JPH0322535A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は樹脂封止型半導体装置における配線の構造に関
するものである。

（従来の技術） ＩＣチッｆｉｚ封止する方法としてセラミノク封止等の
ハーメチソク封止や樹脂体乞用いた樹脂封止が，あるが
、ローコスト等のため後者が主流となっている。近年で
はＩＣの集積化が進み、チソノサイズの大型化をもたら
して卦シ、樹脂封止型金用いｒ　１　） た場合、温度サイクル等の熱衝撃によるストレスがＩＣ
チップに悪影響を及し、具体的にはＡｔスライド等七発
生させていた。

これ全解決するため種々の提案がなされている。

第２図にその１例金示す。第２図（Ａ）は平面図であり
、第２図（Ｂ）は、第２図（Ａ）のＡ　−　Ａ’の断面
図である。

半導体基板１上に絶縁膜４′ｆｆ．介して配線２が敷設
されている。この配線２には、配線２の延在方向に沿っ
てスリット３が形成されて卦９、保護膜５を介して樹脂
封止がなされる。配線２にスリット３を設けることによ
シ配線に集中する封脂応力を分散し、Ａｔスライド現象
を防止しようとするものである。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、前述の様な構造は、応力が小さいものに
ついて有効であるが、大型化したＩＣにおいては樹脂応
力も太き〈、実質的に配線幅を小さくする前述の構成で
は下層の層間絶縁膜との密着力が低下し完全にＡｔスラ
イド現象金防ぐことは（２） できるものではなかった。

（課題を解決するための手段） 上述の問題点に鑑み、本発明の構成は半導体の素子領域
金接続する配線層の延在方向に少な〈ともｌつのハーフ
エッチングされた溝を設けたものとする。

（作用） 本発明は上記の様な構成としたため、下地層の層間絶縁
膜の密着力金維持しつつ、さらに、樹脂応力金分散させ
る作用がある。

（実施例） 第１図は本発明の第１の実施例乞示す断面図である。以
下、第１図に基づきその構造を詳細に説明する。

半導体基板１上に層間絶縁膜４が形成されている。尚、
この絶縁膜４の上層には図示しない密着強化材が塗布さ
れておシ、その上層物との密着性の強化を図っている。

この絶縁膜４上に、半導体基板内に形成されたトランジ
スタ等を接線する厚みが１μｍ程度のＡｔ配線６が形成
されている。

この配線６の中央部に延在方向に沿った溝７が形成され
る。この溝７は、深さが５０００〜７０００Ｘ厚であシ
配線６を２分割するものではない。

さらにこの配線６及び絶縁膜５上に保護膜５が形成され
、樹脂体８により封止されている。

次に本発明の特徴である配線６の形威力法について述べ
る。

層間絶縁膜４上の全面にス・ぐソタ蒸差によりＡＡの層
を形成する。次に配線形或領域上にマスキングを行い、
その他の領域ｉ　ＲＩＥ法によってエッチング除去する
。その後マスク材金除去した後、再度ホトレンストをス
ピンコートし、溝形成領域上のレジスト材乞除去し、異
方性エッチングによシハ−フエソチ処理金施す。

以上、本発明の第１の実施例について述べたが、溝は複
数列設けることも可能である。

（効果） 以上、詳細に述べた様に本発明によれば配線下部は従来
と同等の幅寸法金有し、上部は２以上に分割しているた
め、配線はその下地層との密着力を維持しつつ、さらに
樹脂応力の分散を図ることができる。従って、Ａｔスラ
イドによる断線が防止できるのである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明にかかる樹脂封止型半導体装置の断面図
であシ、第２図（Ａ）は従来技術にかかる樹脂封止型半
導体装置の平面図であり、第２図（Ｂ）は第２図（Ａ）
におけるＡ　−　Ａ’の断面図である。 １・・・半導体基板、２，６・・・配線、３・・・スリ
ノ１・、４・・・層間絶縁膜、５・・・保護膜、７・・
・溝、８・・・封止樹脂。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板の一主面上に形成された素子領域と、前記素
   子領域を接続する配線層を有し、前記基板を樹脂封止し
   た半導体装置において、前記配線層の延在方向に少なく
   とも１つのハーフエッチングされた溝を有することを特
   徴とする樹脂封止型半導体装置。