍｇを得た。　（α〕ｏ　＝−１３，２（Ｃ−
０，１５０Ｃ１４）　、光学純度：９０％ｅｅ０４このようにして得られたシス−（＋）−４−ヒドロキシ
−３−ベンジロキシテトラヒドロフラン及びシス（−）
−４−ヒドロキシ−３−ベンジロキシテトラヒドロフラ
ンのＮＭＲの結果は下記の通りである。

’ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ２　）　　：　２．７５（ｄ、２
Ｈ）、３．７５（ｄｄ、ＪＡｘ−４１１ｚ、ＪＡＢ−１
０１１ｚ、ＩＨ）、　３．７９（ｄｄ、ＪＡ−ｘ−５Ｈ
ｚ。

Ｊ　ｃ　ｎ□−９Ｈｚ、１Ｉ（）　、Ｌ８９（ｄｄ、Ｊ
Ｒ−ｘ・−８１１ｚ、Ｊｎ・ｈ。

−９Ｈｚ、ＩＨ）、　３．９１（ｄｄ、　ＪＢｘ−２１
１ｚ、ＪｎＡ−１０Ｈｚ）。

４．０６（Ｑ、ＬＨ）、　４．２５（ｍ、１ｌｌ）、　
４．６１（ｓ、２Ｈ）。

７．３５（ｍ、５Ｈ）〔発明の効果〕本発明の上記構造式（１）で表される光学活性シス−４
−ヒドロキシ−３−置換テトラヒドロフラン誘導体は、
新規な化合物であって、液晶の原料、医薬及び農薬の合
成中間体として利用が可能である。

また、本発明の方法によれば、従来公知の方法では得る
ことができなかった上記光学活性シス−４−ヒドロキシ
−３−置換テトラヒドロフラン誘導体を、容易に製造す
ることが可能である。

５

Claims

【特許請求の範囲】

（１）下記の構造式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ）（式中、Ｒは、アリール基で置換されていてもよい炭素
数１〜１０個のアルキル基、又は置換もしくは非置換の
アリール基を表し、＊はキラル中心を意味する。）で表される光学活性シス−４−ヒドロキシ−３−置換テ
トラヒドロフラン誘導体。
（２）シス−４−ヒドロキシ−３−置換テトラヒドロフ
ラン誘導体のラセミ体に、光学活性カルボン酸クロライ
ドを反応させ、シス−４−アシロキシ−３−置換テトラ
ヒドロフラン誘導体のジアステレオマー混合物を合成し
た後、該ジアステレオマー混合物から各ジアステレオマ
ーを単離し、加水分解することを特徴とする構造式（
I ）で表される光学活性シス−４−ヒドロキシ−３−置
換テトラヒドロフラン誘導体の製造方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ）（式中、Ｒは、アリール基で置換されていてもよい炭素
数１〜１０個のアルキル基、又は置換もしくは非置換の
アリール基を表し、＊はキラル中心を意味する。）