JPH03227092A

JPH03227092A - 半導体レーザ

Info

Publication number: JPH03227092A
Application number: JP2349590A
Authority: JP
Inventors: Tatsuya Sasaki; 達也佐々木; Hiroyuki Yamazaki; 裕幸山崎; Ikuo Mito; 郁夫水戸; Toru Suzuki; 徹鈴木
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1990-01-31
Filing date: 1990-01-31
Publication date: 1991-10-08
Anticipated expiration: 2012-10-08
Also published as: JP2661307B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、光通信、光情報処理、光計測などの光源とし
て用いられる半導体レーザに関する。

（従来の技術）近年の光通信技術の進歩にともない、より長距離、大容
量の光伝送が強く求められている。そのために、１本の
光ファイバの中で複数の信号を同時に伝送する光多重通
信技術や、光信号を強度変調でなく、位相あるいは周波
数変調によって発生させて伝送するより高感度なコヒー
レント光通信技術が重要になってきている。

こうした状況から、信号の絶対波長（周波数）にもより
高精度なものが要求される。たとえば、コヒーレント光
周波数分割多重（光ＦＤＭ）伝送においては、５ＧＨｚ
程度の周波数間隔で１０チャンネル以上の光信号を伝送
する方式が提案されている。多くの光ＦＤＭ伝送実験で
は、基準となる一つの光源の周波数を安定化させ、他の
光源の周波数を、基準光源との周波数間隔が一定値にな
るような方法をとっている。

基準となる絶対周波数の安定化には、現在ガスレーザが
主に用いられているが、より小型で信頼性にもすぐれた
半導体レーザが置き換えることが望ましい。そのため、
希土類金属を活性層にドーピングした半導体レーザが検
討されている。エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（
Ｙｂ）といった希土類金属イオンが、スピン分裂軌道間
の内殻遷移に対応する波長での発光が生じることが知ら
れている。たとえば、Ｅｒ３　＋　（４ｆ１１）では４
１１３／２−４１１５／２遷移により、波長１．５３６
ｐｍの発光が観測される。この波長はＥｒをドーピング
する母体によらず、また温度による変動も屈折率変化の
みによるため小さく、絶対波長レーザとして応用する上
で有効である。また、１．５３６ｐｍという波長は石英
ファイバの最小損失波長域に近く、現在の光通信システ
ムに利用できる。

また同様な希土類金属であるネオジウム（Ｎｄ）も１．
０６ｐｍ、１．３μｍ付近で発光するため、光フアイバ
通信への利用が可能である。

こうした希土類ドープ半導体レーザとしては、ＡＴ＆Ｔ
ベル研究所のＴｓａｎｇらにより、ＥｒをＩｎＧａＡｓ
Ｐ／ＩｎＰダブルへテロ構造の活性層にドーピングした
構造がアブライドフィジックスレターズに報告されてい
る（Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ
、　４９．１９８６゜ｐ、　１６８６）。その構造を第
１０図に示す。ｎ型ＩｎＰ基板１上にｎ型ＩｎＰクラッ
ド層２、ＥｒドープＩｎＧａＡｓＰ活性層３、ｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層５を積層した構造で、これをリッジ型に加
工して素子化している。第１０図（ａ）。

電流を注入すると、第１０図（ｂ）の活性層３内に示し
たＥｒ３＋の励起準位から基底準位への光学遷移が支配
的に起こり、レーザ発振する。このレーザにおいて、３
０ｄＢ以上の副モード抑圧比で単一縦モード動作してい
ること、２枚のウェハ内での発振波長のばらつきがない
こと、波長の温度によるシフトが小さいことなどが報告
されている。

（発明が解決しようとする課題）Ｅｒ等の希土類をドープした半導体はさまざまな結晶成
長方法によって作られ、その結晶性も良好なものが得ら
れているが、レーザの特性はまだ不充分である。先に挙
げた報告もパルス発振にとどまっており、連続発振する
ためにはより発光効率を上げて、利得を増大させなけれ
ばならない。

本発明の目的は室温連続発振する実用性の高い希土類ド
ープ半導体レーザを提供することにある。

（課題を解決するための手段）上記課題を解決するための半導体レーザは、以下の特徴
を有する。

（１）希土類金属をドーピングした、エネルギーギャッ
プが前記希土類金属の遷移エネルギーより大きな半導体
からなる活性層、および前記希土類金属のみを励起し、
前記活性層には吸収されない波長の光を発光する半導体
からなる励起層が、共振器方向に接続されていることを
特徴とする。

（２）希土類金属をドーピングした、エネルギーギャッ
プが前記希土類金属の遷移エネルギーより大きな半導体
からなる活性層、および前記希土類金属のみを励起し、
前記半導体活性層には吸収されない波長の光を発光する
半導体からなる励起層が、積層されていることを特徴と
する。

（３）前記第２項の半導体レーザにおいて、活性層およ
び励起層に量子井戸構造の障壁および井戸層を用いるこ
とを特徴とする。

（４Ｘ１）〜（３）の半導体レーザにおいて、励起層に
発光波長０．９８ｐｍ帯のＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ
歪超格子構造を用いることを特徴とする。

（作用）近年進展が著しい技術に、１．５μｍ帯の光通信で用い
ることができるＥｒドープファイバアンプがある。これ
は、石英ファイバにＥｒをドーピングして、高出力の励
起光を入射させることによりＥｒｓ＋を励起し、入射し
てきた１、５３６ｐｍの信号光を増幅するもので、２０
ｄＢ以上の高い利得が得られている。第９図にＥｒドー
プファイバのＥｒの吸収スペクトルを示す。波長１．４
７ｐｍ〜１．Ｓｐｍ付近に吸収の屑が見られ、この波長
域が励起光波長に用いられている。また、０．９８１１
ｍ付近にも強い吸収ピークがあり、この波長の光源も励
起光源として利用されている。

Ｅｒドープ半導体レーザにおいても、レーザ素子の内部
で励起光を発生させ、レーザ共振器内に閉じ込めて光パ
ワー密度を高めていけば、Ｅｒ３＋の遷移による自然放
出光強度も増加し、利得が増大する。

本発明の半導体レーザにおいては、励起層の禁制帯幅と
して希土類ドープ活性層の禁制帯幅より小さく設定し、
注入キャリアを効率よく励起層内に閉じ込め、高出力の
励起光を発生させる。希土類としてＥｒを用いると励起
層はＥｒ３＋の遷移により発生する１、５３６μｍのレ
ーザ光を吸収せず、光ガイドとしてはたらく。またＥｒ
ドープ活性層の組成は１．５３６ｐｍのレーザ光も、励
起光も吸収しないように設定し、励起光が直接Ｅｒ３＋
を励起するようにしている。

Ｅｒドープ活性層と励起層の位置関係は、共振器方向に
接続しても、積層させてもよい。また、量子井戸構造の
障壁層を活性層、井戸層を励起層としてもよい。

励起光波長に０．９８ｐｍ付近を選ぶ時には、現在この
波長の半導体レーザ用活性層に用いられているＩｎＧａ
Ａｓ／ＡｌＧａＡｓを歪超格子を用いることにより０．
９８ｐｍ帯の発振光が得られる。この時は基板をＧａＡ
ｓとずればよい。

また、励起光波長に０．６７ｐｍ付近を選ぶ時には、現
在この波長の半導体レーザ用活性層に用いられているＡ
ＩＧａＩｎＰ系を用いればよい。この時も基板はＱａＡ
ｓとなる。

以上述べてきた作用はＥｒについて記したが、使用目的
の波長に応じて、Ｙｂ、　Ｎｄ、　Ｅｕ、　Ｓｍ等の他
の希土類金属でもよい。特にＮｄを用いれば１．０６μ
ｍや１．３ｐｍの発振波長を得ることができるので、１
．３ｐｍ光ファイバ通信システムに利用できる。

（実施例）第１図（ａＸｂＸｃ）は、本発明の請求項１の半導体レ
ーザの発光部を含む断面図、バンド構造図および構造図
であり、第３図はその作製行程を示している。

第１図（ａ）に示すように、ｎ型ＩｎＰ基板１、ｎ型Ｉ
ｎＰクラッド層２の上にＥｒドープＩｎＧａＡｓＰ活性
層３とＩｎＧａＡｓＰ励起層４が光の共振方向に接続さ
れており、全面にｐ型ＩｎＰクラッド層５か積層されて
いる構造になっている。この素子では励起層４で発光し
た１、４８ｐｍの光が活性層３に入射する。活性層３は
１．４８ｐｍの光を吸収しないが、活性層３中のＥｒが
この波長の光を吸収し励起される。Ｅｒは１．５３μｍ
付近の波長の光を発光し遷移する。波長１．５３μｍの
光は励起層４の組成に対し透明であり、この波長での共
振器損失は小さい。第１図（ｂ）参照。

第１図（Ｃ）に示すような埋め込みへテロ構造の半導体
レーザを作製した。第２図は作製行程図で、（ａ）〜（
ｅ）、（ｈ）は共振器方向に平行な断面図（０１丁）面
で、（ｆ）（ｇ）は垂直な断面図（０１１）面である。

（１００）ｎ型ＩｎＰ基板１上にＳｉドープｎ型ＩｎＰ
クラッド層２（キャリア濃度１×１０１８ｃｍ−３、膜
厚１ｐｍ）　、ＥｒドープＩｎＧａＡｓＰ活性層３（Ｅ
ｒ濃度１×１０１９ｃｍ−３，１，３ｐｍ組成、層厚０
．３ｐｍ）、ノンドープＩｎＰエツチングストップ層１
４（層厚０．１５ｐｍ）を成長しく第２図（ａ））、５
ｉ０２膜１６をマスクとして、選択的にノンドープＩｎ
Ｐエツチングストップ層１４およびＥｒドープ］：ｎＧ
ａＡｓＰ活性層３をエツチングした（第２図（ｂ））後
、全面にノンドープＩｎＧａＡｓＰ励起層４（１，４８
ｐｍ組成、層厚０．３ｐｍ）、ノンドープＩｎＰカバー
層１５（層厚０．１５１１ｍ）を成長しく第２図（Ｃ）
）、ＥｒドープＩｎＧａＡｓＰ活性層３の上のノンドー
プＩｎＰカバー層１５およびノンドープＩｎＧａＡｓＰ
励起層４のみを選択的にエツチングしく第２図（ｄ））
、さらに全面にＺｎドープｐ型ＩｎＰクラッド層５（キ
ャリア濃度７　Ｘ　１０１１０ｌ７、層厚１．５ｐｍ）
を成長した（第２図（ｅ））。

次に埋め込みへテロ構造とするため、活性層幅が１．５
μｍになるようにｎ型ＩｎＰクラッド層２までメサエッ
チングして、Ｚｎドープｐ型ＩｎＰ埋め込み層７（キャ
リア濃度７刈０１７ｃｍ−３、層厚１．５ｐｍ）および
Ｓｉドープｎ型ＩｎＰ層８（キャリア濃度１刈０１８ｃ
ｍ−３、層厚１．５μｍ）を埋め込み成長しく第２図（
０）、最後に全面にＺｎドープｐ型ＩｎＰクラッド層５
（キャリア濃度７刈い７ｃｍ−３、層厚１ｐｍ）、Ｚｎ
ドープｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層６（キャリア濃度
Ｉ　Ｘ　１０１９ｃｍ　”、層厚０．３μｍ）を成長し
た（第２図（ｇ））。そして両側に電極９．１０を形成
した。ｐ側電極９は励起層４の上部にのみ形成し、励起
層４のみに電流が注入される構造とした（第２図（ｈ）
）。活性層３と励起層４の長さがそれぞれ３００μｍに
なるようにへき関してレーザとした。共振器方向は（０
１１）方向とした。結晶成長はすべて有機金属気相成長
法（ＭＯＶＰＥ）を用いた。以上の製作方法により、Ｅ
ｒドーフゴｎＧａＡｓＰ活性層３とノンドーフゴｎＧａ
ＡｓＰ励起層４は共振器方向に直線的に結がっているの
で光学的に良好に結合するものが得られた。

このレーザは室温で連続発振し、しきい値電流７０ｍＡ
、効率０．１５Ｗ／Ａで１０ｍＷまで副モード抑圧比３
５ｄＢ以上の単一縦モード動作が得られた。波長は１．
５３８ｐｍで、温度変動は０．６Ａ１０ｃと小さかった
。ただし、励起光（波長１．４８μｍ）も観測されたが
、Ｅｒ３＋からの１．５３８ｐｍの発光に対する光強度
比は約−１２ｄＢと十分小さかった。本作製例では活性
層３は１．３ｐｍ組成のＩｎＧａＡｓＰとしたが、上に
述べた条件を満たしていれば、他の材料、組成でも差し
支えない。また、第３図に示すように、励起層４を活性
層３の両側においても同様の効果が得られる。両側から
励起できるので効率良く励起できる。

次に、本発明の請求項２半導体レーザの断面図とバンド
構造図を第４図（ａＸｂ）に示す。この場合は前述の請
求項１の実施例での活性層３と励起層４は積層されてお
り、電流を注入すると励起層４にキャリアがたまり、１
．４８ｐｍの励起光が発生し、これが活性層３にドープ
されたＥｒを励起する。その効果は前項と同じで、同様
の埋め込み構造半導体レーザを作製して、はぼ同等の特
性を得た。

本発明の請求項３０半導体レーザの断面図とバンド構造
図を第５図（ａＸｂ）に示す。この場合は活性層３と励
起層４はそれぞれひとつの量子井戸構造の障壁層と井戸
層になっており、電流を注入すると、励起層４にキャリ
アがたまり、１．４８ｐｍの励起光が発生し、これが活
性層３にドープされたＥｒを励起する。

実際にＥｒドープＩｎＧａＡｓＰ障壁層厚約１５０人、
ＩｎＧａＡｓ井戸層厚約７０人で、発光波長がそれぞれ
１．３ｐｍ、１．４８ｐｍとなるような量子井戸構造（
井戸数１０）をＩｎＰクラッド層ではさんだ構造を成長
して前項と同様の埋め込み構造レーザを作製し、室温連
続発振を確認した。

次に、本発明の請求項４の半導体レーザの断面図、バン
ド構造図および構造図を第６図（ａＸｂＸｃ）に示す。

第６図（ａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１、ｎ型
ＡｌＧａＡｓクラッド層２の上に、ＥｒドープＧａＡｓ
活性層３とＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ歪超格子励起層
４が光の共振方向に接続されており、全面にｐ型ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層５が積層されている構造になっている
。この例では歪超格子からなる励起層４からの発光波長
が０．９６〜０．９８ｐｍとなるようにし、活性層３中
のＥｒはこの波長の光にも吸収帯があるので励起され、
１．５３６１１ｍ付近の波長の光を発光し遷移する。活
性層３は励起光を吸収しないバンドギャップを持つよう
に選んだ。第６図（ｂ）参照。第６図（ｃ）に示すよう
に、ｎ型ＧａＡｓ基板１の上にＳｉドープｎ型Ａｌ□、
５Ｇａ□、５Ａｓクランド層２（キャリア濃度１×１０
１７ｃｍ−３層厚１．５ｐｍ）、ＥｒドープＧａＡｓ活
性層３（Ｅｒ濃度１×１０１９ｃｍ　”、層厚０．３ｐ
ｍ）を成長し、活性層３の一部を選択的に除去した後、
Ａｌｏ、５Ｇａ□、５ＡｓからＧａＡｓに組成がグレー
デッドに変化したノンドープ層（層厚０．２ｐｍ）で両
側をはさまれたノンドープＩｎｏ、２Ｇａ□、ＢＡＳ井
戸層（層厚１１０人）からなるＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａ
Ａｓ歪超格子励起層４を全面に成長した。活性層３の上
の励起層４を除去した後、全面にＭｇドープｐ型Ａｌ□
、５Ｇａ□、５Ａｓクラッド層５（キャリア濃度１×１
０１８ｃｍ−３、層厚１．５ｐｍ）　、Ｍｇドープｐ型
ＧａＡｓキャップ層６（キャリア濃度５Ｘ１０１８ｃｍ
　”、層厚１ｐｍ）を成長した。最後にｐ型Ａｌ□、５
Ｇａ□、５Ａｓクラッド層５の途中までメサエッチング
して、Ｓｉドープｎ型ＧａＡｓ埋め込み層８（キャリア
濃度４刈０１８ｃｍ−３、層厚２ｐｍ）を埋め込み成長
し、励起層４の直上の表面および基板側全面にそれぞれ
ｐ側電極９、ｎ側電極１０を形成し。活性層３と励起層
４の長さがそれぞれ３００μｍになるようにへき関して
レーザとした。結高成長はすべて有機金属気相成長法（
ＭＯＶＰＥ）を用いた。

本素子もしきい値６５ｍＡで室温連続発振し、波長１．
５３８１１ｍで単一縦モード動作が得られた。最大出力
は２０ｍＷ以上であり、これはＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａ
Ａｓ歪超格子を用いることで励起層からの励起光強度が
大きいことによる。

なお、本実施例では活性層３にＧａＡｓを用いているが
、ＡｌＧａＡｓなと、励起光を吸収しないバンドギャッ
プを持つものならばよい。

請求項１の別の実施例の半導体レーザの断面図、バンド
構造図および構造図を第７図（ａＸｂＸｃ）に示す。

第７図（ａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１、ｎ型
ＡＩＧａＩｎＰクラッド層２の上に、ＥｒドープＡＩＧ
ａＩｎＰ活性層３とＧａＩｎＰ励起層４が光の共振方向
に接続されてており、全面にｐ型ＡＩＧａＩｎＰクラッ
ド層５が積層されている構造になっている。この例では
励起層４がらの発光波長が０．６６〜０．６７ｐｍであ
り、活性層３中のＥｒはこの波長の光も吸収するので励
起され、１．５３６μｍ付近の波長の光を発光し遷移す
る。活性層３は励起光を吸収しないバンドギャップを持
つように選ぶとよい。第７図（ｂ）参照。

第７図（ｃ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１の上に
Ｓｉドープｎ型（Ａ１０．５ＧａＯ，５）０．５１１ｎ
０．４９Ｐクラッド層２（キャリア濃度１×１０１８ｃ
ｍ−３、層厚１．２ｐｍ）、ＥｒドープＧａＩｎＰ活性
層３（Ｅｒ濃度１×１０１９ｃｍ−３、層厚０．２ｐｍ
）を成長し、活性層３の一部を選択的に除去した後、（
Ａｌｏ、ａＧａｏ、７）ｏ、５１１ｎｏ、４９Ｐ励起層
４（層厚０．３ｐｍ）を全面に成長した。活性層３の上
の励起層４を除去した後、全面にＺｎｎドープ型Ａ１０
．５ＧａＯ，５）０．５１１ｎ０．４９Ｐクラッド層５
（キャリア濃度５×１０１７ｃｍ−３、層厚０．３ｐｍ
）、Ｚｎドープｐ型ＧａＩｎＰエツチングストップ層１
１（キャリア濃度１×１０１８ｃｍ−３層厚４０人）、
Ｚｎｎドープ型Ａ１０．５ＧａＯ，５）０．５１１ｎ０
．４９Ｐクラッド層１２（キャリア濃度５刈０１７ｃｍ
−３、層厚１ｐｍ）、Ｚｎｎドープ型ＧａＡｓ層１３（
キャリア濃度２×１０１８ｃｍ−３、層厚０．５ｐｍ）
を成長した。次にｐ型ＧａＩｎＰエツチングストップ層
１１が露出するまでメサエッチングして、Ｓｉドープｎ
型ＧａＡｓ埋め込み層８（キャリア濃度１刈い８ｃｍ−
３、層厚１．５ｐｍ）を埋め込み成長した後、さらに全
面にＺｎｎドープ型ＧａＡｓ層６（キャリア濃度２×１
０１８ｃｍ−３、層厚１μｍ）を成長した。そして、励
起層４の直上の表面および基板側全面にそれぞれｐ側電
極９、ｎ側電極１０を形成した。活性層３と励起層４の
長さがそれぞれ３００μｍになるようにへき開してレー
ザとした。

結晶成長はすべて有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）を
用いた。

本素子も室温で連続動作が得られ、波長１．５３６ｐｍ
で単一縦モード動作が確認された。

Ｎｄを希土類金属として用いた実施例について述べる。

半導体レーザの断面図とバンド構造図を第８図（ａＸｂ
）に示す。ｎ型ＧａＡｓ基板１、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層２の上に、ＮｄドープＡｌＧａＡｓ活性層３とＡ
ｌＧａＡｓ励起層４が光の共振方向に接続されており、
全面にｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層５が積層されている
構造になっている。この例では励起層４からの発光波長
が０．８１ｐｍであり、活性層３中のＮｄはこの波長の
光も吸収するので励起され、Ｎｄの４ｆ’４位間１．０
８５ｐｍ付近の光を発光し遷移する。活性層３は励起光
を吸収しないバンドギャップを持つように選ぶ。この素
子は発振波長１．０８５μｍで単一縦モード発振し、し
きい値電流は８０ｍＡであった。このように、本発明を
用いることによって、Ｎｄドープ半導体レーザにおいて
も優れた特性が得られることがわがっな。

以上述べたように、本発明による半導体レーザが実用１
優れた特性を持っている。励起光は光フィルタなどによ
って除去すればよい。外部光で希土類金属を励起して発
光させる過程により、その発光効率が増大し、良好な室
温連続発振が得られる。

（発明の効果）以上述べてきたように、本発明による半導体レーザ構造
により、希土類金属ドープ半導体レーザの利得を効果的
に増大させ、特性を向上させることができた。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は本発明の半導体レーザ構造の概念を表す
断面図、（ｂ）はバンド構造図で、（Ｃ）は作製した半
導体レーザの構造図である。第２図（ａ）〜（ｈ）は第
１図（Ｃ）に示した半導体レーザの作製行程を表す断面
図である。第３図は本発明の他の実施例による半導体レ
ーザ構造の概念を表す断面図である。第４図（ａＸｂ）
、第５図（ａＸｂ）は本発明の他の実施例による半導体
レーザ構造の概念を表す断面図およびバンド構造図であ
る。第６図（ａＸｂＸｃ）、第７図（ａＸｂＸｃ）はそ
れぞれ本発明の他の実施例による半導体レーザ構造の概
念を表す断面図、バンド構造図および、作製した半導体
レーザの構造図である。第８図は本発明の他の実施囲に
よる半導体レーザ構造の概念を表す断面図およびバンド
構造図である。第９図はＥｒドープファイバの吸収スペ
クトルを表す。第１０図（ａＸｂ）は従来のＥｒドープ
半導体レーザの断面図とバンド構造図である。図中、１・・・ｎ型半導体基板、２・・・ｎ型半導体ク
ラッド層、３・・・Ｅｒドープ半導体活性層、４・・・
半導体励起層、５・・・ｐ型半導体クラッド層、６・・
・ｐ型半導体キャップ層、７・・・ｐ型半導体埋め込み
層、８−ｎ型半導体埋め込み層、９・・・ｐ型電極、１
０・・・ｎ側電極、１１・・・ｐ型半導体エツチングス
トップ層、１２・・・ｐ型半導体クラッド層、１３・・
・ｐ型半導体層、１４０．・半導体エツチングストップ
層、１５・・・半導体カバー層、１６・・・５ｉ０２膜である。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）希土類金属をドーピングした、エネルギーギャッ
プが前記希土類金属の遷移エネルギーより大きな半導体
からなる活性層、および前記希土類金属のみを励起し、
前記活性層には吸収されない波長の光を発光する半導体
からなる励起層が、共振器方向に接続されていることを
特徴とする半導体レーザ。
（２）希土類金属をドーピングした、エネルギーギャッ
プが前記希土類金属の遷移エネルギーより大きな半導体
からなる活性層、および前記希土類金属のみを励起し、
前記半導体活性層には吸収されない波長の光を発光する
半導体からなる励起層が、積層されていることを特徴と
する半導体レーザ。
（３）特許請求の範囲第２項の半導体レーザにおいて、
活性層および励起層に量子井戸構造の障壁層および井戸
層を用いることを特徴とする、前記特許請求の範囲第２
項記載の半導体レーザ。
（４）特許請求の範囲第１項、または第２項の半導体レ
ーザにおいて、励起層に発光波長が０．９８μｍ帯のＩ
ｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ歪超格子構造を用いることを
特徴とする半導体レーザ。