JPH03225987A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH03225987A JPH03225987A JP2111290A JP2111290A JPH03225987A JP H03225987 A JPH03225987 A JP H03225987A JP 2111290 A JP2111290 A JP 2111290A JP 2111290 A JP2111290 A JP 2111290A JP H03225987 A JPH03225987 A JP H03225987A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- layer
- cladding layer
- cladding
- current blocking
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 22
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザ、特に例えばＡｉ’ Ｇ ａ Ａ
ｓ系等の化合物半導体による埋込みへテロ接合型（Ｂ
Ｈ型）半導体レーザに係わる。
ｓ系等の化合物半導体による埋込みへテロ接合型（Ｂ
Ｈ型）半導体レーザに係わる。
本発明は半導体レーザに係わり、メサ突起を存する化合
物半導体の主面に、第１導電型のクラッド層と、活性層
と、第２導電型の第１のクラッド層と、第１導電型の電
流ブロック層と、第２導電型の第２のクラッド層との各
エピタキシャル層が順次積層形成されてなり、上記メサ
突起を形成するメサ溝上の電流ブロック層が、このメサ
突起上にエピタキシャル成長された活性層の側面にこの
活性層の全厚さにわたって接するように、かつ第２導電
型の第１及び第２のクラッド層間に挟まれてなる。
物半導体の主面に、第１導電型のクラッド層と、活性層
と、第２導電型の第１のクラッド層と、第１導電型の電
流ブロック層と、第２導電型の第２のクラッド層との各
エピタキシャル層が順次積層形成されてなり、上記メサ
突起を形成するメサ溝上の電流ブロック層が、このメサ
突起上にエピタキシャル成長された活性層の側面にこの
活性層の全厚さにわたって接するように、かつ第２導電
型の第１及び第２のクラッド層間に挟まれてなる。
そして、本発明の１においては、第１導電型の電流ブロ
ック層と、第２導電型の第２のクラッド層のバンドギャ
ップが、第１導電型のクラッド層と第２導電型の第１の
クラッド層のバンドギャップに比して、大とされること
により、リーク電流の発生を抑制して、光出力特性の改
善をはかり、信頼性の向上をはかる。
ック層と、第２導電型の第２のクラッド層のバンドギャ
ップが、第１導電型のクラッド層と第２導電型の第１の
クラッド層のバンドギャップに比して、大とされること
により、リーク電流の発生を抑制して、光出力特性の改
善をはかり、信頼性の向上をはかる。
また、他の本発明においては、第１導電型の電流ブロッ
ク層のバンドギャップが第１導電型のクラッド層のバン
ドギャップに比して、大とされることにより、リーク電
流の発生を抑制して、光出力特性の改善をはかり、信頼
性の向上をはかる。
ク層のバンドギャップが第１導電型のクラッド層のバン
ドギャップに比して、大とされることにより、リーク電
流の発生を抑制して、光出力特性の改善をはかり、信頼
性の向上をはかる。
（従来の技術〕
低しきい値電流■いを有する半導体レーザを作製するに
は、活性層の横方向にすなわち活性層の面方向と直交す
る方向に屈折率差を形成するＢＨ型構成をとり、しかも
電流狭搾を行う電流ブロック手段を設けることが望まれ
る。この種のＢＨ型半導体レーザでは、通常２回以上に
互いに独立したエピタキシャル成長すなわち第１回のエ
ピタキシャル成長後にエツチング作業を施し、次に第２
回のエピタキシャル成長作業が行われるという手順が一
般的に採られる。ところが、この場合筒１と第２のエピ
タキシャル成長作業間において、表面酸化等の問題が生
じ、これが信頼性の低下、特性の低下を来す。このよう
な信頼性の問題さらに作業性の煩雑さを回避する目的を
もって、本出願人は、先に例えば特開昭６１−１８３９
８７号公報において１回のエピタキシャル成長において
全層を形成することができるようにしたＳＤＨ型（Ｓｅ
ｐａｒａｔｅ ＤｏｕｂｌｅＨｅＬｅｒｏ Ｊｕｎｃｔ
ｉｏｎ）の半導体レーザを提案した。
は、活性層の横方向にすなわち活性層の面方向と直交す
る方向に屈折率差を形成するＢＨ型構成をとり、しかも
電流狭搾を行う電流ブロック手段を設けることが望まれ
る。この種のＢＨ型半導体レーザでは、通常２回以上に
互いに独立したエピタキシャル成長すなわち第１回のエ
ピタキシャル成長後にエツチング作業を施し、次に第２
回のエピタキシャル成長作業が行われるという手順が一
般的に採られる。ところが、この場合筒１と第２のエピ
タキシャル成長作業間において、表面酸化等の問題が生
じ、これが信頼性の低下、特性の低下を来す。このよう
な信頼性の問題さらに作業性の煩雑さを回避する目的を
もって、本出願人は、先に例えば特開昭６１−１８３９
８７号公報において１回のエピタキシャル成長において
全層を形成することができるようにしたＳＤＨ型（Ｓｅ
ｐａｒａｔｅ ＤｏｕｂｌｅＨｅＬｅｒｏ Ｊｕｎｃｔ
ｉｏｎ）の半導体レーザを提案した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、メサ突起を有する化合物半導体の主面に、第１導電
型のクラッド層と、活性層と、第２導電型の第１のクラ
ッド層と、第１導電型の電流ブロック層と、第２導電型
の第２のクラッド層との各エピタキシャル層が順次積層
形成されてなり、上記メサ突起を形成するメサ溝上の上
記電流ブロック層が上記メサ突起上にエピタキシャル成
長された活性層の側面に該活性層の全厚さにわたって接
するように、かつ第２導電型の第１及び第２のクラッド
層間に挟まれてなり、 上記第１導電型の電流ブロック層と第２導電型の第２の
クラッド層のバンドギャップが、第１導電型のクラッド
層と第２導電型の第１のクラッド層のバンドギャップに
比して、大とされたこと、を特徴とする半導体レーザ。 ２、メサ突起を有する化合物半導体の主面に、第１導電
型のクラッド層と、活性層と、第２導電型の第１のクラ
ッド層と、第１導電型の電流ブロック層と、第２導電型
の第２のクラッド層との各エピタキシャル層が順次形成
されてなり、上記メサ突起を形成するメサ溝上の上記電
流ブロック層が上記メサ突起上にエピタキシャル成長さ
れた活性層の側面に該活性層の全厚さにわたって接する
ように、かつ第２導電型の第１及び第２のクラッド層間
に挟まれてなり、 上記第１導電型電流ブロック層のバンドギャップが、第
１導電型のクラッド層のバンドギャップに比して大とさ
れたこと を特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2111290A JP2910120B2 (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2111290A JP2910120B2 (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03225987A true JPH03225987A (ja) | 1991-10-04 |
| JP2910120B2 JP2910120B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=12045800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2111290A Expired - Fee Related JP2910120B2 (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2910120B2 (ja) |
-
1990
- 1990-01-31 JP JP2111290A patent/JP2910120B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2910120B2 (ja) | 1999-06-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080409 Year of fee payment: 9 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090409 Year of fee payment: 10 |
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