JPS63229795A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPS63229795A JPS63229795A JP6263187A JP6263187A JPS63229795A JP S63229795 A JPS63229795 A JP S63229795A JP 6263187 A JP6263187 A JP 6263187A JP 6263187 A JP6263187 A JP 6263187A JP S63229795 A JPS63229795 A JP S63229795A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、半導体レーザに於いて、埋め込みへテロ構造
を構成する為の埋め込み層の材料としてＡｌＧａ Ｉｎ
Ａｓ系３元乃至４元化合物半導体を用いることに依り、
より一層の低閾値電流化及び高効率化を達成したもので
ある。
を構成する為の埋め込み層の材料としてＡｌＧａ Ｉｎ
Ａｓ系３元乃至４元化合物半導体を用いることに依り、
より一層の低閾値電流化及び高効率化を達成したもので
ある。
〔産業上の利用分野）
本発明は、主として光通信に用いられ、埋め込みへテロ
構造（ｂｕｒｉｅｄ ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒ
ｅ：ＢＨ）型と呼ばれている半導体レーザの改良に関す
る。
構造（ｂｕｒｉｅｄ ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒ
ｅ：ＢＨ）型と呼ばれている半導体レーザの改良に関す
る。
−ａに、半導体レーザに於いては、低閾値電流化、高効
率化などを狙って、ストライブ状の発光領域にｔ流を集
中させる構造が採られ、その一つがＢＨ型である。
率化などを狙って、ストライブ状の発光領域にｔ流を集
中させる構造が採られ、その一つがＢＨ型である。
第４図は従来のＢＨ型半導体レーザの要部切断正面図を
表している。
表している。
図に於いて、３１はｎ型１ｎＰ基板、３２は１ｎＧａＡ
ｓＰ活性層、３３はｐ型１ｎＰクラッド層、３４はｐ型
Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐキヤツプ層、３５はｐ型１ｎＰ埋め
込み層、３６はｎ型１ｎＰ埋め込み層をそれぞれ示して
いる。
ｓＰ活性層、３３はｐ型１ｎＰクラッド層、３４はｐ型
Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐキヤツプ層、３５はｐ型１ｎＰ埋め
込み層、３６はｎ型１ｎＰ埋め込み層をそれぞれ示して
いる。
この半導体レーザでは、動作状態に於いて、ｐ型１ｎＰ
埋め込み層３５並びにｎ型１ｎＰ埋め込み層３６で生成
されるｐｎ接合には逆方向バイアス電圧が印加されるこ
とになる為、勿論、電流はそこを流れることはできず、
また、ｐ型ＩｎＰクラッド層３３−ｐ型Ｉ ｉＩＰ埋め
込み層３５−ｎ型ＩｎＰ基板３１の経路に於いては、ｐ
型１ｎＰクラッド層３３−＝ＩｎＧａＡｓＰ活性層３２
−ｎ型ＩｎＰ基板３１の経路に比較してｐｎ接合のビル
ト・イン電圧が大、即ち、ＩｎＧａＡｓＰ活性層３２に
於けるエネルギ・バンド・ギヤツブがｐ型ＩｎＰ埋め込
み層３５に於けるエネルギ・バンド・ギャップが大であ
ることを利用して電流を阻止するようにし、その結果、
電流が発光領域であるストライプ状のＩ ｎＧａＡｓ
Ｐ活性層３２に集中するようにしている。
埋め込み層３５並びにｎ型１ｎＰ埋め込み層３６で生成
されるｐｎ接合には逆方向バイアス電圧が印加されるこ
とになる為、勿論、電流はそこを流れることはできず、
また、ｐ型ＩｎＰクラッド層３３−ｐ型Ｉ ｉＩＰ埋め
込み層３５−ｎ型ＩｎＰ基板３１の経路に於いては、ｐ
型１ｎＰクラッド層３３−＝ＩｎＧａＡｓＰ活性層３２
−ｎ型ＩｎＰ基板３１の経路に比較してｐｎ接合のビル
ト・イン電圧が大、即ち、ＩｎＧａＡｓＰ活性層３２に
於けるエネルギ・バンド・ギヤツブがｐ型ＩｎＰ埋め込
み層３５に於けるエネルギ・バンド・ギャップが大であ
ることを利用して電流を阻止するようにし、その結果、
電流が発光領域であるストライプ状のＩ ｎＧａＡｓ
Ｐ活性層３２に集中するようにしている。
ところで、現今の光通信で多用される趨勢にある１、３
〔μｍ〕の波長帯で用いる前記の如き半導体レーザの場
合、発光領域である［ｎＧａＡｓＰ活性層３２が例えば
Ｉ ｎｓ、ｓＧ ａ ｏ、ｚｓＡ Ｓ ｏ、ｓｓＰ ０
．４５であるとすると、そのエネルギ・バンド・ギャッ
プは０．９５ （ｅＶ）であり、ｐ型１ｎＰ埋め込み層
に於けるそれは１．３５’（ｅＶ）であって、その差は
約０．４ （ｅＶ）程度しかなく、従って、充分なビル
ト・イン電圧が得られず、その結果、ｐ型１ｎＰ埋め込
み層３５及びｎ型ＩｎＰ基板３１で生成されるｐｎ接合
を介して流れるリーク電流を回避することは困難であっ
た。
〔μｍ〕の波長帯で用いる前記の如き半導体レーザの場
合、発光領域である［ｎＧａＡｓＰ活性層３２が例えば
Ｉ ｎｓ、ｓＧ ａ ｏ、ｚｓＡ Ｓ ｏ、ｓｓＰ ０
．４５であるとすると、そのエネルギ・バンド・ギャッ
プは０．９５ （ｅＶ）であり、ｐ型１ｎＰ埋め込み層
に於けるそれは１．３５’（ｅＶ）であって、その差は
約０．４ （ｅＶ）程度しかなく、従って、充分なビル
ト・イン電圧が得られず、その結果、ｐ型１ｎＰ埋め込
み層３５及びｎ型ＩｎＰ基板３１で生成されるｐｎ接合
を介して流れるリーク電流を回避することは困難であっ
た。
これに対処するには、埋め込み層の材料として高いビル
ト・イン電圧が得られるものを用いれば良い。
ト・イン電圧が得られるものを用いれば良い。
第５図はＩｎＧａＡＳＰ系化合物半導体に於ける組成、
格子定数、エネルギ・バンド・ギャップそれぞれの関係
を説明する為の組成図であり、また、第６図は（Ａｊ！
ｘ Ｇａ＋−ｘ ）ｙ Ｉｎ、−、Ａｓ系化合物半導
体に於けるそれを説明する為の組成図である。
格子定数、エネルギ・バンド・ギャップそれぞれの関係
を説明する為の組成図であり、また、第６図は（Ａｊ！
ｘ Ｇａ＋−ｘ ）ｙ Ｉｎ、−、Ａｓ系化合物半導
体に於けるそれを説明する為の組成図である。
これらの組成図からすると、Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ基或い
はＡＡＧａ Ｉ ｎＡｓ系の化合物半導体の中からＩｎ
Ｐよりもエネルギ・バンド・ギャップが大きい材料を見
つけ出すことは容易である。
はＡＡＧａ Ｉ ｎＡｓ系の化合物半導体の中からＩｎ
Ｐよりもエネルギ・バンド・ギャップが大きい材料を見
つけ出すことは容易である。
然しなから、単にエネルギ・バンド・ギャップが大きい
だけで、ＩｎＰに格子整合しない材料の場合、そのまま
では役に立たない。
だけで、ＩｎＰに格子整合しない材料の場合、そのまま
では役に立たない。
そこで、本発明者は、さきに、ＩｎＧａＡｓＰ系の３元
乃至４元化合物半導体グレーデッド層及びＩｎＧａＡｓ
Ｐ系の３元乃至４元化合物半導体歪超格子バッファ層を
利用することに依り、埋め込み層として、大きなエネル
ギ・バンド・ギャップを有するＩｎＧａＡｓｐの使用を
可能にしたＢＨ型半導体レーザを提供した。
乃至４元化合物半導体グレーデッド層及びＩｎＧａＡｓ
Ｐ系の３元乃至４元化合物半導体歪超格子バッファ層を
利用することに依り、埋め込み層として、大きなエネル
ギ・バンド・ギャップを有するＩｎＧａＡｓｐの使用を
可能にしたＢＨ型半導体レーザを提供した。
然しなから、そのような改良されたＢＨ型半轟体レーザ
であっても、発光領域に於けるエネルギ・バンド・ギャ
ップが０．９５ （ｅＶ）（λＰＬ＝１．３ 〔μｍ）
）である場合、埋め込み層とじてＩｎＧａＡｓＰ系化合
物半導体を用いた際の最大のエネルギ・バンド・ギャッ
プ差は０． ５５ （ｅ■〕にしかならず、第４図に
ついて説明した従来例と比較すると、高々０．１５ （
ｅＶ）程度大きいだけである。
であっても、発光領域に於けるエネルギ・バンド・ギャ
ップが０．９５ （ｅＶ）（λＰＬ＝１．３ 〔μｍ）
）である場合、埋め込み層とじてＩｎＧａＡｓＰ系化合
物半導体を用いた際の最大のエネルギ・バンド・ギャッ
プ差は０． ５５ （ｅ■〕にしかならず、第４図に
ついて説明した従来例と比較すると、高々０．１５ （
ｅＶ）程度大きいだけである。
本発明では、埋め込み層を構成する材料としてＡｌＧａ
ＩｎＡｓ系化合物半導体を用い、例えばＩｎＧａＡｓＰ
系化合物半導体を用いた場合に比較し、大きなエネルギ
・バンド・ギャップ差を確保して、ＢＨ型半導体レーザ
の低閾値電流化及び高効率化に寄与しようとする。
ＩｎＡｓ系化合物半導体を用い、例えばＩｎＧａＡｓＰ
系化合物半導体を用いた場合に比較し、大きなエネルギ
・バンド・ギャップ差を確保して、ＢＨ型半導体レーザ
の低閾値電流化及び高効率化に寄与しようとする。
本発明に於ける半導体レーザでは、ＩｎＰ基板（例えば
ｎ型１ｎＰ基板１）上に形成され格子定数がＩｎＰのそ
れに比較して漸減するＩｎＧａＡｓＰ系３元乃至４元化
合物半導体からなるグレーデッド層（例えばＩ ｎ Ｉ
−Ｘ Ｇ ａ Ｘ Ａ ｓグレーデッド層２）と、該グ
レーデッド層上に形成されその最上層の格子定数に比較
して大きいそれを持つＩｎＧａＡｓＰ系３元乃至４元化
合物半導体層及び小さいそれを持つＩｎＧａＡｓＰ系３
元乃゛至４元化合物半導体層を積層し歪超格子となした
バッファ層（例えば歪超格子をなしているＩｎ、−ＸＧ
ａＸＡｓバッファ層３）と、該バッファ層上に形成され
ストライプ状発光領域をなすＩｎＧａＡｓＰ系３元乃至
４元化合物半導体からなる活性層（例えばＩｎｋ−）、
ＧａＸＡｓ活性層５）を含むメサ部分の側面を覆うＡｌ
Ｇａ Ｉ ｎＡｓ系３元乃至４元化合物半導体からなる
埋め込み層（例えばｐ型ＡｌＸＩｎ、−、Ａｓ埋め込み
層８とｎ型Ａｊ２．Ｉｎ、−。
ｎ型１ｎＰ基板１）上に形成され格子定数がＩｎＰのそ
れに比較して漸減するＩｎＧａＡｓＰ系３元乃至４元化
合物半導体からなるグレーデッド層（例えばＩ ｎ Ｉ
−Ｘ Ｇ ａ Ｘ Ａ ｓグレーデッド層２）と、該グ
レーデッド層上に形成されその最上層の格子定数に比較
して大きいそれを持つＩｎＧａＡｓＰ系３元乃至４元化
合物半導体層及び小さいそれを持つＩｎＧａＡｓＰ系３
元乃゛至４元化合物半導体層を積層し歪超格子となした
バッファ層（例えば歪超格子をなしているＩｎ、−ＸＧ
ａＸＡｓバッファ層３）と、該バッファ層上に形成され
ストライプ状発光領域をなすＩｎＧａＡｓＰ系３元乃至
４元化合物半導体からなる活性層（例えばＩｎｋ−）、
ＧａＸＡｓ活性層５）を含むメサ部分の側面を覆うＡｌ
Ｇａ Ｉ ｎＡｓ系３元乃至４元化合物半導体からなる
埋め込み層（例えばｐ型ＡｌＸＩｎ、−、Ａｓ埋め込み
層８とｎ型Ａｊ２．Ｉｎ、−。
Ａｓ埋め込み層９）とを備えている。
このような手段を採ることに依り、埋め込み層で生成さ
れるｐｎ接合を含む電流経路のビルト・イン電圧を発光
領域である活性層を含む電流経路のそれに比較して著し
く大にすることができ、その結果、闇値電流の低減及び
効率の向上が可能になる。
れるｐｎ接合を含む電流経路のビルト・イン電圧を発光
領域である活性層を含む電流経路のそれに比較して著し
く大にすることができ、その結果、闇値電流の低減及び
効率の向上が可能になる。
第１図乃至第３図は本発明一実施例を製造する場合につ
いて解説する為の工程要所に於ける半導体レーザの要部
切断正面図を表し、以下、これ等の図を参照しつつ説明
する。
いて解説する為の工程要所に於ける半導体レーザの要部
切断正面図を表し、以下、これ等の図を参照しつつ説明
する。
第１図参照
（１） 液相エピタキシャル成長（ｌｉｑｕｉｄ
ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ：ＬＰＥ）法を適用する
ことに依り、面指数（１００）のｎ型ｉｎＰ基板１の上
にＩｎ１−ｘ Ｇａ、Ａｓグレーデッド層２を成長させ
る。
ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ：ＬＰＥ）法を適用する
ことに依り、面指数（１００）のｎ型ｉｎＰ基板１の上
にＩｎ１−ｘ Ｇａ、Ａｓグレーデッド層２を成長させ
る。
ここで形成したグレーデッド層２は、
ｘ＝０．４７ （下）
ｘ＝０．５１ ↓
ｘ＝ｏ、５５ ↓
ｘ−０，５９↓
ｘ＝０．６３ ↓
ｘ＝０．６７ （上）
を採る６層からなっていて、各層の厚さは例えば０．５
〔μｍ〕としである。
〔μｍ〕としである。
これに依り、格子定数は５．８７（人〕から５．７８（
人〕まで変わり、最上層を構成しているＩ ｎｏ、ｓ３
Ｇ ａｏ、ｂ７Ａ ｓとＩｎＰとの格子不整合は−１，
５〔％〕であり、斯かる格子不整合に起因する転位密度
は１０ｈ（ｅｌｌ−”）オーダである。
人〕まで変わり、最上層を構成しているＩ ｎｏ、ｓ３
Ｇ ａｏ、ｂ７Ａ ｓとＩｎＰとの格子不整合は−１，
５〔％〕であり、斯かる格子不整合に起因する転位密度
は１０ｈ（ｅｌｌ−”）オーダである。
第２図参照
（２）有機金属化学気相堆積（ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉ
ｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）ｉを通用することに依り、グ
レーデッド層２の上洛こ歪超格子であるＩ ｎ、、Ｇａ
ＸＡｓバッファ層３を成長させる。
ｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）ｉを通用することに依り、グ
レーデッド層２の上洛こ歪超格子であるＩ ｎ、、Ｇａ
ＸＡｓバッファ層３を成長させる。
ここで形成したバッファ層３は、
ｘ＝０．６３ （下）
ｘ＝０． ７１ （上）
を採る２層を１対として５対を積層したものであり、各
層の厚さは例えば８００ （人〕としである。
層の厚さは例えば８００ （人〕としである。
ここで、Ｘ値を０．６３とした場合の格子定数は５．８
０Ｃ人〕、Ｘ値を０．７１とした場合の格子定数は５．
７６（人〕である。このように、グレーデッド層２の最
上層に於ける格子定数５．７８（人〕より大きいそれを
もつ層と小さいそれをもつ層とを交互に積層した歪超格
子を設けると、グレーデッド層２に存在した転位の伝播
はバッファ層３を構成する各層の歪にに依って抑制され
、バッファ層３の最上層に於ける転位密度を１０’
（ａｍ−”）以下にすることができ、その歪超格子から
なるバッファ層３上には格子定数が５．７８Ｃ人〕であ
る結晶をミスフィツトを発生することなく成長させるこ
とが可能になる。
０Ｃ人〕、Ｘ値を０．７１とした場合の格子定数は５．
７６（人〕である。このように、グレーデッド層２の最
上層に於ける格子定数５．７８（人〕より大きいそれを
もつ層と小さいそれをもつ層とを交互に積層した歪超格
子を設けると、グレーデッド層２に存在した転位の伝播
はバッファ層３を構成する各層の歪にに依って抑制され
、バッファ層３の最上層に於ける転位密度を１０’
（ａｍ−”）以下にすることができ、その歪超格子から
なるバッファ層３上には格子定数が５．７８Ｃ人〕であ
る結晶をミスフィツトを発生することなく成長させるこ
とが可能になる。
第３図参照
（３１Ｍ ＯＣＶ Ｄ法を適用することに依り、バッフ
ァ層３の上に第５図に示されている等格子定数５．７８
Ｃ人〕線上のｎ型１ ｎ＋−、ＧａＸｐクラッド層４、
Ｉ ｎ Ｉ−Ｘ Ｇ ａ ｚ Ａ ｓ活性層５、ｐ型Ｉ
ｎＩ−ＸＧａＸＰＧａＸＡｓ活性層５ｎ、−。
ァ層３の上に第５図に示されている等格子定数５．７８
Ｃ人〕線上のｎ型１ ｎ＋−、ＧａＸｐクラッド層４、
Ｉ ｎ Ｉ−Ｘ Ｇ ａ ｚ Ａ ｓ活性層５、ｐ型Ｉ
ｎＩ−ＸＧａＸＰＧａＸＡｓ活性層５ｎ、−。
ＧａＸＡｓキャップ層７を成長させる。
これら各半導体層の主要データを例示すると次の通りで
ある。
ある。
（ａｌ クラッド層４について
Ｘ値：０．２
厚さ：１．５Ｃμｍ〕
不純物濃度：１ｘ１０＋８ 〔Ｃｍ−１′〕ｆｂ）
活性層５について Ｘ値：０．６７ 厚さ：０．２Ｃμｍ〕 （Ｃ１クラッド層６について Ｘ値：０．２ 厚さ：１ 〔μｍ〕 不純物濃度： ５ Ｘ １０Ｉ７（ｃｍ−’）（ｄ）
キャップ層７について Ｘ値：０．６７ 厚さ：０．５Ｃμｍ〕 不純物濃度： Ｉ Ｘ １０ ” ＣＣｍ−”Ｊ（４）
通常のフォト・リソグラフィ技術を適用することに依り
、幅が例えば３．５ 〔μｍ〕であるストライプ状のマ
スクを形成してからブロム・メタノールをエッチャント
として表面からクラッド層４に達するメサ・エツチング
を行う。
活性層５について Ｘ値：０．６７ 厚さ：０．２Ｃμｍ〕 （Ｃ１クラッド層６について Ｘ値：０．２ 厚さ：１ 〔μｍ〕 不純物濃度： ５ Ｘ １０Ｉ７（ｃｍ−’）（ｄ）
キャップ層７について Ｘ値：０．６７ 厚さ：０．５Ｃμｍ〕 不純物濃度： Ｉ Ｘ １０ ” ＣＣｍ−”Ｊ（４）
通常のフォト・リソグラフィ技術を適用することに依り
、幅が例えば３．５ 〔μｍ〕であるストライプ状のマ
スクを形成してからブロム・メタノールをエッチャント
として表面からクラッド層４に達するメサ・エツチング
を行う。
（５）再びＭＯＣＶＤ法を適用することに依り、ｐ型Ａ
ＮＸＩ ｎ、−、Ａｓ埋め込み層８とｎ型Ａ６ＸＩ ｎ
＋−ｘ Ａ ｓ埋め込み層９を順に成長させる。
ＮＸＩ ｎ、−、Ａｓ埋め込み層８とｎ型Ａ６ＸＩ ｎ
＋−ｘ Ａ ｓ埋め込み層９を順に成長させる。
これら各半導体層の主要データを例示すると次の通りで
ある。
ある。
（ａ） 埋め込み層８について
Ｘイ直 ：０．６８
不純物濃度： Ｉ Ｘ １０Ｉ８（ｃｍ−”）（ｂ）
埋め込み層９について Ｘ値：Ｏ，６Ｓ 不純物濃度： Ｉ Ｘ １０１８（Ｃａ１１−’）（６
）真空蒸着法など通常の技術を適用することに依り、表
面側にはＡｕＺｎからなるｐ側電極を、そして、裏面側
にはＡｕＳｎからなるｎ側電極をそれぞれ形成して完成
する。但し、各電極は図示されていない。
埋め込み層９について Ｘ値：Ｏ，６Ｓ 不純物濃度： Ｉ Ｘ １０１８（Ｃａ１１−’）（６
）真空蒸着法など通常の技術を適用することに依り、表
面側にはＡｕＺｎからなるｐ側電極を、そして、裏面側
にはＡｕＳｎからなるｎ側電極をそれぞれ形成して完成
する。但し、各電極は図示されていない。
前記のようにして製造された半導体レーザに関し、第５
図及び第６図を参照して見ると、発光領域゛であるＩ
ｎ ０．３３Ｇ ａ ｏ、 ６７Ａ Ｓ活性層５のエネ
ルギ・バンド・ギャップは０．９５ （ｅＶ）（λ、Ｌ
−”１．３ （＃ｍ） ）、ｐ型Ａ ７！ｏ、ａｓ Ｉ
ｎｏ、ｚｚＡ ｓ埋め込み層８及びｎ型Ａ １１６＠
Ｉ ｎ６，３ｚＡ Ｓ埋め込み層９に於けるそれは２．
０５ （ｅＶ）（λ、。
図及び第６図を参照して見ると、発光領域゛であるＩ
ｎ ０．３３Ｇ ａ ｏ、 ６７Ａ Ｓ活性層５のエネ
ルギ・バンド・ギャップは０．９５ （ｅＶ）（λ、Ｌ
−”１．３ （＃ｍ） ）、ｐ型Ａ ７！ｏ、ａｓ Ｉ
ｎｏ、ｚｚＡ ｓ埋め込み層８及びｎ型Ａ １１６＠
Ｉ ｎ６，３ｚＡ Ｓ埋め込み層９に於けるそれは２．
０５ （ｅＶ）（λ、。
−０，６０（μｍ））であり、エネルギ・バンド・ギャ
ップの差は１．１ （ｅＶ）となり、従来の２倍以上
にも達する。また、この半導体レーザの共振器長を３０
０〔μｍ〕としたところ、闇値電流１０（ｍＡ）、量子
効率０．４５ （ｍＷ／ｍＡ）以上の特性を得ることが
できた。 。
ップの差は１．１ （ｅＶ）となり、従来の２倍以上
にも達する。また、この半導体レーザの共振器長を３０
０〔μｍ〕としたところ、闇値電流１０（ｍＡ）、量子
効率０．４５ （ｍＷ／ｍＡ）以上の特性を得ることが
できた。 。
本発明に依る半導体レーザに於いては、埋め込みへテロ
構造を構成する為の埋め込み層の材料としてＡｊ２Ｇａ
ＩｎＡｓ系３元乃至４元化合物半導体を用いている。
構造を構成する為の埋め込み層の材料としてＡｊ２Ｇａ
ＩｎＡｓ系３元乃至４元化合物半導体を用いている。
このような構成を採ることに依り、埋め込み層で生成さ
れるｐｎ接合を含む電流経路のビルト・イン電圧を発光
領域である活性層を含む電流経路のそれに比較して著し
く大にすることができ、その結果、閾値電流の低減及び
効率の向上が可能になる。 。
れるｐｎ接合を含む電流経路のビルト・イン電圧を発光
領域である活性層を含む電流経路のそれに比較して著し
く大にすることができ、その結果、閾値電流の低減及び
効率の向上が可能になる。 。
第１図乃至第３図、は本発明一実施例を製造する場合に
ついて解説する為の工程要所に於ける半導体レーザの要
部切断正面図、第４図は従来例の要部切断正面図、第５
図及び第６図は化合物半導体の組成図をそれぞれ表して
いる。 図に於いて、 １はｎ型１ｎＰ基板、 ２はＩｎ、、ＧａＸＡｓグレーデッド層、３はＩｎ、−
、ＧａＸＡｓバッファ層、４はｎ型りｎ＋−ｘ Ｇａ、
Ｐクラッド層色はＩｎ、、ＧａＸＡｓ活性層 ６はｐ型Ｉ ｎ、−ＸＧａ、Ｐクラッド層７はｐ型Ｉｎ
、−、ＧａＸＡｓキャップ層８はｐ型Ａ Ｉ Ｘ Ｉ
ｎ ｌ−Ｘ Ａ ｓ埋め込み層９はｎ型ＡＩＸＩ ｎ、
−ＸＡｓ埋め込み層をそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 第３図 従来例の要部切新正画図 第４図
ついて解説する為の工程要所に於ける半導体レーザの要
部切断正面図、第４図は従来例の要部切断正面図、第５
図及び第６図は化合物半導体の組成図をそれぞれ表して
いる。 図に於いて、 １はｎ型１ｎＰ基板、 ２はＩｎ、、ＧａＸＡｓグレーデッド層、３はＩｎ、−
、ＧａＸＡｓバッファ層、４はｎ型りｎ＋−ｘ Ｇａ、
Ｐクラッド層色はＩｎ、、ＧａＸＡｓ活性層 ６はｐ型Ｉ ｎ、−ＸＧａ、Ｐクラッド層７はｐ型Ｉｎ
、−、ＧａＸＡｓキャップ層８はｐ型Ａ Ｉ Ｘ Ｉ
ｎ ｌ−Ｘ Ａ ｓ埋め込み層９はｎ型ＡＩＸＩ ｎ、
−ＸＡｓ埋め込み層をそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 第３図 従来例の要部切新正画図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＩｎＰ基板上に形成され格子定数がＩｎＰのそれに比較
して漸減するＩｎＧａＡｓＰ系３元乃至４元化合物半導
体からなるグレーデッド層と、該グレーデッド層上に形
成されその最上層の格子定数に比較して大きいそれを持
つＩｎＧａＡｓＰ系３元乃至４元化合物半導体層及び小
さいそれを持つＩｎＧａＡｓＰ系３元乃至４元化合物半
導体層を積層し歪超格子となしたバッファ層と、該バッ
ファ層上に形成されストライプ状発光領域をなすＩｎＧ
ａＡｓＰ系３元乃至４元化合物半導体からなる活性層を
含むメサ部分の側面を覆うＡｌＧａＩｎＡｓ系３元乃至
４元化合物半導体からなる埋め込み層と を備えてなることを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6263187A JPS63229795A (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6263187A JPS63229795A (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63229795A true JPS63229795A (ja) | 1988-09-26 |
Family
ID=13205859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6263187A Pending JPS63229795A (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63229795A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0325990A (ja) * | 1989-06-23 | 1991-02-04 | Nec Corp | 光半導体素子 |
| JPH03227092A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-08 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| FR2765734A1 (fr) * | 1997-07-04 | 1999-01-08 | France Telecom | Composant auto-oscillant pour la generation de signaux optiques modules dans le domaine millimetrique |
-
1987
- 1987-03-19 JP JP6263187A patent/JPS63229795A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0325990A (ja) * | 1989-06-23 | 1991-02-04 | Nec Corp | 光半導体素子 |
| JPH03227092A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-08 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| FR2765734A1 (fr) * | 1997-07-04 | 1999-01-08 | France Telecom | Composant auto-oscillant pour la generation de signaux optiques modules dans le domaine millimetrique |
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