JP3363994B2 - 薄膜の製造方法 - Google Patents
薄膜の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、色素などの機能材料
等の薄膜の製造方法に関するものである。さらに詳しく
は、この発明は、簡便な手段で、基板に疎水性物質の薄
膜を効率良く製造する方法に関するものである。
等の薄膜の製造方法に関するものである。さらに詳しく
は、この発明は、簡便な手段で、基板に疎水性物質の薄
膜を効率良く製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び本発明が解決しようとする課題】従
来、疎水性物質の薄膜の製造方法として、塗布法、スピ
ンコート法、蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶ
Ｄ法などが利用されている。しかしながら、これらの製
造方法には様々な制限や課題がある。すなわち、塗布
法、スピンコート法などの湿式法の場合、有機溶媒を使
用するため、付帯設備に多額の投資を必要とする。ま
た、湿式法においては、バインダー樹脂を共存させる方
法が広く採用されているが、得られる薄膜に、このバイ
ンダー樹脂が共存することとなり、薄膜中の機能材料の
濃度が低減するという問題がある。一方、蒸着法、スパ
ッタリング法、プラズマＣＶＤ法などの乾式法の場合、
疎水性物質のみを薄膜化できるという利点があるが、気
化により分解する物質には適用出来ないという制限があ
る。また、乾式法の場合、真空装置を使用するため、高
価な大規模な装置が必要になる。
来、疎水性物質の薄膜の製造方法として、塗布法、スピ
ンコート法、蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶ
Ｄ法などが利用されている。しかしながら、これらの製
造方法には様々な制限や課題がある。すなわち、塗布
法、スピンコート法などの湿式法の場合、有機溶媒を使
用するため、付帯設備に多額の投資を必要とする。ま
た、湿式法においては、バインダー樹脂を共存させる方
法が広く採用されているが、得られる薄膜に、このバイ
ンダー樹脂が共存することとなり、薄膜中の機能材料の
濃度が低減するという問題がある。一方、蒸着法、スパ
ッタリング法、プラズマＣＶＤ法などの乾式法の場合、
疎水性物質のみを薄膜化できるという利点があるが、気
化により分解する物質には適用出来ないという制限があ
る。また、乾式法の場合、真空装置を使用するため、高
価な大規模な装置が必要になる。
【０００３】また、近年、この発明者らによってフェロ
セン残基または芳香族アゾ残基を含有するアゾ界面活性
剤の電解を利用する疎水性化合物の薄膜を形成する方法
（国際公開ＷＯ８８／０７５３８、特願平５−２３４３
０１）が提案されているが、薄膜の製造には電解工程が
欠かせないため、専門知識と電解設備が必要となる。そ
の後、フェロセン残基を含有する界面活性剤を用いて、
電解の代わりに酸化剤を付着させた基板を侵せきする方
法（特公平３−２３２２７）が開発されているが、酸化
剤を基板に均一に付着させねばならず、製造工程がが複
雑であるという欠点がある。さらに、アゾ界面活性剤を
用いて、卑金属を浸せきしてアゾ界面活性剤を還元する
方法（特願平６−２８６９８）もこの発明者により提案
されているが、この方法では卑金属以外の基板上に薄膜
を製造できない。
セン残基または芳香族アゾ残基を含有するアゾ界面活性
剤の電解を利用する疎水性化合物の薄膜を形成する方法
（国際公開ＷＯ８８／０７５３８、特願平５−２３４３
０１）が提案されているが、薄膜の製造には電解工程が
欠かせないため、専門知識と電解設備が必要となる。そ
の後、フェロセン残基を含有する界面活性剤を用いて、
電解の代わりに酸化剤を付着させた基板を侵せきする方
法（特公平３−２３２２７）が開発されているが、酸化
剤を基板に均一に付着させねばならず、製造工程がが複
雑であるという欠点がある。さらに、アゾ界面活性剤を
用いて、卑金属を浸せきしてアゾ界面活性剤を還元する
方法（特願平６−２８６９８）もこの発明者により提案
されているが、この方法では卑金属以外の基板上に薄膜
を製造できない。
【０００４】そこで、この発明は、上記の従来の技術の
欠点を解消し、極めて容易な操作で高品質の機能性薄膜
を製造することのできる新しい薄膜の製造方法を提供す
ることを目的とした。
欠点を解消し、極めて容易な操作で高品質の機能性薄膜
を製造することのできる新しい薄膜の製造方法を提供す
ることを目的とした。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の課題
を解決するものとして、アゾ界面活性剤の共存下に疎水
性物質を水中へ可溶化又は微粒子として分散した液中
に、卑金属と基板を導線で結線して浸せきし、基板表面
でアゾ界面活性剤を還元し、基板表面近傍において、前
記の疎水性物質の可溶化状態または分散状態を破壊し
て、疎水性物質を基板表面へ付着させることを特徴とす
る薄膜の製造方法を提供するものである。
を解決するものとして、アゾ界面活性剤の共存下に疎水
性物質を水中へ可溶化又は微粒子として分散した液中
に、卑金属と基板を導線で結線して浸せきし、基板表面
でアゾ界面活性剤を還元し、基板表面近傍において、前
記の疎水性物質の可溶化状態または分散状態を破壊し
て、疎水性物質を基板表面へ付着させることを特徴とす
る薄膜の製造方法を提供するものである。
【０００６】また、この発明は、疎水性部分が芳香族ア
ゾ化合物残基を含有することを特徴とする界面活性剤
が、下記の一般式［Ｉ］
ゾ化合物残基を含有することを特徴とする界面活性剤
が、下記の一般式［Ｉ］
【０００７】
【化２】
【０００８】（ここで、φ1 およびφ2 は炭素原子でア
ゾ基に結合する１価の芳香族炭化水素基又は複素環基
（置換基を有しても良い）を表わし、Ｘは酸素原子、原
子団−ＮＨ−、原子団−ＣＯＯ−、または原子団−ＯＣ
Ｏ−、原子団＞Ｐ（Ｏ）−、または原子団−ＯＣＯ−Ｃ
Ｈ2 Ｏ−を表わし、ａは０又は１を表わし、Ａはメチレ
ン基を表わし、ｂは０又は１以上の整数を表わし、Ｚは
酸素原子、窒素原子、原子団−ＮＨ−，−ＣＯＯ−、原
子団−ＯＣＯ−、原子団＞Ｐ（Ｏ）−、または原子団−
ＯＣＯ−ＣＨ2 Ｏ−を表わし、ｃは０または１を表わ
し、Ｅは原子団−ＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ−、原子団−ＣＨ（Ｃ
Ｈ3 ）ＣＨ2 Ｏ−、または−ＣＨ2 ＣＨ（ＣＨ3 ）Ｏ−
を表わし、ｎは６以上の整数もしくはその平均値を表わ
し、ｄは１または２、ｍは１または２を表わし、Ｒは水
素原子又はメチル基を表わし、ｅは１または２を、各々
表わす）で示されるアゾ化合物を用いることを特徴とす
る薄膜の製造方法をその態様として提供する。
ゾ基に結合する１価の芳香族炭化水素基又は複素環基
（置換基を有しても良い）を表わし、Ｘは酸素原子、原
子団−ＮＨ−、原子団−ＣＯＯ−、または原子団−ＯＣ
Ｏ−、原子団＞Ｐ（Ｏ）−、または原子団−ＯＣＯ−Ｃ
Ｈ2 Ｏ−を表わし、ａは０又は１を表わし、Ａはメチレ
ン基を表わし、ｂは０又は１以上の整数を表わし、Ｚは
酸素原子、窒素原子、原子団−ＮＨ−，−ＣＯＯ−、原
子団−ＯＣＯ−、原子団＞Ｐ（Ｏ）−、または原子団−
ＯＣＯ−ＣＨ2 Ｏ−を表わし、ｃは０または１を表わ
し、Ｅは原子団−ＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ−、原子団−ＣＨ（Ｃ
Ｈ3 ）ＣＨ2 Ｏ−、または−ＣＨ2 ＣＨ（ＣＨ3 ）Ｏ−
を表わし、ｎは６以上の整数もしくはその平均値を表わ
し、ｄは１または２、ｍは１または２を表わし、Ｒは水
素原子又はメチル基を表わし、ｅは１または２を、各々
表わす）で示されるアゾ化合物を用いることを特徴とす
る薄膜の製造方法をその態様として提供する。
【０００９】
【作用】以上のこの発明の方法により、疎水性物質が色
素、電荷発生材、電荷輸送材、感光性色素、フォトクロ
ミック材料、ガスセンシング材料、イオンセンシング材
料、レジスト材料、エレクトロクロミック材料などの機
能性材料からなる薄膜、及びその薄膜を用いることを特
徴とする着色金属、電子写真感光体、太陽電池、フォト
クロミック薄膜、ガスセンサー、イオンセンサー、光メ
モリー、表示デバイス、液晶表示用カラーフィルター、
エレクトロルミネッセンス素子等をも提供する。
素、電荷発生材、電荷輸送材、感光性色素、フォトクロ
ミック材料、ガスセンシング材料、イオンセンシング材
料、レジスト材料、エレクトロクロミック材料などの機
能性材料からなる薄膜、及びその薄膜を用いることを特
徴とする着色金属、電子写真感光体、太陽電池、フォト
クロミック薄膜、ガスセンサー、イオンセンサー、光メ
モリー、表示デバイス、液晶表示用カラーフィルター、
エレクトロルミネッセンス素子等をも提供する。
【００１０】さらに詳細に説明すると、まず、この発明
で使用することの出来る疎水性物質としては、界面活性
剤の水溶液に可溶化又は微粒子として分散することので
きる疎水性化合物ならば各種のものを用いることができ
る。たとえば色素の具体例としては、「染料便覧」丸
善、１９７０年７月２０日発行の８３９〜８７８ページ
に列挙されているＣ．Ｉ．ソルベントイエロー２、Ｃ．
Ｉ．ソルベントレッド３などの油溶性染料、「染料便
覧」の９８７〜１１０９ページ「カラーケミカル事典」
シーエムシー、１９８８年３月２８日発行に列挙されて
いるＣ．Ｉ．ピグメントブルー１５などの有機顔料や、
「カラーケミカル事典」５４２〜５９１ページに列挙さ
れているエレクトロニクス用色素、記録用色素、環境ク
ロミズム用色素、写真用色素、エネルギー用色素のうち
の疎水性化合物等が挙げられる。また、電子写真感光体
用の電荷発生材の具体例としては、ｘ型フタロシアニ
ン、α型オキシチタニウムフタロシアニン、α型オキシ
パナジウムフタロシアニンなどが挙げられる。更に、水
に不溶なポリマー、例えば、ポリスチレン、ポリプロピ
レン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリアクリロニ
トリル、ポリピロール、ポリアニリン、アセチルセルロ
ース、ポリビニルアセテート、ポリビニールブチラー
ル、あるいはコポリマー（メタクリル酸メチルとメタク
リル酸とのポリマー）を挙げることができる。
で使用することの出来る疎水性物質としては、界面活性
剤の水溶液に可溶化又は微粒子として分散することので
きる疎水性化合物ならば各種のものを用いることができ
る。たとえば色素の具体例としては、「染料便覧」丸
善、１９７０年７月２０日発行の８３９〜８７８ページ
に列挙されているＣ．Ｉ．ソルベントイエロー２、Ｃ．
Ｉ．ソルベントレッド３などの油溶性染料、「染料便
覧」の９８７〜１１０９ページ「カラーケミカル事典」
シーエムシー、１９８８年３月２８日発行に列挙されて
いるＣ．Ｉ．ピグメントブルー１５などの有機顔料や、
「カラーケミカル事典」５４２〜５９１ページに列挙さ
れているエレクトロニクス用色素、記録用色素、環境ク
ロミズム用色素、写真用色素、エネルギー用色素のうち
の疎水性化合物等が挙げられる。また、電子写真感光体
用の電荷発生材の具体例としては、ｘ型フタロシアニ
ン、α型オキシチタニウムフタロシアニン、α型オキシ
パナジウムフタロシアニンなどが挙げられる。更に、水
に不溶なポリマー、例えば、ポリスチレン、ポリプロピ
レン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリアクリロニ
トリル、ポリピロール、ポリアニリン、アセチルセルロ
ース、ポリビニルアセテート、ポリビニールブチラー
ル、あるいはコポリマー（メタクリル酸メチルとメタク
リル酸とのポリマー）を挙げることができる。
【００１１】疎水性物質の可溶化又は分散した液を調製
するには種々の方法がある。具体的には臨界ミセル濃度
以上の一般式［Ｉ］で表わされるアゾ界面活性剤の水溶
液に、疎水性物質を加えて超音波処理、攪拌などにより
可溶化又は分散した液を調製すればよい。また、前記の
一般式［Ｉ］等で表わされるアゾ界面活性剤の具体例と
しては、たとえば、以下の化学構造で示される化合物群
を挙げることができる。
するには種々の方法がある。具体的には臨界ミセル濃度
以上の一般式［Ｉ］で表わされるアゾ界面活性剤の水溶
液に、疎水性物質を加えて超音波処理、攪拌などにより
可溶化又は分散した液を調製すればよい。また、前記の
一般式［Ｉ］等で表わされるアゾ界面活性剤の具体例と
しては、たとえば、以下の化学構造で示される化合物群
を挙げることができる。
【００１２】
【化３】
【００１３】
【化４】
【００１４】
【化５】
【００１５】
【化６】
【００１６】このようにして調製した可溶化した液又は
分散液に、卑金属と基板を導線でつなぎ、両者を浸せき
することにより、疎水性化合物の薄膜を基板上に製造で
きる。ここで、卑金属としては、卑な酸化還元電位を有
するであるものであれば使用できる。このような金属と
しては亜鉛、アルミニウム、マグネシウムなどが使用で
きる。また、基板としては上記のアゾ界面活性剤の酸化
還元電位より貴な金属である白金、金、銀、パラジウ
ム、ステンレススチール等が使用できる。また、金属以
外の導電性基板であるすずをドープした酸化インジウム
（ＩＴＯ）を被覆した透明ガラスまたは高分子フィル
ム、アンチモンをドープした酸化すずを被覆した透明ガ
ラスまたは高分子フィルム、酸化チタン等の半導体等が
使用できる。
分散液に、卑金属と基板を導線でつなぎ、両者を浸せき
することにより、疎水性化合物の薄膜を基板上に製造で
きる。ここで、卑金属としては、卑な酸化還元電位を有
するであるものであれば使用できる。このような金属と
しては亜鉛、アルミニウム、マグネシウムなどが使用で
きる。また、基板としては上記のアゾ界面活性剤の酸化
還元電位より貴な金属である白金、金、銀、パラジウ
ム、ステンレススチール等が使用できる。また、金属以
外の導電性基板であるすずをドープした酸化インジウム
（ＩＴＯ）を被覆した透明ガラスまたは高分子フィル
ム、アンチモンをドープした酸化すずを被覆した透明ガ
ラスまたは高分子フィルム、酸化チタン等の半導体等が
使用できる。
【００１７】このような基板と卑金属を導線でつなぎ、
両者を前記の疎水性物質を水中へ可溶化又は微粒子とし
て分散した液に浸せきすることにより、極めて容易に薄
膜を製造することができる。このような浸せきによっ
て、容易に薄膜が形成される理由は、金属とアゾ界面活
性剤との間で酸化還元反応を伴う電池反応が起こること
による。すなわち、本発明は、卑金属上で金属が金属イ
オンと電子に分離し、金属イオンは水溶液中へ溶出し、
電子は導線を通して基板に移動して、アゾ界面活性剤を
還元し、基板表面近傍において、前記の疎水性物質の可
溶化状態又は分散状態が破壊される。すなわち、この反
応により金属が酸化されて金属イオンとなり、アゾ界面
活性剤は還元されて可溶化能と分散能が失われ、疎水性
化合物が基板上に析出して薄膜が形成される。
両者を前記の疎水性物質を水中へ可溶化又は微粒子とし
て分散した液に浸せきすることにより、極めて容易に薄
膜を製造することができる。このような浸せきによっ
て、容易に薄膜が形成される理由は、金属とアゾ界面活
性剤との間で酸化還元反応を伴う電池反応が起こること
による。すなわち、本発明は、卑金属上で金属が金属イ
オンと電子に分離し、金属イオンは水溶液中へ溶出し、
電子は導線を通して基板に移動して、アゾ界面活性剤を
還元し、基板表面近傍において、前記の疎水性物質の可
溶化状態又は分散状態が破壊される。すなわち、この反
応により金属が酸化されて金属イオンとなり、アゾ界面
活性剤は還元されて可溶化能と分散能が失われ、疎水性
化合物が基板上に析出して薄膜が形成される。
【００１８】この浸せきのときの条件は特にないが、温
度はアゾ界面活性剤の曇点以下であれば良く、浸せき時
間は１〜１８０分程度の範囲で選べば良い。
度はアゾ界面活性剤の曇点以下であれば良く、浸せき時
間は１〜１８０分程度の範囲で選べば良い。
【００１９】
【実施例】以下、この発明の薄膜、その製造方法の実施
例を説明する。実施例１ ［白金板上のβ型銅フタロシアニンの薄膜］ ０．１ｍｏｌ／ｌ塩酸、１．０ｍｍｏｌ／ｌ ＡＺＰＥ
Ｇ（下記式）の水溶液に１０ｍｍｏｌ／ｌのβ型銅フタ
ロシアニンを加えた後、１０分間超音波照射し、３昼夜
攪拌して分散液を調製した。
例を説明する。実施例１ ［白金板上のβ型銅フタロシアニンの薄膜］ ０．１ｍｏｌ／ｌ塩酸、１．０ｍｍｏｌ／ｌ ＡＺＰＥ
Ｇ（下記式）の水溶液に１０ｍｍｏｌ／ｌのβ型銅フタ
ロシアニンを加えた後、１０分間超音波照射し、３昼夜
攪拌して分散液を調製した。
【００２０】
【化７】
【００２１】幅１０ｍｍ、長辺３０ｍｍ、厚さ０．１ｍ
ｍの白金板と同じ大きさのアルミニウム板を重ね、両者
の上部を金属製のクリップで挟み、先端１５ｍｍを分散
液に、２５℃にて、２０分間浸せきし、白金板上に緑青
色の薄膜（幅１０ｍｍ、長さ１５ｍｍ）を製造した。製
造終了後、白金板を引上げ、エタノールで洗浄し製造し
た。
ｍの白金板と同じ大きさのアルミニウム板を重ね、両者
の上部を金属製のクリップで挟み、先端１５ｍｍを分散
液に、２５℃にて、２０分間浸せきし、白金板上に緑青
色の薄膜（幅１０ｍｍ、長さ１５ｍｍ）を製造した。製
造終了後、白金板を引上げ、エタノールで洗浄し製造し
た。
【００２２】得られた膜を５ｍｍｏｌ／ｌのＢｒｉｊ３
５の水溶液に分散した溶液の可視紫外吸収スペクトルパ
ターン（図１）は使用したβ型銅フタロシアニンを５ｍ
ｍｏｌ／ｌのＢｒｉｊ水溶液に分散したものと一致して
いた。従って、使用する粒子の化学構造を維持したまま
薄膜を製造出来ることが確かめられた。比較例１ 実施例１に用いた界面活性剤の代わりに典型的な非イオ
ン性界面活性剤であるＢｒｉｊ３５を用いた実施例１と
同様に調製したβ型銅フタロシアニンの分散液に実施例
１と同様に導線で結線したアルミニウムと白金板を２０
分間浸したが、薄膜は得られなかった。比較例２ 実施例１に用いた分散液に幅１０ｍｍ、長辺３０ｍｍ、
厚さ０．１ｍｍの白金板の先端１５ｍｍを分散液に、２
５℃にて、２０分間浸せきしたが、薄膜は得られなかっ
た。実施例２ ［銀板上のβ型銅フタロシアニンの薄膜］ 白金板の代わりに幅１０ｍｍ、長辺３０ｍｍ、厚さ０．
５ｍｍの銀板を用いた以外は実施例１と同様にして、銀
板上に緑青色の薄膜を製造した。実施例３ ［ステンレス板上のβ型銅フタロシアニンの薄
膜］ 白金板の代わりに幅１０ｍｍ、長辺３５ｍｍ、厚さ１．
０ｍｍのステンレス板を用いた以外は実施例１と同様に
して、ステンレス板上に緑青色の薄膜を製造した。実施例４ ［ＩＴＯ透明ガラス板上のβ型銅フタロシアニ
ンの薄膜］ 白金板の代わりに幅１０ｍｍ、長辺３０ｍｍ、厚さ１ｍ
ｍのＩＴＯ透明ガラス板を用いた以外は実施例１と同様
にして、ＩＴＯ透明ガラス板上に緑青色の薄膜を製造し
た。実施例５ ［ＩＴＯ透明ガラス板上のペリレンバーミリオ
ンの薄膜］ 白金板の代わりに幅１０ｍｍ、長辺３０ｍｍ、厚さ１ｍ
ｍのＩＴＯ透明ガラス板を用い、β型銅フタロシアニン
の代りにペリレンバーミリオンを用いた以外は実施例１
と同様にして、ＩＴＯ透明ガラス板上に赤色の薄膜を製
造した。実施例６ ［ＩＴＯ透明ガラス板上のβ型銅フタロシアニ
ンの薄膜］ ０．１ｍｏｌ／ｌ塩酸、１．０ｍｍｏｌ／ｌ ＡＺＰＥ
Ｇ（下記式）の水溶液に１５ｍｍｏｌ／ｌのβ型銅フタ
ロシアニンを加えた後、１０分間超音波照射し、３昼夜
攪拌して分散液を調製した。幅１０ｍｍ、長辺３０ｍ
ｍ、厚さ１ｍｍのＩＴＯ透明ガラスと同じ大きさのアル
ミニウム板を重ね、両者の上部を金属製のクリップで挟
み、先端１５ｍｍをこの分散液に、２５℃にて、２０分
間浸せきし、ＩＴＯ透明ガラス板上に緑青色の薄膜（幅
１０ｍｍ、長さ１５ｍｍ）を製造した。製造終了後、Ｉ
ＴＯ透明ガラス板を引上げ、蒸留水で洗浄し製造した。
５の水溶液に分散した溶液の可視紫外吸収スペクトルパ
ターン（図１）は使用したβ型銅フタロシアニンを５ｍ
ｍｏｌ／ｌのＢｒｉｊ水溶液に分散したものと一致して
いた。従って、使用する粒子の化学構造を維持したまま
薄膜を製造出来ることが確かめられた。比較例１ 実施例１に用いた界面活性剤の代わりに典型的な非イオ
ン性界面活性剤であるＢｒｉｊ３５を用いた実施例１と
同様に調製したβ型銅フタロシアニンの分散液に実施例
１と同様に導線で結線したアルミニウムと白金板を２０
分間浸したが、薄膜は得られなかった。比較例２ 実施例１に用いた分散液に幅１０ｍｍ、長辺３０ｍｍ、
厚さ０．１ｍｍの白金板の先端１５ｍｍを分散液に、２
５℃にて、２０分間浸せきしたが、薄膜は得られなかっ
た。実施例２ ［銀板上のβ型銅フタロシアニンの薄膜］ 白金板の代わりに幅１０ｍｍ、長辺３０ｍｍ、厚さ０．
５ｍｍの銀板を用いた以外は実施例１と同様にして、銀
板上に緑青色の薄膜を製造した。実施例３ ［ステンレス板上のβ型銅フタロシアニンの薄
膜］ 白金板の代わりに幅１０ｍｍ、長辺３５ｍｍ、厚さ１．
０ｍｍのステンレス板を用いた以外は実施例１と同様に
して、ステンレス板上に緑青色の薄膜を製造した。実施例４ ［ＩＴＯ透明ガラス板上のβ型銅フタロシアニ
ンの薄膜］ 白金板の代わりに幅１０ｍｍ、長辺３０ｍｍ、厚さ１ｍ
ｍのＩＴＯ透明ガラス板を用いた以外は実施例１と同様
にして、ＩＴＯ透明ガラス板上に緑青色の薄膜を製造し
た。実施例５ ［ＩＴＯ透明ガラス板上のペリレンバーミリオ
ンの薄膜］ 白金板の代わりに幅１０ｍｍ、長辺３０ｍｍ、厚さ１ｍ
ｍのＩＴＯ透明ガラス板を用い、β型銅フタロシアニン
の代りにペリレンバーミリオンを用いた以外は実施例１
と同様にして、ＩＴＯ透明ガラス板上に赤色の薄膜を製
造した。実施例６ ［ＩＴＯ透明ガラス板上のβ型銅フタロシアニ
ンの薄膜］ ０．１ｍｏｌ／ｌ塩酸、１．０ｍｍｏｌ／ｌ ＡＺＰＥ
Ｇ（下記式）の水溶液に１５ｍｍｏｌ／ｌのβ型銅フタ
ロシアニンを加えた後、１０分間超音波照射し、３昼夜
攪拌して分散液を調製した。幅１０ｍｍ、長辺３０ｍ
ｍ、厚さ１ｍｍのＩＴＯ透明ガラスと同じ大きさのアル
ミニウム板を重ね、両者の上部を金属製のクリップで挟
み、先端１５ｍｍをこの分散液に、２５℃にて、２０分
間浸せきし、ＩＴＯ透明ガラス板上に緑青色の薄膜（幅
１０ｍｍ、長さ１５ｍｍ）を製造した。製造終了後、Ｉ
ＴＯ透明ガラス板を引上げ、蒸留水で洗浄し製造した。
【００２３】
【化８】
【００２４】実施例７［ＩＴＯ透明ガラス板上のペリレ
ンバーミリオンの薄膜］ β型銅フタロシアニンの代りにペリレンバーミリオンを
用いた以外は実施例６と同様にして、ＩＴＯ透明ガラス
板上に赤色の薄膜を製造した。実施例８ ［ＩＴＯ透明ガラス板上のモノクロロ銅フタロ
シアニンの薄膜］ １５ｍｍｏｌ／ｌのβ型銅フタロシアニンの代りに１０
ｍｍｏｌ／ｌのモノクロロ銅フタロシアニンを用いた以
外は実施例６と同様にして、ＩＴＯ透明ガラス板上に青
色の薄膜を製造した。実施例９ ［ＩＴＯ透明ガラス板上のインダンスレンブル
ーの薄膜］ β型銅フタロシアニンの代りにインダンスレンブルーを
用いた以外は実施例１と同様にして、ＩＴＯ透明ガラス
板上に青色の薄膜を製造した。
ンバーミリオンの薄膜］ β型銅フタロシアニンの代りにペリレンバーミリオンを
用いた以外は実施例６と同様にして、ＩＴＯ透明ガラス
板上に赤色の薄膜を製造した。実施例８ ［ＩＴＯ透明ガラス板上のモノクロロ銅フタロ
シアニンの薄膜］ １５ｍｍｏｌ／ｌのβ型銅フタロシアニンの代りに１０
ｍｍｏｌ／ｌのモノクロロ銅フタロシアニンを用いた以
外は実施例６と同様にして、ＩＴＯ透明ガラス板上に青
色の薄膜を製造した。実施例９ ［ＩＴＯ透明ガラス板上のインダンスレンブル
ーの薄膜］ β型銅フタロシアニンの代りにインダンスレンブルーを
用いた以外は実施例１と同様にして、ＩＴＯ透明ガラス
板上に青色の薄膜を製造した。
【００２５】
【発明の効果】以上詳しく説明した通り、この発明によ
り機能性材料等の有機薄膜が簡便な手段で効率的に製造
される。
り機能性材料等の有機薄膜が簡便な手段で効率的に製造
される。
【図１】実施例としての薄膜の分散水溶液の可視紫外吸
収スペクトルパターン図である。
収スペクトルパターン図である。
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(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｂ０５Ｄ 7/14 １０１ Ｂ０５Ｄ 7/14 １０１Ｚ
7/24 ３０１ 7/24 ３０１Ｃ
３０１Ｅ
３０１Ｚ
３０３ ３０３Ｅ
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C23C 18/54
B05D 5/08
B05D 7/14
B05D 7/14 101
B05D 7/24 301
B05D 7/24 303
Claims (3)
- 【請求項１】 芳香族アゾ化合物残基を含有するアゾ界
面活性剤の共存下に疎水性物質を水中へ可溶化又は微粒
子として分散した液中に、導線で結線した卑金属と基板
を浸せきし、疎水性物質を基板表面へ付着させることを
特徴とする薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１において、アゾ界面活性剤が、
下記の一般式［Ｉ］ 【化１】 （ここで、φ1 およびφ2 は炭素原子でアゾ基に結合す
る１価の芳香族炭化水素基又は複素環基（置換基を有し
ても良い）を表わし、Ｘは酸素原子、原子団−ＮＨ−、
原子団−ＣＯＯ−、又は原子団−ＯＣＯ−、原子団＞Ｐ
（Ｏ）−、または原子団−ＯＣＯ−ＣＨ2 Ｏ−を表わ
し、ａは０又は１を表わし、Ａはメチレン基を表わし、
ｂは０又は１以上の整数を表わし、Ｚは酸素原子、窒素
原子、原子団−ＮＨ−，−ＣＯＯ−、原子団−ＯＣＯ
−、原子団＞Ｐ（Ｏ）−、または原子団−ＯＣＯ−ＣＨ
2 Ｏ−を表わし、ｃは０または１を表わし、Ｅは原子団
−ＣＨ 2 ＣＨ2 Ｏ−、原子団−ＣＨ（ＣＨ3 ）ＣＨ2 Ｏ
−、または−ＣＨ2 ＣＨ（ＣＨ 3 ）Ｏ−を表わし、ｎは
６以上の整数もしくはその平均値を表わし、ｄは１また
は２、ｍは１または２を表わし、Ｒは水素原子又はメチ
ル基を表わし、ｅは１または２を、各々表わす）で示さ
れるアゾ化合物を用いることを特徴とする薄膜の製造方
法。 - 【請求項３】 請求項１または２の方法により製造され
た薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08497594A JP3363994B2 (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08497594A JP3363994B2 (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07292478A JPH07292478A (ja) | 1995-11-07 |
| JP3363994B2 true JP3363994B2 (ja) | 2003-01-08 |
Family
ID=13845629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08497594A Expired - Fee Related JP3363994B2 (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3363994B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108355580B (zh) * | 2018-01-25 | 2020-04-10 | 西安石油大学 | 一种橙色表面活性剂的制备方法 |
-
1994
- 1994-04-22 JP JP08497594A patent/JP3363994B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07292478A (ja) | 1995-11-07 |
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