JPH0321493A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPH0321493A JPH0321493A JP1156600A JP15660089A JPH0321493A JP H0321493 A JPH0321493 A JP H0321493A JP 1156600 A JP1156600 A JP 1156600A JP 15660089 A JP15660089 A JP 15660089A JP H0321493 A JPH0321493 A JP H0321493A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical recording
- recording layer
- group
- integer
- substituent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 70
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 18
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims abstract description 15
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 9
- 239000004721 Polyphenylene oxide Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 4
- 229920000570 polyether Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims abstract description 4
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 230000016615 flocculation Effects 0.000 abstract 1
- 238000005189 flocculation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 77
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 13
- -1 tert-amyl group Chemical group 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 7
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 description 5
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 4
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 3
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 3
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 2
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCIGYNYNWOOINI-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methylbutan-2-yl)benzo[e]isoindole-1,3-diimine Chemical compound C1=CC=CC2=C(C(N(C(C)(C)CC)C3=N)=N)C3=CC=C21 ZCIGYNYNWOOINI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical group CCCCOCCOCCOCCO COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004200 2-methoxyethyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229950005499 carbon tetrachloride Drugs 0.000 description 1
- 150000001244 carboxylic acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001786 chalcogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- NEHMKBQYUWJMIP-NJFSPNSNSA-N chloro(114C)methane Chemical compound [14CH3]Cl NEHMKBQYUWJMIP-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 229960001701 chloroform Drugs 0.000 description 1
- 125000000068 chlorophenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical group CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 125000004464 hydroxyphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229940035429 isobutyl alcohol Drugs 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 1
- QDRKDTQENPPHOJ-UHFFFAOYSA-N sodium ethoxide Chemical compound [Na+].CC[O-] QDRKDTQENPPHOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 description 1
- ZZIZZTHXZRDOFM-XFULWGLBSA-N tamsulosin hydrochloride Chemical compound [H+].[Cl-].CCOC1=CC=CC=C1OCCN[C@H](C)CC1=CC=C(OC)C(S(N)(=O)=O)=C1 ZZIZZTHXZRDOFM-XFULWGLBSA-N 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003866 trichloromethyl group Chemical group ClC(Cl)(Cl)* 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004044 trifluoroacetyl group Chemical group FC(C(=O)*)(F)F 0.000 description 1
- 239000005051 trimethylchlorosilane Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、レーザー光線の照射により、光記録層の分子
の凝集状態を変化させ、情報の書込みおよび読取りを行
なうことが可能な光記録媒体に関する。
の凝集状態を変化させ、情報の書込みおよび読取りを行
なうことが可能な光記録媒体に関する。
発明の技術的背景ならびにその問題点
従来から、レーザー光線を用いて、情報を記録し、読取
る光記録媒体としては、種々のものが知られている。そ
の一つに、レーザー光線を基板上の記録層に照射して、
照射部分に融解、蒸発、分解などの変化を生じさせて記
録を行なう光学記録媒体が知られている。
る光記録媒体としては、種々のものが知られている。そ
の一つに、レーザー光線を基板上の記録層に照射して、
照射部分に融解、蒸発、分解などの変化を生じさせて記
録を行なう光学記録媒体が知られている。
たとえば特開昭57−112098号公報、特開昭58
−56892号公報、特開昭60−89842号公報、
特開昭60−150243号公報などには、透明基板と
、この基板上に設けられた有機色素薄膜層からなる光記
録層とからなる光記録媒体が開示されており、この光記
録媒体では、比較的長波長たとえば7 8 0 nm以
上のレーザー光線を該光記録層に!!a射して情報の書
込みや読取りを行なっている。このような光記録媒体で
は、半導体レーザーの照射によって、有機色素を融解、
蒸発、分解などさせることによって、光記録層に容易に
微小な凹部(ピット)を形威させている。
−56892号公報、特開昭60−89842号公報、
特開昭60−150243号公報などには、透明基板と
、この基板上に設けられた有機色素薄膜層からなる光記
録層とからなる光記録媒体が開示されており、この光記
録媒体では、比較的長波長たとえば7 8 0 nm以
上のレーザー光線を該光記録層に!!a射して情報の書
込みや読取りを行なっている。このような光記録媒体で
は、半導体レーザーの照射によって、有機色素を融解、
蒸発、分解などさせることによって、光記録層に容易に
微小な凹部(ピット)を形威させている。
ところが上記のような光記録媒体では、光記録層に該記
録層の形状変化を伴うビットを形成することにより記録
を行なっているため、この光記録媒体に繰り返し記録を
行なうと、記録特性が大きく低下してくるという問題点
があった。また安定な信号強度が得るためには高いレー
ザーパ’7−カ必要となり、感度が悪いという問題点も
あった。
録層の形状変化を伴うビットを形成することにより記録
を行なっているため、この光記録媒体に繰り返し記録を
行なうと、記録特性が大きく低下してくるという問題点
があった。また安定な信号強度が得るためには高いレー
ザーパ’7−カ必要となり、感度が悪いという問題点も
あった。
本発明者らは、上記のような問題点を解決すべく鋭意研
究したところ、透明基板上に、下記一般式[I]で示さ
れるナフタロシアニン系ポリマー化合物の少なくとも1
種以上を含有する光記録層と該光記録層の変形抑制層と
が、この順序で設けられてなる光記録媒体では、光記録
層に記録レーザーを照、射した場合に、光記録層にビッ
ト(穴)が形戊されるのではなく、上記色素の凝集状態
が変化して記録を行なうことが可能であり、したがって
繰り返し記録特性に優れ、しかも低い記録レーザーバワ
ーでも安定した信号強度が得られることを見出して本発
明を完成するに至った。
究したところ、透明基板上に、下記一般式[I]で示さ
れるナフタロシアニン系ポリマー化合物の少なくとも1
種以上を含有する光記録層と該光記録層の変形抑制層と
が、この順序で設けられてなる光記録媒体では、光記録
層に記録レーザーを照、射した場合に、光記録層にビッ
ト(穴)が形戊されるのではなく、上記色素の凝集状態
が変化して記録を行なうことが可能であり、したがって
繰り返し記録特性に優れ、しかも低い記録レーザーバワ
ーでも安定した信号強度が得られることを見出して本発
明を完成するに至った。
発明の目的
本発明は、上記のような従来技術に伴う問題点を解決し
ようとするものであって、光記録層に記録レーザーを照
射した場合に光記録層にビット(穴)を形成して記録す
るのではなく、光記録層における色素の凝集状態を変化
させて記録することが可能であり、したがって繰り返し
記録特性に優れ、しかも記録レーザーパワーが変化して
も安定した信号強度が得られるような光記録媒体を提供
することを目的としている。
ようとするものであって、光記録層に記録レーザーを照
射した場合に光記録層にビット(穴)を形成して記録す
るのではなく、光記録層における色素の凝集状態を変化
させて記録することが可能であり、したがって繰り返し
記録特性に優れ、しかも記録レーザーパワーが変化して
も安定した信号強度が得られるような光記録媒体を提供
することを目的としている。
発明のほ要
本発明に係る光記録媒体は、下記一般式[I]で示され
るナフタロシアニン系ポリマー化合物の少なくとも1w
1以上を含有する光記録層と、該光記録層の変形抑制層
とが、この順序で設けられてなることを特徴としている
。
るナフタロシアニン系ポリマー化合物の少なくとも1w
1以上を含有する光記録層と、該光記録層の変形抑制層
とが、この順序で設けられてなることを特徴としている
。
c式中、MはS i s,G eまたはSnである。X
は−OSIR1R20(C 2 は、−(OSIR’ R2) れぞれ独立に一R11 あり、置換基z1 l2 +140)jOSIR R O−、またI2 kO−である。Y ,Y はそ −Of? −OSIR’Rl4R’でl2 Zzはそれぞれ独立に、ハロ ゲン原子、または、一Rte − ORt’yである
。ここで、RI R2 3 ,.,,,,R1
0 R11 R12 R16R およびRl7は互いに同一であっても異なっていてもよ
く、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、アリ
ール基、アシル基、シクロアルキル基であり、Rl3R
l4およびR15は互いに同一であっても異なっていて
もよく、置換基を有してもよいアルキル基、アリール基
、アシル基、シクロアルキル基、アルコキシ基またはポ
リエーテル基であり、g,h,i、jSkは互いに同一
であっても異なっていてもよく、1以上の整数好ましく
は1〜7の整数、さらに好ましくは1〜3の整数である
。また、nは1以上の整数であり、ポリマーとしての重
合度を示し、好ましくは1〜10の整数、さらに好まし
くは1〜3の整数を表わす。
は−OSIR1R20(C 2 は、−(OSIR’ R2) れぞれ独立に一R11 あり、置換基z1 l2 +140)jOSIR R O−、またI2 kO−である。Y ,Y はそ −Of? −OSIR’Rl4R’でl2 Zzはそれぞれ独立に、ハロ ゲン原子、または、一Rte − ORt’yである
。ここで、RI R2 3 ,.,,,,R1
0 R11 R12 R16R およびRl7は互いに同一であっても異なっていてもよ
く、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、アリ
ール基、アシル基、シクロアルキル基であり、Rl3R
l4およびR15は互いに同一であっても異なっていて
もよく、置換基を有してもよいアルキル基、アリール基
、アシル基、シクロアルキル基、アルコキシ基またはポ
リエーテル基であり、g,h,i、jSkは互いに同一
であっても異なっていてもよく、1以上の整数好ましく
は1〜7の整数、さらに好ましくは1〜3の整数である
。また、nは1以上の整数であり、ポリマーとしての重
合度を示し、好ましくは1〜10の整数、さらに好まし
くは1〜3の整数を表わす。
flSmはそれぞれ独立に0〜6の整数であって置換基
z1およびz2の個数である。] 発明の具体的説明 以下まず本発明に係る光記録媒体について具体的に説明
する。
z1およびz2の個数である。] 発明の具体的説明 以下まず本発明に係る光記録媒体について具体的に説明
する。
本発明では透明基板としては、光記録媒体の基板として
通常用いられている、情報の書込みあるいは読出しを行
なうための光の透過率が85%以上であり、かつ光学異
方性の小さい基板が用いられる。このような透明基板と
しては、具体的には、ガラス、アクリル樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ボリアミド樹脂、塩
化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリスチレン系樹
脂、ポリ4−メチルペンテンなどのポリオレフィン樹脂
−、米国特許第4614778号明細書に示されるよう
な非品質ポリオレフィン樹脂、ポリエーテルスルホン樹
脂などの熱可塑性樹脂あるいはエポキシ樹脂、アリル樹
脂などの熱硬化樹脂からなる基板が用いられる。これら
の中で、色素を溶解する際に、用いることができる溶媒
の多様性から非品質ポリオレフィン樹脂製基板を用いる
ことが好ましい。
通常用いられている、情報の書込みあるいは読出しを行
なうための光の透過率が85%以上であり、かつ光学異
方性の小さい基板が用いられる。このような透明基板と
しては、具体的には、ガラス、アクリル樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ボリアミド樹脂、塩
化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリスチレン系樹
脂、ポリ4−メチルペンテンなどのポリオレフィン樹脂
−、米国特許第4614778号明細書に示されるよう
な非品質ポリオレフィン樹脂、ポリエーテルスルホン樹
脂などの熱可塑性樹脂あるいはエポキシ樹脂、アリル樹
脂などの熱硬化樹脂からなる基板が用いられる。これら
の中で、色素を溶解する際に、用いることができる溶媒
の多様性から非品質ポリオレフィン樹脂製基板を用いる
ことが好ましい。
このような透明基板の厚さは、特に制限がなく、その形
状は板状であってもフィルム状であっても、また、円形
状あるいはカード状であってもよく、その大きさには特
に制限はない。また、透明基板には、通常、記録および
読み出しの際の位置制御のための案内溝やアドレス信号
や各種マークなどのプリフォーマット用の凹凸が設けら
れているが、これらの凹凸は前記したような熱可塑性樹
脂を射出成形、圧縮或形などにより成形する際にスタン
バーなどを用いて付与することができる。
状は板状であってもフィルム状であっても、また、円形
状あるいはカード状であってもよく、その大きさには特
に制限はない。また、透明基板には、通常、記録および
読み出しの際の位置制御のための案内溝やアドレス信号
や各種マークなどのプリフォーマット用の凹凸が設けら
れているが、これらの凹凸は前記したような熱可塑性樹
脂を射出成形、圧縮或形などにより成形する際にスタン
バーなどを用いて付与することができる。
本発明に係る光記録媒体は、上記のような透明基板上に
、光記録層および該光記録層の変形抑制層がこの順序で
設けられてなり、この記録層は下記一般式[I]で示さ
れる特定のナフタロシアニン系ポリマー化合物の少なく
とも一種以上を含有する光記録層と、該光記録層の変形
抑制層とが、この順序で設けられている。
、光記録層および該光記録層の変形抑制層がこの順序で
設けられてなり、この記録層は下記一般式[I]で示さ
れる特定のナフタロシアニン系ポリマー化合物の少なく
とも一種以上を含有する光記録層と、該光記録層の変形
抑制層とが、この順序で設けられている。
[式中、MはS l s G eまたはSnである。X
は12 1 2
は、−(OSIR R ) 0−である。Y
SY はそk れぞれ独立に−R11 −OR12 −OSIR1
3R14R15であり、置換2!Z Z2はそれぞ
れ独立に、ノ\ロl ゲン原子、または ,−Rl6 −01?l7である
。ここで、2 3 10
11 12 1[IR’,R,R
・・・・・・R SR,RRおよびRl7は互いに同
一であっても異なっていてもよく、水素原子、置換基を
有してもよいアルキル及、アリール基、アシル基、シク
ロアルキル13 14 是であり、RR およびR15は互いに同一であって
も異なっていてもよく、置換基を有してもよいアルキル
基、アリール基、アシル基、シクロアルキル基、アルコ
キシ基またはポリエーテル基であり、gSh.、ls
JSkは互いに同一であっても異なっていてもよく、1
以上の整数好ましくは1〜7の整数、さらに好ましくは
1〜3の整数である。また、nは1以上の整数であり、
ポリマーとしての重合度を示し、好ましくは1〜10の
整数、さらに好ま七くは1〜3の整数である。
は12 1 2
は、−(OSIR R ) 0−である。Y
SY はそk れぞれ独立に−R11 −OR12 −OSIR1
3R14R15であり、置換2!Z Z2はそれぞ
れ独立に、ノ\ロl ゲン原子、または ,−Rl6 −01?l7である
。ここで、2 3 10
11 12 1[IR’,R,R
・・・・・・R SR,RRおよびRl7は互いに同
一であっても異なっていてもよく、水素原子、置換基を
有してもよいアルキル及、アリール基、アシル基、シク
ロアルキル13 14 是であり、RR およびR15は互いに同一であって
も異なっていてもよく、置換基を有してもよいアルキル
基、アリール基、アシル基、シクロアルキル基、アルコ
キシ基またはポリエーテル基であり、gSh.、ls
JSkは互いに同一であっても異なっていてもよく、1
以上の整数好ましくは1〜7の整数、さらに好ましくは
1〜3の整数である。また、nは1以上の整数であり、
ポリマーとしての重合度を示し、好ましくは1〜10の
整数、さらに好ま七くは1〜3の整数である。
Rsmはそれぞれ独立に0〜6の整数であって置換基2
およびZ2の個数である。] 1 1 17 ここで上記のようなR −R およびz1〜z2に
ついてさらに詳しく説明すると、上記式におけるハロゲ
ン原子としては、具体的には、塩素、臭素、ヨウ素、フ
ッ素等が挙げられ、置換基を有してもよいアルキル基と
しては、具体的には、メチル基、ステアリル基、、n−
プチル基、tert−ブチル基、tert−アミル基、
2−エチルヘキシル基、トリクロロメチル基、1・リフ
ルオ口メチル基、2−メトキシエチル基等が挙げられ、
アリール基としては、具体的には、フエニル基、トルイ
ル基、ナフチル基、アントリル基、クロロフエニル基、
ヒドロキシフエニル基、ジエチルアミノフェニル基、ヒ
ドロキシナフチル基、ジメチルアミノナフチル基、ジエ
チルアミノナフチル基等が挙げられ、シクロアルキル基
としては、具体的には、シクロヘキシル基、シクロペン
チル基、シクロブチル基等が挙げられ、アシル基として
は、具体的には、アセチル基、トリフルオロアセチル基
等が挙げられ、アルコキシ基としては、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ステアリルオキシ
基等が挙げられ、ポリエーテル基としては、具体的には
、ジエチレングリコールモノエチルエーテル基、トリエ
チレングリコールモノブチルエーテル基等が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。
およびZ2の個数である。] 1 1 17 ここで上記のようなR −R およびz1〜z2に
ついてさらに詳しく説明すると、上記式におけるハロゲ
ン原子としては、具体的には、塩素、臭素、ヨウ素、フ
ッ素等が挙げられ、置換基を有してもよいアルキル基と
しては、具体的には、メチル基、ステアリル基、、n−
プチル基、tert−ブチル基、tert−アミル基、
2−エチルヘキシル基、トリクロロメチル基、1・リフ
ルオ口メチル基、2−メトキシエチル基等が挙げられ、
アリール基としては、具体的には、フエニル基、トルイ
ル基、ナフチル基、アントリル基、クロロフエニル基、
ヒドロキシフエニル基、ジエチルアミノフェニル基、ヒ
ドロキシナフチル基、ジメチルアミノナフチル基、ジエ
チルアミノナフチル基等が挙げられ、シクロアルキル基
としては、具体的には、シクロヘキシル基、シクロペン
チル基、シクロブチル基等が挙げられ、アシル基として
は、具体的には、アセチル基、トリフルオロアセチル基
等が挙げられ、アルコキシ基としては、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ステアリルオキシ
基等が挙げられ、ポリエーテル基としては、具体的には
、ジエチレングリコールモノエチルエーテル基、トリエ
チレングリコールモノブチルエーテル基等が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。
一般式[I]で示される化合物は、以下の方法により合
成することができる。
成することができる。
たとえば、下記一般式[nlで表わされるイソインドレ
ニン化合物と各種金属塩とから、まず一般式[mlで示
されるフタ口シアニン系化合物を合成する。
ニン化合物と各種金属塩とから、まず一般式[mlで示
されるフタ口シアニン系化合物を合成する。
一般式[IN]Ht:!
I−IN
(式中、Z,mおよびgは一般式[I]におけるl2
2 またはZ mSfIと同じである。)また原料
として、カルボン酸無水物、イミド類もしくは二1・リ
ル類を用いて常法に従って一般式[I11]を得ること
もできる。
として、カルボン酸無水物、イミド類もしくは二1・リ
ル類を用いて常法に従って一般式[I11]を得ること
もできる。
一般式[III]
(式中、M,ZSρおよびmは一般式[I]におけるM
,ZS,QSmと同じである。)次に、得られた一般式
[III]で示されるナフタロシアニン化合物と2価の
連結是となりうる化合物を反応させた後、末端の水酸是
をアルキル化、またはシリル化することにより、一般式
[I]で示されるナフタロシアニン系ポリ、マー化合物
を得ることができる。
,ZS,QSmと同じである。)次に、得られた一般式
[III]で示されるナフタロシアニン化合物と2価の
連結是となりうる化合物を反応させた後、末端の水酸是
をアルキル化、またはシリル化することにより、一般式
[I]で示されるナフタロシアニン系ポリ、マー化合物
を得ることができる。
本発明で使用する一般式[I]で示されるナフタロシア
ニン系ポリマー化合物の代表例として、以下に示す化合
物(a) る。
ニン系ポリマー化合物の代表例として、以下に示す化合
物(a) る。
〜 (d)
などが挙げられ
−f’SJ’
2
%
O
また本発明に係る光記録媒体の光記録層は、必要に応じ
て、高分子バインダーを含んでいてもよい。このような
高分子バインダーとしては、塩化ビニル系樹脂、アクリ
ル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、エボキシ樹脂、メタクリル樹脂、酢酸ビ
ニル系樹脂、ニトロセルロース、フェノール樹脂などが
用いられる。このような高分子バインダーを用いる場合
には、高分子バインダーによる色素分子の熱的な運動お
よびスクッキング阻害を生じることがあるため、光記録
層中の高分子バインダーの含有量は10ffl量%以下
とすることが好ましい。
て、高分子バインダーを含んでいてもよい。このような
高分子バインダーとしては、塩化ビニル系樹脂、アクリ
ル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、エボキシ樹脂、メタクリル樹脂、酢酸ビ
ニル系樹脂、ニトロセルロース、フェノール樹脂などが
用いられる。このような高分子バインダーを用いる場合
には、高分子バインダーによる色素分子の熱的な運動お
よびスクッキング阻害を生じることがあるため、光記録
層中の高分子バインダーの含有量は10ffl量%以下
とすることが好ましい。
透明基板上に形或される光記録層の厚さは、10μm以
下好ましくは500人〜2μmであることが望ましい。
下好ましくは500人〜2μmであることが望ましい。
本発明に係る光記録媒体では、上記のような光記録層上
に、該光記録層の変形抑制層が設けられている。
に、該光記録層の変形抑制層が設けられている。
このような光記録層の変形抑制層は、光記録層に記録を
行なうためにレーザー光が照射された際に、光記録層の
レーザー光照射部分に穴などの変形部分が形成されない
ようにする役割を果たしている。
行なうためにレーザー光が照射された際に、光記録層の
レーザー光照射部分に穴などの変形部分が形成されない
ようにする役割を果たしている。
このような変形抑制層としては、具体的には、SiO
,SiO、ZnOなどの酸化物、S t 32 N 4、A II N − T t Nなとの窒化物、
SiC,TiCなどの炭化物、熱可塑性樹脂、熱硬化性
樹脂などの誘電体あるいはT e −. S e %
Sなどを含むカルコゲン化合物、Ge,Stなどの化合
物からなる半導体物質、金、銀、銅、白金、アルミニウ
ム、コバルト、ニクロムなどの金属などが用いられる。
,SiO、ZnOなどの酸化物、S t 32 N 4、A II N − T t Nなとの窒化物、
SiC,TiCなどの炭化物、熱可塑性樹脂、熱硬化性
樹脂などの誘電体あるいはT e −. S e %
Sなどを含むカルコゲン化合物、Ge,Stなどの化合
物からなる半導体物質、金、銀、銅、白金、アルミニウ
ム、コバルト、ニクロムなどの金属などが用いられる。
このうち特に、レーザー光の熱拡散の影響を小さくする
ため、熱伝導率の低い誘電体あるいは半導体物質が好ま
しい。
ため、熱伝導率の低い誘電体あるいは半導体物質が好ま
しい。
これらの変形抑制層は、一層で用いてもよく、また重ね
合せて用いることもできる。
合せて用いることもできる。
変形抑制層の膜厚さは、0,01〜10μm好ましくは
0.02〜1.0μm程度である。
0.02〜1.0μm程度である。
上記のような変形抑制層を光記録層上に設けることによ
って、光記録層上に記録レーザービームを照射した場合
に、光記録層にピット(穴)が形成されるのではなく、
光記録層中に含まれるナフタロシアニン系ポリマー化合
物の凝集状態が変化して記録を行なうことが可能となる
。
って、光記録層上に記録レーザービームを照射した場合
に、光記録層にピット(穴)が形成されるのではなく、
光記録層中に含まれるナフタロシアニン系ポリマー化合
物の凝集状態が変化して記録を行なうことが可能となる
。
また本発明では、透明基板と光記録層との間に、上記の
ような変形抑制層を設けることもでき、透明基板と光記
録層との間に変形抑制層を設けることによって、該光記
録層に記録レーザービームが照射された場合の光記録層
の形状変化をさらに抑制することができる。
ような変形抑制層を設けることもでき、透明基板と光記
録層との間に変形抑制層を設けることによって、該光記
録層に記録レーザービームが照射された場合の光記録層
の形状変化をさらに抑制することができる。
次に本発明に係る光記録媒体の製造方法について説明す
る。
る。
まず上記のようなナフタロシアニン系ポリマー化合物を
有機溶媒に溶解あるいは分散させて色素溶液を調製する
。この際有機溶媒としては、低沸点好ましくは200℃
以下さらに好ましくは150℃廐下の沸点を有する有機
溶媒が用いられる。具体的には、下記のような有機溶媒
が用いられる。
有機溶媒に溶解あるいは分散させて色素溶液を調製する
。この際有機溶媒としては、低沸点好ましくは200℃
以下さらに好ましくは150℃廐下の沸点を有する有機
溶媒が用いられる。具体的には、下記のような有機溶媒
が用いられる。
(1)アルコール類
たとえばメタノール、エタノール、l−プロバノール、
1−ブタノール、イソプチルアルコール、tert−ブ
チルアルコール、1−ペンタノールなど。
1−ブタノール、イソプチルアルコール、tert−ブ
チルアルコール、1−ペンタノールなど。
(1)ケトン類
たとえばメチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブ
チルケトン、シクロヘキサノンなど。
チルケトン、シクロヘキサノンなど。
(i1) アミド類
たとえばジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド
など。
など。
( IV )スルホキシド類
たとえばジメチルスルホキシドなど。
(V)エーテル類
たとえばジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブ
チルエーテルなど。
チルエーテルなど。
(v1)エステル類
たとえば酢酸エチル、酢酸プロビルなど。
(■)脂肪族ハロゲン化炭化水素類
たとえば1.2−ジクロロエタン、塩化メチル、四塩化
炭素、クロロホルム、ジクロロベンゼンなど。
炭素、クロロホルム、ジクロロベンゼンなど。
(V1)芳香族炭化水素類
たとえばベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼ
ンなど。
ンなど。
これらの有機溶剤は単独で用いても良いし、ある比率で
混合して用いることもできる。
混合して用いることもできる。
また必要に応じて上記のような色素溶液に、高分子バイ
ンダーを添加してもよい。
ンダーを添加してもよい。
次いで上記のようにして調製した色素溶液を透明基板上
に塗布した後、乾燥して上記の有機溶媒を色素膜から除
去することによって、本発明に係る光記録層を形或する
ことができる。色素溶液を透明基板上に塗布するには、
たとえばスピンコート法、ディップ法、スプレー法など
を採用することができる。
に塗布した後、乾燥して上記の有機溶媒を色素膜から除
去することによって、本発明に係る光記録層を形或する
ことができる。色素溶液を透明基板上に塗布するには、
たとえばスピンコート法、ディップ法、スプレー法など
を採用することができる。
本発明では、このようにして透明基板上に形成された記
録層を、外部からの加熱によって、80〜280℃好ま
しくは100〜250℃に加熱処理することもできる。
録層を、外部からの加熱によって、80〜280℃好ま
しくは100〜250℃に加熱処理することもできる。
加熱時間は、加熱温度によって大きく変化するが、通常
30秒〜90分程度であることが好ましく、さらに好ま
しくは3〜60分程度である。外部から記録層を加熱す
る方法については特に制限はなく、加熱オーブンを利用
する方法、加熱ロールや熱板に記録層を接触させる方法
、赤外線ランプにより赤外線を記録層に照射する方法、
熱プレスを行なう方法などを採用することができる。
30秒〜90分程度であることが好ましく、さらに好ま
しくは3〜60分程度である。外部から記録層を加熱す
る方法については特に制限はなく、加熱オーブンを利用
する方法、加熱ロールや熱板に記録層を接触させる方法
、赤外線ランプにより赤外線を記録層に照射する方法、
熱プレスを行なう方法などを採用することができる。
このようにして記録層を80〜280℃の温度に加熱処
理すると、記録層の光学特性および安定性が向上するこ
とがある。これは記録層を加熱処理することによって、
記録層内部の分子集合状態がより緻密となるためであろ
うと推定される。
理すると、記録層の光学特性および安定性が向上するこ
とがある。これは記録層を加熱処理することによって、
記録層内部の分子集合状態がより緻密となるためであろ
うと推定される。
なお記録層の加熱処理は、窒素ガスなどの不活性雰囲気
あるいは空気中などの酸素含有雰囲気中で行なうことが
好ましい。
あるいは空気中などの酸素含有雰囲気中で行なうことが
好ましい。
上記のようにして記録層を80〜280℃の温度で加熱
処理した後に、該記録層をクロロホルム、テトラヒドロ
フラン、トルエンなどの有機溶媒の蒸気にさらすことに
よって、記録層の吸収波長が長波長側にシフトし、半導
体レーザーの発振波長域の光に対する感度を著しく向上
させることができる場合もある。
処理した後に、該記録層をクロロホルム、テトラヒドロ
フラン、トルエンなどの有機溶媒の蒸気にさらすことに
よって、記録層の吸収波長が長波長側にシフトし、半導
体レーザーの発振波長域の光に対する感度を著しく向上
させることができる場合もある。
次に上記のようにして基板上に設けられた記録層上に、
変形抑制層を、真空蒸着法、スバツタ法、プラズマCV
D法、イオンブレーテイング法などの乾式或膜法あるい
はスピンコート法、デイ・ソプ法、スプレー法、ロール
法などによって設ける。
変形抑制層を、真空蒸着法、スバツタ法、プラズマCV
D法、イオンブレーテイング法などの乾式或膜法あるい
はスピンコート法、デイ・ソプ法、スプレー法、ロール
法などによって設ける。
上記のようにして得られた光学記録媒体に記録を行なう
には、記録層に1μm程度に集束したレーザー光、好ま
しくは半導体レーザー光を照射すればよい。レーザー光
が照射された部分の色素は、凝集状態が変化して、情報
を記録することができる。このようにして記録層に記録
された情報の再生は、情報が記録された部分と、情報が
記録されていない部分とにレーザー光などを照射し、こ
れらの間の反射率の差を読み取ることによって行なわれ
る。
には、記録層に1μm程度に集束したレーザー光、好ま
しくは半導体レーザー光を照射すればよい。レーザー光
が照射された部分の色素は、凝集状態が変化して、情報
を記録することができる。このようにして記録層に記録
された情報の再生は、情報が記録された部分と、情報が
記録されていない部分とにレーザー光などを照射し、こ
れらの間の反射率の差を読み取ることによって行なわれ
る。
本発明に係る光記録媒体では、弱いレーザー光を記録部
分にゆっくり照射したり、強いレーザー光を高速に照射
したりすることによって、再度情報を書込むことが可能
となる。本発明に係る光記録媒体では、光記録層に記録
レーザーを照射した場合に、光記録層にピットを形威し
ているのではなく、記録層中の色素の凝集状態を変化さ
せて記録を行なっているので、上記のような方法によっ
て繰り返し記録が可能となる。
分にゆっくり照射したり、強いレーザー光を高速に照射
したりすることによって、再度情報を書込むことが可能
となる。本発明に係る光記録媒体では、光記録層に記録
レーザーを照射した場合に、光記録層にピットを形威し
ているのではなく、記録層中の色素の凝集状態を変化さ
せて記録を行なっているので、上記のような方法によっ
て繰り返し記録が可能となる。
なお情報の再生に際して記録層に照射するレーザー光は
、該記録層に情報を書込む際のレーザー光よりもエネル
ギーの小さなレーザー光であって、情報の再生時に記録
層の凝集状態を変化させないことが好ましい。
、該記録層に情報を書込む際のレーザー光よりもエネル
ギーの小さなレーザー光であって、情報の再生時に記録
層の凝集状態を変化させないことが好ましい。
記録層への情報の書込みまたは再生に際してレーザーと
してはHe−Neレーザー A『レーザー、半導体レー
ザーなどの各種レーザーを用いることができるが、価格
、大きさの点で半導体レーザーが特に好ましい。半導体
レーザーとしては、中心波長8 3 0 nm, 7
8 0 rvおよびそれより短波長のレーザーを使用す
ることができる。
してはHe−Neレーザー A『レーザー、半導体レー
ザーなどの各種レーザーを用いることができるが、価格
、大きさの点で半導体レーザーが特に好ましい。半導体
レーザーとしては、中心波長8 3 0 nm, 7
8 0 rvおよびそれより短波長のレーザーを使用す
ることができる。
発明の効果
本発明により得られた光記録媒体は、繰り返し記録が可
能であり、しかも低い記録レーザーパワーでも安定した
信号強度が得られる。
能であり、しかも低い記録レーザーパワーでも安定した
信号強度が得られる。
[実施例]
次に、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが
、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
なお、例中、部とは重量部を表わす。
実施例1
ナフタロシアニン系ポリマー化合物(b)の製逍
キノリン50部に、tert−アミルー1.3−ジイミ
ノベンゾイソインドリン7.8部および四塩化けい素5
.0部を加え、180〜20.0℃に3時間加熱攪拌し
た後、冷却し、メタノール500部で希釈し、ろ別し、
メタノールおよびジメチルホルムアミドで洗浄し、乾燥
して、テトラーtert−アミルジヒドロキシシリコン
フタロシアニン7.0部を得た。
ノベンゾイソインドリン7.8部および四塩化けい素5
.0部を加え、180〜20.0℃に3時間加熱攪拌し
た後、冷却し、メタノール500部で希釈し、ろ別し、
メタノールおよびジメチルホルムアミドで洗浄し、乾燥
して、テトラーtert−アミルジヒドロキシシリコン
フタロシアニン7.0部を得た。
ピリジン100部に得られたテトラーtert−アミル
ジヒドロキシシリコンフタロシアニン1.0部およびト
リ一〇一プチルアミン5.0部を加え、加熱攪拌しなが
ら、前留としてビリジン50部を留去させ、冷却した後
、ジクロロジメチルシラン8.0部を加え、室温にて1
8時間攪拌した。ついで、徐々に昇温させ、系内の温度
がピリジンの沸点に達するまで過剰のジクロロジメチル
シランを留去させた。先に得られたテトラーtert−
アミルジヒドロキシシリコンフタロシアニン1.0部を
加え、室温で3時間攪拌し、続いて3時間還流させ、冷
却した後、トリメチルクロロシラン5,0部を加え、室
温で12時間攪拌し、メタノール200部で希釈し、洗
浄し、乾燥し、緑色の粉末を得た。
ジヒドロキシシリコンフタロシアニン1.0部およびト
リ一〇一プチルアミン5.0部を加え、加熱攪拌しなが
ら、前留としてビリジン50部を留去させ、冷却した後
、ジクロロジメチルシラン8.0部を加え、室温にて1
8時間攪拌した。ついで、徐々に昇温させ、系内の温度
がピリジンの沸点に達するまで過剰のジクロロジメチル
シランを留去させた。先に得られたテトラーtert−
アミルジヒドロキシシリコンフタロシアニン1.0部を
加え、室温で3時間攪拌し、続いて3時間還流させ、冷
却した後、トリメチルクロロシラン5,0部を加え、室
温で12時間攪拌し、メタノール200部で希釈し、洗
浄し、乾燥し、緑色の粉末を得た。
得られた粉末をクロロホルムに溶解し、シリカゲル力ラ
ムを用いて分離精製した後、溶媒を留去させて、ダイマ
ーであるナフタロシアニン系ポリマー化合物(b)と若
干量のトリマーとの混合物0.5部を得た。
ムを用いて分離精製した後、溶媒を留去させて、ダイマ
ーであるナフタロシアニン系ポリマー化合物(b)と若
干量のトリマーとの混合物0.5部を得た。
得られたダイマー(b)とトリマーとの混合物2,0部
をジクロロエタン98.0部に溶解して得られた溶液を
、非品質ポリオレフィン樹脂を射出成形した満付きディ
スク基板上に、スピンコート法にて、回転数6 0 0
rpmで1000大の膜厚に成膜して光記録層とした
。この記録層の上に、真空蒸着法にて、S t O 2
を約100ムの膜厚で成膜し、さらに紫外線硬化樹脂を
スビンコート法で回転数4 0 0 rpa+にて、こ
の上に塗布し、紫外線ランプで硬化して1.0ミクロン
の厚さに形或し、光記録媒体を得た。
をジクロロエタン98.0部に溶解して得られた溶液を
、非品質ポリオレフィン樹脂を射出成形した満付きディ
スク基板上に、スピンコート法にて、回転数6 0 0
rpmで1000大の膜厚に成膜して光記録層とした
。この記録層の上に、真空蒸着法にて、S t O 2
を約100ムの膜厚で成膜し、さらに紫外線硬化樹脂を
スビンコート法で回転数4 0 0 rpa+にて、こ
の上に塗布し、紫外線ランプで硬化して1.0ミクロン
の厚さに形或し、光記録媒体を得た。
実施例2
ナフタロシアニン系ポリマー化合物(C)の製ハま
キノリン50部に、tert−アミルー1.3−ジイミ
ノベンゾイソインドリン7.8部および四塩化けい素5
.0部を加え、180〜200℃で3時間加熱攪押した
後、冷却し、メタノール500部で希釈し、ろ別し、メ
タノールおよびジメチルホルムアミドで洗浄し、乾燥し
て、テトラーtart−アミルジヒドロキシシリコンフ
タロシアニン7.0部を得た。
ノベンゾイソインドリン7.8部および四塩化けい素5
.0部を加え、180〜200℃で3時間加熱攪押した
後、冷却し、メタノール500部で希釈し、ろ別し、メ
タノールおよびジメチルホルムアミドで洗浄し、乾燥し
て、テトラーtart−アミルジヒドロキシシリコンフ
タロシアニン7.0部を得た。
ピリジン100部に、得られたテトラーtert−アミ
ルジヒドロキシシリコンフタロシアニン1.0部および
トリーn−プチルアミン5.0部を加え、加熱攪拌しな
がら、前留としてビリジン50部を留去させ、冷却した
後、ジクロロジメチルシラン86 0部を加え、室温に
て18時間攪拌した。ついで、徐々に昇温させ、系内の
温度がピリジンの沸点に達するまで過剰のジクロロジメ
チルシランを留去させた。次に、エチレングリコール0
. 2部とビリジン30部との混合液を、100℃で
60分間かけて滴下により加え、4時間加熱還流させた
後、ナトリウムエトキシド3.0部を加え、さらに3時
間加熱還流させ、室温にまで冷却し、生或物をメタノー
ル500部に注ぎ、析出した暗緑色の沈殿をろ別し、メ
タノールで洗浄し、乾燥し、暗緑色の乾燥粉末を得た。
ルジヒドロキシシリコンフタロシアニン1.0部および
トリーn−プチルアミン5.0部を加え、加熱攪拌しな
がら、前留としてビリジン50部を留去させ、冷却した
後、ジクロロジメチルシラン86 0部を加え、室温に
て18時間攪拌した。ついで、徐々に昇温させ、系内の
温度がピリジンの沸点に達するまで過剰のジクロロジメ
チルシランを留去させた。次に、エチレングリコール0
. 2部とビリジン30部との混合液を、100℃で
60分間かけて滴下により加え、4時間加熱還流させた
後、ナトリウムエトキシド3.0部を加え、さらに3時
間加熱還流させ、室温にまで冷却し、生或物をメタノー
ル500部に注ぎ、析出した暗緑色の沈殿をろ別し、メ
タノールで洗浄し、乾燥し、暗緑色の乾燥粉末を得た。
得られた暗緑色の粉末をクロロホルムに溶解し、シリカ
ゲル力ラムを用いて分離精製した後、溶媒を留去させて
ると、ダイマーであるナフタロシアニン系ポリマー化合
物(c)と若干料のトリマーとの混合物0.5部が得ら
れた。
ゲル力ラムを用いて分離精製した後、溶媒を留去させて
ると、ダイマーであるナフタロシアニン系ポリマー化合
物(c)と若干料のトリマーとの混合物0.5部が得ら
れた。
得られたダイマー(C)εトリマーとの混合物2.0部
をジクロ口エタン98.0部に溶解して得られた溶液を
、非品質ポリオレフィン樹脂を射出成形した溝付きディ
スク基板上に、スピンコート法にて、回転数6 0 0
rpo+で950入の膜厚に成膜して光記録層とした
。この記録層の上に真空蒸着法にて、SiO2を約10
0六の厚さで成膜し、さらにこの上に、コニシ株式会社
製ホットメルト接着剤MU 101を160℃の温度
でロールコータで、約25ミクロンの厚さに塗布した。
をジクロ口エタン98.0部に溶解して得られた溶液を
、非品質ポリオレフィン樹脂を射出成形した溝付きディ
スク基板上に、スピンコート法にて、回転数6 0 0
rpo+で950入の膜厚に成膜して光記録層とした
。この記録層の上に真空蒸着法にて、SiO2を約10
0六の厚さで成膜し、さらにこの上に、コニシ株式会社
製ホットメルト接着剤MU 101を160℃の温度
でロールコータで、約25ミクロンの厚さに塗布した。
同様に光記録層のない非品質ポリオレフィン樹脂製ディ
スク基板の・上に、ホットメルト接着剤MU101をロ
ールコータで塗布し、ホットメルト接着剤同士を合わせ
た状態で両ディスクを貼合わせて光記録媒体とした。
スク基板の・上に、ホットメルト接着剤MU101をロ
ールコータで塗布し、ホットメルト接着剤同士を合わせ
た状態で両ディスクを貼合わせて光記録媒体とした。
評価:波長8 3 0 nmの半導体レーザーを用い、
ディスク線速9.4m/s,記録周波数1. 0MHz
でレーザーを1〜10mWの強度で照射した。この後、
0 . 6 m Wのパワーのレーザーで信号を読みと
った。
ディスク線速9.4m/s,記録周波数1. 0MHz
でレーザーを1〜10mWの強度で照射した。この後、
0 . 6 m Wのパワーのレーザーで信号を読みと
った。
結果を第1図に示す。
第1図は、本発明に係る光記録媒体の記録レーザバワー
とC/N比との関係を示す図である。
とC/N比との関係を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)透明基板上に、下記一般式[ I ]で示されるナフ
タロシアニン系ポリマー化合物の少なくとも1種以上を
含有する光記録層と、該光記録層の変形抑制層とが、こ
の順序で設けられてなることを特徴とする光記録媒体。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I 〕 [式中、MはSi、GeまたはSnである。Xは−O(
CH_2)_gO−、−O(C_2H_4O)_h−、
−OSiR^1R^2O(CH_2)_iOSiR^3
R^4O−、−OSiR^5R^6O(C_2H_4O
)_jOSiR^7R^8O−、または、−(OSiR
^9R^1^0)_kO−である。Y^1、Y^2はそ
れぞれ独立に−R^1^1、−OR^1^2、−OSi
R^1^3R^1^4R^1^5であり、置換基Z^1
、Z^2はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、または、−
R^1^6、−OR^1^7である。ここで、R^1、
R^2、・・・・・・R^1^0、R^1^1、R^1
^2、R^1^6およびR^1^7は互いに同一であっ
ても異なっていてもよく、水素原子、置換基を有しても
よいアルキル基、アリール基、アシル基、シクロアルキ
ル基であり、R^1^3、R^1^4およびR^1^5
は互いに同一であっても異なっていてもよく、置換基を
有してもよいアルキル基、アリール基、アシル基、シク
ロアルキル基、アルコキシ基またはポリエーテル基であ
り、g、h、i、jおよびには互いに同一であっても異
なっていてもよい1以上の整数である。また、nは1以
上の整数であり、ポリマーとしての重合度を示す。l、
mはそれぞれ独立に0〜6の整数であって置換基Z^1
およびZ^2の個数である。]
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1156600A JPH0321493A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1156600A JPH0321493A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 光記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0321493A true JPH0321493A (ja) | 1991-01-30 |
Family
ID=15631296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1156600A Pending JPH0321493A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0321493A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009126960A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Konica Minolta Holdings Inc | インク、インクジェット記録方法及びカラーフィルタ |
WO2014030768A1 (en) * | 2012-08-22 | 2014-02-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Phthalocyanine pigment and pigment dispersion, ink and color filter resist composition containing same |
-
1989
- 1989-06-19 JP JP1156600A patent/JPH0321493A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009126960A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Konica Minolta Holdings Inc | インク、インクジェット記録方法及びカラーフィルタ |
WO2014030768A1 (en) * | 2012-08-22 | 2014-02-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Phthalocyanine pigment and pigment dispersion, ink and color filter resist composition containing same |
CN104583336A (zh) * | 2012-08-22 | 2015-04-29 | 佳能株式会社 | 酞菁颜料及包含酞菁颜料的颜料分散体、墨和滤色器用抗蚀剂组合物 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6337991A (ja) | 光学記録媒体 | |
JPH02202482A (ja) | 光記録媒体 | |
JPH01198391A (ja) | 光学記録媒体 | |
JPH0321493A (ja) | 光記録媒体 | |
JP2507781B2 (ja) | 光学記録媒体 | |
JP3412221B2 (ja) | 光学記録媒体およびその記録膜材料 | |
JPH0615961A (ja) | コンパクトディスク対応またはコンパクトディスク−rom対応の追記型光ディスク | |
JP3045514B2 (ja) | 光学記録媒体 | |
JPH08282103A (ja) | 光記録材料およびそれを用いた光学記録媒体 | |
JPH01105788A (ja) | 光学記録媒体 | |
JP2507795B2 (ja) | 光学記録媒体 | |
JPH0239990A (ja) | 光学記録媒体 | |
JPH0497889A (ja) | 光学記録媒体 | |
JP2501005B2 (ja) | 光学記録媒体およびその記録膜材料 | |
JPH01176585A (ja) | 光学記録媒体 | |
JP3389677B2 (ja) | 光記録材料およびそれを用いた追記型コンパクトデイスク | |
JPH0474691A (ja) | コンパクトディスク対応またはコンパクトディスク−rom対応の追記型光ディスクおよびそれを使用するフタロシアニン系色素 | |
JPH02255379A (ja) | 光学記録媒体 | |
JP3136828B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JPH01210388A (ja) | 光学記録媒体 | |
JPH0239991A (ja) | 光学記録媒体 | |
JPH0425494A (ja) | 光記録媒体 | |
JPH04108794A (ja) | ナフタロシアニン化合物およびその製造方法、並びに該ナフタロシアニン化合物を含有してなる光記録層 | |
JPH03173685A (ja) | 光学記録媒体 | |
JPH01130983A (ja) | 光学記録媒体 |