JPH0323227A - 薄膜の製造方法 - Google Patents
薄膜の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜の製造方法に関し、詳しくは通電などの複
雑な工程を経ることなく簡単な操作で、特定の化合物を
付着させた基板上に疎水性物質の薄膜を効率よく形成す
る方法に関する。
雑な工程を経ることなく簡単な操作で、特定の化合物を
付着させた基板上に疎水性物質の薄膜を効率よく形成す
る方法に関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題]従来、
疎水性物質の薄膜を製造する方法として、蒸着法,熱C
VD法.プラズマCVD法,キャスト法.スビンコート
法などが知られていた。しかし、蒸着法あるいはCVD
法では大規模な装置が必要であり生産性,経済性が低い
という欠点があった.また、キャスト法.スビンコート
法では、溶媒を使用するため処理.操作上に問題があっ
た。
疎水性物質の薄膜を製造する方法として、蒸着法,熱C
VD法.プラズマCVD法,キャスト法.スビンコート
法などが知られていた。しかし、蒸着法あるいはCVD
法では大規模な装置が必要であり生産性,経済性が低い
という欠点があった.また、キャスト法.スビンコート
法では、溶媒を使用するため処理.操作上に問題があっ
た。
また、近年、所謂ミセル電解法により、各種の疎水性物
質の薄膜を形成する方法が開発されている(特開昭63
−243298号公報.国際公開W088/0753B
,WO89/.0 1939).このミセル電解法はミ
セル化剤としてフェロセン誘導体を用いる優れた方法で
あるが、薄膜の形戒にあたって、通電処理が必要である
など薄膜製造工程がやや複雑であるという若干の問題が
ある.そこで本発明者らは、上記従来方法の問題点を解
消し、極めて簡易な操作で疎水性物質の¥ii膜を効率
よく製造することのできる方法を開発すべく鋭意研究を
重ねた。
質の薄膜を形成する方法が開発されている(特開昭63
−243298号公報.国際公開W088/0753B
,WO89/.0 1939).このミセル電解法はミ
セル化剤としてフェロセン誘導体を用いる優れた方法で
あるが、薄膜の形戒にあたって、通電処理が必要である
など薄膜製造工程がやや複雑であるという若干の問題が
ある.そこで本発明者らは、上記従来方法の問題点を解
消し、極めて簡易な操作で疎水性物質の¥ii膜を効率
よく製造することのできる方法を開発すべく鋭意研究を
重ねた。
その結果、疎水性物質を水性媒体中でフェロセン誘導体
よりなるごセル化剤にて可溶化あるいは分散させて得ら
れるミセル溶液あるいは分散液に、特定の物質を付着さ
せた基板を浸漬させることにより、極めて簡易に薄膜を
形威し得ることを見出した.本発明はかかる知見に基い
て完威したものである. すなわち、本発明は疎水性物質を水性媒体中でフエ口セ
ン誘導体よりなるミセル化剤にて可溶化あるいは分散さ
せて得られるミセル溶液あるいは分散液に、該フェロセ
ン誘導体の酸化電位より貴な金属化合物を付着させた基
板を浸漬することにより、該基板上に前記疎水性物質の
薄膜を形成することを特徴とする疎水性物質の薄膜の製
造方法を提供するものである。
よりなるごセル化剤にて可溶化あるいは分散させて得ら
れるミセル溶液あるいは分散液に、特定の物質を付着さ
せた基板を浸漬させることにより、極めて簡易に薄膜を
形威し得ることを見出した.本発明はかかる知見に基い
て完威したものである. すなわち、本発明は疎水性物質を水性媒体中でフエ口セ
ン誘導体よりなるミセル化剤にて可溶化あるいは分散さ
せて得られるミセル溶液あるいは分散液に、該フェロセ
ン誘導体の酸化電位より貴な金属化合物を付着させた基
板を浸漬することにより、該基板上に前記疎水性物質の
薄膜を形成することを特徴とする疎水性物質の薄膜の製
造方法を提供するものである。
本発明において使用される疎水性物質としては、調製す
べきミセル溶液や分散液あるいは形威すべき薄膜の用途
に応じて適宜選定すればよく、有機物質,無機物質を問
わず様々なものを挙げることができる.例えば有機物質
としては、フタ口シアニン,フタロシアニンの金属錯体
およびこれらの誘導体、ナフタロシアニン.ナフタロシ
アニンの金属錯体およびこれらの誘導体、ボルフィリン
,ボルフィリンの金属錯体およびこれらの誘導体、ベリ
レン,ベリレンの金属111体およびこれらの誘導体、
アゾ色素、キナクリドン,ビオロゲン,スーダンなどの
光メモリー用色素や有機色素をはじめ1,1゜−ジヘブ
チル−4,4゛−ビピリジニウムジブロマイド, 1
. 1’−ジドデシル−4,4′−ビピリジニウムジ
ブロマイドなどのエレクトロクロ呉ツク材料、6−ニト
ロ−1.3.3−トリメチルスピロー(2“H−1“−
ベンゾビラン−2.2′−インドリン)(通称スビロビ
ラン)などの感光材料(フォトクロミンク材料)や光セ
ンサー材料,p−アゾキシアニソールなどの液晶表示用
色素、更に「カラーケミカル事典」株式会社シーエムシ
ー,1988年3月28日発行の第542〜717頁に
列挙されているエレクトロニクス用色素,記録用色素,
環境クロミズム用色素.写真用色素.エネルギー用色素
,バイオメディカル用色素.食品・化粧用色素,染料,
fl料特殊着色用色素のうちの疎水性の化合物などかあ
げられる。また、7,7,8.8−テトラシアノキノジ
メタン(TCNQ)とテトラチアフルバレン(TTF)
との】:1錯体などの有機導電材料やガスセンサー材料
,ペンタエリスリトールジアクリレートなどの光硬化性
塗料,ステアリン酸などの絶縁材料,1−フェニルアゾ
−2−ナフトールなどのジアゾタイブの感光材料や塗料
等をあげることができる.さらには、水に不溶性のボリ
マ、例えばボリカーボネート,ボリスチレン,ポリエチ
レン,ポリプロピレン.ボリアミド,ポリフェニレンサ
ルファイド(PPSボリフエニレンオキサイド(PPO
),ポリアクリロニトリル(PAN)などの汎用ボリマ
ー、またポリフェニレン,ボリビロール.ポリアニリン
,ポリチオフエン,アセチルセルロース.ポリビニルア
セテート ボリビニルブチラールをはじめ、各種各様の
ボリマー(ポリビニルピリジンなど)あるいはコボリマ
ー(メタクリル酸メチルとメタクリル酸とのコボリマー
など)をあげることができる。
べきミセル溶液や分散液あるいは形威すべき薄膜の用途
に応じて適宜選定すればよく、有機物質,無機物質を問
わず様々なものを挙げることができる.例えば有機物質
としては、フタ口シアニン,フタロシアニンの金属錯体
およびこれらの誘導体、ナフタロシアニン.ナフタロシ
アニンの金属錯体およびこれらの誘導体、ボルフィリン
,ボルフィリンの金属錯体およびこれらの誘導体、ベリ
レン,ベリレンの金属111体およびこれらの誘導体、
アゾ色素、キナクリドン,ビオロゲン,スーダンなどの
光メモリー用色素や有機色素をはじめ1,1゜−ジヘブ
チル−4,4゛−ビピリジニウムジブロマイド, 1
. 1’−ジドデシル−4,4′−ビピリジニウムジ
ブロマイドなどのエレクトロクロ呉ツク材料、6−ニト
ロ−1.3.3−トリメチルスピロー(2“H−1“−
ベンゾビラン−2.2′−インドリン)(通称スビロビ
ラン)などの感光材料(フォトクロミンク材料)や光セ
ンサー材料,p−アゾキシアニソールなどの液晶表示用
色素、更に「カラーケミカル事典」株式会社シーエムシ
ー,1988年3月28日発行の第542〜717頁に
列挙されているエレクトロニクス用色素,記録用色素,
環境クロミズム用色素.写真用色素.エネルギー用色素
,バイオメディカル用色素.食品・化粧用色素,染料,
fl料特殊着色用色素のうちの疎水性の化合物などかあ
げられる。また、7,7,8.8−テトラシアノキノジ
メタン(TCNQ)とテトラチアフルバレン(TTF)
との】:1錯体などの有機導電材料やガスセンサー材料
,ペンタエリスリトールジアクリレートなどの光硬化性
塗料,ステアリン酸などの絶縁材料,1−フェニルアゾ
−2−ナフトールなどのジアゾタイブの感光材料や塗料
等をあげることができる.さらには、水に不溶性のボリ
マ、例えばボリカーボネート,ボリスチレン,ポリエチ
レン,ポリプロピレン.ボリアミド,ポリフェニレンサ
ルファイド(PPSボリフエニレンオキサイド(PPO
),ポリアクリロニトリル(PAN)などの汎用ボリマ
ー、またポリフェニレン,ボリビロール.ポリアニリン
,ポリチオフエン,アセチルセルロース.ポリビニルア
セテート ボリビニルブチラールをはじめ、各種各様の
ボリマー(ポリビニルピリジンなど)あるいはコボリマ
ー(メタクリル酸メチルとメタクリル酸とのコボリマー
など)をあげることができる。
また、無機物質としては、TiOz,C,CdS,WO
s.FezO:+tYzOs+ ZrOziAhOi+
Cub,ZnO,ZnS,TeOz,LiNbO1s
t31’44など、さらは各種の超電導酸化物など各種
各様のものがある。
s.FezO:+tYzOs+ ZrOziAhOi+
Cub,ZnO,ZnS,TeOz,LiNbO1s
t31’44など、さらは各種の超電導酸化物など各種
各様のものがある。
次に、本発明において、薄膜形成の際に用いる水性媒体
としては、水をはじめ、水とアルコールの混合液.水と
アセトンの混合液など様々な媒体をあげることができる
。
としては、水をはじめ、水とアルコールの混合液.水と
アセトンの混合液など様々な媒体をあげることができる
。
また、本発明ではミセル化剤としてフェロセン誘導体を
用いる。ここでフェロセン誘導体としては一般式 〔式中、R’及びR2はそれぞれ炭素数6以下のアルキ
ル基.炭素数6以下のアルコキシ基,アξノ基,ジメチ
ルアミノ基,水酸基,アセチルアミノ基,カルボキシル
基,メトキシ力ルポニル基,アセトキシ基.アルデヒド
基あるいはハロゲンを示し、R3は水素又は炭素数4〜
l8の直鎖あるいは分岐アルキル基又はアルケニル基を
示し、R4及びRSはそれぞれ水素又はメチル基を示す
.Yは酸素あるいはオキシカルボニル基を示し、aはO
〜4の整数.bはO〜4の整数.mは1〜18の整数,
nは2.0〜70.0の実数を示す.〕 で表わされるフエ口セン誘導体を代表的なものとしてあ
げることができる.ここで、一般式CI)中の各記号は
前述した通りである。つまり、国際公開W088/07
53B,W089/01939,特願昭63−2337
97号、その他に記載される如く、R1及びR!はそれ
ぞれ炭素数6以下のアルキル基(メチル基(CHi).
エチル基(C!Hs)等),アルコキシ基(メトキシ基
(OCH,),エトキシ基(QCヨHs)等).アミノ
基(NH!),ジメチルアミノ基 (N(CH3)!)
).水酸基(OH),アセチルアミノ基(NHCOCH
!).カルボキシル基(COOH).アセトキシ基(O
COCR3).メトキシカルボニル基(COOCH3)
, アルデヒド基(CHO)あるいはハロゲン(塩素,
臭素.フッ素,沃素等)を示す。R’及びRtは同一で
あっても異なってもよく、さらにR1及びR2がそれぞ
れ複数個フェロセンの五員環に存在した場合にも、複数
の置換基がそれぞれ同一であっても異なっていてもよい
。また R3は水素又は炭素数4〜18の直鎖あるいは
分岐アルキル基またはアルケニル基を示している. さらにYは酸素(−0−)又はオキシカルボニル基(−
C−0−)を示し、R4.Rsは水素又11 0 はメチル基(CH.)を示す。従って、−O(C Hz
c H!O),H, −C−0(CH,CH,O),H あるいは11 0 等である. またmは1〜l8の整数を示す。従って、環員炭素原子
と上記酸素又はオキシカルボニル基との間に、エチレン
基.プロピレン基等の炭素数1〜1日のアルキレン基が
介在したものとなる。さらにnは上記オキシエチレン基
などのオキシアルキレン基の繰り返し数を示すもので、
2.0〜70.0の整数のみならず、これらを含む実数
を意味し、オキシアルキレン基などの繰り返し数の平均
値を示すものである。
用いる。ここでフェロセン誘導体としては一般式 〔式中、R’及びR2はそれぞれ炭素数6以下のアルキ
ル基.炭素数6以下のアルコキシ基,アξノ基,ジメチ
ルアミノ基,水酸基,アセチルアミノ基,カルボキシル
基,メトキシ力ルポニル基,アセトキシ基.アルデヒド
基あるいはハロゲンを示し、R3は水素又は炭素数4〜
l8の直鎖あるいは分岐アルキル基又はアルケニル基を
示し、R4及びRSはそれぞれ水素又はメチル基を示す
.Yは酸素あるいはオキシカルボニル基を示し、aはO
〜4の整数.bはO〜4の整数.mは1〜18の整数,
nは2.0〜70.0の実数を示す.〕 で表わされるフエ口セン誘導体を代表的なものとしてあ
げることができる.ここで、一般式CI)中の各記号は
前述した通りである。つまり、国際公開W088/07
53B,W089/01939,特願昭63−2337
97号、その他に記載される如く、R1及びR!はそれ
ぞれ炭素数6以下のアルキル基(メチル基(CHi).
エチル基(C!Hs)等),アルコキシ基(メトキシ基
(OCH,),エトキシ基(QCヨHs)等).アミノ
基(NH!),ジメチルアミノ基 (N(CH3)!)
).水酸基(OH),アセチルアミノ基(NHCOCH
!).カルボキシル基(COOH).アセトキシ基(O
COCR3).メトキシカルボニル基(COOCH3)
, アルデヒド基(CHO)あるいはハロゲン(塩素,
臭素.フッ素,沃素等)を示す。R’及びRtは同一で
あっても異なってもよく、さらにR1及びR2がそれぞ
れ複数個フェロセンの五員環に存在した場合にも、複数
の置換基がそれぞれ同一であっても異なっていてもよい
。また R3は水素又は炭素数4〜18の直鎖あるいは
分岐アルキル基またはアルケニル基を示している. さらにYは酸素(−0−)又はオキシカルボニル基(−
C−0−)を示し、R4.Rsは水素又11 0 はメチル基(CH.)を示す。従って、−O(C Hz
c H!O),H, −C−0(CH,CH,O),H あるいは11 0 等である. またmは1〜l8の整数を示す。従って、環員炭素原子
と上記酸素又はオキシカルボニル基との間に、エチレン
基.プロピレン基等の炭素数1〜1日のアルキレン基が
介在したものとなる。さらにnは上記オキシエチレン基
などのオキシアルキレン基の繰り返し数を示すもので、
2.0〜70.0の整数のみならず、これらを含む実数
を意味し、オキシアルキレン基などの繰り返し数の平均
値を示すものである。
本発明の方法で用いるフェロセン誘導体は、上記一般式
(1)で表わされるもののほかに、様々なものがあり、
アンモニウムタイプ,ビリジンタイプ(国際公開W08
8/07538等)をはじめ、特願昭63−23379
7号明細書,同63−233798号明細書,同63−
248600号明細書,同63−248601号明細書
.特願平1−45370号明細書.同1−54956号
明細書.同1−70680号明細書.同170681号
明細書,同1−76498号明細書および同1−764
99号明細書に記載されたフエ口セン誘導体を挙げるこ
とができる。
(1)で表わされるもののほかに、様々なものがあり、
アンモニウムタイプ,ビリジンタイプ(国際公開W08
8/07538等)をはじめ、特願昭63−23379
7号明細書,同63−233798号明細書,同63−
248600号明細書,同63−248601号明細書
.特願平1−45370号明細書.同1−54956号
明細書.同1−70680号明細書.同170681号
明細書,同1−76498号明細書および同1−764
99号明細書に記載されたフエ口セン誘導体を挙げるこ
とができる。
これらのフエ口セン誘導体は極めて効率良く疎水性物質
を水性媒体に可溶化ないし分散し得るものである。
を水性媒体に可溶化ないし分散し得るものである。
本発明では、ミセル溶液あるいは分散液を調製するには
様々な方法があるが、具体的には水性媒体中に、前記一
般式〔I〕のフェロセン誘導体をはじめとする各種のフ
ェロセン誘導体(ミセル化剤)を濃度を臨界壽セル濃度
以上として、さらに疎水性物質を加えて液温20’C−
100’C程度にて超音波,ホモジナイザーあるいは撹
拌機等により充分に分散させてミセルを形威せしめれば
よい。
様々な方法があるが、具体的には水性媒体中に、前記一
般式〔I〕のフェロセン誘導体をはじめとする各種のフ
ェロセン誘導体(ミセル化剤)を濃度を臨界壽セル濃度
以上として、さらに疎水性物質を加えて液温20’C−
100’C程度にて超音波,ホモジナイザーあるいは撹
拌機等により充分に分散させてミセルを形威せしめれば
よい。
また、このようにして得た疎水性物質の可溶化液(2セ
ル溶液,分散液)から、その後必要に応して過剰の疎水
性物質を除去する。
ル溶液,分散液)から、その後必要に応して過剰の疎水
性物質を除去する。
このようにして得られる果セル溶液あるいは分散液に、
上記フェロセン誘導体の酸化電位より貴な金属化合物を
付着させた基板を浸漬することにより、上記疎水性物質
の薄膜を該基板上に形成することができる。ここで、基
板上に付着させる金属化合物としては、上記フェロセン
誘導体の酸化電位、すなわち+〇.1 5V − 0.
26V (対飽和甘コウ電極)より貴な酸化電位である
ものであればよく、特に制限なく種々の物質を使用する
ことができる。このような金属化合物の具体的としては
PbO*, MnOz, Bit’s, Cute,
WOz,ZnO,WO3 ,WzOs,CuzS,Hg
S,AgzSなどが挙げられ、またPb , Mn ,
Mg , Affi,Znなどの金属単体を酸化して
使用することもできる。
上記フェロセン誘導体の酸化電位より貴な金属化合物を
付着させた基板を浸漬することにより、上記疎水性物質
の薄膜を該基板上に形成することができる。ここで、基
板上に付着させる金属化合物としては、上記フェロセン
誘導体の酸化電位、すなわち+〇.1 5V − 0.
26V (対飽和甘コウ電極)より貴な酸化電位である
ものであればよく、特に制限なく種々の物質を使用する
ことができる。このような金属化合物の具体的としては
PbO*, MnOz, Bit’s, Cute,
WOz,ZnO,WO3 ,WzOs,CuzS,Hg
S,AgzSなどが挙げられ、またPb , Mn ,
Mg , Affi,Znなどの金属単体を酸化して
使用することもできる。
このような金属単体あるいは金属化合物を付着させる基
板としては、ガラス,高分子板などの絶縁材や金属板あ
るいは種々の導電体を使用することができる.例えは、
導電体基板としてはITO(酸化インジウムと酸化スズ
との混合酸化物),アルミニウム.鉛などが挙げられ、
また導電性金属酸化物,有機ボリマー導電体等種々のも
のを使用することができる。
板としては、ガラス,高分子板などの絶縁材や金属板あ
るいは種々の導電体を使用することができる.例えは、
導電体基板としてはITO(酸化インジウムと酸化スズ
との混合酸化物),アルミニウム.鉛などが挙げられ、
また導電性金属酸化物,有機ボリマー導電体等種々のも
のを使用することができる。
本発明において、上記の金属単体あるいは金属化合物を
上述の基板上に付着させる方法としては、特に制限なく
様々な方法で行うことができる。通常は、該金属単体あ
るいは金属化合物の薄膜を基板上に形成させる。金属単
体の場合は、薄膜形成後にスチーム中における高温空気
酸化処理や過酸化物による薬品処理等を施せばよい。こ
の際、基板上に所望のパターンで疎水性物質の薄膜を製
造したい場合には、該金属単体あるいは金属化合物の薄
膜を予め所定のパターンに形威しておけばよい.このよ
うに予め希望するパターンで金属単体あるいは金属化合
物の薄膜を基板上に付着させておけば、疎水性物質の薄
膜を複雑なパターンで形成することができる。
上述の基板上に付着させる方法としては、特に制限なく
様々な方法で行うことができる。通常は、該金属単体あ
るいは金属化合物の薄膜を基板上に形成させる。金属単
体の場合は、薄膜形成後にスチーム中における高温空気
酸化処理や過酸化物による薬品処理等を施せばよい。こ
の際、基板上に所望のパターンで疎水性物質の薄膜を製
造したい場合には、該金属単体あるいは金属化合物の薄
膜を予め所定のパターンに形威しておけばよい.このよ
うに予め希望するパターンで金属単体あるいは金属化合
物の薄膜を基板上に付着させておけば、疎水性物質の薄
膜を複雑なパターンで形成することができる。
前記金属単体あるいは金属化合物の薄膜を基板上に形戒
する方法としては、一II的に行われている方法、具体
的には電解法,キャスト法,蒸着法ディビング法,スビ
ンコート法,バーコート法,CVD法,無電解メッキ法
等が挙げられる。それぞれの方法において、金属や金属
化合物の種類.基板の種類などにより適宜条件を選択し
て薄膜を形成すればよい。
する方法としては、一II的に行われている方法、具体
的には電解法,キャスト法,蒸着法ディビング法,スビ
ンコート法,バーコート法,CVD法,無電解メッキ法
等が挙げられる。それぞれの方法において、金属や金属
化合物の種類.基板の種類などにより適宜条件を選択し
て薄膜を形成すればよい。
本発明においては、上記の如き金属化合物の付着した基
板は、各種の形態があるが、特にミセル78液中で半電
池電極を形威することが好ましい。
板は、各種の形態があるが、特にミセル78液中で半電
池電極を形威することが好ましい。
ここで半電池電極とは、金属の高価数イオンとその金属
の低価数イオンとの間の特定の電位差を利用し、ミセル
化剤のフェロセニル基中の鉄を酸化し、自らは溶解する
ような金属化合物である.したがって、本発明において
は基板にフェロセン誘導体の酸化電位より貴な金属化合
物を形戒する金属を用いて酸化処理等を行い、該金属の
化合物、主に酸化物を該基板に付着させた形態のものが
好適である.具体的にはPbOz,MnOt,Bit’
sなどが挙げられる.金属の場合には、通常該金属の薄
膜を形威した後、その表面を酸化処理することにより得
られる。この酸化処理法としては、金[薄膜を酸素ある
いは空気雰囲気下にて温度150〜600”C、水蒸気
圧1 0 〜1 0 0Torrにて酸素?化する方法
あるいは希硫酸中で定電位電解する方法あるいはH.0
,,KMn○,,KCffiOn,KzSzOhNaz
SzO■Bl,(NHn)zSxOs中で酸化する方法
などが挙げられる。
の低価数イオンとの間の特定の電位差を利用し、ミセル
化剤のフェロセニル基中の鉄を酸化し、自らは溶解する
ような金属化合物である.したがって、本発明において
は基板にフェロセン誘導体の酸化電位より貴な金属化合
物を形戒する金属を用いて酸化処理等を行い、該金属の
化合物、主に酸化物を該基板に付着させた形態のものが
好適である.具体的にはPbOz,MnOt,Bit’
sなどが挙げられる.金属の場合には、通常該金属の薄
膜を形威した後、その表面を酸化処理することにより得
られる。この酸化処理法としては、金[薄膜を酸素ある
いは空気雰囲気下にて温度150〜600”C、水蒸気
圧1 0 〜1 0 0Torrにて酸素?化する方法
あるいは希硫酸中で定電位電解する方法あるいはH.0
,,KMn○,,KCffiOn,KzSzOhNaz
SzO■Bl,(NHn)zSxOs中で酸化する方法
などが挙げられる。
このようにして得られた金属化合物を付着した基板を、
上述したミセル溶液(分散液)中に浸漬すれば、疎水性
物質の薄膜が該基板上に容易に形威される。このような
浸漬によって、疎水性物質の薄膜形威される理由は、基
板上に付着した金属化合物における金属イオンとフェロ
セン誘導体との間で酸化一還元反応が起きることに基づ
く。即ち、この酸化一還元反応で金属イオンが還元され
、同時にフェロセン誘導体は酸化される。その結果、ミ
セルが破壊され、ミセルに包含されていた疎水性物質が
基板上に析出して薄膜が形威されるのである。
上述したミセル溶液(分散液)中に浸漬すれば、疎水性
物質の薄膜が該基板上に容易に形威される。このような
浸漬によって、疎水性物質の薄膜形威される理由は、基
板上に付着した金属化合物における金属イオンとフェロ
セン誘導体との間で酸化一還元反応が起きることに基づ
く。即ち、この酸化一還元反応で金属イオンが還元され
、同時にフェロセン誘導体は酸化される。その結果、ミ
セルが破壊され、ミセルに包含されていた疎水性物質が
基板上に析出して薄膜が形威されるのである。
この浸漬の際の条件は、特に制限はなく基板上に疎水性
物質の薄膜が形威され得る条件であればよい.通常は、
ミセル溶液(分散液)の温度は室温〜70゜C、浸漬時
間は1〜120分程度の範囲で選定すればよい。
物質の薄膜が形威され得る条件であればよい.通常は、
ミセル溶液(分散液)の温度は室温〜70゜C、浸漬時
間は1〜120分程度の範囲で選定すればよい。
次に、本発明を実施例及び比較例によりさらに詳しく説
明する. 実施例1 100dの水に非イオン系ミセル化剤であるFPEG(
下記式A)を190■加え、攪拌して、均一なミセル溶
液を調製した.このミセル溶液25Idに、フタロシア
ニンを0.2gを加え、超音波ホモジナイザーで10分
間攪拌,分散して上澄液を採取してごセル溶液を得た. ガラス基板上に蒸着法により鉛(Pb)の薄膜を蒸着さ
せた.次いで、得られたPb蒸着のガラス基板を酸素雰
囲気中、200℃,水蒸気圧50Torrにて酸化処理
を行い、表面のPbをpbozとし、ガラス基板上に半
電池電極を製造した.このようにして得られたガラス基
板上の半電池電極を、上記のミセル溶液に液温25゜C
で15分間浸漬し、その表面にフタロシアニンの薄膜を
得た. この薄膜を集め、充分乾燥させた後KBrと共に乳鉢に
て混練してペレタイザーにてペレットをつくり、これを
測定した可視光吸収スペクトルとミセル溶液中のフタ口
シアニンの可視光吸収スペクトル(125倍希釈)が一
致することにより、基板上にフタロシアニンの薄膜が形
成されたことが確認された。
明する. 実施例1 100dの水に非イオン系ミセル化剤であるFPEG(
下記式A)を190■加え、攪拌して、均一なミセル溶
液を調製した.このミセル溶液25Idに、フタロシア
ニンを0.2gを加え、超音波ホモジナイザーで10分
間攪拌,分散して上澄液を採取してごセル溶液を得た. ガラス基板上に蒸着法により鉛(Pb)の薄膜を蒸着さ
せた.次いで、得られたPb蒸着のガラス基板を酸素雰
囲気中、200℃,水蒸気圧50Torrにて酸化処理
を行い、表面のPbをpbozとし、ガラス基板上に半
電池電極を製造した.このようにして得られたガラス基
板上の半電池電極を、上記のミセル溶液に液温25゜C
で15分間浸漬し、その表面にフタロシアニンの薄膜を
得た. この薄膜を集め、充分乾燥させた後KBrと共に乳鉢に
て混練してペレタイザーにてペレットをつくり、これを
測定した可視光吸収スペクトルとミセル溶液中のフタ口
シアニンの可視光吸収スペクトル(125倍希釈)が一
致することにより、基板上にフタロシアニンの薄膜が形
成されたことが確認された。
実施例2
100dの水に非イオン系ミセル化剤であるFTMA
(下記弐B)を190mg加え、攪拌して、均一なミセ
ル溶液を調製した。このミセル溶液25mにペリレンを
0.2gを加え、超音波ホモジナイザーで10分間攪拌
,分散して上澄液を採取してミセル溶液を得た. ガラス基板上に蒸着法によりマンガン(Mn)の薄膜を
蒸着させた。次いで、得られたMn蒸着のガラス基板を
酸素雰囲気中、200℃,水蒸気圧50Torrにて酸
化処理を行い、表面のMnをM n O !とし、ガラ
ス基板上に半電池電極を製造した。
(下記弐B)を190mg加え、攪拌して、均一なミセ
ル溶液を調製した。このミセル溶液25mにペリレンを
0.2gを加え、超音波ホモジナイザーで10分間攪拌
,分散して上澄液を採取してミセル溶液を得た. ガラス基板上に蒸着法によりマンガン(Mn)の薄膜を
蒸着させた。次いで、得られたMn蒸着のガラス基板を
酸素雰囲気中、200℃,水蒸気圧50Torrにて酸
化処理を行い、表面のMnをM n O !とし、ガラ
ス基板上に半電池電極を製造した。
このようにして得られたガラス基板上の半電池電極を、
上記のミセル溶液に液温25゜Cで10分間浸漬し、そ
の表面にペリレンの薄膜を得た。
上記のミセル溶液に液温25゜Cで10分間浸漬し、そ
の表面にペリレンの薄膜を得た。
実施例1と同様にして測定したこの薄膜の可視光吸収ス
ペクトルとミセル溶液のペリレンの可視光吸収スペクト
ルが一致することにより、基板上にペリレンの薄膜が形
成されたことが確認された.実施例3 100jdの水に非イオン系ミセル化剤であるFEST
9 (下記弐〇)を190■加え、攪拌して、均一なミ
セル溶液を調製した.このくセル溶液25mに銅フタロ
シアニンを0.2gを加え、超音波ホモジナイザーでI
O分間撹拌,分散して上澄液を採取してミセル溶液を得
た。
ペクトルとミセル溶液のペリレンの可視光吸収スペクト
ルが一致することにより、基板上にペリレンの薄膜が形
成されたことが確認された.実施例3 100jdの水に非イオン系ミセル化剤であるFEST
9 (下記弐〇)を190■加え、攪拌して、均一なミ
セル溶液を調製した.このくセル溶液25mに銅フタロ
シアニンを0.2gを加え、超音波ホモジナイザーでI
O分間撹拌,分散して上澄液を採取してミセル溶液を得
た。
ガラス基板上に蒸着法によりビスマス(Bi)の薄膜を
蒸着させた。次いで、得られたBi蒸着のガラス基板を
酸素雰囲気中、200゜C,水蒸気圧50Torrにて
酸化処理を行い、表面のBiをBizC)+とし、ガラ
ス基板上に半電池電極を製造した. このようにして得られたガラス基板上の半電池電極を、
上記のミセル溶液に液温25゜Cで20分間浸漬し、そ
の表面に銅フタ口シアニンの薄膜を得た. 実施例1と同様にして測定したこの薄膜の可視光吸収ス
ペクトルとミセル溶液の銅フタ口シアニンの可視光吸収
スペクトルが一致することにより、基板上に銅フタロシ
アニンの薄膜が形成されたことが確認された。
蒸着させた。次いで、得られたBi蒸着のガラス基板を
酸素雰囲気中、200゜C,水蒸気圧50Torrにて
酸化処理を行い、表面のBiをBizC)+とし、ガラ
ス基板上に半電池電極を製造した. このようにして得られたガラス基板上の半電池電極を、
上記のミセル溶液に液温25゜Cで20分間浸漬し、そ
の表面に銅フタ口シアニンの薄膜を得た. 実施例1と同様にして測定したこの薄膜の可視光吸収ス
ペクトルとミセル溶液の銅フタ口シアニンの可視光吸収
スペクトルが一致することにより、基板上に銅フタロシ
アニンの薄膜が形成されたことが確認された。
実施例4
100dの水に非イオン系もセル化剤であるFPEG
(実施例1の式A)を190■加え、攪拌して、均一な
ミセル溶液を調製した。このミセル溶液25dに銅フタ
口シアニンを0.2gを加え、超音波ホモジナイザーで
10分間攪拌.分散して上澄液を採取してミセル溶液を
得た。
(実施例1の式A)を190■加え、攪拌して、均一な
ミセル溶液を調製した。このミセル溶液25dに銅フタ
口シアニンを0.2gを加え、超音波ホモジナイザーで
10分間攪拌.分散して上澄液を採取してミセル溶液を
得た。
また、1規定希硫酸に陽極に鉛板,陰極に白金板を用い
て3.00Vの定電位電解を60分間行った。この際の
通電量は0.1クーロン(C)/dであった。このよう
にして、Pb表面が酸化されPbO.となり、半電池電
極が作製された。
て3.00Vの定電位電解を60分間行った。この際の
通電量は0.1クーロン(C)/dであった。このよう
にして、Pb表面が酸化されPbO.となり、半電池電
極が作製された。
このようにして得られた半電池電極を上記のごセル溶液
に液温25゜Cで5分間浸漬し、その表面にフタロシア
ニンのFI)[を得た. 実施例1と同様にして測定したこの薄膜の可視光吸収ス
ペクトルとごセル溶液のフタロシアニンの可視光吸収ス
ペクトルが一致することにより、基板上にフタ口シアニ
ンの薄膜が形威されたことが確認された。
に液温25゜Cで5分間浸漬し、その表面にフタロシア
ニンのFI)[を得た. 実施例1と同様にして測定したこの薄膜の可視光吸収ス
ペクトルとごセル溶液のフタロシアニンの可視光吸収ス
ペクトルが一致することにより、基板上にフタ口シアニ
ンの薄膜が形威されたことが確認された。
?施例5
実施例1で鉛の薄膜の形威を、葎着法の代わりにキャス
ト法で行ったこと以外は、実施例1と同様にしてフタロ
シアニンの3膜を製造した。可視光吸収スペクトルが一
致することにより、フタロシアニンの薄膜が形威された
ことがrll認された。
ト法で行ったこと以外は、実施例1と同様にしてフタロ
シアニンの3膜を製造した。可視光吸収スペクトルが一
致することにより、フタロシアニンの薄膜が形威された
ことがrll認された。
実施例6
実施例1で鉛を酸化する方法として、水蒸気高温酸化の
代わりに、1規定I1■O!中に、1時間浸漬して鉛を
酸化したこと以外は、実施例1と同様の操作でフタ口シ
アニンの薄膜を製造した。可視光吸収スペクトルが一致
することにより、フタ口シアニンの薄膜が形成されたこ
とが確認された。
代わりに、1規定I1■O!中に、1時間浸漬して鉛を
酸化したこと以外は、実施例1と同様の操作でフタ口シ
アニンの薄膜を製造した。可視光吸収スペクトルが一致
することにより、フタ口シアニンの薄膜が形成されたこ
とが確認された。
実施例7
実施例1と同様にしてミセル溶液を得た。ガラス基板上
に蒸着法により鉛の薄膜を蒸着させた。
に蒸着法により鉛の薄膜を蒸着させた。
次いで、得られた鉛蒸着のガラス基板を空気酸化して、
表面のPbをpbotとして、ガラス基板上に半電池電
極を製造した。この膜の可視吸収スペクトルを第1図に
示す。
表面のPbをpbotとして、ガラス基板上に半電池電
極を製造した。この膜の可視吸収スペクトルを第1図に
示す。
このようにして得られたガラス基板上の半電池電極を上
記のミセル溶液に、液温25゜Cで10分間浸漬し、そ
の表面にフタ口シアニンのFJ膜を得た。この膜の可視
吸収スペクトルを第2図に示す。
記のミセル溶液に、液温25゜Cで10分間浸漬し、そ
の表面にフタ口シアニンのFJ膜を得た。この膜の可視
吸収スペクトルを第2図に示す。
この2つのスペクトルを比較すると、第1図での吸収ス
ペクトルが第2図では見られず、フタ口シアニンの吸収
スペクトルのみが観測されることから、基板上にフタ口
シアニンの薄膜が形威したことが確認された。
ペクトルが第2図では見られず、フタ口シアニンの吸収
スペクトルのみが観測されることから、基板上にフタ口
シアニンの薄膜が形威したことが確認された。
以上のように、本発明の方法によれば、大規模な装置を
必要とせず、通電処理などの複雑な工程を経ることなく
、ミセル溶液に浸漬するだけの簡易な操作により、種々
の疎水性物質の薄膜を製造することができる. したがって、本発明は有機半導体,感光体,光電変換材
料,光メモリー材料,コーティング材料などの製造に幅
広くかつ有効に利用される。
必要とせず、通電処理などの複雑な工程を経ることなく
、ミセル溶液に浸漬するだけの簡易な操作により、種々
の疎水性物質の薄膜を製造することができる. したがって、本発明は有機半導体,感光体,光電変換材
料,光メモリー材料,コーティング材料などの製造に幅
広くかつ有効に利用される。
第1図は実施例7で得られた鉛の薄膜の可視吸収スペク
トルを示し、第2図は実施例7で得られたフタ口シアニ
ンの薄膜の可視吸収スペクトルを示す.
トルを示し、第2図は実施例7で得られたフタ口シアニ
ンの薄膜の可視吸収スペクトルを示す.
Claims (1)
- (1)疎水性物質を水性媒体中でフェロセン誘導体より
なるミセル化剤にて可溶化あるいは分散させて得られる
ミセル溶液あるいは分散液に、該フェロセン誘導体の酸
化電位より貴な金属化合物を付着させた基板を浸漬する
ことにより、該基板上に前記疎水性物質の薄膜を形成す
ることを特徴とする疎水性物質の薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15452289A JPH0323227A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15452289A JPH0323227A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 薄膜の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0323227A true JPH0323227A (ja) | 1991-01-31 |
Family
ID=15586096
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15452289A Pending JPH0323227A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0323227A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001018135A1 (de) * | 1999-09-02 | 2001-03-15 | Nanogate Gmbh | Verfahren und stoffe |
-
1989
- 1989-06-19 JP JP15452289A patent/JPH0323227A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001018135A1 (de) * | 1999-09-02 | 2001-03-15 | Nanogate Gmbh | Verfahren und stoffe |
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